磁传感器的制作方法

1.本发明涉及一种磁传感器，特别是涉及一种具备将磁通聚集于感磁元件的外部磁性体与补偿线圈的磁传感器。


背景技术：

2.作为具备将磁通聚集于感磁元件的外部磁性体与补偿线圈的磁传感器，已知有专利文献1及2中记载的磁传感器。专利文献1及2中记载的磁传感器具备：集成于传感器芯片的感磁元件以及补偿线圈、配置于传感器芯片上的外部磁性体。而且，通过对感磁元件施加由外部磁性体聚磁的磁场，并且利用补偿线圈取消施加于感磁元件的磁场，由此进行所谓的闭环控制。由此，由于施加于感磁元件的磁场被始终保持为零的状态，因此，不会产生因温度变化等引起的偏移，能够进行正确的磁场测定。
3.但是，在专利文献1以及2中记载的磁传感器中，具有补偿线圈集成于传感器芯片的构造，因此，难以充分确保补偿线圈的匝数，从流经补偿线圈的电流产生的磁场较小。因此，在作为测定对象的磁场较强的情况下，难以取消施加于感磁元件的磁场。另外，由于补偿线圈与外部磁性体的距离较远，因此，如果作为测定对象的磁场强，则外部磁性体也可能发生磁饱和。如果外部磁性体磁饱和，则由于聚磁能力的下降，存在磁场的强度与传感器输出之间的线性会消失，无法准确测定磁场这样的问题。
4.作为解决上述问题的方法，如专利文献1的图12所示，考虑在搭载有传感器芯片的基板上另外追加围绕传感器芯片的大型的补偿线圈的方法。根据这种方法，由于能够对感磁元件以及外部磁性体施加强的消除磁场，因此，即使在作为测定对象的磁场比较强的情况下，也能够正确地取消施加于感磁元件的磁场，并且能够防止外部磁性体的磁饱和。
5.现有技术文献
6.专利文献
7.专利文献1：国际公开第2017/077870号小册子
8.专利文献2：日本特开2018-179738号公报


技术实现要素：

9.发明所要解决的问题
10.但是，在将大型的补偿线圈搭载于基板上的方法中，存在整个磁传感器的尺寸大型化这样的问题。
11.因此，本发明的目的在于提供一种小型的磁传感器，其能够通过补偿线圈正确地取消施加于感磁元件的磁场，并且能够防止外部磁性体的磁饱和。
12.解决问题的技术手段
13.本发明的磁传感器，其特征在于，具备：基板；传感器芯片，其以形成有至少一个感磁元件的元件形成面相对于基板的表面垂直或者具有规定的倾斜度的方式搭载于基板的表面；至少一个外部磁性体，其搭载于基板的表面并且将检测对象磁场聚磁于感磁元件；以
及补偿线圈，其被卷绕于外部磁性体。
14.根据本发明，由于补偿线圈被卷绕于外部磁性体，因此，能够缩小线圈直径。因此，能够防止整个磁传感器的尺寸的大型化，同时能够有效地对外部磁性体施加取消磁场。由此能够正确地取消施加于感磁元件的磁场，并且能够防止外部磁性体的磁饱和。而且，由于外部磁性体搭载于基板的表面，因此，即使外部磁性体的长度较长的情况下，也能够在基板上稳定地支承外部磁性体。另外，补偿线圈也可以不作为单独部件进行配置，因此，能够减少因补偿线圈的位置偏差等引起的取消磁场的变化，能够以稳定的成品率提供传感器。
15.在本发明中，补偿线圈也可以在不与基板重叠的位置上卷绕于外部磁性体。这样也不会因补偿线圈与基板的接触导致外部磁性体的支承变得不稳定。在这种情况下，外部磁性体也可以具有从基板的表面突出的突出部，补偿线圈卷绕于突出部。或者，基板也可以具有与外部磁性体重叠的狭缝或者开口部，补偿线圈设置于与狭缝或者开口部重叠的位置。由此，能够防止补偿线圈与基板的接触。
16.在本发明中，外部磁性体也可以具有与基板的表面分离的分离部，补偿线圈卷绕于外部磁性体的分离部。由此，能够将补偿线圈配置在与基板重叠的位置，同时防止与基板的接触。
17.在本发明中，也可以将补偿线圈卷绕于外部磁性体与基板双方。这样能防止补偿线圈与基板的干涉，同时能够防止因外力引起的外部磁性体的破损。
18.在本发明中，也可以是至少一个感磁元件由包括第1以及第2感磁元件的桥接的多个感磁元件构成，至少一个外部磁性体具备从垂直于元件形成面的方向观察配置于第1感磁元件与第2感磁元件之间的第1外部磁性体。由此，能够向第1以及第2感磁元件提供反向磁场。在这种情况下，也可以将补偿线圈卷绕于第1外部磁性体。由此，能够有效地对第1外部磁性体施加取消磁场。
19.在本发明中，至少一个外部磁性体也可以还具备：第2外部磁性体，其覆盖位于元件形成面的相反侧的传感器芯片的背面。由此，施加于感磁元件的磁场的强度进一步增强。在这种情况下，也可以将补偿线圈卷绕于第2外部磁性体。由此，能够有效地对第2外部磁性体施加取消磁场。
20.在本发明中，补偿线圈也可以经由骨架卷绕于外部磁性体。由此，无需将补偿线圈直接卷绕于外部磁性体的操作。在这种情况下，也可以将基板以及外部磁性体插入到骨架的内径区域。由此，在基板安装传感器芯片以及外部磁性体后，将卷绕有补偿线圈的骨架插入基板就能制作，因此，组装作业的操作性提高。
21.发明的效果
22.这样，本发明的磁传感器能够通过补偿线圈正确地取消施加于感磁元件的磁场，并且能够防止外部磁性体的磁饱和。而且，由于补偿线圈被卷绕于外部磁性体，因此，也可防止整个磁传感器的尺寸的大型化。此外，由于在不与基板接触的情况下卷绕补偿线圈，因此，也不会发生因补偿线圈与基板的接触导致的外部磁性体的支承变得不稳定。
附图说明
23.图1是表示本发明的第1实施方式的磁传感器1的外观的大致立体图。
24.图2是磁传感器1的大致分解立体图。
25.图3是传感器芯片20的大致俯视图。
26.图4是沿着图3的a―a线的大致截面图。
27.图5是用来说明磁性体层与感磁元件具有重叠的例子的大致截面图。
28.图6是用来说明感磁元件r1～r4与补偿线圈41的连接关系的电路图。
29.图7是表示第1实施方式的第1变形例的磁传感器1a的外观的大致立体图。
30.图8是表示第1实施方式的第2变形例的磁传感器1b的外观的大致立体图。
31.图9是表示本发明的第2实施方式的磁传感器2的外观的大致立体图。
32.图10是表示第2实施方式的变形例的磁传感器2a的外观的大致立体图。
33.图11是表示本发明的第3实施方式的磁传感器3的外观的大致立体图。
34.图12是表示本发明的第4实施方式的磁传感器4的外观的大致立体图。
35.图13是表示第4实施方式的变形例的磁传感器4a的外观的大致立体图。
36.图14是表示本发明的第5实施方式的磁传感器5的外观的大致立体图。
37.图15是表示本发明的第6实施方式的磁传感器6的外观的大致立体图。
38.图16是表示第6实施方式的变形例的磁传感器6a的外观的大致立体图。
39.图17是表示本发明的第7实施方式的磁传感器7的外观的大致立体图。
40.图18是表示本发明的第8实施方式的磁传感器8的外观的大致立体图。
41.图19是表示第8实施方式的第1变形例的磁传感器8a的外观的大致立体图。
42.图20是表示第8实施方式的第2变形例的磁传感器8b的外观的大致立体图。
43.图21是表示本发明的第9实施方式的磁传感器9的外观的大致立体图。
具体实施方式
44.以下，参照附图对本发明的优选的实施方式进行详细的说明。
45.图1是表示本发明的第1实施方式的磁传感器1的外观的大致立体图。另外，图2是传感器1的大致分解立体图。
46.如图1及图2所示，第1实施方式的磁传感器1具备：基板10、搭载于构成基板10的xz面的表面11的传感器芯片20及外部磁性体31～33、被卷绕于外部磁性体31的补偿线圈41。传感器芯片20具有：构成xy面的元件形成面21及背面22、构成yz面的侧面23、24、构成xz面的侧面25、26，并且以侧面26与基板10的表面11相对的方式搭载于基板10。在传感器芯片20的元件形成面21上形成有下述的感磁元件以及磁性体层m1～m3。这样，在本实施方式中，基板10的表面11与传感器芯片20的元件形成面21垂直。但是，在本发明中两者不必完全垂直，也可以相对于垂直具有规定的倾斜度。
47.外部磁性体31～33发挥将磁通聚集于传感器芯片20的作用，并且均由铁氧体等高磁导率材料构成。其中，外部磁性体31是以z方向为长边方向的棒状体，以覆盖磁性体层m1的一部分的方式被定位在元件形成面21的x方向上的大致中央部。外部磁性体32覆盖磁性体层m2的一部分，并且覆盖传感器芯片20的侧面24及背面22，并且具有以z方向为长边方向的棒状形状。同样，外部磁性体33覆盖磁性体层m3的一部分，并且覆盖传感器芯片20的侧面23及背面22，并且具有以z方向为长边方向的棒状形状。根据这样的构造，z方向的磁场选择性地被聚磁，并且聚磁后的磁场施加于传感器芯片20。
48.补偿线圈41由以z方向成为轴向的方式卷绕于外部磁性体31的绕线(包覆导线)构
成。如图1及图2所示，外部磁性体3具有从基板10向z方向突出的突出部31z，补偿线圈41被卷绕于该突出部31z。在本实施方式中，补偿线圈41被直接卷绕于外部磁性体31。另外，为了防止卷绕崩溃，也可以用粘合剂等将卷绕于外部磁性体31的补偿线圈41固定。构成补偿线圈41的绕线的匝数并没有特别的限制，只要是产生目标的取消磁场所需的匝数即可。在本实施方式中，由于将补偿线圈41卷绕于外部磁性体31，因此，与将补偿线圈41集成在传感器芯片20的方式相比，能够大幅增加匝数，并且能够使更大的电流流过。另外，不会像在基板上另外配置补偿线圈的方式那样，导致整个磁传感器的尺寸大型化。
49.图3是传感器芯片20的大致俯视图，图4是沿着图3的a-a线的大致截面图。
50.如图3及图4所示，在传感器芯片20的元件形成面21形成有四个感磁元件r1～r4。只要是根据磁通的方向而电阻发生变化的元件，则感磁元件r1～r4并没有特别的限制，例如可以使用mr元件等。感磁元件r1～r4的固定磁化方向彼此朝向相同的方向(例如x方向上的正侧)。感磁元件r1～r4被绝缘层27覆盖，在绝缘层27的表面形成有由坡莫合金等构成的磁性体层m1～m3。磁性体层m1～m3被绝缘层28覆盖。于是，在磁性体层m1～m3中，将位于y方向上的一侧(图3中的上侧)的部分定义为磁性体层m11、m21、m31，将位于y方向上的另一侧(图3中的下侧)的部分定义为磁性体层m12、m22、m32的情况下，在俯视时(从z方向观察)，感磁元件r1位于磁性体层m11与磁性体层m21之间，感磁元件r2位于磁性体层m12与磁性体层m22之间，感磁元件r3位于磁性体层m11与磁性体层m31之间，感磁元件r4位于磁性体层m12与磁性体层m32之间。由此，通过磁隙g1～g4的磁场被施加于感磁元件r1～r4。
51.但是，在本发明中，各个感磁元件r1～r4在俯视时位于两个磁性体层之间不是必须的，只要在由两个磁性体层构成的磁隙g1～g4附近、即在由磁隙g1～g4形成的磁路上配置各个感磁元件r1～r4即可。另外，磁隙g1～g4的宽度不需要比感磁元件r1～r4的宽度宽，磁隙g1～g4的宽度也可以比感磁元件r1～r4窄。在图5所示的例子中，磁隙g1的x方向上的宽度gx比感磁元件r1的x方向上的宽度rx窄，由此，从z方向观察，磁性体层m1、m2与感磁元件r1具有重叠ov。磁隙g1～g4与感磁元件r1～r4的关系也可以是图5所示的关系。
52.在图3及图4中，符号31a～33a所示的区域分别表示被外部磁性体31～33覆盖的区域。如图3及图4所示，外部磁性体31覆盖磁性体层m1，外部磁性体32覆盖磁性体层m2，外部磁性体33覆盖磁性体层m3。
53.图6是用来说明感磁元件r1～r4与补偿线圈41的连接关系的电路图。
54.如图6所示，感磁元件r1连接于端子电极t11、t13之间，感磁元件r2连接于端子电极t12、t14之间，感磁元件r3连接于端子电极t11、t12之间，感磁元件r4连接于端子电极t13、t4之间。端子电极t11～t14是构成图2所示的端子电极组t10的端子电极。端子电极组t10设置于传感器芯片20，经由形成于基板10的未图示的配线，与图1及图2所示的端子电极组t30连接。向端子电极t11提供电源电位vcc，向端子电极t14提供接地电位gnd。于是，由于感磁元件r1～r4全部具有相同的固定磁化方向，因此，在从外部磁性体31观察位于一侧的感磁元件r1、r2的电阻变化量与从外部磁性体31观察位于另一侧的感磁元件r3、r4的电阻变化量之间产生差。由此，感磁元件r1～r4构成差分桥电路，与磁通密度对应的感磁元件r1～r4的电阻的变化作为差分信号va出现在端子电极t12、t13。
55.从端子电极t12、t13输出的差分信号va被输入到设置于基板10或传感器芯片20的差分放大器51。差分放大器51的输出信号被反馈到端子电极t21。如图6所示，在端子电极
t21和端子电极t22之间连接有补偿线圈41，由此，补偿线圈41产生与差分放大器51的输出信号对应的取消磁场。端子电极t21、t22是构成图1及图2所示的端子电极组t20的端子电极。利用该结构，如果对应于与检测对象磁场的磁通密度对应的感磁元件r1～r4的电阻变化的差分信号va出现在端子电极t12、t13，则与其对应的电流流经补偿线圈41，产生相反方向的取消磁场。由此，抵消检测对象磁场。于是，如果利用检测电路52对从差分放大器51输出的电流进行电流电压转换，则能够检测出检测对象磁场的强度。通过这样的闭环控制，能够高精度地检测经由外部磁性体31～33聚磁的磁场。
56.于是，在本实施方式中，由于补偿线圈41被卷绕于外部磁性体31，因此，能够确保足够的匝数，并且能够流过更大的电流。由此，能够产生强的取消磁场，因此，即使在作为测定对象的磁场较强的情况下，也不仅能够正确地取消施加于感磁元件r1～r4的磁场，而且能够防止外部磁性体31的磁饱和。
57.而且，在本实施方式中，外部磁性体31具有突出部31z，补偿线圈41被卷绕于该突出部31z，因此，不会发生补偿线圈41与基板10的接触或干涉。由此，能够使外部磁性体31紧贴在基板10的表面11，因此，能够将外部磁性体31稳定地固定在基板10的表面11。
58.图7是表示本实施方式的第1变形例的磁传感器1a的外观的大致立体图。如图7所示，第1变形例的磁传感器1a在补偿线圈41由圆形的空芯线圈构成这一方面，与上述的磁传感器1不同。这样，如果使用空芯线圈作为补偿线圈41，则不需要将补偿线圈41直接卷绕于外部磁性体31的操作，只要将已经卷绕的补偿线圈41安装在外部磁性体31即可。
59.图8是表示本实施方式的第2变形例的磁传感器1b的外观的大致立体图。如图8所示，第2变形例的磁传感器1b在补偿线圈41经由由树脂等构成的骨架41b卷绕于外部磁性体31这一方面，与上述的磁传感器1不同。这样，如果将补偿线圈41卷绕于骨架41b，则不需要将补偿线圈41直接卷绕于外部磁性体31的操作，只要将卷绕于骨架41b的补偿线圈41安装在外部磁性体31即可。
60.图9是表示本发明的第2实施方式的磁传感器2的外观的大致立体图。
61.如图9所示，第2实施方式的磁传感器2在狭缝12设置于基板10这一方面，与第1实施方式的磁传感器1不同。“狭缝”是指未闭合，即内壁面与基板10的侧面连续相连的缺口。狭缝12从y方向观察与外部磁性体31重叠，补偿线圈41被卷绕于外部磁性体31中的与狭缝12重叠的部分。由于其他的基本结构与第1实施方式的磁传感器1相同，因此，对于相同的元件标注相同的符号，并且省略重复性的说明。
62.在本实施方式中，虽然外部磁性体31未从基板10突出，但由于在基板10设置有狭缝12，在与狭缝12重叠的部分卷绕有补偿线圈41，因此，与第1实施方式同样，不会发生补偿线圈41与基板10的接触。而且，由于外部磁性体31未从基板10突出，因此，也难以发生因外力所导致的外部磁性体31的破损。
63.图10是表示本实施方式的变形例的磁传感器2a的外观的大致立体图。如图10所示，变形例的磁传感器2a使用外部磁性体32与外部磁性体33不是不同部件，它们被一体化的外部磁性体34。如本实施方式所例示的那样，也可以使用被一体化的外部磁性体34。
64.图11是表示本发明的第3实施方式的磁传感器3的外观的大致立体图。
65.如图11所示，第3实施方式的磁传感器3在开口部13设置于基板10这一方面，与第2实施方式的磁传感器2不同。“开口部”是指闭合的，即内壁面与基板10的侧面不连续相连的
独立的缺口。开口部13从y方向观察与外部磁性体31重叠，补偿线圈41被卷绕于外部磁性体31中的与开口部13重叠的部分。由于其他的基本结构与第2实施方式的磁传感器2相同，因此，对于相同的元件标注相同的标号，并且省略重复性的说明。
66.在本实施方式中，尽管外部磁性体31未从基板10突出，但由于在基板10设置有开口部13，补偿线圈41被卷绕于与开口部13重叠的部分，因此，与第1实施方式同样，不会发生补偿线圈41与基板10的接触。而且，由于外部磁性体31未从基板10突出，因此，也难以发生因外力所导致的外部磁性体31的破损。此外，通过改变开口部13的z方向位置，能够将补偿线圈41卷绕到任意的z方向位置。
67.图12是表示本发明的第4实施方式的磁传感器4的外观的大致立体图。
68.如图12所示，第4实施方式的磁传感器4在外部磁性体32、33的z方向上的端部的x方向宽度变窄，并且其他的补偿线圈42被卷绕于该部分这一方面，与第2实施方式的磁传感器2不同。此外，在基板10不仅设置有狭缝12，还设置有开口部14。由于其他的基本结构与第2实施方式的磁传感器2相同，因此，对于相同的元件标注相同的标号，并且省略重复性的说明。
69.开口部14从y方向观察与外部磁性体32、33重叠，补偿线圈42被卷绕于外部磁性体32、33中的与开口部14重叠的部分。补偿线圈42的线圈轴是z方向，向与被卷绕于外部磁性体31的补偿线圈41相同的方向卷绕。补偿线圈41与补偿线圈42优选串联连接。如果将补偿线圈41与补偿线圈42串联连接，则相同的补偿电流流经补偿线圈41、42，因此，利用补偿线圈41取消通过外部磁性体31的磁通，并且利用补偿线圈42取消通过外部磁性体32、33的磁通。因此，不仅防止外部磁性体31的磁饱和，而且也防止外部磁性体32、33的磁饱和。
70.图13是表示本实施方式的变形例的磁传感器4a的外观的大致立体图。如图13所示，变形例的磁传感器4a设置有开口部13来取代狭缝12，并且补偿线圈41被卷绕于外部磁性体31中的与开口部13重叠的位置。另外，开口部13、14的z方向上的长度也被扩大，由此，补偿线圈41、42的匝数增加。这样，在需要增加补偿线圈41、42的匝数的情况下，只要扩大开口部13、14的z方向上的长度即可。
71.图14是表示本发明的第5实施方式的磁传感器5的外观的大致立体图。
72.如图14所示，第5实施方式的磁传感器5设置有开口部13来取代狭缝12，并且在基板10设置有其他的狭缝15、16。于是，补偿线圈43被卷绕于外部磁性体32中的与狭缝15重叠的位置，补偿线圈44被卷绕于外部磁性体33中的与狭缝16重叠的位置。由于其他的基本结构与第4实施方式的磁传感器4相同，因此，对于相同的元件标注相同的标号，并且省略重复性的说明。
73.如本实施方式所例示的那样，在外部磁性体32、33卷绕补偿线圈的情况下，不需要将补偿线圈42一并卷绕于外部磁性体32、33，也可以将补偿线圈43、44分别卷绕于外部磁性体32、33。由此，能够更精细地调整补偿线圈的匝数。
74.图15是表示本发明的第6实施方式的磁传感器6的外观的大致立体图。
75.如图15所示，第6实施方式的磁传感器6在省略了补偿线圈41这一方面，与第4实施方式的磁传感器4不同。伴随于此，基板10的狭缝12也被省略。其他的基本结构与第4实施方式的磁传感器4相同，因此，对于相同的元件标注相同的标号，并且省略重复性的说明。
76.如本实施方式所例示的那样，在外部磁性体31卷绕补偿线圈41不是必须的，也可
以替代省略补偿线圈41而在外部磁性体32、33卷绕补偿线圈42。
77.图16是表示本实施方式的变形例的磁传感器6a的外观的大致立体。如图16所示，变形例的磁传感器6a具有外部磁性体32、33的x方向上的宽度在长边方向的中途变窄的缩窄形状，补偿线圈42被卷绕于该缩窄部分。据此，补偿线圈42难以脱落。
78.图17是表示本发明的第7实施方式的磁传感器7的外观的大致立体图。
79.如图17所示，第7实施方式的磁传感器7在外部磁性体31的前端变细且外部磁性体31不从基板10突出这一方面，与第1实施方式的磁传感器1不同。由于其他的基本结构与第1实施方式的磁传感器1相同，因此，对于相同的元件标注相同的符号，并且省略重复性的说明。
80.在图17所示的例子中，外部磁性体31的前端在x方向以及y方向上变细。该变细的部分构成从基板10的表面11分离的分离部31s。于是，在本实施方式中，通过将补偿线圈41卷绕于该分离部31s，防止补偿线圈41与基板10的接触。
81.如本实施方式所例示的那样，也可以在与基板10重叠的位置卷绕补偿线圈41。另外，在图17所示的例子中，分离部31s在x方向以及y方向上变细，防止补偿线圈41与基板10的接触的分离部31s可以是任意的形状。
82.图18是表示本发明的第8实施方式的磁传感器8的外观的大致立体图。
83.如图18所示，第8实施方式的磁传感器8在和外部磁性体31的前端重叠的基板10的端部10a的宽度与外部磁性体31相同程度地变细，并且补偿线圈41被卷绕于基板10的端部10a与外部磁性体31的双方这一方面，与第1实施方式的磁传感器1不同。伴随于此，外部磁性体31不具有突出部31z，整体与基板10重叠。由于其他的基本结构与第1实施方式的磁传感器1相同，因此，对于相同的元件标注相同的符号，并且省略重复性的说明。
84.如本实施方式所例示的那样，也可以将补偿线圈41卷绕于外部磁性体31与基板10双方。在这种情况下，也能防止补偿线圈41与基板10的干涉，并且由于整个外部磁性体31与基板10重叠，因此，难以发生因外力引起的外部磁性体31的破损。
85.图19是表示本实施方式的第1变形例的磁传感器8a的外观的大致立体图。如图19所示，变形例的磁传感器8a，替代省略补偿线圈41而将补偿线圈42卷绕于外部磁性体32、33与基板10双方。这样，也可以将卷绕于外部磁性体32、33的补偿线圈42连同基板10卷绕。
86.图20是表示本实施方式的第2变形例的磁传感器8b的外观的大致立体图。如图20所示，变形例的磁传感器8b，将补偿线圈41卷绕于由树脂等构成的骨架41b，并且将基板10以及外部磁性体31插入到骨架41b的内径区域。这样，如果将补偿线圈41卷绕于骨架41b，则不需要将补偿线圈41直接卷绕于外部磁性体31的操作。即，在将传感器芯片20以及外部磁性体31安装到基板10之后，可以通过将卷绕有补偿线圈41的骨架41b插入基板10来制作，因此，提高了组装作业的操作性。而且，由于使用骨架41b，因此，能够准确地卷绕补偿线圈41，其结果，补偿线圈41的施加磁场精度提高。
87.图21是表示本发明的第9实施方式的磁传感器9的外观的大致立体图。
88.如图21所示，第9实施方式的磁传感器9在外部磁性体31没有从基板10突出这一方面，与第1实施方式的磁传感器1不同。伴随于此，外部磁性体31不具有突出部31z，整体与基板10重叠。由于其他的基本结构与第1实施方式的磁传感器1相同，因此，对于相同的元件标注相同的标号，并且省略重复性的说明。
89.如本实施方式所例示的那样，在本发明中并非必须防止补偿线圈41与基板10的干涉。
90.以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是本发明并非限定于上述的实施方式，在不脱离本发明主旨的范围内能够进行各种变更，当然这些变更也包含在本发明的范围内。
91.例如，在上述各实施方式中，桥接了4个感磁元件r1～r4，但在本发明中并非必须使用4个感磁元件。
92.符号的说明
93.1、1a、1b、2、2a、3、4、4a、5、6、6a、7、8、8a、8b、9 磁传感器
94.10 基板
95.10a 基板的端部
96.11 基板的表面
97.12、15、16 狭缝
98.13、14 开口部
99.20 传感器芯片
100.21 元件形成面
101.22 传感器芯片的背面
102.23～26 传感器芯片的侧面
103.27、28 绝缘层
104.31～33 外部磁性体
105.31s 分离部
106.31z 突出部
107.41～44 补偿线圈
108.41b 骨架
109.51 差分放大器
110.52 检测电路
111.g1～g4 磁隙
112.m1～m3、m11、m21、m31、m12、m22、m32 磁性体层
113.r1～r4 感磁元件
114.t10、t20、t30 端子电极组
115.t11～t14、t21、t22 端子电极。