显示装置的制作方法

1.本公开涉及包括穿透基板的基板孔的显示装置。


背景技术：

2.近来，随着我们的社会朝着信息化社会发展，用于可视地表达电信息信号的显示装置的领域已经得到迅速发展。相应地，正在开发在薄、轻和低功耗方面具有优异性能的各种显示装置。
3.通常，诸如监视器、tv、膝上型计算机和数码相机的电子装置包括实现图像的显示装置。例如，显示装置可以包括发光元件。每个发光元件可以发射具有特定颜色的光。例如，每个发光元件可以包括位于第一电极和第二电极之间的发光层。
4.显示装置可以具有内置在其中的外围设备，诸如相机、扬声器和传感器。例如，显示装置可以包括穿透支撑发光元件的元件基板的基板孔。基板孔可以位于发光元件之间。外围设备可被插入到基板孔中。
5.然而，在显示装置中，外部湿气可能穿透基板孔。穿透基板孔的外部湿气可以通过发光层移动到与基板孔相邻的发光元件。因此，在显示装置中，与基板孔相邻的发光元件可能被已经穿透基板孔的外部湿气损坏。


技术实现要素：

6.本公开的一个方面是提供一种显示装置，其能够防止或至少减小由于外部湿气穿透基板孔而对发光元件造成的损坏。
7.本公开的另一方面是提供一种显示装置，其能够减小第二半导体层来自位于第二半导体层上方的包括氢在内的绝缘层的劣化。
8.本公开的又一方面是提供一种显示装置，其能够减小由于基板上方的多个无机绝缘层而引起的基板的翘曲。
9.本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解上述未提及的其它目的。
10.根据本公开的示例性实施方式的显示装置可以包括：基板，该基板包括显示区域和至少一个非显示区域，穿透区域和分离区域位于该非显示区域中；发光元件，该发光元件设置在所述基板上的显示区域中；第一薄膜晶体管，其包括由第一材料形成并包括第一源极区、第一沟道区和第一漏极区的第一半导体层、与所述第一半导体层交叠的第一栅电极，其中下栅极绝缘层插入在所述第一半导体层和所述第一栅电极之间、以及与所述第一半导体层电连接的第一源电极和第一漏电极；第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括由第二材料形成并包括第二源极区、第二沟道区和第二漏极区在内的第二半导体层、与所述第二半导体层交叠的第二栅电极，其中上栅极绝缘层插入在所述第二半导体层和所述第二栅电极之间、以及与所述第二半导体层电连接的第二源电极和第二漏电极；分离结构，其位于所述分离区域中并且被设置为断开所述发光元件的有机发光层；以及第一上层间绝缘层、第
二上层间绝缘层和第三上层间绝缘层，其插入在所述第二薄膜晶体管的第二栅电极与第二源电极和第二漏电极之间，并且顺序地设置。
11.示例性实施方式的其它详细内容包括在详细说明书和附图中。
12.根据基于本公开的示例性实施方式的显示装置，可以通过在第二薄膜晶体管的第二栅电极与第二源电极和第二漏电极之间顺序地形成第二层间绝缘层和第三上层间绝缘层来屏蔽氢扩散到第二半导体层中的路径，所述第二层间绝缘层和所述第三上层间绝缘层由氮化硅(sinx)形成并且具有不同的氢含量和厚度。因此，可以提高装置的可靠性，从而可以提供高质量的显示装置。
13.说明书中的以上描述的要解决的技术问题，问题解决手段和效果并不旨在限制权利要求的基本特征。因此，权利要求书的范围不受说明书中描述的内容的限制。
附图说明
14.图1是示出根据本公开的示例性实施方式的显示面板的前表面的图。
15.图2是通过放大图1中的区域a示出显示区域的平面图。
16.图3是沿着图2中的线i-i
′
截取的子像素的截面图。
17.图4是通过放大图1中的区域b示出的相机孔的平面图。
18.图5是沿图4中的线ii-iv截取的相机孔的区域的截面图。
19.图6是示出本公开的示例性实施方式的截面图，并且是图5中的区域d的放大图。
具体实施方式
20.通过参照在下文中与附图一起详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特点以及实现这些优点和特点的方法将变得清楚。然而，本公开不限于本文中公开的示例性实施方式，而是将被实现为各种形式。仅通过示例的方式来提供示例性实施方式，使得本领域普通技术人员能够完全理解本公开所公开的内容和本公开的范围。因此，本公开将仅受所附权利要求的范围的限制。
21.附图中所例示的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等等仅仅是示例，并且本公开不限于此。相同的附图标记在整个说明书中通常表示相同的元件。进一步地，在本公开的下面的描述中，为了避免不必要地模糊本公开的主题，可以将已知相关技术的详细说明省略掉。本文中使用的诸如“包含”、“具有”和“包括”的术语一般旨在允许添加其它组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明文规定，否则任何单数的引用都可以包括复数。
22.即使没有明确说明，组件也被解释为包括常见误差范围。
23.当使用诸如“在...上”、“在...之上”、“在...下面”和“靠近...”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“紧接着”或“直接”一起使用，否则在该两个部件之间可以设置一个或更多个部件。
24.当使用诸如“之后”、“随后”、“接下来”和“之前”的术语来描述两个或更多个事件之间的时间顺序时，两个或更多个事件可以是不连续的，除非这些术语与术语“立即”或“直接”一起使用。
25.尽管术语“第一”、“第二”等被用于描述各种组件，可是这些组件不受这些术语的
约束。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开。因此，下文提及的第一组件在本公开的技术概念中可以是第二组件。
26.在描述本公开的元件时，可以使用如“第一”、“第二”、“a”、“b”、“(a)”、“(b)”的术语。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开，并且相应元件的实质、顺序、次序或数量不受这些术语的限制。应当理解，当一个元件或层被描述为“连接”、“联接”或“粘合”到另一元件或层时，该元件或层可以直接连接或粘合到另一元件或层，但是其它元件或层可以“设置”在该元件或层与该另一元件或层之间，或者该元件或层与该另一元件或层可以通过其它元件或层彼此“连接”、“联接”或“粘合”。
27.本文中的“显示设备”可以用于包括狭义上的显示设备，其包括显示面板和用于驱动显示面板的驱动单元，诸如液晶模块(lcm)、有机发光二极管(oled)模块和量子点模块。另外，本文中的显示设备还可以包括包含lcm、oled、qd模块等的完整产品或最终产品的装备显示设备(例如，笔记本计算机、电视机、计算机监视器、汽车显示器或车辆的其它显示器)，以及成套电子装置或成套设备(成套装置)(例如，诸如智能电话或电子板的移动电子装置)。
28.因此，这里的显示设备可以包括应用产品或成套设备，诸如包括lcm、oled和qd模块的最终产品，以及狭义上的显示设备本身，诸如lcm、oled和qd模块。
29.如果需要，设置有显示面板、驱动单元等的lcm、oled和qd模块可以在狭义上表示为“显示设备”，并且作为包括lcm、oled和qd模块的最终产品的电子装置可以表示为“成套设备”。例如，狭义上的显示设备可以包括诸如lcd、oled和qd模块的显示面板，以及与用于驱动显示面板的控制单元相对应的源印刷电路板(源pcb)。另外，在成套设备的情况下，其可以包括与和源pcb电连接的成套控制单元相对应的成套pcb，以便控制整个成套设备。
30.应用于本示例性实施方式的显示面板可以使用任何类型的显示面板，诸如液晶显示面板、有机发光二极管(oled)显示面板、量子点(qd)显示面板和电致发光显示面板。本实施方式的显示面板不限于具体的显示面板，该显示面板包括用于oled显示面板的柔性基板和在基板下方并能够使边框弯曲的背板支撑结构。此外，应用于根据本公开的示例性实施方式的显示设备的显示面板不限于其形状或尺寸。
31.更具体地，如果显示面板是oled显示面板，则显示面板可以包括多条选通线、多条数据线和分别形成在选通线和数据线的交叉处中的多个像素。另外，显示面板可以包括阵列、阵列上的oled层、设置在阵列上以覆盖oled层的封装基板或封装层等，所述阵列包括被配置为选择性地向每个像素施加电压的薄膜晶体管。封装层可以保护薄膜晶体管和oled层免受外部冲击，并且抑制湿气和氧气渗透到oled层中。另外，形成在阵列上的层可以包括无机发光层，例如纳米级材料层或量子点。
32.图1在这里示出了可以并入到显示装置中的示例性有机发光二极管(oled)显示面板100。
33.图1是根据本公开的示例性实施方式的显示面板100的平面图。参照图1，在有机发光二极管(oled)显示面板100中，相机和传感器的孔ch设置在显示区域da内，从而可以减小作为非显示区域的边框区域，并且可以增大显示区域da。具有增大显示区域da的设计的产品可以提高用户的屏幕沉浸感，并且因此在美学上可以是更优选的。
34.相机和传感器的孔ch可以是如图1所示的一个孔，但不限于此，并且可以按照各种
形式设置。例如，可以在显示区域da内设置一个或两个孔，并且可以在第一孔中设置相机，并且可以在第二孔中设置距离检测传感器或面部识别传感器和广角相机。
35.图2是区域a的放大图，区域a是图1的显示面板100的显示区域da的一部分，并且图2示出了设置在显示区域da中的子像素的平面形状。
36.在图2中，多个阳极电极151设置在显示区域da中，并且堤部154可以填充在阳极电极151和阳极电极151之间的区域中。堤部154可以设置成覆盖阳极电极151的边缘，并且可以仅允许阳极电极151的中央区域与有机发光叠层接触，从而用于限定子像素的发光区域。间隔体155可以设置在设置有堤部154的区域的一部分中。间隔体155可以设置为在整个显示面板100中具有恒定的密度。间隔体155可用于支撑掩模，使得当执行沉积工艺以形成有机发光叠层时，覆盖或打开每个子像素中的有机层的沉积掩模不直接接触显示面板100。尽管图2示例了以点状布置子像素的像素排列型(pentile type)平面结构，本公开不限于此，也可以使用实型(real type)平面结构。
37.图3示出了图2中的i-i'的子像素的截面结构。
38.参照图3，可以设置基板101、多缓冲层102和下缓冲层103，并且可以在下缓冲层103上设置第一薄膜晶体管120。第一薄膜晶体管120包括第一半导体层123和第一栅电极122，并且下栅极绝缘层104可以设置在用于使第一半导体层123和第一栅电极122绝缘的第一半导体层123上。第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106可以顺序地设置在第一栅电极122上，并且上缓冲层107可以设置在第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106上。
39.基板101可以支撑显示装置的各种组件。基板101可以由具有柔性的玻璃或塑料材料形成。当基板101由塑料材料形成时，其可以由例如聚酰亚胺(pi)形成。当基板101由聚酰亚胺(pi)形成时，在由玻璃形成的支撑基板设置在基板101下方的情况下执行显示装置制造工艺，并且在显示装置制造工艺完成之后，可以释放支撑基板。当基板100由聚酰亚胺(pi)形成时，湿气通过由聚酰亚胺(pi)形成的基板101渗透到第一薄膜晶体管120或发光元件150，从而使显示装置的性能退化。根据本公开的示例性实施方式的显示装置可以由双聚酰亚胺(pi)形成，以便防止由于湿气渗透而导致的显示装置的性能劣化。并且，通过在两个聚酰亚胺(pi)之间形成无机层，可以阻挡或至少减少水分组分穿过下聚酰亚胺(pi)，从而提高产品性能可靠性。
40.多缓冲层102可以使渗透到基板101中的湿气或氧的扩散延迟，并且可以通过交替堆叠氮化硅(sinx)和氧化硅(siox)至少一次来形成多缓冲层102。
41.下缓冲层103保护第一半导体层123并阻挡或至少减少从基板引入的各种类型的缺陷。下缓冲层103可以由a-si、氮化硅(sinx)、或氧化硅(siox)形成。
42.第一薄膜晶体管120的第一半导体层123可以由多晶半导体层形成，并且第一半导体层123可以包括沟道区、源极区和漏极区。
43.由于多晶半导体层与非晶半导体层和氧化物半导体层相比具有更高的迁移率，因此其具有低能耗和优异的可靠性。由于这些优点，多晶半导体层可用于驱动晶体管。
44.第一栅电极122可以设置在下栅极绝缘层104上，并且可以设置为与第一半导体层123交叠。
45.第二薄膜晶体管130可以设置在上缓冲层107上，并且遮光层136可以设置在对应
于第二薄膜晶体管130的区域下方。参照图3，遮光层136设置在与第二薄膜晶体管130相对应的区域中的第一下层间绝缘层105上，并且第二薄膜晶体管130的第二半导体层133可以设置在第二下层间绝缘层106和上缓冲层107上以与遮光层136交叠。用于使第二栅电极132和第二半导体层133绝缘的上栅极绝缘层137可以设置在第二半导体层133上，然后，第一上层间绝缘层108可以设置在第二栅电极132上。第二上层间绝缘层109可以设置在第一上层间绝缘层108上。第一栅电极122和第二栅电极132可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任一种或其合金形成的单层或多层，但是本公开不限于此。
46.第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106可以由与第一上层间绝缘层108相比具有更高氢颗粒含量的无机层形成。例如，第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106可以由通过使用nh3气体的沉积工艺形成的氮化硅(sinx)形成，并且第一上层间绝缘层108可以由氧化硅(siox)形成。包括在第一下层间绝缘层105和第二下层间绝缘层106中的氢颗粒可以在氢化工艺期间扩散到多晶半导体层中，以用氢填充多晶半导体层中的空隙。因此，可以使多晶半导体层稳定，从而防止第一薄膜晶体管120的特性劣化。在第一薄膜晶体管120的第一半导体层123的活化和氢化工艺之后，可以形成第二薄膜晶体管130的第二半导体层133，并且在这种情况下，第二半导体层133可以由氧化物半导体形成。由于第二半导体层133没有暴露于第一半导体层123的活化和氢化工艺的高温气氛，因此可以防止对第二半导体层133的损坏，并且可以提高可靠性。第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以顺序地设置在第一上层间绝缘层108上。第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以包括绝缘材料。第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以包括与第一上层间绝缘层108不同的材料。例如，第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以包括氮化硅基(sinx)材料。即，第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以由相同的材料形成。然而，第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b的氢含量可以彼此不同。第二上层间绝缘层109a可以包括比第三上层间绝缘层109b更多的氢。第二上层间绝缘层109a的厚度可以小于第三上层间绝缘层109b的厚度。
47.在设置第一上层间绝缘层108、第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b之后，第一源极接触孔125s和第一漏极接触孔125d可以形成为对应于第一薄膜晶体管的源极区和漏极区，并且第二源极接触孔135s和第二漏极接触孔135d可以形成为对应于第二薄膜晶体管130的源极区和漏极区。参照图3，第一源极接触孔125s和第一漏极接触孔125d形成为使得可以从上层间绝缘层109b到下栅极绝缘层104连续地形成孔。此外，在第二薄膜晶体管130中，也可以形成第二源极接触孔135s和第二漏极接触孔135d。可以同时形成与第一薄膜晶体管120相对应的第一源电极121和第一漏电极124以及与第二薄膜晶体管130相对应的第二源电极131和第二漏电极134，从而可以减小用于形成第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管130中的每一个的源电极和漏电极的工艺的数量。
48.第一源电极121和第一漏电极124以及第二源电极131和第二漏电极134可以是由钼(mo)、铝(al)、铬(cr)、金(au)、钛(ti)、镍(ni)、钕(nd)和铜(cu)中的任一种或其合金形成的单层或多层，但是本公开不限于此。
49.存储电容器140可以设置在第一薄膜晶体管120和第二薄膜晶体管130之间。如图3所示，存储电容器140可以通过使存储下电极141和存储上电极142交叠而形成，第一下层间
绝缘层105插入在存储下电极141和存储上电极142之间。
50.存储下电极141位于下栅极绝缘层104上，并且可以与第一栅电极122形成在同一层上并且可以由与第一栅电极122相同的材料形成。存储上电极142可以通过存储供应线143电连接到像素电路。存储上电极142可以由与遮光层136相同的材料形成。存储上电极142通过存储接触孔144露出，存储接触孔144穿透第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、上栅极绝缘层137、第一上层间绝缘层108、第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b，并且存储上电极142连接到存储供应线143。同时，尽管如图3中所示存储上电极142与遮光层136间隔开，但是它们也可以形成为彼此连接的一体。存储供应线143可以与第一源电极121和第一漏电极124以及第二源电极131和第二漏电极134形成在同一层上并且由相同的材料形成，从而可以通过与第一源电极121和第一漏电极124以及第二源电极131和第二漏电极134相同的掩模工艺同时形成存储供应线143。
51.通过在其上形成有第一源电极121和第一漏电极124、第二源电极131和第二漏电极134以及存储供应线143的基板101上沉积诸如sinx或siox的无机绝缘材料，可以形成钝化层110。第一平坦化层111可以形成在其上形成有钝化层110的基板101上。具体地，可以通过将诸如丙烯酸树脂的有机绝缘材料施加到其上形成有钝化层110的基板101的整个表面来设置第一平坦化层111。
52.设置钝化层110和第一平坦化层111，并且可以通过光刻工艺形成使第一薄膜晶体管120的第一源电极121或第一漏电极124暴露的接触孔。由mo、ti、cu、alnd、al或cr或其合金形成的材料形成的连接电极145可以设置在使第一漏电极124暴露的接触孔的区域中。
53.第二平坦化层112可以设置在连接电极145上，并且用于使连接电极145露出的接触孔形成在第二平坦化层112中，从而可以设置连接到第一薄膜晶体管120的发光元件150。
54.发光元件150可以包括与第一薄膜晶体管120的第一漏电极124连接的阳极电极151、形成在阳极电极151上的至少一个发光叠层152、以及形成在发光叠层152上的阴极电极153。
55.发光叠层152可包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，并且在多个发光层交叠的串联结构(tandem structure)中，电荷产生层可另外设置在发光层和发光层之间。在发光层的情况下，它们可以在相应的子像素中发射不同的颜色。例如，可以针对每个子像素单独地形成红色发光层、绿色发光层和蓝色发光层。然而，公共发光层被形成为发射白光，而对于每个像素没有颜色区分，并且可以单独地提供用于区分颜色的滤色器。除了形成各自的发光层之外，发光叠层152通常被设置为公共层，并且可以在每个子像素中均等地设置发光叠层152。
56.阳极电极151可以连接到通过穿透第二平坦化层112的接触孔而露出的连接电极145。阳极电极151可以形成为包括透明导电层和具有高反射效率的不透明导电层的多层结构。透明导电层由具有相对大的功函数值的材料形成，例如氧化铟锡(ito)或氧化铟锌(izo)，并且不透明导电层由包含al、ag、cu、pb、mo或ti或其合金的单层或多层结构形成。例如，阳极电极151可以形成为透明导电层、不透明导电层和透明导电层顺序堆叠的结构，或者形成为透明导电层和不透明导电层顺序堆叠的结构。阳极电极151设置在第二平坦化层112上，以与由堤部154提供的发光区域以及其中设置有第一晶体管120和第二晶体管130以及存储电容器140的像素电路区域交叠，从而允许发光区域的增加。
57.发光叠层152可以通过在阳极电极151上按顺序或按相反顺序堆叠空穴传输层、有机发光层和电子传输层来形成。另外，发光叠层152可进一步包括彼此面对的第一发光叠层和第二发光叠层，其间具有电荷产生层。
58.堤部154可以形成为使阳极电极151露出。堤部154可以由诸如光丙烯酸树脂的有机材料形成，并且可以由半透明材料形成，但是不限于此，并且可以由不透明材料形成，以防止子像素之间的光干涉。
59.阴极电极153可以形成在发光叠层152的上表面上，以面对阳极电极151，发光叠层152插入在阴极电极153和阳极电极151之间。当阴极电极153应用于顶部发射型有机发光显示装置时，可以通过较薄地形成铟锡氧化物(ito)、铟锌氧化物(izo)或镁银(mg-ag)来形成透明导电层。
60.为了防止或至少减少发光材料和电极材料的氧化，可以在阴极电极153上设置防止或至少减少氧气和湿气从外部渗透的封装层170。当发光叠层152暴露于湿气或氧气时，在发光区域中可能出现其中发光区域减小的像素收缩现象或黑斑。封装层可以由通过玻璃、金属或氧化铝(alox)或硅(si)基材料形成的无机层形成，或者可以具有有机层和无机层交替堆叠的结构。在这种情况下，第一无机绝缘层171和第二无机绝缘层173用于阻挡或至少减少湿气或氧气的渗透，并且有机层172用于使第一无机绝缘层171和第二无机绝缘层173的表面平坦化。有机层172可以被称为异物补偿层。当将封装层形成为多层薄膜时，与将封装层形成为单层的情况相比，湿气或氧气的移动路径更长且更复杂，使得湿气/氧气难以渗透至有机发光元件。
61.阻挡膜可以位于封装层170上并封装基板101的全部。阻挡膜可以是延迟膜或光各向同性膜。在这种情况下，粘合层可以位于阻挡膜和封装层170之间。粘合层使封装层170和阻挡膜结合。粘合层可以是热固化粘合剂或自然固化粘合剂。例如，粘合层可以由诸如阻挡压敏粘合剂(b-psa)的材料形成。
62.图4是与图1的相机孔ch的区域(以下称为“相机孔ch区域”)相对应的区域b的放大平面图。参照图4，在中央存在大的圆形空间，并且相机模块可以设置在其中。可以在面板完成阶段中用激光去除相机孔ch区域。因此，除了相机孔ch区域的一部分之外，可以去除基板101。非显示区域na可以设置在相机孔ch区域和显示区域aa之间。坝结构300和分离结构200可以设置在相机孔ch区域周围的非显示区域na中。参照图4，坝结构300可由第一坝301和第二坝302构成，分离结构200可由第一分离单元201和第二分离单元202构成。第一坝301、第一分离单元201、第二坝302和第二分离单元202可以顺序地设置在相机孔ch区域周围。通常，坝结构防止或至少减少作为封装层的一部分的异物补偿层172在显示面板100的外部分处向下流动到显示面板100的外部分的端部，因此，可以旨在保持构成显示面板100的上基板和下基板之间的粘合。相机孔ch区域周围的坝结构300可以由诸如第一坝301和第二坝302的多个结构形成，以保护发光元件150，例如防止或至少减少封装层170的异物补偿层172被引入或泄漏到相机孔ch区域。虽然本公开提出了两个坝，但是本公开不限于此，并且根据空间的布置，附加坝布置可以是可能的。参照图4，第一分离单元201可设置在第一坝301的内侧，并且第二分离单元202可设置在第二坝302的内侧。第一分离单元201和第二分离单元202可以被设置为保护显示区域的发光元件150免受可能从相机孔ch区域引入的湿气或氧气的影响。用于发光元件150的发光叠层152可以沉积在显示面板100的前表面上，并
且还可以均匀地沉积在相机孔ch区域上。发光叠层152可将湿气和氧气传送到显示区域aa的发光元件150，因为发光叠层152由于有机材料的特性而具有对湿气和氧气的高反应性和传播特性。为了防止这种情况，第一分离单元201和第二分离单元202可以允许发光叠层152被部分地分离开。本说明书描述了两种分离结构，但不限于此。
63.在靠近相机孔ch区域的非显示区域na中，除了坝结构300和分离结构200之外，还可以设置各种线。由于相机孔ch区域的布置，在与之相对应的区域中的发光元件150和像素电路被去除，但是设置在相机孔ch区域的顶侧、底侧、左侧和右侧的发光元件150和像素电路应当电连接。为此，在靠近相机孔ch区域的非显示区域na中，高电位电源线pl和选通线sl可以设置为绕过相机孔ch区域，并且垂直地和水平地连接。
64.图5是示出图4中的ii-iv的结构的截面图。第一坝301和第二坝302围绕相机孔ch区域以闭路形式设置，并且第一分离单元201可以以闭路形式设置在第一坝301和第二坝302之间。当观察相机孔ch区域附近的截面时，可以设置存在于基板101和显示区域aa中的各种绝缘层。例如，多缓冲层102、下缓冲层103、第一下层间绝缘层105、第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、第一上层间绝缘层108、第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以顺序堆叠在基板101上。相机孔ch区域可以根据要应用于产品的相机的尺寸而变化，并且尽管对应的区域被示为空的空间，但是一些绝缘层或线结构可以设置在其中。然而，当利用激光去除相机孔ch区域时，由于相机孔ch区域是未保留在完成产品中的虚设区域，因此省略单独的表达。可以沿着相机孔ch区域的形状以圆形或椭圆形状照射激光，并且可以通过激光照射去除包括基板101在内的基板上部分的所有区域。在实际相机孔ch区域和激光照射区域之间可能存在差异，例如，激光照射区域可以是从相机孔ch区域向内大约100μm的内部的区域。以此方式，当在激光照射区域和相机孔ch区域之间存在差异时，相机孔ch区域的绝缘层可以在激光照射期间不被损坏。激光可以是皮秒激光或飞秒激光，但不限于此。激光使用通过放大通过向特定材料施加能量而产生的光而感应和发射的光。激光具有与电磁波相同的特性，并且对单色光具有指向性，所以被用于通信、医疗和工业目的。如果使用激光，则可以在期望的区域上形成图案，或者可以容易地去除特定区域。可以基于激光的照射时间来对上述皮秒激光和飞秒激光进行分类。皮秒和飞秒是时间单位。皮秒是万亿分之一秒(10-12秒)，飞秒是1000万亿分之一秒(10-15秒)，这是人类难以感知的非常短的时间段。以时间为单位对激光进行分类的原因是皮秒激光的一个脉冲的照射时间是万亿分之一秒，而飞秒激光的一个脉冲的照射时间是1000万亿分之一秒。激光使用能量来形成或去除图案，并且当激光能量照射到物体时，热能将该物体熔化以形成图案。随着脉冲被照射达较长的时间，可能发生传送到形成图案的部分附近的热效应。该热效应可导致在物体的激光照射区域周围的热积聚，并且可能通过加热而燃烧或变形至比设定图案更大的相邻区域。由于激光的这些特性，如果激光照射的区域与绝缘层交叠或相邻，则激光的热能也可能引起绝缘层的变形。由于绝缘层的变形可能产生裂纹，并且裂纹可能传播通过绝缘层以引起湿气和氧气的分层或渗透。例如，为了防止诸如多缓冲层102、下缓冲层103、第一下层间绝缘层105、第二下层间绝缘层106、上缓冲层107、第一上层间绝缘层108和第二上层间绝缘层109的绝缘层变形或分层，可以在距激光照射位置约100μm的距离处去除所有绝缘层。参照图6，第一坝301和第二坝302可以具有大约50μm的总体宽度，并且可以具有帽状结构，其中左侧表面和右侧表面具有平缓的斜率，但是中央区域具有陡峭的斜率。例如，坝的
宽度可以是大约30μm至60μm，但不限于此。在这种情况下，具有陡峭斜率的中央区域的宽度可以是大约25μm，但不限于此。第一坝301和第二坝302可以通过堆叠第二平坦化层112、堤部154和间隔体155来形成，但不限于此，第一坝301和第二坝302可以进一步包括第一平坦化层111或者可以设置为包括另一层。
65.封装层170可以以与其在显示区域aa中相同的方式设置在其中设置有第一坝301和第二坝302以及第一分离单元201的区域上，并且封装层170可以包括第一无机绝缘层171、异物补偿层172和第二无机绝缘层173。然而，异物补偿层172可以仅存在于与第二坝302相邻的区域的一部分中，并且可以不设置到第一坝301的区域。
66.图6是示出本公开的示例性实施方式的截面图，并且是图5的区域d的放大图。
67.参照图6，分离区域可以位于显示区域和相机所位于的穿透区域之间。分离结构312可以位于分离区域中。
68.设置分离结构312以断开发光叠层152。这是因为，当发光叠层152暴露于外部时，其可能变为湿气的渗透路径。由于发光叠层152可能在分离区域中暴露于外部，因此需要分离结构312。
69.分离结构312可以由与用于使第二薄膜晶体管130的上部平坦化的第二平坦化层112相同的材料形成。即，分离结构312可以形成为柱状，第二平坦化层112位于第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b上。然后，可以去除在分离结构312的外部分下方的第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b。可以通过干法蚀刻工艺或湿法蚀刻工艺来执行去除工艺。
70.当分离结构312的外部分下方的第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b被底切以便向内去除时，沉积在分离结构312上的层(例如，附图标记152)并不完全覆盖分离结构312的外部分的下部，并且其连接如图中所示断裂。通过使用这种现象，可以通过部分地去除分离结构312下方的层来分离特定层。如上所述，由于发光叠层152用作湿气的传送路径并且可能在显示装置中引起缺陷，所以完全分离发光叠层152是重要的。为了完全分离发光叠层152，如上所述，需要通过部分地去除分离结构312下方的第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b来实现底切。另外，随着底切结构的高度增加，发光叠层152的分离可以是有利的。即，第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b的厚度可以增加，以增加底切结构的高度。然而，在显示区域aa中，当位于第二薄膜晶体管130的第二半导体层133上的第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b的厚度形成为较大以用于分离在分离区域中的发光叠层152时，第二薄膜晶体管130的第二半导体层133可能劣化。即，当包括氮化硅基(sinx)材料的第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b的厚度增加时，第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b的氢含量增加，使得由氧化物半导体形成的第二薄膜晶体管130的第二半导体层133劣化。因此，通过增加第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b的厚度来增加分离结构312的下表面和第一上层间绝缘层108的上表面之间的距离是有限制的。
71.在本公开的示例性实施方式中，为了在增加分离结构312和第一上层间绝缘层108之间的距离的同时减少第二薄膜晶体管130的第二半导体层133的劣化，第一上层间绝缘层108和分离结构312之间的绝缘层可以设置为两层，诸如第二上层层间绝缘层109a和第三上层层间绝缘层109b。
72.第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以包括绝缘材料。第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以包括与第一上层间绝缘层108不同的材料。例如，第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以包括氮化硅基(sinx)材料。即，第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b可以由相同的材料形成。然而，第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b的氢含量可以彼此不同。第二上层间绝缘层109a可以包括比第三上层间绝缘层109b更多的氢。第二上层间绝缘层109a的厚度可以小于第三上层间绝缘层109b的厚度。
73.通过将具有高氢含量的第二上层间绝缘层109a形成为小于具有低氢含量的第三上层间绝缘层109b，可以减少氢向第二半导体层133的扩散。另外，通过单独地形成第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b，在这两层之间形成界面，并且可以抑制氢从第三上层间绝缘层109b的上部分扩散到第二半导体层133中。例如，可以阻挡或至少减少氢从第三上层间绝缘层109b上方的封装层170扩散到第二半导体层133的路径。
74.另外，位于基板101上方并由氧化硅(siox)形成的上缓冲层107、上栅极绝缘层137和第一上层间绝缘层108以及由氮化硅(sinx)形成并包括高氢含量的第二上层间绝缘层109a可以具有高压缩应力。例如，由氧化硅(siox)形成的上缓冲层107、上栅极绝缘层137和第一上层间绝缘层108可以具有约-300mpa至-400mpa，并且第二上层间绝缘层109b可以具有约-200mpa。由于这些层，从玻璃基板释放的基板101可能凸出地翘曲。即，由于上缓冲层107、上栅极绝缘层137、第一上层间绝缘层108和第二上层间绝缘层109a的压缩应力，基板的中央部分可以凸出地翘曲。
75.与第二上层间绝缘层109a不同，由与第二上层间绝缘层109a相同的氮化硅(sinx)形成但是具有比第二上层间绝缘层109a低的氢含量的第三上层间绝缘层109b可以具有约150至200mpa的张应力。上缓冲层107、上栅极绝缘层137、第一上层间绝缘层108和第二上层间绝缘层109a的压缩应力被第三上层间绝缘层109b的张应力抵消，从而可以抑制基板101的翘曲。
76.如上所述，可以通过在第二栅电极132与第二薄膜晶体管130的第二源电极131和第二漏电极134之间顺序地形成由氮化硅(sinx)形成并具有不同氢含量和厚度的第二上层间绝缘层109a和第三上层间绝缘层109b来屏蔽氢扩散到第二半导体层中的路径。另外，可以充分地形成底切结构的高度，使得通过分离区域中的分离结构312来进行发光元件的断开。另外，上缓冲层107、上栅极绝缘层137、第一上层间绝缘层108和第二上层间绝缘层109a的压缩应力被第三上层间绝缘层109b的张应力抵消，从而可以抑制基板101的翘曲。这可以防止显示装置中的缺陷，并提供高度可靠的显示装置。
77.本公开的示例性实施方式还能够进行如下描述：
78.根据本公开的一个方面，一种显示装置包括：基板，该基板包括显示区域和至少一个非显示区域，穿透区域和分离区域位于该非显示区域中；发光元件，该发光元件设置在所述基板上的显示区域中；第一薄膜晶体管，其包括由第一材料形成并包括第一源极区、第一沟道区和第一漏极区的第一半导体层、与所述第一半导体层交叠的第一栅电极，其中下栅极绝缘层介于所述第一半导体层和所述第一栅电极之间、以及与所述第一半导体层电连接的第一源电极和第一漏电极；第二薄膜晶体管，该第二薄膜晶体管包括由第二材料形成并包括第二源极区、第二沟道区和第二漏极区的第二半导体层、与所述第二半导体层交叠的
第二栅电极，其中上栅极绝缘层介于所述第二半导体层和所述第二栅电极之间、以及与所述第二半导体层电连接的第二源电极和第二漏电极；分离结构，其位于所述分离区域中并且被设置为断开所述发光元件的有机发光层；以及第一上层间绝缘层、第二上层间绝缘层和第三上层间绝缘层，其插入在所述第二薄膜晶体管的第二栅电极与第二源电极和第二漏电极之间，并且顺序地设置。
79.显示装置还可以包括设置在第二薄膜晶体管上的第一平坦化层和在第一平坦化层上的第二平坦化层。
80.分离结构可以由与第二平坦化层相同的材料形成。
81.第一上层间绝缘层、第二上层间绝缘层和第三上层间绝缘层可以延伸到分离区域。
82.第一上层间绝缘层可以是氧化硅(siox)层。
83.第二上层间绝缘层和第三上层间绝缘层可以是氮化硅(sinx)层。
84.第二上层间绝缘层的氢含量可以大于第三上层间绝缘层的氢含量。
85.在分离结构下方的第二上层间绝缘层和第三上层间绝缘层的宽度可以小于分离结构的宽度。
86.分离结构可以定位成围绕穿透区域。
87.显示装置还可以包括封装层，该封装层覆盖显示区域和分离区域，并且包括第一无机绝缘层、异物补偿层和第二无机绝缘层。
88.第二上层间绝缘层的厚度可以小于第三上层间绝缘层的厚度。
89.相机模块或传感器可以设置在穿透区域中。
90.显示装置还可以包括插入在第一薄膜晶体管的第一栅电极与第一源电极和第一漏电极之间的第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层。第一下层间绝缘层和第二下层间绝缘层的氢含量大于第一上层间绝缘层的氢含量。
91.显示装置还可以包括设置在第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管之间的存储电容器。存储电容器可以通过使存储下电极和存储上电极交叠并且第一下层间绝缘层插入在存储下电极和存储上电极之间而形成。
92.显示装置还可以包括坝结构，该坝结构被定位成围绕穿透区域。坝结构可以由第一坝和第二坝构成，分离结构可以由第一分离单元和第二分离单元构成，并且第一坝、第一分离单元、第二坝和第二分离单元可以顺序地设置在穿透区域周围。
93.第一坝和第二坝可以以闭路形式设置在穿透区域周围，第一分离单元可以以闭路形式设置在第一坝和第二坝之间，并且第二分离单元可以以闭路形式设置在第二坝周围。
94.虽然已经参考附图详细描述了本公开的示例性实施方式，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术概念的情况下以许多不同的形式实现。因此，提供本公开的示例性实施方式仅用于说明性目的，而不旨在限制本公开的技术概念。本公开的技术概念的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施方式在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应当基于所附权利要求来解释，并且在其等效范围内的所有技术概念都应当被解释为落入本公开的范围内。
95.相关申请的交叉引用
96.本技术要求于2020年12月28日在韩国提交的韩国专利申请no.10-2020-0185148
的权益和优先权，其全部内容在此通过引用明确并入本技术中。