集成芯片的制作方法

1.本发明实施例内容是有关于一种集成芯片及其形成方法，特别是有关于一种具有鸡尾酒层的集成芯片及其形成方法，可增进集成芯片的可靠性。


背景技术：

2.许多现代电子装置包括非易失性存储器(non-volatile memory)。非易失性存储器是能够在断电情况下存储数据的电子存储器。下一代的非易失性存储器的一个可靠的候选者是铁电随机存取存储器(ferroelectric random-accessmemory，feram)。铁电随机存取存储器具有相对简单的结构，并且可与制造互补式金属氧化物半导体(complementary metal
–
oxide
–
semiconductor， cmos)逻辑工艺和薄膜晶体管的工艺相容。


技术实现要素：

3.本发明的一些实施例提供一种集成芯片(integrated chip)，包括设置在一基底的上方的一栅极电极，以及设置于前述栅极电极的上方的一栅极介电层。在一些实施例中，此集成芯片还包括设置在前述栅极介电层的上方的一主动结构(active structure)，且前述主动结构包括由多个第一主动层(firstactive layers)与多个鸡尾酒层(cocktail layers)交替设置所形成的一堆叠。在一些实施例中，前述鸡尾酒层包括一第一材料和一第二材料的混合物，前述第一主动层包括不同于前述第一材料和前述第二材料的一第三材料，其中前述主动结构的一最底层(bottommost layer)是前述鸡尾酒层其中之一。在一些实施例中，此集成芯片还包括设置在前述主动结构的上方的一源极接触件 (source contact)和一漏极接触件(drain contact)。
4.本发明的一些实施例又提供一种集成芯片。此集成芯片包括设置在一基底的上方的一栅极电极(gate electrode)，以及设置在前述栅极电极的上方的一栅极介电层(gate dielectric layer)，其中前述栅极介电层包括一铁电材料(ferroelectric material)。在一些实施例中，此集成芯片还包括设置在前述栅极介电层的上方的一主动结构(active structure)，此主动结构包括一第一材料、与前述第一材料不同的一第二材料、以及与前述第一材料和前述第二材料不同的一第三材料。在一些实施例中，前述第一材料和前述第二材料是直接接触前述栅极介电层。在一些实施例中，前述第三材料是以第一材料以及第二材料而与前述栅极介电层相隔开。在一些实施例中，此集成芯片还包括设置在前述主动结构的上方的一源极接触件(source contact)和一漏极接触件(draincontact)。
5.本发明的一些实施例提供一种集成芯片的形成方法。此集成芯片的形成方法包括在一基底的上方形成一栅极电极，以及在前述栅极电极的上方形成一栅极介电层。在一些实施例中，此集成芯片的形成方法还包括通过同时活化两种前驱物，以在前述栅极介电层的上方形成一鸡尾酒层(cocktail layer)，使得此鸡尾酒层包括一第一材料和一第二材料的一混合物。在一些实施例中，此集成芯片的形成方法还包括在前述鸡尾酒层的上方形成一第一主动层 (first active layer)。在一些实施例中，此第一主动层包含一第三材料，
第三材料不同于第一材料和第二材料。在一些实施例中，此集成芯片的形成方法还包括在前述鸡尾酒层和前述第一主动层的上方形成一源极接触件(sourcecontact)和一漏极接触件(drain contact)。
附图说明
6.通过以下的详细描述配合所附图式，可以更加理解本发明实施例的内容。需强调的是，根据产业上的标准惯例，许多部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了能清楚地讨论，各种部件的尺寸可能被任意地增加或减少。
7.图1示出了本公开的一些实施例的场效晶体管铁电随机存取存储器(fetferam)装置的剖面图，其包括直接位于一铁电层上的一鸡尾酒层。
8.图2示出了一些实施例的一鸡尾酒层的微结构的放大剖面图。
9.图3a、图3b示出了一些替代性实施例的一场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)的剖面图，其包括直接位于一铁电层上的一鸡尾酒层。
10.图4示出了一些实施例的一集成芯片的剖面图，此集成芯片包括嵌入一内连结构(interconnect structure)内的场效晶体管铁电随机存取存储器(fetferam)。
11.图5、图6、图7a、图7b、图8a、图8b、图9a、图9b、图10、图 11、图12、图13a、图13b、图14、图15图示出了在一些实施例中，在场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)中的铁电层上直接形成一鸡尾酒层的方法的各种视图和示意图。
12.图16示出了对应于图5-图15中的一些实施例的方法的流程图。
13.其中，附图标记说明如下：
14.100，200，300a，300b，400，500，600，700a，700b，800a，800b， 900a，900b，1000，1100，1200，1400，1500：剖面图
15.1300a，1300b：时序图
16.1600：流程图
17.1602，1604，1606，1608，1610，1612：步骤
18.102：基底
19.104：介电层
20.106：栅极电极
21.108：栅极介电层
22.110：主动结构
23.110b：主动结构的最底层
24.110t：主动结构的最顶层
25.112：鸡尾酒层
26.114：第一主动层
27.116：内连介电层
28.118：源极/漏极接触件
29.202：第一材料区域
30.204：第二材料区域
31.302：块体基底层
32.304：主动基底层
33.310：第二主动层
34.312：第三主动层
35.402：内连结构
36.404a：第一场效晶体管铁电随机存取存储器
37.404b：第二场效晶体管铁电随机存取存储器
38.406：蚀刻停止层
39.408：内连导线
40.418：内连接触件
41.701：晶圆夹盘
42.702：腔室壳体
43.704：第一前驱物板
44.706：固体前驱物混合物
45.708：第一气体入口管线
46.710：第一容器壳体
47.712：惰性气体源
48.714：第二气体入口管线
49.716：氧气源
50.717：气体出口管线
51.718：第二容器壳体
52.720：第二前驱物板
53.722：第一固体前驱物
54.724：第三前驱物板
55.726：第二固体前驱物
56.802，902，1102，1202：箭头
57.804：第一金属层
58.1004：第四前驱物板
59.1006：第三固体前驱物
60.1104：第二金属层
61.1302：图例
62.t1：第一厚度
63.t2：第二厚度
64.t3：第三厚度
65.t4：第四厚度
具体实施方式
66.以下内容提供了很多不同的实施例或范例，用于实现本发明实施例的不同部件。组件和配置的具体范例描述如下，以简化本发明实施例。当然，这些仅仅是范例，并非用以限定本发明实施例。举例来说，叙述中若提及一第一特征部件形成于一第二特征部件的上
方或位于其上，可能包含上述第一和第二特征部件直接接触的实施例，也可能包含额外的特征部件形成于上述第一特征和上述第二特征部件之间，使得第一和第二特征部件不直接接触的实施例。另外，本发明实施例可能在许多范例中重复元件符号及/或字母。这些重复是为了简化和清楚的目的，其本身并非代表所讨论各种实施例及/或配置之间有特定的关系。
67.再者，文中可能使用空间上的相关用语，例如「在
…
之下」、「在
…
下方」、「下方的」、「在
…
上方」、「上方的」及其他类似的用语，以便描述如图所示的一个元件或部件与其他的元件或部件之间的关系。此空间上的相关用语除了包含图式绘示的方位外，也包含使用或操作中的装置的不同方位。装置可以被转至其他方位(旋转90度或其他方位)，则在此所使用的空间相对描述可同样依旋转后的方位来解读。
68.薄膜晶体管(thinfilmtransistor，tft)是一种场效晶体管(fieldeffecttransistor，fet)，它包括一个主动层(activelayer)，当有足够的信号(例如，电压、电流)施加到薄膜晶体管(tft)的源极接触件(sourcecontact)、漏极接触件(draincontact)和栅极电极(gateelectrode)。在一些情况下，主动层包括透明的半导体材料，例如氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide，igzo)、非晶硅、或用于光学应用的一些其他合适的材料。在底栅极薄膜晶体管中，栅极电极是设置在主动层的下方，而源极接触件和漏极接触件则设置在主动层的上方。栅极介电层(gatedielectriclayer)可以将栅极电极与主动层分隔开来。在一些情况下，栅极介电层包括铁电材料(ferroelectricmaterial)，使得此薄膜晶体管可作为一场效晶体管(fet)铁电随机存取存储器(ferroelectricrandomaccessmemory，feram)。当存在一电场时，铁电材料的晶体结构会发生变化，因此铁电层可以基于在极化状态之间的一可逆切换过程而存储数据值。
69.为了形成一场效晶体管铁电随机存取存储器(fetferam)，在栅极电极上形成一铁电层。然后在铁电层上方形成主动层，并且在主动层上方形成源极接触件和漏极接触件。在一些实施例中，当主动层直接设置在铁电层上时，主动层包括多层材料且这些材料具有不同的最适特性。例如，当主动层包括氧化铟镓锌(igzo)时，一氧化镓层可以直接形成在铁电层上，因为氧化镓具有减少缺陷(例如，氧空缺)的高键结能(highbondingenergy)。随着缺陷(例如，氧空缺)的减少，在主动层以及/或铁电层内将产生更少的正电荷或负电荷，称为表面状态(surfacestates)，从而减少可靠性(reliability)的问题。然而，缺陷(例如，氧空缺)的减少也降低了氧化镓层中的电荷迁移率(chargemobility)。因此，在一些其他实施例中，具有比氧化镓更高迁移率的一氧化铟层(indiumoxidelayer)是直接形成在铁电层上，以增加场效晶体管铁电随机存取存储器(fetferam)的开关切换速度(switchingspeed)。然而，当氧化铟直接形成在铁电层上时，可靠性会降低，因为与氧化镓相比，氧化铟形成了更多的表面状态。
70.本公开的各种实施例涉及在场效晶体管铁电随机存取存储器(fetferam)的铁电层上方形成一主动结构(activestructure)，其中主动结构包括直接设置在铁电层上的一鸡尾酒层(cocktaillayer)，以增加电荷迁移率，同时还降低铁电层以及/或鸡尾酒层的表面状态。鸡尾酒层包括第一材料和第二材料的混合物，其中与第二材料相比，第一材料具有更强的键结能以降低表面状态，并且与第一材料相比，第二材料具有更高的电荷迁移率以提高开关切换速度。在一些实施例中，通过在相同的一反应腔室内同时活化第一材料和第
二材料的前驱物来形成鸡尾酒层。因此，鸡尾酒层是直接形成在铁电层上，使得第一材料和第二材料接触铁电层，以优化场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)的开关切换速度和可靠性。
71.图1示出了本公开的一些实施例的场效晶体管(fet)铁电随机存取存储器(feram)装置的剖面图100，其包括直接位于一铁电层上的一鸡尾酒层。
72.图1的剖面图100包括设置在基底102上方的栅极电极106。在一些实施例中，一介电层104设置在栅极电极106和基底102之间。在一些实施例中，栅极介电层108设置在栅极电极106上方。在一些实施例中，栅极介电层108包括一铁电材料，例如钽酸锶铋(strontium bismuth tantalite)、锆钛酸铅(lead zirconate titanate)、氧化铪锌(hafnium zinc oxide)、氧化铪锆(hafniumzirconium oxide)、掺杂氧化铪(doped hafnium oxide)、或前述的类似物。在这样的实施例中，包括铁电材料的栅极介电层108是被配置为通过暴露于不同电压偏置而改变晶体结构的定向和电阻来存储数据状态。
73.在一些实施例中，一主动结构110设置在栅极介电层108上方。在一些实施例中，主动结构110包括一半导体材料，当施加足够的偏压横跨主动结构110时，可以开启主动结构110以形成移动电荷载子的一通道区(channelregion)。移动电荷载子的通道区可以被控制，以从栅极介电层108读取数据或将数据写入栅极介电层108。在一些实施例中，主动结构110的一最底层 110b包括包含第一材料和第二材料的混合物的一鸡尾酒层(cocktaillayer)112，并且包含第三材料的第一主动层114是设置在鸡尾酒层之上112，其中第三材料不同于第一材料和第二材料。在一些实施例中，主动结构110 包括以交替顺序设置的鸡尾酒层112和第一主动层114的一堆叠。在一些实施例中，主动结构110的最顶层110t包括这些第一主动层114的其中之一。
74.在一些实施例中，源极/漏极接触件(source/drain contacts)118设置在主动结构110的上方。在一些实施例中，源极/漏极接触件118设置在内连介电层(interconnect dielectric layer)116内并延伸穿过内连介电层116，以接触主动结构110的最顶层110t。
75.在一些实施例中，主动结构110的第一材料、第二材料和第三材料为金属氧化物。在一些实施例中，第一主动层114的第三材料包括比第一材料和第二材料更结晶的材料。因此，第一主动层114与栅极介电层108可分隔开来以避免直接接触，否则第一主动层114的第三材料与栅极介电层108之间的界面将过于粗糙，而在栅极介电层108上产生潜在的附着性和结构性的问题。
76.在一些实施例中，鸡尾酒层112的第一材料包括比第二材料更强或更负的键结能(bonding energy)。在一些实施例中，键结能可由一金属氧化物的埃林汉姆图(metal oxide ellingham diagram)确定，此图说明了各种金属氧化物形成的吉布斯自由能(gibbs free energy of formation)与温度的关系。在一些实施例中，第一材料包括氧化镓(gallium oxide)、氧化铪(hafnium oxide)、氧化锆 (zirconium oxide)、氧化钛(titanium oxide)、氧化铝(aluminum oxide)、氧化钽(tantalum oxide)、氧化锶(strontium oxide)、氧化钡(barium oxide)、氧化钪 (scandium oxide)、氧化镁(magnesium oxide)、氧化镧(lanthanum oxide)、氧化钆(gadolinium oxide)、或一些其他合适的金属氧化物。在一些实施例中，第二材料包括氧化铟、氧化锡、氧化砷、氧化锌、或其类似物。在一些实施例中，第三材料包括氧化锌。因此，例如，在一些实施例中，第一材料包
括氧化镓；第二材料包括氧化铟；第三材料包括氧化锌，使得主动结构110包括氧化铟镓锌(igzo)，其为半导体材料。在一些其他的实施例中，主动结构110 可以包括锡镓锌氧化物(tin gallium zinc oxide)、铟铪锌氧化物(indium hafniumzinc oxide)、或是可以一起形成一半导体材料的第一材料、第二材料和第三材料的一些其他合适材料的组合。
77.由于第一材料具有更强的键结能，所以在鸡尾酒层112的第一材料和栅极介电层108之间的界面处存在着更少的缺陷(例如，氧空缺)，因而存在着更少的表面状态(即，存在着更少的过量电荷)。在一些实施例中，由于第二材料的较弱的键结能和其金属离子的增加，鸡尾酒层112的第二材料具有比鸡尾酒层112的第一材料更高的电荷迁移率。因此，移动电荷载子可以在鸡尾酒层112的第二材料和栅极介电层108之间的一界面处具有更高的电荷迁移率。
78.出于以上这些原因，鸡尾酒层112包括第一材料和第二材料的混合物以减少缺陷，但也增加了主动结构110的最底层110b和栅极介电层108之间的界面处的电荷迁移率，以增加场效晶体管铁电随机存取存储器(fetferam)的可靠性和开关切换速度(switching speeds)。
79.图2示出了一些实施例的鸡尾酒层的微结构的放大剖面图200。此剖面图200可对应于图1的方框a。
80.如剖面图200所示，在一些实施例中，鸡尾酒层112包括第一材料区域 (first material regions)202和第二材料区域(second material regions)204。在一些实施例中，第二材料区域204是显示嵌入在第一材料区域202内。在一些其他实施例中，第一材料区域202可能显示是嵌入在第二材料区域204内。然而，在一些实施例中，鸡尾酒层112包括第一材料和第二材料的混合物，并且放大的剖面图200可以显示出所定义的包括第一材料的第一材料区域 202以及包括第二材料的第二材料区域204。
81.在一些这样的实施例中，第一材料区域202基本上是非晶形的，而第二材料区域204基本上是非晶形的。由于第一材料区域202和第二材料区域204 是非晶形的，所以降低了在鸡尾酒层112和栅极介电层(图1的栅极介电层 108)之间的界面处的粗糙度和电子散射(electron scattering)。此外，在一些实施例中，由于第一材料区域202和第二材料区域204直接接触栅极介电层(图 1的栅极介电层108)，可以减少缺陷并且增加了电荷迁移率，因此增加了场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)的导通电流(“on”current)和开关切换速度。
82.图3a绘示出了一些替代性实施例的一场效晶体管铁电随机存取存储器 (fet feram)的剖面图300a，其中场效晶体管铁电随机存取存储器包括直接位于一铁电层上方的一鸡尾酒层。
83.在一些实施例中，基底102包括一绝缘层上覆硅基底(silicon on insulatorsubstrate)，使得介电层104设置在一块体基底层(bulk substrate layer)302和主动基底层(active substrate layer)304之间。在一些实施例中，主动结构110的最顶层110t包括鸡尾酒层112的其中一层。此外，应可理解的是，实施例的主动结构110可以包括比图3a中所示的主动结构110的层数更多或更少的材料层。
84.在一些实施例中，栅极介电层108具有在例如大约5纳米至大约20纳米之间的范围内的第一厚度t1。在一些实施例中，主动结构110可以具有在例如大约5纳米至大约15纳米
之间的范围内的第二厚度t2。在一些实施例中，各个鸡尾酒层112具有在例如大约0.1埃至大约500埃之间的范围内的第三厚度t3。在一些实施例中，鸡尾酒层112中的第一材料相对于第二材料的比例是自大约0.1至大约0.99的范围内。在一些实施例中，栅极电极106 可以包括例如氮化钛、铝、钨、铜、或一些其他合适的导电材料。在一些实施例中，栅极电极106可以具有在例如大约10纳米至大约20纳米之间的范围内的厚度。在一些实施例中，源极/漏极接触件118可以包括例如铝、钨、铜、钽、钛、或一些其他合适的导电材料。
85.图3b示出了一些其他的替代性实施例的一场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)的剖面图300b，其中此场效晶体管铁电随机存取存储器包括直接位于一铁电层上的一鸡尾酒层。
86.在一些实施例中，主动结构110的最底层110b包括鸡尾酒层112。在一些实施例中，包括第三材料的第一主动层114是设置在鸡尾酒层112的上方。然后，在一些实施例中，主动结构110还包括设置在第一主动层114上方的第二主动层310和设置在第二主动层310上方的第三主动层312。在一些这样的实施例中，第二主动层310包括第一材料，以及第三主动层312包括第二材料。因此，在一些实施例中，鸡尾酒层112直接形成在栅极介电层108 上，但是主动结构110的所有其他层，包括第一主动层114、第二主动层310 和第三主动层312，它们是均质层(homogenous layers)并且不是包含材料混合物的层。在一些这样的实施例中，主动结构110包括设置在鸡尾酒层112的上方的多个第一主动层114、第二主动层310和第三主动层312的各一层。在一些实施例中，主动结构110的最顶层110t可以包括第一主动层114、第二主动层310、或第三主动层312。
87.图4示出了一些实施例的一集成芯片的剖面图400，此集成芯片包括嵌入一内连结构(interconnect structure)内的场效晶体管铁电随机存取存储器 (fet feram)。
88.在一些实施例中，场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)被设置在内连结构402内，此内连结构402设置在基底102的上方。在一些实施例中，内连结构402包括内连接触件(interconnect contacts)418和内连导线 (interconnect wires)408，其设置在内连介电层116和蚀刻停止层406之中。在一些实施例中，内连接触件418和内连导线408可以包括例如铝、钨、铜、钽、钛、或一些其他合适的导电材料。在一些实施例中，内连介电层116可以包括例如氮化物(例如氮化硅、氮氧化硅)、碳化物(例如碳化硅)、氧化物(例如氧化硅)、硼硅玻璃(borosilicate glass，bsg)、磷硅酸盐玻璃(phosphoricsilicate glass，psg)、硼磷硅酸盐玻璃(borophosphosilicate glas，bpsg)、一低介电常数的氧化物(例如，碳掺杂氧化物、sicoh)、或其类似物。在一些实施例中，蚀刻停止层406可以包括例如碳化硅、氮化硅、或一些其他合适的介电材料。
89.如图4所示，第一场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)404a和第二场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)404b设置在内连结构402 内。在一些实施例中，内连接触件418设置在主动结构110的上方并耦合至主动结构110，使得内连接触件418作为场效晶体管铁电随机存取存储器的源极/漏极接触件(图3a-图3b的源极/漏极接触件118)。在一些实施例中，如第一场效晶体管铁电随机存取存储器404a所示，栅极电极106设置在内连导线408之一的上方。在其他实施例中，栅极电极106可以设置在内连接触件418之一的上方。在一些实施例中，如第二场效晶体管铁电随机存取存储器404b所示，可省略栅极电极106，而是以直接设置栅极介电层108在内连结构402的其中一个内连导线408之上做取代。
90.在一些实施例中，由于场效晶体管铁电随机存取存储器(例如，场效晶体管铁电随机存取存储器存储器404a和404b)的小的垂直尺寸，场效晶体管铁电随机存取存储器可以被集成到集成芯片的内连结构402中，并且由内连结构402的内连导线408和内连接触件418所形成的网络(network)所控制，以在栅极介电层108内存储数据。
91.图5-图15示出了在一些实施例中，在场效晶体管铁电随机存取存储器 (fet feram)中的铁电层上直接形成一鸡尾酒层的方法的各种视图和示意图500-1500，以提高场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)的开关切换速度和可靠性。虽然图5-图15是以关于一种方法进行描述的，但是应当理解的是，图5-图15中所公开的结构并不限于图5-图15的方法，而是可以作为独立于此方法的结构而存在。
92.如图5的剖面图500所示，在一些实施例中，在一基底102的上方形成一栅极电极106。在各种实施例中，基底102可以包括任何类型的半导体块体(例如，硅/cmos块体、sige、绝缘层上覆硅(soi)等)，例如一半导体晶圆或是在晶圆上的一个或多个晶粒，以及在其上形成任何其他类型的半导体以及/或外延层，以及/或以与其相关联的任何层。在一些其他实施例中，基板 102可以包括使用于光学应用的一支撑透明材料(support transparentmaterial)，例如玻璃。在图5的剖面图500中，基底102是一绝缘层上覆硅 (soi)基底，其包括设置在一块体基底层302的上方并且设置在主动基底层 304的下方的一介电层104。在一些实施例中，块体基底层302和主动基底层304可以包括例如硅、锗、或一些其他合适的半导体材料。在一些实施例中，介电层104包括二氧化硅、氮氧化硅、或一些其他合适的介电层。
93.在一些实施例中，栅极电极106通过一沉积工艺(例如，物理气相沉积(physical vapor deposition，pvd)、化学气相沉积(chemical vapor deposition， cvd)、原子层沉积(atomic layer deposition，ald)、直流溅镀、或其他合适的方式)而形成在基底102的上方。在一些实施例中，栅极电极106包括氮化钛、铝、钨、铜、或一些其他合适的导电材料。在一些实施例中，栅极电极 106形成为具有在例如大约10纳米至大约20纳米之间的范围内的厚度。
94.如图6的剖面图600所示，在一些实施例中，在栅极电极106的上方形成一栅极介电层(gate dielectric layer)108。在一些实施例中，可通过原子层沉积在一腔室中形成栅极介电层108，腔室的温度在例如大约摄氏200度至大约摄氏400度之间的范围。在一些其他实施例中，栅极介电层108通过另一沉积工艺(例如，物理气相沉积、化学气相沉积等)而形成。在一些实施例中，栅极介电层108包括一铁电材料，例如钽酸锶铋(strontium bismuth tantalite)、锆钛酸铅(lead zirconate titanate)、氧化铪锌(hafnium zinc oxide)、氧化铪锆 (hafnium zirconium oxide)、掺杂氧化铪(doped hafnium oxide)、或前述的类似物。例如，在一些实施例中，栅极介电层108包括氧化铪锆，其中铪和锆之间的一原子比例(atomic ratio)大约为1比1。在一些实施例中，栅极介电层 108具有在大约5纳米至大约20纳米之间的范围内的第一厚度t1。
95.如图7a的剖面图700a所示，在一些实施例中，基底102被传送到由腔室壳体702所定义的一反应腔室内的一晶圆夹盘(wafer chuck)701上。在一些实施例中，反应腔室是一原子层沉积(ald)腔室、低压容器、以及/或类似物。在一些实施例中，在图5和图6中分别形成的栅极电极106以及/或栅极介电层108，在形成期间，基底102已经在反应腔室中。在一些实施例中，第一气体入口管线(first gas inlet line)708穿入腔室壳体702，使得由第一
容器壳体(first vessel housing)710所定义的第一前驱物容器可通过第一气体入口管线708连接到反应腔室。在一些实施例中，第二气体入口管线714穿入腔室壳体702，使得氧气源716可以进入反应腔室。在一些实施例中，一气体出口管线(gas outlet line)717穿入腔室壳体702，使得各种气体可以在沉积工艺期间得以离开反应腔室。
96.在一些实施例中，第一前驱物板704(first precursor plate)是设置在第一前驱物容器内。在一些实施例中，第一前驱物板704包括在第一前驱物板704 的凹槽内的固体前驱物混合物(solid precursor mixture)706。在一些实施例中，一惰性气体源(inert gas source)712连接至第一前驱物容器，使得当惰性气体源712被开启时，惰性气体可以与固体前驱物混合物706进行反应，并且一前驱物蒸汽(precursor vapor)可以通过第一气体入口管线708进入反应腔室，以在栅极介电层108上由前驱物蒸汽形成一层。
97.在一些实施例中，固体前驱物混合物706包括第一前驱物与第二前驱物的混合，其中第一前驱物对应于待沉积到栅极介电层108上的第一材料，并且第二前驱物对应于待沉积到栅极介电层108上的第二材料。因此，在活化固体前驱体混合物706时，包含第一材料和第二材料的混合物的鸡尾酒层(例如，图10中的鸡尾酒层112)可以沉积在栅极介电层108上。在一些实施例中，第一材料包括镓、铪、锆、钛、铝、钽、锶、钡、钪、镁、镧、钆、或一些其他合适的金属。在第一材料包括镓的一些实施例中，固体前驱物混合物706的第一前驱物可以包括例如ga(c2h5)3、ga(nme)3、ga(c5h7o2)3、 gacp*、ga(ch3)3、ga2(nme2)6、或一些其他合适的包含镓的固体前驱物。
98.在一些实施例中，第二材料包括铟、锡、锌、砷、或一些其他合适的金属。在一些这样的实施例中，其中第二材料包括铟，固体前驱物混合物706 的第二前驱物可以包括例如三甲基-铟(trimethyl-indium)、三乙基-铟 (triethyl-indium)、incp(c5h5in)、inca-1(c8h
24
innsi2)、dadi(c7h
18
inn)，或一些其他合适的包含铟的固体前驱物。在一些实施例中，固体前驱物混合物 706中第一前驱物与第二前驱物的比例可以在例如约0.01和约0.99之间的范围内。
99.图7b示出了一些其他实施例的由腔室壳体702定义的反应腔室的剖面图700b。在一些其他实施例中，基底102被传送到图7b的腔室壳体702中，而不是传送到图7a的腔室壳体中。
100.如以下所述，用于沉积鸡尾酒层的两种不同方法将在图7a-图9b中示出。包括固体前驱物混合物(图7a的固体前驱物混合物706)的第一种方法将在“a”图(即，图7a、图8a、图9a)中示出。包括第一固体前驱物722和第二固体前驱物726的第二种方法将在“b”图(即，图7b、图8b、图9b)中示出。因此，在一些实施例中，在栅极介电层108上沉积鸡尾酒层的第一种方法是依循图7a、图8a和图9a的步骤，而在栅极介电层108上沉积鸡尾酒层的第二种方法是依循图7b、图8b和图9b的步骤。
101.如图7b的剖面图700b所示，在一些实施例中，由第二容器壳体(secondvessel housing)718所定义的第二前驱物容器(second precursor vessel)也连接到由腔室壳体702所定义的反应腔室。在一些这样的实施例中，惰性气体源 712连接至第一前驱物容器和第二前驱物容器。在一些其他实施例中，第一前驱物容器和第二前驱物容器是各自连接到单独的气体源并且由它们个别控制。在一些实施例中，第二前驱物板(second precursor plate)720设置在第一前驱物容器内，并且包括第一固体前驱物722。在一些实施例中，第一
固体前驱物722包括如上文关于图7a所述的第一前驱物。在一些实施例中，第三前驱物板(third precursor plate)724设置在第二前驱物容器内，并且包括第二固体前驱物726。在一些实施例中，第二固体前驱物726包含如上文关于图7a所述的第二前驱物。
102.在一些这样的实施例中，惰性气体源712耦接至第一前驱物容器和第二前驱物容器，使得当惰性气体源712被“开启”时，惰性气体可以与第一固体前驱物722和第二固体前驱物726同时进行反应，并且来自反应腔室内的一前驱物蒸汽可以在栅极介电层108上形成来自前驱物蒸汽的层。在一些其他实施例(未示出)中，耦接至至第一前驱物容器和第二前驱物容器的第一惰性气体源(first inert gas source)和第二惰性气体源(second inert gas source)可以同时“开启”，使得来自第一前驱物容器和第二前驱物容器的前驱物蒸汽通过第一气体入口管线708进入反应腔室，以于栅极介电层108上方形成来自前驱物蒸汽的层。
103.如图8a的剖面图800a所示，在一些实施例中，惰性气体源712如箭头802所示被“开启”，并与第一前驱物容器内的固体前驱物混合物706反应。在一些这样的实施例中，前驱物蒸汽形成并进入反应腔室以形成第一金属层(first metal layer)804，此第一金属层804包括通过原子层沉积(ald)而形成在栅极介电层108的上方的两种金属的混合物。在一些实施例中，惰性气体源712包括例如氮气、氩气、氢气、前述气体的组合、或一些其他合适的气体。
104.如图8b的剖面图800b所示，在一些实施例中，惰性气体源712被“开启”，如箭头802所示，并与第一固体前驱物722和第二固体前驱物726反应，来自第一固体前驱物722的第一前驱物蒸汽和来自第二固体前驱物的第二前驱物蒸汽进入反应腔室并在反应腔室中混合。在一些这样的实施例中，第一前驱物蒸汽和第二前驱物蒸汽在反应腔室内混合以形成第一金属层 804，此第一金属层804包括通过原子层沉积(ald)而形成在栅极介电层108 的上方的两种金属的混合物。
105.分别如图9a的剖面图900a和如图9b的剖面图900b所示，在一些实施例中，如箭头902所示，氧气源716被“开启”，并且氧蒸汽进入反应腔室。在一些这样的实施例中，氧蒸汽然后与第一金属层(图8a或图8b的第一金属层804)反应，以氧化第一金属层(图8a或图8b的第一金属层804)，并在栅极介电层108的上方形成鸡尾酒层112。在一些实施例中，氧气源716 例如是水。在一些其他实施例中，图7a或图7b的前驱物蒸汽是进入反应腔室，然后氧气蒸汽进入反应腔室并与前驱物蒸汽反应以形成鸡尾酒层112，从而绕过第一金属层的形成(图8a或图8b的第一金属层804)。
106.然而，在一些实施例中，鸡尾酒层112包括第一材料和第二材料的混合物，其中第一材料和第二材料是金属氧化物。在一些实施例中，鸡尾酒层112 的第一材料包括比第二材料更强或更负的键结能(bonding energy)。在一些实施例中，第一材料包括氧化镓(gallium oxide)、氧化铪(hafnium oxide)、氧化锆(zirconium oxide)、氧化钛(titanium oxide)、氧化铝(aluminum oxide)、氧化钽(tantalum oxide)、氧化锶(strontium oxide)、氧化钡(barium oxide)、氧化钪 (scandium oxide)、氧化镁(magnesium oxide)、氧化镧(lanthanum oxide)、氧化钆(gadolinium oxide)、或一些其他合适的金属氧化物。在一些实施例中，第二材料包括氧化铟、氧化锡、氧化砷、氧化锌、或其类似物。
107.在一些实施例中，鸡尾酒层112具有在例如大约0.1埃至大约500埃之间的范围内
的第三厚度t3。在一些实施例中，鸡尾酒层112中的第一材料相对于第二材料的比例范围从大约0.1至大约0.99的范围。
108.因为第一材料具有更强的键结能，所以在鸡尾酒层112的第一材料和栅极介电层108之间的界面处存在更少的缺陷(例如，氧空缺)，因而存在更少的表面状态(即，存在更少的过量电荷)。在一些实施例中，由于较弱的键结能和第二材料中金属离子的增加，鸡尾酒层112的第二材料具有比鸡尾酒层 112的第一材料更高的迁移率。因此，移动电荷载子可以在鸡尾酒层112的第二材料和栅极介电层108之间的界面处具有更高的迁移率。因此，鸡尾酒层112包括第一材料和第二材料的混合物，可以减少缺陷但也可增加主动结构110的最底层110b和栅极介电层108之间的界面处的电荷迁移率(chargemobility)。
109.如图10的剖面图1000所示，在一些实施例中，第四前驱物板(fourthprecursor plate)1004被放置在由第一容器壳体710所定义的第一前驱物容器中。当可理解的是，图10可以是自图9a或图9b相继而来。在一些其他实施例中，第四前驱物板1004可以设置在与第一前驱物和第二前驱物分开的第三前驱物容器(未示出)中。在如图9b所示的具有第一容器壳体710和第二容器壳体(图9b的第二容器壳体718)的一些实施例中，第二容器壳体(图9b 的第二容器壳体718)被清空以及/或关闭，惰性气体源712将仅活化设置在第四前驱物板1004内的第三固体前驱物(third solid precursor)1006。在一些实施例中，第三固体前驱物1006可以包括锌、或一些其他金属。在一些实施例中，第三固体前驱物1006例如包括zn(ch3coo)2、二乙基锌(diethylzinc)、二甲基锌(dimethylzinc)、醋酸锌(zinc acetate)、(ch3)zn(och(ch3)2)、或一些其他合适的固体前驱物。
110.如图11的剖面图1100所示，在一些实施例中，惰性气体源712如箭头 1102所示被“开启”，并与在第一前驱物容器内的第三固体前驱物1006反应。在一些这样的实施例中，第三前驱物蒸汽是形成并且进入反应腔室，以通过原子层沉积(ald)的方式而在鸡尾酒层112的上方形成第二金属层 (second metal layer)1104。
111.如图12的剖面图1200所示，在一些实施例中，如箭头1202所示，氧气源716被“开启”，并且氧蒸汽进入反应腔室。在一些这样的实施例中，氧蒸汽之后是与第二金属层(图11的第二金属层1104)反应并氧化，以在鸡尾酒层112上方形成第一主动层(first active layer)114。在一些其他的实施例中，图11的第二前驱物蒸汽进入反应腔室，然后氧蒸汽进入反应腔室，并与第二前驱物蒸汽反应以形成第一主动层114，从而绕过第二金属层的形成 (图11的第二金属层1104)。在一些实施例中，第一主动层114具有在例如大约0.1埃至大约500埃之间的范围内的第四厚度t4。
112.然而，在一些实施例中，第一主动层114包括不同于第一材料和第二材料的第三材料，例如氧化锌或一些其他合适的金属氧化物。在一些实施例中，鸡尾酒层112的第一材料和第二材料以及第一主动层114的第三材料是共同形成一半导体材料，例如氧化铟镓锌(igzo)、氧化锡镓锌(tin gallium zincoxide)、或一些其他合适的金属氧化物半导体材料。在一些实施例中，由于第一主动层114具有比鸡尾酒层112更多的晶体结构，第一主动层114是通过鸡尾酒层112而与栅极介电层108相隔开来。因此，第一主动层114与栅极介电层108相隔开来，而可以避免第一主动层114直接形成于栅极介电层 108上会产生的潜在的附着性和结构性的问题。
113.图13a和图13b分别图示了在栅极介电层(图12的栅极介电层108)的上方形成鸡尾
酒层(图12的鸡尾酒层112)以及在鸡尾酒层(图12的鸡尾酒层112) 的上方形成第一主动层(图12的第一主动层114)的一些实施例的时序图 (timing diagram)1300a和1300b。时序图1300a和1300b说明了随着时间增加的气体压力以活化各种前驱物。时序图1300a和1300b包括说明前驱物活化的图例1302。在一些实施例中，每个气体脉冲的时间段可以在例如大约1 毫秒至大约20分钟之间的范围内。
114.图13a示出了对应于第一种方法的一些实施例的时序图1300a，包括如图7a、图8a、图9a、图10、图11和图12所示的固体前驱物混合物(图7a 的固体前驱物混合物706)。
115.如图13a的时序图1300a所示，在一些实施例中，惰性气体源(图8a 的惰性气体源712)首先被“开启”以活化固体前驱物混合物(图8a的固体前驱物混合物706)，此对应于图8a所示的步骤。然后，在惰性气体源(图8a 的惰性气体源712)之后将氧气源(图9a的氧气源716)开启，以将氧蒸汽引入反应腔室而形成鸡尾酒层(图9a的鸡尾酒层112)，此对应于图9a所示的步骤。在一些实施例中，然后，惰性气体源(图11的惰性气体源712)再次“开启”，以活化第三固体前驱物(图11的第三固体前驱物1006)，而将第三前驱物蒸汽引入反应腔室，其对应于图11所示的步骤。然后，在一些实施例中，打开氧气源(图9a的氧气源716)以将氧蒸汽引入反应层，而形成第一主动层(图12的第一主动层114)，其对应于图12所示的步骤。
116.图13b示出了对应于第二种方法的一些实施例的时序图1300b，包括如图7b、图8b、图9b、图10、图11和图12所示的第一固体前驱物(图7b 的第一固体前驱物722)和第二固体前驱物(图7b的第二固体前驱物726)。
117.如图13b的时序图1300b所示，在一些实施例中，惰性气体源(图8b的惰性气体源712)首先被“开启”，以同时活化第一固体前驱物(图8b的第一固体前驱物722)和第二固体前驱物(图8b的第二固体前驱物726)，此对应于图8b所示的步骤。然后，在惰性气体源(图8b的惰性气体源712)之后将氧气源(图9b的氧气源716)打开，以将氧蒸汽引入反应腔室，而形成鸡尾酒层 (图9b的鸡尾酒层112)，此对应于图9b所示的步骤。然后，在一些实施例中，惰性气体源(图11的惰性气体源712)再次“开启”，以活化第三固体前驱物(图11的第三固体前驱物1006)，以将第三前驱物蒸汽引入反应腔室，此对应于图11所示的步骤。然后，在一些实施例中，打开氧气源(图9a的氧气源716)以将氧蒸汽引入反应层，而形成第一主动层(图12的第一主动层 114)，此对应于图12所示的步骤。
118.在一些实施例中，如图13a和图13b所示，除了图13b中的第一固体前驱物和第二固体前驱物(图8b的第一固体前驱物722和第二固体前驱物 726)的活化以外，气体脉冲彼此不重叠。在一些其他实施例中，当可理解的是，气体脉冲可以彼此重叠。例如，在一些实施例中，在惰性气体源(图8b 的惰性气体源712)未完全“关闭”时，可以“开启”氧气源(图9b的氧气源 716)，使得对应于图8b的气体脉冲可能与图9b的气体脉冲部分重叠。
119.如图14的剖面图1400所示，在一些实施例中，重复图8a-图12中的步骤，以在栅极介电层108的上方形成多个鸡尾酒层112和第一主动层114。因此，在一些实施例中，主动结构110包括在栅极介电层108的上方交替设置的鸡尾酒层112和第一主动层114而形成的一堆叠。在一些实施例中，主动结构110具有在例如大约5纳米至大约15纳米之间的范围内的第二厚度 t2。主动结构110的最底层110b包括鸡尾酒层112的其中之一。然而，在一些实施例中，主动结构110的最顶层110t可以包括鸡尾酒层112的其中之一或是第一主动层114的其中之一。当可理解的是，在一些其他实施例中，主动结构110中的层可以多于8层，或者是
可以少于8层。
120.如图15的剖面图1500所示，在一些实施例中，源极/漏极接触件118形成在主动结构110的上方。在一些实施例中，源极/漏极接触件118形成在主动结构110的上方的内连介电层116内，且可通过包括沉积工艺(例如，物理气相沉积(pvd)、化学气相沉积(cvd)、等离子体辅助化学气相沉积(pecvd)、原子层沉积(ald)、溅镀等)、去除工艺(例如湿式蚀刻、干式蚀刻、化学机械平坦化(chemical mechanical planarization，cmp)等)、以及/或图案化工艺(例如光学微影/蚀刻)而形成。在一些其他实施例中，首先形成源极/漏极接触件 118，然后在源极/漏极接触件118之间和主动结构110的上方形成内连介电层116。
121.在一些实施例中，内连介电层116包括例如氮化物(例如，氮化硅、氮氧化硅)、碳化物(例如，碳化硅)、氧化物(例如，氧化硅)、硼硅酸盐玻璃 (borosilicate glass，bsg)、磷硅玻璃(phosphoric silicate glass，psg)、硼磷硅酸盐玻璃(borophosphosilicate glass，bpsg)、低介电常数的氧化物(例如，碳掺杂氧化物，sicoh)、或其类似物。在一些实施例中，源极/漏极接触件118 包括例如铝、钨、铜、钽、钛、或一些其他合适的导电材料。
122.进一步地，在一些实施例中，在形成源极/漏极接触件118之后，是进行一沉积后退火工艺(post deposition annealing process)对栅极介电层108进行再结晶，以增强用于存储存储器的栅极介电层108的极化状态。在一些实施例中，在介于例如大约摄氏300度至大约摄氏500度之间的设定温度的腔室中进行此沉积后退火工艺，持续时间在介于例如大约30秒和大约90秒之间的范围内。
123.在一些实施例中，图15中形成的整体结构是一薄膜晶体管(tft)，也是一场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)装置。在一些这样的实施例中，当足够的信号(例如，电流、电压)被施加到源极/漏极接触件118和栅极电极106时，可以在主动结构110中形成一通道区，且此通道区在主动结构110和栅极介电层108的界面附近形成，并且可以从栅极介电层108读取或写入存储器。因为包括第一材料和第二材料的混合物的鸡尾酒层112直接接触栅极介电层108，可减少了缺陷并且增加了电荷迁移率，这提高了整个场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)的可靠性和开关切换速度。
124.图16示出了对应于图5-图15中的一些实施例的方法的流程图1600。
125.虽然流程图1600中的方法在下面被图示和描述为一系列动作或事件，但是应当理解的是，所示出的这些动作或事件的顺序不应被解释为具有限制性的意义。例如，一些动作可以以不同的顺序发生以及/或与除了在此示出以及/或描述的此些动作或事件之外的其他动作或事件同时发生。此外，可能不需要所有图示的动作来实现本文叙述的一个或多个方面或实施例。此外，这里叙述的一个或多个动作可以在一个或多个单独的动作以及/或阶段中进行。
126.在步骤1602中，在一基底的上方形成一栅极电极。图5示出了对应于步骤1602的一些实施例的剖面图500。
127.在步骤1604中，在前述的栅极电极的上方形成一栅极介电层。图6示出了对应于步骤1604的一些实施例的剖面图600。
128.在步骤1606中，通过同时活化两种前驱物而在前述的栅极介电层的上方形成一鸡尾酒层(cocktail layer)，使得前述的鸡尾酒层包括了第一材料和第二材料的一混合物。图8a和图9a分别示出了对应于步骤1606的一些实施例的剖面图800a和900a。
129.在步骤1608中，在鸡尾酒层的上方形成一第一主动层，且第一主动层包括不同于第一材料和第二材料的第三材料。图11和图12分别示出了对应于步骤1608的一些实施例的剖面图1200和1300。
130.在步骤1610中，重复的形成前述的鸡尾酒层和第一主动层，以在栅极介电层的上方形成彼此交替设置的多个鸡尾酒层和多个第一主动层的一堆叠(stack)。图14示出了对应于步骤1610的一些实施例的剖面图1400。
131.在步骤1612中，在鸡尾酒层和第一主动层的堆叠的上方形成一源极接触件和一漏极接触件。图15示出了对应于步骤1612的一些实施例的剖面图 1500。
132.因此，本公开的内容涉及了一种在场效晶体管铁电随机存取存储器(fetferam)的一铁电层上直接形成包含两种材料的混合物的鸡尾酒层的方法，以优化鸡尾酒层和铁电层的迁移率和表面状态的特性，从而优化开关切换速度和场效晶体管铁电随机存取存储器(fet feram)的可靠性。
133.因此，在一些实施例中，本公开提供了一种集成芯片(integrated chip)，包括：设置在一基底的上方的一栅极电极；设置于前述栅极电极的上方的一栅极介电层；设置在前述栅极介电层的上方的一主动结构(active structure)，且前述主动结构包括由多个第一主动层(first active layers)与多个鸡尾酒层 (cocktail layers)交替设置所形成的一堆叠，其中前述鸡尾酒层包括一第一材料和一第二材料的混合物，其中第一主动层包括不同于前述第一材料和前述第二材料的一第三材料，其中前述主动结构的一最底层(bottommost layer)是前述鸡尾酒层其中之一；以及设置在前述主动结构的上方的一源极接触件 (source contact)和一漏极接触件(drain contact)。
134.在一些实施例中，集成芯片的前述栅极介电层是包括一铁电材料 (ferroelectric material)。
135.在一些实施例中，前述主动结构的一最顶层(topmost layer)是前述鸡尾酒层的其中一层。
136.在一些实施例中，前述主动结构的一最顶层(topmost layer)是前述第一主动层的其中一层。
137.在一些实施例中，前述主动结构的前述最底层是直接接触前述栅极介电层。
138.在一些实施例中，前述第一材料包括氧化镓(gallium oxide)，前述第二材料包括氧化铟(indium oxide)，以及前述第三材料包括氧化锌(zinc oxide)。
139.在一些其他实施例中，本公开提供了一种集成芯片(integrated chip)，包括：设置在一基底的上方的一栅极电极(gate electrode)；设置在前述栅极电极的上方的一栅极介电层(gate dielectric layer)，其中前述栅极介电层包括一铁电材料(ferroelectric material)；设置在前述栅极介电层的上方的一主动结构 (active structure)，此主动结构包括一第一材料、与前述第一材料不同的一第二材料、以及与前述第一材料和前述第二材料不同的一第三材料，其中前述第一材料和前述第二材料是直接接触前述栅极介电层，其中前述第三材料是以第一材料以及第二材料而与前述栅极介电层相隔开；以及设置在前述主动结构的上方的一源极接触件(source contact)和一漏极接触件(drain contact)。
140.在一些实施例中，前述集成芯片的主动结构是包括一半导体材料 (semiconductor material)。
141.在一些实施例中，前述主动结构是包括由多个第一层(first layers)与第二层(second layers)交替设置所形成的一堆叠，其中第一层包括第一材料和第二材料的一混合物，且其中第二层包括第三材料。
142.在一些实施例中，前述主动结构是包括数个层，且其中前述主动结构的一最顶层是包括第三材料。
143.在一些实施例中，前述主动结构是包括数个层，且其中前述主动结构的一最底层和一最顶层是包括第一材料和第二材料的一混合物。
144.在一些实施例中，前述第一材料是具有比前述第二材料更高的一电子迁移率(electron mobility)。
145.在一些实施例中，前述第一材料以及前述第二材料是具有非晶形晶体结构(amorphous crystal structures)。
146.在一些实施例中，前述的集成芯片还包括：
147.一内连导孔(interconnect via)设置在前述栅极电极的下方，且前述内连导孔耦接至前述栅极电极；
148.一第一内连导线(first interconnect wire)设置在前述源极接触件的上方，且前述第一内连导线耦接至前述源极接触件；
149.一第二内连导线(second interconnect wire)设置在前述漏极接触件的上方，且前述第二内连导线耦接至前述漏极接触件；以及
150.一内连介电结构(interconnect dielectric structure)围绕前述内连导孔、前述第一内连导线、前述第二内连导线、前述源极接触件以及前述漏极接触件。
151.在一些其他实施例中，本公开还提供了一种集成芯片的形成方法，包括：在一基底的上方形成一栅极电极；在前述栅极电极的上方形成一栅极介电层；通过同时活化两种前驱物，以在前述栅极介电层的上方形成一鸡尾酒层 (cocktail layer)，使得此鸡尾酒层包括一第一材料和一第二材料的一混合物；在前述鸡尾酒层的上方形成一第一主动层(first active layer)，此第一主动层包含一第三材料，第三材料不同于第一材料和第二材料；在前述鸡尾酒层和前述第一主动层的上方形成一源极接触件(source contact)和一漏极接触件(draincontact)。
152.在一些实施例中，前述栅极介电层是包括一铁电材料(ferroelectricmaterial)。
153.在一些实施例中，前述两种前驱物是为在相同的前驱物容器(precursorvessel)中混合的固体前驱物(solid precursors)。
154.在一些实施例中，前述两种前驱物是为固体前驱物，其中第一前驱物是在一第一前驱物容器(first precursor vessel)内，其中第二前驱物是在一第二前驱物容器(second precursor vessel)内，且其中一个或多个气体源是同时活化前述第一前驱物和前述第二前驱物。
155.在一些实施例中，其中前述第一材料和前述第二材料是为金属氧化物(metal oxides)，且其中亦提供一氧气源以形成前述鸡尾酒层。
156.在一些实施例中，前述方法还包括：
157.重复形成前述鸡尾酒层以及前述第一主动层，以形成在栅极介电层的上方形成一
堆叠，此堆叠包括交替设置的鸡尾酒层和第一主动层。
158.以上概述数个实施例的部件，以便在本发明所属技术领域中具有通常知识者可以更加理解本发明实施例的观点。在本发明所属技术领域中具有通常知识者应理解，他们能轻易地以本发明实施例为基础，设计或修改其他工艺和结构，以达到与在此介绍的实施例相同的目的及/或优势。在本发明所属技术领域中具有通常知识者也应理解，此类等效的结构并无悖离本发明的精神与范围，且他们能在不违背本发明的精神和范围下，做各式各样的改变、取代和替换。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定为准。