一种超高频超薄石英晶片掩膜定位工装和定位方法与流程

1.本发明涉及石英晶片加工领域，具体为一种超高频超薄石英晶片掩膜定位工装和定位方法。


背景技术：

2.超高频超薄石英晶体核心晶片厚度约为t＝0.02mm，因为石英晶片材料为纯净的二氧化硅(sio2)，该材料物理特性为坚硬，韧性差，极易碎，在石英晶体生产过程中物理损伤而造成破碎。特别是在晶片表面加镀振动电极，需要一套防护的掩膜工装进行保护作业，方可避免晶片大批量损伤，目前防护作业工装是由磁性板吸附装置替代以前镙丝板固定方式，改良了因掩膜工装变形，受外力干扰造成的晶片破损、晶片污染及晶片电极不良等现象。
3.现有的晶片在作业时需要将晶片通过影像识别设备装载入镀膜工装夹具的磁性定位片的工位固定孔内。因目前市面磁性材料定位片厚度无法满足0.02mm，如若将晶片厚度定位片设置过薄，且为多孔位工装夹具，非常柔软，所以在作业拆装过程中容易造成折损，成本损失较大，如若晶片厚度定位片设置过厚将导致晶片会在定位片孔内厚度方向晃动，从而造成晶片电极偏移或者破碎，如果超高频晶片电极偏移或外观受损，直接影响产品电性能和稳定性，会对产品造成功能性损坏。为此，需要设计新的技术方案给予解决。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种超高频超薄石英晶片掩膜定位工装和定位方法，解决了背景技术中所提出的问题。
5.为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：一种超高频超薄石英晶片掩膜定位工装，包括底板电极，所述底板电极的底部四角处均固定有支架；
6.所述底板电极的顶部固定有凸台，所述底板电极的顶部连接有定位片，所述定位片的表面对应所述凸台处开设有与凸台适配的定位孔，所述凸台插接于定位孔内，所述定位片的底部贴合于底板电极的表面，所述定位片的顶部贴合有盖板电极。
7.作为本发明的一种优选实施方式，所述凸台的数目为若干组，若干组所述凸台均匀分布于底板电极的表面，所述凸台和底板电极一体成型设置。
8.作为本发明的一种优选实施方式，所述凸台的厚度为0.03mm。
9.作为本发明的一种优选实施方式，所述定位片的厚度为0.05mm。
10.作为本发明的一种优选实施方式，所述凸台的长度和宽度和定位孔的内长度和内宽度相同。
11.作为本发明的一种优选实施方式，所述底板电机的厚度为0.15mm。
12.作为本发明的一种优选实施方式，所述支架为磁性骨架。
13.本发明还涉及一种超高频超薄石英晶片掩膜定位方法，所述定位方法步骤如下：
14.步骤一：首先将底板电极表面一体成型有若干组凸台，使得凸台的厚度为0.03mm，
然后将定位片加工成0.05mm，同时使得定位片对应凸台位置处开设有定位孔；
15.步骤二：将定位片对应凸台进行套装，使得定位片的底部贴合于底板电极的表面；
16.步骤三；将超高频超薄石英晶片置入定位孔内，从而定位孔内厚度的剩余量等同于超高频超薄石英晶片的厚度，然后盖上盖板电极即可完成定位。
17.与现有技术相比，本发明的有益效果如下：
18.1.本发明通过底板电极表面一体成型有凸台，且凸台的厚度为0.03mm，然后厚度为0.05mm的定位片表面的通孔套在凸台上，从而使得定位片表面通孔内的纵向高度剩余量为0.02mm，从而使得能够适应超高频率超薄晶片，通过该种组合工装进行定位，从而能够有效的避免晶片会在定位片孔内厚度方向晃动的情况，从而避免出现损坏的情况。
19.2.本发明通过组合式工装对超高频率超薄晶片进行限位，从而无需为了满足超高频率超薄晶片的厚度而将定位片的厚度设定较薄，从而避免因设置过薄，导致在作业拆装过程中出现折损的情况，有效的延长了其使用寿命。
附图说明
20.通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
21.图1为本发明一种超高频超薄石英晶片掩膜定位工装和定位方法的整体结构示意图；
22.图2为本发明一种超高频超薄石英晶片掩膜定位工装和定位方法的剖视结构示意图。
23.图中：1、底板电极；2、支架；3、定位片；4、凸台；5、定位孔；6、盖板电极。
具体实施方式
24.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
25.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
26.在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“设置”应做广义理解，例如，可以是固定相连、设置，也可以是可拆卸连接、设置，或一体地连接、设置。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义，本发明中提供的用电器的型号仅是参考，可以通过根据实际使用情况更换功能相同的不同型号用电器。
27.请参阅图1-2，本发明提供一种技术方案：一种超高频超薄石英晶片掩膜定位工装，包括底板电极1，所述底板电机1的厚度为0.15mm，底板电极厚度设定的较厚，使得强度高，不易出现损坏的现象，延长了使用寿命，同时底板电极1用于支撑，所述底板电极1的底部四角处均固定有支架2，所述支架2为磁性骨架，支架2用于对工装进行稳固连接；
28.所述底板电极1的顶部固定有凸台4，所述凸台4和底板电极1一体成型设置，所述
凸台4的厚度为0.03mm，凸台4为凸面电极，所述底板电极1的顶部连接有定位片3，所述定位片3的厚度为0.05mm，定位片3的厚度设定为0.05mm，使得可以便于生产作业，不易于折损和外力破坏形变，定位片3用于对超高频超薄石英晶片进行定位，所述定位片3的表面对应所述凸台4处开设有与凸台4适配的定位孔5，所述凸台4插接于定位孔5内，所述凸台4的长度和宽度和定位孔5的内长度和内宽度相同，使得定位孔5和凸台4套接有能够更加紧密，同时凸台4能够对定位孔5的深度进行填充，使得深度剩余量能够符合超高频超薄石英晶片的厚度，所述定位片3的底部贴合于底板电极1的表面，所述定位片3的顶部贴合有盖板电极6，盖板电极6用于对限位后的超高频超薄石英晶片进行再次限位同时进行导电连接，所述凸台4的数目为若干组，若干组所述凸台4均匀分布于底板电极1的表面，使得能够同时对多组超高频超薄石英晶片进行操作，提升了操作效率，同时也是对定位片3以及底板电极1的最大化利用，同时定位片3表面开设的定位孔5数目根据定位片3的强度以及面积进行计算所得，避免因开孔过多，导致定位片3受损。
29.一种超高频超薄石英晶片掩膜定位方法，所述定位方法步骤如下：
30.步骤一：首先将底板电极1表面一体成型有若干组凸台4，使得凸台4的厚度为0.03mm，同时由于凸台4和底板电极1一体成型，从而凸台4起到底板电极1的作用，即为凸面电极，然后将定位片3加工成0.05mm，厚度适中，使得能够保证自身的强度，不易损坏，同时使得定位片3对应凸台4位置处开设有定位孔5，定位孔5和凸台4适配，使得套接更加紧密；
31.步骤二：将定位片3对应凸台4进行套装，使得定位片3的底部贴合于底板电极1的表面；
32.步骤三；将超高频超薄石英晶片置入定位孔5内，凸台4的厚度为0.03mm，同时定位孔5的孔内高度为0.05mm，当凸台插入后，从而定位孔5内厚度的剩余量为0.02mm，等同于超高频超薄石英晶片的厚度，然后盖上盖板电极6即可完成定位。
33.本发明通过底板电极表面一体成型有凸台，且凸台的厚度为0.03mm，然后厚度为0.05mm的定位片表面的通孔套在凸台上，从而使得定位片表面通孔内的纵向高度剩余量为0.02mm，从而使得能够适应超高频率超薄晶片，通过该种组合工装进行定位，从而能够有效的避免晶片会在定位片孔内厚度方向晃动的情况，从而避免出现损坏的情况，通过组合式工装对超高频率超薄晶片进行限位，从而无需为了满足超高频率超薄晶片的厚度而将定位片的厚度设定较薄，从而避免因设置过薄，导致在作业拆装过程中出现折损的情况，有效的延长了其使用寿命。
34.另外，本发明一种超高频超薄石英晶片掩膜定位工装和定位方法包括的部件均为通用标准件或本领域技术人员知晓的部件，其结构和原理都为本技术人员均可通过技术手册得知或通过常规实验方法获知，在本装置空闲处，将上述中所有电器件，其指代动力元件、电器件以及适配的监控电脑和电源通过导线进行连接，具体连接手段，应参考下述工作原理中，各电器件之间先后工作顺序完成电性连接，其详细连接手段，为本领域公知技术，下述主要介绍工作原理以及过程，不在对电气控制做说明。
35.以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征和本发明的优点，对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说
明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
36.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。