显示设备的制作方法

1.本公开涉及一种显示设备，并且更具体地，涉及一种可以改善从多个发光二极管发射的光的颜色混合并最小化发光二极管的亮度的劣化的显示设备。


背景技术：

2.目前，随着进入全尺寸信息时代，以视觉方式表达电信息信号的显示设备的领域得到迅速发展，并且进行不断研究以提高各种显示设备的性能，诸如厚度薄、重量轻、和功耗低。
3.在各种显示设备中，有机显示设备是自发光显示设备，使得不需要单独的光源，这与液晶显示设备不同。因此，发光显示设备可以被制造为具有轻重量和薄厚度。此外，由于有机显示设备以低电压被驱动，所以其不仅在功耗方面而且在颜色实现、响应速度、视角和对比度cr方面都是有利的，因此作为下一代显示器正在研究该发光显示设备。


技术实现要素：

4.本公开要实现的目的是提供一种显示设备，其可以在显示设备被驱动时最小化漏电流。
5.本公开要实现的另一目的是提供一种使子像素的亮度的降低最小化的显示设备。
6.本公开的目的不限于上述目的，并且本领域技术人员从以下描述可以清楚地理解以上未提及的其它目的。
7.根据本公开的方面，显示设备包括：基板，其中限定有多个子像素；多个发光二极管，其设置在多个子像素中，共享公共有机层和阴极，并且分别具有分离的发光层和阳极；导电层，其设置在多个子像素之间；以及堤部，其设置在多个发光二极管之间的阴极下方并且暴露阳极和导电层，多个子像素包括第一子像素和第二子像素，第二子像素的导通电压低于第一子像素的导通电压，并且导电层被设置成在第一子像素与第二子像素之间更靠近第二子像素。
8.根据本公开的另一方面，显示设备包括：基板；多个子像素，其设置在基板上并且包括第一子像素和第二子像素，第二子像素的导通电压低于第一子像素的导通电压；多个发光二极管，其包括阳极、发光层、公共有机层以及阴极，并且设置在第一子像素和第二子像素中的每一个中；以及导电层，其被设置成在第一子像素与第二子像素之间更靠近第二子像素，并且多个发光二极管共享公共有机层和阴极。
9.示例性实施方式的其它详细事项包括在具体实施方式和附图中。
10.根据本公开，导电层被设置在多个子像素之间以抑制电流穿过公共有机层的泄漏。
11.根据本公开，尽管电流从子像素泄漏，但是导电层上的发光层也会发光以最小化子像素的亮度的劣化。
12.根据本公开的效果不限于以上例示的内容，并且本说明书中包括更多的各种效
果。
13.附记1.一种显示设备，所述显示设备包括：
14.基板，在所述基板中限定有多个子像素；
15.多个发光二极管，所述多个发光二极管设置在所述多个子像素中，共享公共有机层和阴极，并且分别具有分离的发光层和阳极；
16.导电层，所述导电层设置在所述多个子像素之间；以及
17.堤部，所述堤部设置在位于所述多个发光二极管之间的所述阴极下方，并且暴露所述阳极和所述导电层，
18.其中，所述多个子像素包括第一子像素和第二子像素，所述第二子像素的导通电压低于所述第一子像素的导通电压，并且所述导电层被设置为在所述第一子像素与所述第二子像素之间更靠近所述第二子像素。
19.附记2.根据附记1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
20.平坦化层，所述平坦化层设置在所述基板与所述多个发光二极管之间，
21.其中，所述阳极和所述导电层设置在所述平坦化层上。
22.附记3.根据附记1所述的显示设备，其中，设置在所述第二子像素中的所述发光层被设置在所述导电层上。
23.附记4.根据附记3所述的显示设备，其中，设置在所述导电层上的所述发光层的宽度大于由所述堤部暴露的所述导电层的宽度。
24.附记5.根据附记1所述的显示设备，其中，所述第一子像素为蓝色子像素，并且所述第二子像素为红色子像素或绿色子像素。
25.附记6.根据附记1所述的显示设备，其中，所述多个子像素还包括第三子像素，所述第三子像素的导通电压低于所述第一子像素的导通电压并且高于所述第二子像素的导通电压，并且
26.其中，所述导电层包括：
27.第一导电层，所述第一导电层被设置为在所述第一子像素与所述第二子像素之间更靠近所述第二子像素；以及
28.第二导电层，所述第二导电层被设置为在所述第一子像素与所述第三子像素之间更靠近所述第三子像素。
29.附记7.根据附记6所述的显示设备，其中，所述导电层还包括第三导电层，所述第三导电层被设置为在所述第二子像素与所述第三子像素之间更靠近第二子像素。
30.附记8.根据附记6所述的显示设备，其中，所述第一子像素为蓝色子像素，所述第二子像素为红色子像素，并且所述第三子像素为绿色子像素。
31.附记9.根据附记1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
32.沟槽图案，所述沟槽图案设置在所述堤部上并且设置在所述第一子像素与所述导电层之间。
33.附记10.根据附记9所述的显示设备，所述显示设备还包括：
34.锥形图案或倒锥形图案，所述锥形图案或所述倒锥形图案设置在位于所述第一子像素与所述沟槽图案之间或所述沟槽图案与所述导电层之间的所述堤部上。
35.附记11.根据附记1所述的显示设备，所述显示设备还包括：
36.锥形图案或倒锥形图案，所述锥形图案或倒锥形图案设置在位于所述第一子像素与所述导电层之间的所述堤部上。
37.附记12.根据附记1所述的显示设备，其中，所述导电层是电浮置的。
38.附记13.一种显示设备，所述显示设备包括：
39.基板；
40.多个子像素，所述多个子像素设置在所述基板上，并且包括第一子像素以及第二子像素，所述第二子像素的导通电压低于所述第一子像素的导通电压；
41.多个发光二极管，所述多个发光二极管包括阳极、发光层、公共有机层以及阴极，并且设置在所述第一子像素和所述第二子像素中的每一个中；以及
42.导电层，所述导电层被设置为在所述第一子像素与所述第二子像素之间更靠近所述第二子像素，
43.其中，所述多个发光二极管共享所述公共有机层和所述阴极。
44.附记14.根据附记13所述的显示设备，其中，所述阳极和所述导电层设置在同一层上并且由相同的材料形成。
45.附记15.根据附记13所述的显示设备，其中，设置在所述第二子像素中的所述发光层延伸到所述导电层上，使得所述导电层、所述发光层、所述公共有机层和所述阴极形成辅助发光二极管。
46.附记16.根据附记15所述的显示设备，其中，所述辅助发光二极管的发射面积小于所述多个发光二极管中的每一个的发射面积。
47.附记17.根据附记15所述的显示设备，所述显示设备还包括：
48.第三子像素，所述第三子像素的导通电压低于所述第一子像素的导通电压并且高于所述第二子像素的导通电压，
49.其中，所述辅助发光二极管包括：
50.第一辅助发光二极管，所述第一辅助发光二极管在所述第一子像素与所述第二子像素之间发射具有与所述第二子像素的颜色相同的颜色的光；以及
51.第二辅助发光二极管，所述第二辅助发光二极管在所述第一子像素与所述第三子像素之间发射具有与所述第三子像素的颜色相同的颜色的光。
52.附记18.根据附记17所述的显示设备，其中，所述辅助发光二极管还包括第三辅助发光二极管，所述第三辅助发光二极管在所述第二子像素与所述第三子像素之间发射具有与所述第二子像素的颜色相同的颜色的光。
53.附记19.根据附记13所述的显示设备，其中，所述第一子像素包括蓝色发光层，并且所述第二子像素包括红色发光层或绿色发光层。
54.附记20.根据附记13所述的显示设备，所述显示设备还包括：
55.第三子像素，所述第三子像素的导通电压低于所述第一子像素的导通电压并且高于所述第二子像素的导通电压，
56.其中，所述导电层包括：
57.第一导电层，所述第一导电层被设置为在所述第一子像素与所述第二子像素之间更靠近所述第二子像素；以及
58.第二导电层，所述第二导电层被设置为在所述第一子像素与所述第三子像素之间
更靠近所述第三子像素。
59.附记21.根据附记20所述的显示设备，其中，所述导电层还包括第三导电层，所述第三导电层被设置为在所述第二子像素与所述第三子像素之间更靠近所述第二子像素。
60.附记22.根据附记20所述的显示设备，其中，所述第一子像素包括蓝色发光层，所述第二子像素包括红色发光层，并且所述第三子像素包括绿色发光层。
61.附记23.根据附记13所述的显示设备，所述显示设备还包括：
62.堤部，所述堤部被设置为限定所述多个子像素在所述基板上的位置，并且暴露所述导电层；以及
63.沟槽图案，所述沟槽图案设置在位于所述第一子像素与所述第二子像素之间的所述堤部上。
64.附记24.根据附记23所述的显示设备，所述显示设备还包括：
65.锥形图案或倒锥形图案，所述锥形图案或倒锥形图案设置在位于所述第一子像素与所述沟槽图案之间的所述堤部上。
66.附记25.根据附记13所述的显示设备，所述显示设备还包括：
67.堤部，所述堤部被设置为限定所述多个子像素在所述基板上的位置，并且暴露所述导电层；以及
68.锥形图案或倒锥形图案，所述锥形图案或倒锥形图案设置在位于所述第一子像素与所述第二子像素之间的所述堤部上。
69.附记26.根据附记13所述的显示设备，其中，所述导电层是电浮置的。
附图说明
70.从以下结合附图的详细描述中，将会更清楚地理解本公开的上述和其它方面、特征和其它优点，其中：
71.图1是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的示意性配置图；
72.图2是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的子像素的电路图；
73.图3a是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的放大平面图；
74.图3b是沿图3a的线iiib-iiib’截取的截面图；
75.图4a是根据比较实施方式的显示设备的截面图；
76.图4b是根据比较实施方式的显示设备的等效电路图；
77.图5是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的等效电路图；
78.图6是用于解释根据本公开的示例性实施方式的显示设备的效果的曲线图；
79.图7是根据本公开的另一示例性实施方式的显示设备的放大平面图；
80.图8是根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备的截面图；
81.图9是根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备的截面图；以及
82.图10是根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备的截面图。
具体实施方式
83.通过参考下面结合附图详细描述的示例性实施方式，本公开的优点和特点以及实现这些优点和特点的方法将变得清楚。然而，本公开不限于这里公开的示例性实施方式，而
是将以各种形式实现。示例性实施方式仅作为示例提供，以使本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容和本公开的范围。因此，本公开将仅由所附权利要求的范围限定。
84.附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方式的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例，并且本公开不限于此。在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。此外，在本公开的以下描述中，可以省略对已知相关技术的详细解释以避免不必要地模糊本公开的主题。这里使用的诸如“包括”、“具有”和“由
……
组成”的术语通常旨在允许添加其它组件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何引用都可以包括复数。
85.即使没有明确说明，组件也被解释为包括常见的误差范围。
86.当使用诸如“上”、“之上”、“下”和“之下”的术语来描述两个部件之间的位置关系时，除非这些术语与术语“立即”或“直接”一起使用，否则一个或多个部件可以位于两个部件之间。
87.当元件或层设置在另一元件或层“上”时，另一层或另一元件可直接插置在其它元件上或它们之间。
88.尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种组件，但是这些组件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个组件与其它组件区分开来。因此，在本公开的技术构思中，下面要提到的第一组件可以是第二组件。
89.在整个说明书中，相同的附图标记通常表示相同的元件。
90.附图中所示的每个组件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的，并且本公开不限于所示组件的尺寸和厚度。
91.本公开的各个实施方式的特征可以部分或全部地彼此依附或组合，并且可以在技术上以多种方式互锁和操作，并且实施方式可以彼此独立或关联地执行。
92.在下文中，将参照附图详细地描述根据本公开的示例性实施方式的可拉伸显示设备。
93.图1是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的示意性配置图。在图1中，为了便于描述，在显示设备100的各个组件中，仅示出了显示面板pn、选通驱动器gd、数据驱动器dd和定时控制器tc。
94.参照图1，显示设备100包括包含多个子像素sp的显示面板pn、向显示面板 pn提供各种信号的选通驱动器gd和数据驱动器dd、以及控制选通驱动器gd和数据驱动器dd的定时控制器tc。
95.选通驱动器gd根据从定时控制器tc提供的多个选通控制信号gcs向多条扫描线sl提供多个扫描信号。多个扫描信号可以包括第一扫描信号scan1和第二扫描信号scan2。尽管在图1中，一个选通驱动器gd与显示面板pn的一侧间隔开，但是选通驱动器gd可以以面板内选通(gip)的方式设置，并且选通驱动器gd的数量及其布置不限于此。
96.数据驱动器dd使用参考伽马电压将根据从定时控制器tc提供的多个数据控制信号dcs从定时控制器tc输入的图像数据rgb转换成数据信号。数据驱动器dd 可以将转换后的数据信号提供给多条数据线dl。
97.定时控制器tc对准从外部输入的图像数据rgb以将图像数据提供给数据驱动器dd。定时控制器tc可以使用从外部输入的同步信号sync(诸如，点时钟信号、数据使能信号
和水平/垂直同步信号)，产生选通控制信号gcs和数据控制信号dcs。定时控制器tc将所产生的选通控制信号gcs和数据控制信号dcs分别提供给选通驱动器gd和数据驱动器dd，以控制选通驱动器gd和数据驱动器dd。
98.显示面板pn是向用户显示图像的结构并且包括多个子像素sp的配置。在显示面板pn中，多条扫描线sl与多条数据线dl彼此交叉，并且多个子像素sp分别连接至扫描线sl和数据线dl。尽管图中未示出，但是多个子像素sp可以连接到高电位电源线、低电位电源线、初始化信号线、发射控制信号线等。
99.多个子像素sp是构成屏幕的最小单位，并且多个子像素sp中的每个可以包括发光二极管和用于驱动发光二极管的像素电路。可以根据显示面板pn的类型以不同方式来限定多个发光二极管。例如，当显示面板pn为有机发光显示面板时，发光二极管可以是包括阳极、有机层和阴极的有机发光二极管。除此之外，作为发光二极管，还可以使用包括量子点(qd)的量子点发光二极管qled等。在下文中，尽管将在发光二极管为有机发光二极管的假设下进行描述，但是发光二极管的类型也不限于此。
100.像素电路是用于控制发光二极管的驱动的电路。例如，像素电路可以被配置为包括多个晶体管和电容器，但不限于此。
101.在下文中，将参考图2更详细地描述子像素sp的像素电路。
102.图2是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的子像素的电路图。
103.参照图2，多个子像素sp的像素电路包括第一至第六晶体管t1、t2、t3、t4、 t5和t6以及电容器cst。
104.第一晶体管tl连接到第二扫描线以由通过第二扫描线提供的第二扫描信号 scan2来控制。此外，第一晶体管t1可以电连接在提供数据信号vdata的数据线和电容器cst之间。当导通电平第二扫描信号scan2通过第二扫描线被施加到第一晶体管t1时，第一晶体管t1将来自数据线的数据信号vdata传输到电容器cst。第一晶体管t1可以被称为开关晶体管，其控制将数据信号vdata施加到电容器cst的定时。
105.第二晶体管t2可以电连接在被提供高电位电源信号evdd的高电位电源线和第五晶体管t5之间。第二晶体管t2的栅电极可以电连接到电容器cst。第二晶体管 t2可以被称为驱动晶体管，其根据施加到栅电极的电压控制流过发光二极管120的电流以控制发光二极管120的亮度。
106.第三晶体管t3可以由通过第一扫描线提供的第一扫描信号scanl控制。根据第三晶体管t3的类型，第三晶体管t3可以电连接在第二晶体管t2的栅电极和漏电极之间或栅电极和源电极之间。
107.同时，作为驱动晶体管的第二晶体管t2需要根据施加到子像素sp的数据信号 vdata来控制流过发光二极管120的电流。然而，设置在每个子像素sp中的发光二极管120的亮度偏差可能由设置在每个子像素sp中的第二晶体管t2的阈值电压偏差引起。
108.此时，第三晶体管t3被设置成补偿第二晶体管t2的阈值电压，使得第三晶体管t3可以被称为补偿晶体管。例如，当施加使第三晶体管t3导通的第一扫描信号 scan1时，将通过从高电位电源信号evdd减去第二晶体管t2的阈值电压得到的电压施加到第二晶体管t2的栅电极。此外，在减去阈值电压的高电位电源信号evdd 被施加到第二晶体管t2的栅电极的状态下，数据信号vdata被施加到电容器cst以补偿第二晶体管t2的阈值电压。
109.同时，示出了从不同扫描线向第三晶体管t3和第一晶体管t1施加不同的扫描信号scan1和scan2。然而，第三晶体管t3和第一晶体管t1可以连接到同一扫描线并且可以施加相同的扫描信号scan1和scan2，并且它们不限于此。
110.第四晶体管t4可以电连接到电容器cst以及被提供初始化信号vini的初始化信号线。此外，第四晶体管t4可以由通过发射控制信号线提供的发射控制信号em控制。当通过发射控制信号线施加导通电平发射控制信号em时，第四晶体管t4可以初始化电容器cst的电压或将施加到电容器cst的数据信号vdata缓慢地放电，以允许根据数据信号vdata的电流流过发光二极管120。
111.第五晶体管t5电连接在第二晶体管t2与发光二极管120之间，并且可以由通过发射控制信号线提供的发射控制信号em控制。当在数据信号vdata被施加到电容器cst并且阈值电压被补偿的高电位电源信号evdd被施加到第二晶体管t2的栅电极的状态下施加导通电平发射控制信号em时，第五晶体管t5导通。因此，电流可以流过发光二极管120。
112.第六晶体管t6电连接在提供初始化信号vini的初始化信号线与发光二极管120 的阳极之间，并且可以由通过第一扫描线提供的第一扫描信号scanl控制。当通过第一扫描线施加导通电平第一扫描信号scan1时，第六晶体管t6可以用初始化信号vini初始化发光二极管120的阳极或第二晶体管t2与第五晶体管t5之间的节点。
113.电容器cst可以是储存电容器cst，其存储施加到用作驱动晶体管的第二晶体管t2的栅电极的电压。这里，电容器cst电连接在第二晶体管t2的栅电极与发光二极管120的阳极之间。因此，电容器cst可以存储第二晶体管t2的栅电极的电压与施加到发光二极管120的阳极的电压之间的差值。
114.在本说明书中，尽管描述了多个子像素sp的像素电路包括第一至第六晶体管t1、 t2、t3、t4、t5和t6以及电容器cst，但是晶体管和电容器的数量可以根据设计而变化。
115.在下文中，将参照图3a和图3b更详细地描述根据本公开的示例性实施方式的显示设备100的子像素sp。
116.图3a是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的放大平面图。图3b是沿图图3a的线iiib-iiib’截取的截面图。参照图3a和图3b，根据本公开的示例性实施方式的显示设备100包括基板110、缓冲层111、栅极绝缘层112、层间绝缘层113、钝化层114、平坦化层115、堤部116、第五晶体管t5、发光二极管120、导电层140 和辅助发光二极管150。在图3b中，为了描述方便，仅示出了像素电路的多个晶体管t1、t2、t3、t4、t5和t6中的第五晶体管t5以及电容器cst。
117.参照图3a，多个子像素sp是发光的独立单元，并且发光二极管120设置在多个子像素sp中的每个中。多个子像素sp包括发射不同颜色光的第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3。例如，第一子像素sp1为蓝色子像素，第二子像素 sp2为红色子像素，并且第三子像素sp3为绿色子像素。
118.第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3可以具有不同的导通电压。此时，例如，第一子像素sp1具有最高导通电压，第二子像素sp2具有最低导通电压，并且第三子像素sp3的导通电压可以介于第一子像素sp1的导通电压与第二子像素sp2的导通电压之间。
119.多个第一子像素sp1可以被设置为形成多列。即，多个第一子像素sp1可以设置在
同一列中。多个第二子像素sp2和多个第三子像素sp3可以设置在设置有多个第一子像素的多个列之间。例如，多个第一子像素sp1设置在一列中并且第二子像素 sp2和第三子像素sp3可以一起设置在相邻列中。此外，多个第二子像素sp2和多个第三子像素sp3可以交替地设置在同一列中。在本说明书中，描述了多个子像素sp 包括第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素sp3。然而，多个子像素sp的布置、数量和颜色组合可以根据设计以各种方式变化并且不限于此。
120.参照图3b，基板110是用于支撑显示设备100的其它组件的支撑构件并且可以由绝缘材料构成。例如，基板110可以由玻璃、树脂等形成。此外，基板110可以被构成为包括诸如聚合物或聚酰亚胺(pi)的塑料或者可以由具有柔性的材料形成。
121.缓冲层111设置在基板110上。缓冲层111可以减少湿气或杂质通过基板110的渗透。缓冲层111可以由氧化硅siox或氮化硅sinx的单层或双层构成，但不限于此。然而，可以根据基板110的类型或晶体管的类型省略缓冲层111，但不限于此。
122.第五晶体管t5设置在缓冲层111上。第五晶体管t5包括有源层act、栅电极 ge、源电极se和漏电极de。
123.有源层act可以由诸如氧化物半导体、非晶硅或多晶硅的半导体材料形成，但不限于此。例如，当有源层act由氧化物半导体形成时，有源层act由沟道区、源极区和漏极区构成，并且源极区和漏极区可以是导电区，但不限于此。
124.栅极绝缘层112设置在有源层act上。栅极绝缘层112是使有源层act与栅电极ge绝缘的绝缘层，并且可以由氧化硅siox或氮化硅sinx的单层或双层构成，但不限于此。
125.栅电极ge设置在栅极绝缘层112上。栅电极ge可以由诸如铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、镍(ni)、钛(ti)、铬(cr)或其合金的导电材料构成，但不限于此。
126.层间绝缘层113设置在栅电极ge上。在层间绝缘层113中形成接触孔，源电极 se和漏电极de通过接触孔连接到有源层act。层间绝缘层113可以由氧化硅siox 或氮化硅sinx的单层或双层构成，但不限于此。
127.源电极se和漏电极de设置在层间绝缘层113上。被设置为彼此间隔开的源电极se和漏电极de可以电连接到有源层act。源电极se和漏电极de可以由导电材料构成，例如铜(cu)、铝(al)、钼(mo)、镍(ni)、钛(ti)、铬(cr)或其合金，但不限于此。
128.钝化层114设置在源电极se和漏电极de上。钝化层114是用于保护钝化层114 下方的组件的绝缘层。例如，钝化层114可以由氧化硅siox或氮化硅sinx的单层或双层构成，但不限于此。此外，根据示例性实施方式，可以省略钝化层114。
129.平坦化层115设置在钝化层114上。平坦化层115设置在基板110与多个发光二极管120之间。平坦化层115是绝缘层，其平坦化基板的上部110。平坦化层115可以由有机材料形成，并且例如可以由聚酰亚胺或感光亚克力的单层或双层构成，但不限于此。
130.多个发光二极管120设置在平坦化层115上的多个子像素sp中的每个中。发光二极管120包括阳极121、有机层122和阴极123。
131.阳极121设置在平坦化层115上。阳极121电连接到像素电路的晶体管，例如被提供有驱动电流的第二晶体管t2和第五晶体管t5。阳极121向有机层122提供空穴，这样阳极可以由具有高功函数的导电材料形成。例如，阳极121可以由诸如氧化铟锡 (ito)和氧化铟锌(izo)的透明导电材料形成，但不限于此。
132.同时，显示设备100可以通过顶部发射型或底部发射型来实现。当显示设备是顶部发射型时，可以在阳极121下方添加由具有良好反射效率的金属材料(诸如铝(al) 或银(ag))形成的反射层。因此，从有机层122发射的光从阳极121被反射以指向上方，即，阴极123。相反，当显示设备100为底部发射型时，阳极121可以仅由透明导电材料形成。在下文中，将在根据本公开的示例性实施方式的显示设备100是顶部发射型的假设下进行描述。
133.导电层140设置在多个子像素sp之间。具体地，导电层140可以在多个子像素 sp之间设置在平坦化层115上。因此，导电层140可以形成在与阳极121相同的层上并且可以由与阳极121相同的材料形成。然而，不限于此，导电层140可以形成在与阳极121不同的层上并且可以由不同的材料形成。
134.导电层141被设置为在多个子像素sp之间靠近具有低导通电压的子像素。例如，导电层可以被设置为在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间靠近第二子像素sp2，并且被设置为在第一子像素sp1与第三子像素sp2之间靠近第三子像素sp3。此时，导电层140可以包括被设置为在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间更靠近第二子像素sp2的第一导电层141和被设置为在第一子像素sp1和第三子像素sp3之间更靠近第三子像素sp3的第二导电层142。在图3a，尽管示出了第一导电层141和第二导电层142连接，但不限于此，并且第一导电层141和第二导电层142可以彼此分离。
135.导电层140是电浮置的。例如，导电层140不与晶体管或布线电连接，从而不会一直向其施加单独电压。
136.堤部116设置在阳极121和平坦化层115上。因此，堤部116分别设置在多个发光二极管120之间的阴极123下方。堤部116是设置在多个子像素sp之间以划分多个子像素sp的绝缘层。堤部116包括暴露阳极121和导电层140的一部分的开口。堤部116可以是被设置为覆盖阳极121的端部或边缘的有机绝缘材料。例如，堤部 116可以由聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂或苯并环丁烯(bcb)树脂形成，但不限于此。
137.有机层122设置在阳极121和堤部116上。有机层122包括发光层eml和公共有机层hil、htl和etl。发光层eml是发射具有特定颜色的光的有机层122，并且不同发光层eml可以分别设置在第一子像素sp1、第二子像素sp2和第三子像素 sp3中。例如，设置在第一子像素sp1中的发光层eml是蓝色发光层，设置在第二子像素sp2中的发光层eml是红色发光层，并且设置在第三子像素sp3中的发光层 eml是绿色发光层。
138.公共有机层hil、htl、etl是被设置为提高发光层eml的发光效率的层。公共有机层hil、htl、etl被形成为在多个子像素sp上方由多个发光二极管120共享的一层。即，多个子像素sp的公共有机层hil、htl、etl被整体地形成。公共有机层hil、htl、etl可以包括空穴注入层hil、空穴传输层htl、电子传输层 etl等，但不限于此。
139.此外，发射相同颜色光的多个发光层eml可以层叠在一个子像素sp上。例如，两个蓝色发光层层叠在第一子像素sp1上，两个红色发光层层叠在第二子像素sp2 上，并且两个绿色发光层层叠在第三子像素sp3上。在这种情况下，电荷产生层cgl 设置在多个发光层eml之间以向多个发光层eml中的每个平滑地提供电子或空穴。即，电荷产生层可以设置在两个蓝色发光层之间、两个绿色发光层之间和两个红色发光层之间。
140.阴极123设置在有机层122上。阴极123向有机层122提供电子，这样阴极可以由具有低功函数的导电材料形成。阴极123可以形成为多个子像素sp之上的一层。即，多个子像
素sp的阴极123被连接以整体地形成。例如，阴极123可以由诸如氧化铟锡(ito)和氧化铟锌(izo)的透明导电材料或者诸如mgag或镱(yb)合金的金属合金形成，并且可以进一步包括金属掺杂层，但不限于此。同时，尽管图中未示出，但是阴极123电连接到低电位电源线以被提供有低电位电源信号evss。
141.参照图3b，第二子像素sp2的发光二极管120的发光层eml可以设置在与第二子像素sp2相邻设置的导电层140上。如上所述，导电层140被设置为与两个相邻子像素sp之间的具有相对低导通电压的子像素sp相邻，从而导电层140可以被设置为在第一子像素sp1和第二子像素sp2之间与第二子像素sp2相邻。此时，发光层eml被设置为对于每个子像素sp来说是分开的。在这种情况下，根据显示设备 100的高分辨率，由于用于形成发光层eml的工艺的精细金属掩模fmm的余量或子像素sp之间的减小的间隔，发光层eml的一部分被设置在堤部116上。因此，设置在第二子像素sp2中的发光层eml的一部分被设置在与第二子像素sp2相邻设置的导电层140上。因此，有机层122和阴极123设置在导电层140上，并且导电层 140、有机层122和阴极123可以用作辅助发光二极管150。
142.此时，辅助发光二极管150可以包括第一辅助发光二极管151和第二辅助发光二极管152。第一辅助发光二极管151在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间发射具有与第二子像素sp2相同颜色的光，并且第二辅助发光二极管152在第一子像素sp1 与第三子像素sp3之间发射与第三子像素sp3具有相同颜色的光。具体地，设置在第二子像素sp2中的发光层eml的一部分设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2 之间的第一导电层141上。因此，第一导电层141、有机层122'和设置在第一导电层 141上的阴极123可以形成第一辅助发光二极管151，并且第一辅助发光二极管151 可以发射与第二子像素sp2具有相同颜色的光。此外，设置在第三子像素sp3中的发光层eml的一部分设置在第一子像素sp1与第三子像素sp3之间的第二导电层 142上。因此，第二导电层142、有机层122'和设置在第二导电层142上的阴极123 可以形成第二辅助发光二极管152，并且第二辅助发光二极管152可以发射具有与第三子像素sp3相同颜色的光。
143.此时，辅助发光二极管150的发射面积可以小于多个发光二极管120的发射面积。即，第一导电层141的被堤部116暴露的面积(其是第一辅助发光二极管151的发射面积)和第二导电层142的被堤部116暴露的面积(其是第二辅助发光二极管152的发射面积)可以小于在多个子像素sp中的每个中的阳极121的被堤部116暴露的面积。
144.参照图3b，设置在第一导电层141上的发光层eml的宽度w2可以大于第一导电层141的被堤部116暴露的宽度w1。即，由于精细金属掩模fmm的余量，设置在第一导电层141上的有机层122'的发光层eml设置在堤部116上。因此，设置在第一导电层141上的发光层eml的宽度w2可以大于第一导电层141的被堤部116 暴露的宽度w1。此外，设置在第二导电层142上的发光层eml的宽度可以大于第二导电层142的被堤部116暴露的宽度。
145.在下文中，将参照图4a至图6更详细地描述根据本公开的示例性实施方式的显示设备100的效果。
146.图4a是根据比较实施方式的显示设备的截面图。图4b是根据比较实施方式的显示设备的电路图。图5是根据本公开的示例性实施方式的显示设备的电路图。图6 是流经根据本公开的示例性实施方式的显示设备的多个发光二极管的电流的模拟结果。与图1至图3b的显示设备100相比，图4a和图4b的比较实施方式的显示设备 10的唯一不同之处在于不包
括导电层140，但其它配置基本相同，因此将省略冗余描述。图4b和图5示出了使用由彼此相邻的第一子像素sp1和第二子像素sp2的第五晶体管t5和发光二极管120、以及在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的公共有机层hil、htl和etl构成的漏电流路径的等效电阻r、以及由第一子像素sp1 与第一导电层141之间的公共有机层hil、htl和etl构成的漏电流路径的第一等效电阻r1、以及由用于第二子像素sp2与第一导电层141之间的公共有机层hil、 htl和etl构成的漏电流路径的第二等效电阻r2的等效电路图。在图4b和图5中，示出了第一子像素sp1的第五晶体管t5导通，而第二子像素sp2的第五晶体管 t5截止。图6示出了仅当第一子像素sp1导通时第一等效电阻r1随着第二等效电阻r2的电阻比改变的流经第一子像素sp1的发光二极管120、第二子像素sp2的发光二极管120和第一辅助发光二极管151的电流pa。
147.参照图4a和图4b，在根据比较实施方式的显示设备10中，多个发光二极管120 的公共有机层hil、htl和etl在所有多个子像素sp之上被形成为一层。
148.此时，由于多个子像素sp的发光二极管120被形成为共享公共有机层hil、htl 和etl，因此可能发生当第一子像素sp1的发光二极管120发光时，电流流向相邻的第二子像素sp2的发光二极管120的现象，即漏电现象。漏电现象导致非预期子像素sp的发光二极管120发光，从而导致多个子像素sp之间的颜色混合并增加功耗。此外，由于漏电流，颜色异常和斑点被可见地识别，从而可能降低显示质量。例如，当多个子像素sp中只有第一子像素sp1发光时，被提供用于驱动第一子像素sp1的发光二极管120的电流的一部分可能通过公共有机层hil、htl和etl泄漏到与其相邻的第二子像素sp2。
149.此外，为多个子像素sp中的每个单独设置的发光层eml具有不同的导通电压。例如，用于驱动其上设置有蓝色发光层的第一子像素sp1的导通电压可以是最高的，并且用于驱动其上设置有红色发光层的第二子像素sp2的导通电压可以是最低的。在导通电压低于具有最高导通电压的第一子像素sp1的导通电压的第二子像素sp2中，电流流过的势垒低。因此，通过公共有机层hil、htl和etl泄漏的电流可以容易地从具有高导通电压的第一子像素sp1流到具有低导通电压的第二子像素sp2。结果，当第一子像素sp1被驱动时，具有低导通电压的第二子像素sp2可以一起发光。
150.具体地，在低灰度驱动期间，从正在被驱动的子像素sp发射的光的亮度较低，从而可以更容易地识别出从相邻子像素sp发射的光。也就是说，在低灰度驱动期间，由于漏电流导致的颜色异常和斑点缺陷更容易被识别出，这可能导致显示质量的严重下降。进一步地，当显示低灰度的白光时，具有最低导通电压的第二子像素sp2首先通过公共有机层hil、htl和etl发光，使得可能会出现显示红白色而不是纯白色的偏红现象。
151.同时，参照图1至图3b和图5，在根据本公开的示例性实施方式的显示设备100 中，浮置导电层140设置在多个子像素sp之间，并且导电层140、有机层122和阴极123可以作为辅助发光二极管150。因此，当第一子像素sp1被驱动时，从第一子像素sp1泄漏的电流可以通过设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的第一导电层141和设置在第一子像素sp1与第三子像素sp3之间的第二导电层142流向设置在第一导电层141和第二导电层142上的阴极123。通过这样做，当第一子像素 sp1被驱动时，可以减少从第一子像素sp1流向第二子像素sp2和第三子像素sp3 的漏电流。因此，在根据本公开的示例性实施方式的显示设备100中，导电层140 设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2与第三子像素sp3之间以减少从
具有最高导通电压的第一子像素sp1流向第二子像素sp2和第三子像素sp3的漏电流。此外，可以最小化由于颜色混合、斑点或异常颜色导致的显示质量的下降。
152.同时，参照图6，流过第一子像素sp1的发光二极管120、第二子像素sp2的发光二极管120和第一辅助发光二极管151的电流可以随着第一等效电阻r1与第二等效电阻r2的电阻比的改变而改变。例如，当与第一等效电阻r1和第二等效电阻r2 相等的情况(即，第一导电层141设置在第一子像素sp1与第二子像素sp1之间) 相比第二等效电阻增大时，流向第一子像素sp1的发光二极管120的电流减小。因此，当第二等效电阻r2高于第一等效电阻r1时，即，当第一导电层141被设置为更靠近第一子像素sp1时，第一子像素sp1的发光效率会降低，这可能降低亮度。
153.因此，在根据本公开的示例性实施方式的显示设备100中，第一导电层141可以被设置为与具有相对低导通电压的子像素sp相邻。即，第一导电层141被设置为在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间更靠近具有相对低导通电压的第二子像素 sp2，以最小化第一子像素sp1的亮度降低。
154.这里，当第一导电层141被设置为与第二子像素sp2相邻使得第二子像素sp2 导通而第一子像素sp1关断时，第二子像素sp2的亮度可能会减少。然而，如上所述，第一导电层141被设置为与第二子像素sp2相邻，使得第二子像素sp2的发光层eml和阴极123可以设置在第一导电层141上。因此，第一辅助发光二极管151 也可以发射与设置在第二子像素sp2中的发光二极管120相同的光，例如红光。因此，在根据本公开的示例性实施方式的显示设备100中，第一辅助发光二极管151使用被设置为与第二子像素sp2相邻的第一导电层141来实现，以解决当第二子像素sp2 被驱动时产生的亮度劣化的问题。
155.同时，如上所述，为了改善当第一导电层141被设置为与第一子像素sp1相邻时引起的第一子像素sp1的亮度劣化，可以考虑通过将第一子像素sp1的发光层eml 设置在与第一子像素sp1相邻设置的第一导电层141上来允许第一辅助发光二极管 151发射具有与第一子像素sp1相同颜色的光。然而，当第一导电层141被设置成与第一子像素sp1相邻以允许第一辅助发光二极管151发射与第一子像素sp1相同的蓝光时，第一辅助发光二极管151可以作为基本上发射蓝光的发光二极管。然而，在这种情况下，第一子像素sp1可以被定义为包括第一辅助发光二极管151的区域，使得具有相对低导通电压的第二子像素sp2与具有相对高导通电压的第一子像素sp1 之间的距离可能更接近。因此，来自第一子像素sp1的发光二极管120和第一辅助发光二极管151的更大的漏电流可以流向第二子像素sp2。结果，在根据本公开的示例性实施方式的显示设备100中，导电层140被设置为与具有相对低导通电压的子像素 sp相邻以减少流向第二像素sp2的漏电流，并且最小化第一子像素sp1的亮度降低。
156.同时，第二辅助发光二极管152也可以执行与第一辅助发光二极管151相同的功能。即，第二辅助发光二极管152可以被设置为在具有相对低导通电压的第三子像素 sp3与具有相对高导通电压的第一子像sp1之间更靠近第三子像素sp3。因此，第二辅助发光二极管152可以减少流向第三子像素sp3的漏电流并且最小化第一子像素sp1的亮度降低。
157.图7是根据本公开的另一示例性实施方式的显示设备的放大平面图。图7的显示设备700与图1至图3b的显示设备的唯一不同之处在于，在第二子像素sp2与第三子像素sp3之间还设置有导电层740和辅助发光二极管750，但是其它配置基本相同。因此，将省略冗余描
述。
158.多个子像素sp包括第三子像素sp3，第三子像素sp3的导通电压低于第一子像素sp1的导通电压并且高于第二子像素sp2的导通电压。例如，第一子像素sp1为蓝色子像素，第二子像素sp2为红色子像素，并且第三子像素sp3为绿色子像素。因此，第一子像素sp1包括蓝色发光层，第二子像素sp2具有红色发光层，并且第三子像素sp3具有绿色发光层。
159.参照图7，导电层740还设置在第三子像素sp3与第二子像素sp2之间。导电层 740被设置为在第三子像素sp3与第二子像素sp2之间更靠近第二子像素sp2。具体地，导电层740可以包括第一导电层741、第二导电层742和第三导电层743。第一导电层741被设置为在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间更靠近第二子像素 sp2。第二导电层742被设置为在第一子像素sp1与第三子像素sp3之间更靠近第三子像素sp3。第三导电层743被设置为在第二子像素sp2与第三子像素sp3之间更靠近第二子像素sp2。在图7中，虽然示出了第一导电层741、第二导电层742和第三导电层743被连接，但不限于此，使得第一导电层741、第二导电层742和第三导电层742可以是分离的。
160.辅助发光二极管750可以包括第一辅助发光二极管751、第二辅助发光二极管752 和第三辅助发光二极管753。第一辅助发光二极管751发射具有与在第一子像素sp1 与第二子像素sp2之间的第二子像素sp2相同颜色的光，并且第二辅助发光二极管 752发射具有与在第一子像素sp1与第三子像素sp3之间的第三子像素sp3相同颜色的光。此外，第三辅助发光二极管753发射具有与在第二子像素sp2与第三子像素 sp3之间的第二子像素sp2相同颜色的光。具体地，发光层eml的设置在第二子像素sp2中的一部分被设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的第一导电层741 上。因此，第一导电层141、有机层122'和设置在第一导电层141上的阴极123可以形成第一辅助发光二极管751，并且第一辅助发光二极管751可以发射具有与第二子像素sp2相同颜色的光。此外，发光层eml的设置在第三子像素sp3中的部分被设置在第一子像素sp1与第三子像素sp3之间的第二导电层742上。因此，第二导电层742、有机层122和设置在第二导电层742上的阴极123可以形成第二辅助发光二极管752，并且第二辅助发光二极管752可以发射具有与第三子像素sp3相同颜色的光。此外，发光层eml的设置在第二子像素sp2中的部分被设置在第二子像素sp2 与第三子像素sp3之间的第三导电层743上。因此，第三导电层743和设置在第三导电层743上的有机层122和阴极123可以形成第三辅助发光二极管753，并且第三辅助发光二极管753可以发射具有与第二子像素sp2相同颜色的光。
161.在根据本公开的另一示例性实施方式的显示设备700中，浮置导电层740还设置在第三子像素sp3与第二子像素sp2之间，并且导电层740、有机层和阴极可以作为辅助发光二极管750。因此，当第三子像素sp3被驱动时，从第三子像素sp3泄漏的电流可以通过设置在第三子像素sp3与第二子像素sp2之间的导电层740流向设置在导电层740上的阴极。通过这样做，当第三子像素sp3被驱动时，可以减少从第三子像素sp3流向第二子像素sp2的漏电流。因此，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示设备700中，导电层740还设置在第二子像素sp2与第三子像素sp3之间，以减少从具有最高导通电压的第一子像素sp1流到第二子像素sp2和第三子像素sp3的漏电流。同时，减少了从具有较高导通电压的第三子像素sp3流到第二子像素sp2的漏电流，并且可以最小化由于混色、斑点或异常颜色导致的显示质量的劣化。
162.此外，在根据本公开的另一示例性实施方式的显示设备700中，导电层740可以被设置为与具有相对低导通电压的子像素sp相邻。即，导电层740被设置为在第三子像素sp3与第二子像素sp2之间更靠近具有较低导通电压的第二子像素sp2，以最小化第三子像素sp3的亮度的降低。
163.图8是根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备的截面图。图8的显示设备 800与图7的显示设备700的唯一不同之处在于，还包括沟槽图案860，但其它结构基本相同，将省略冗余描述。
164.参照图8，沟槽图案860被设置在堤部116中。具体地，沟槽图案860可以设置在第一子像素sp1与导电层740之间。沟槽图案860设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的堤部116上。然而，不限于此，沟槽图案860也可以设置在第一像素sp1与第三子像素sp6之间以及设置在第二子像素sp2与第三子像素sp3之间。
165.参照图8，沟槽图案860可以具有v形，其具有从堤部116的上表面延伸的多个倾斜表面。设置在堤部116上的公共有机层hil、htl和etl可以设置在沟槽图案 860上。尽管在图8中示出了发光层eml设置在沟槽图案860上，但是在沟槽图案 860上可以不设置发光层eml或者仅在其上设置发光层eml的一部分，但不限于此。
166.在根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备800中，沟槽图案860被设置在位于第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的堤部116上以最小化通过多个发光二极管120的公共有机层hil、htl和etl的漏电流。首先，有机层122设置在其中形成有沟槽图案860的堤部116上，使得有机层122还设置在沟槽图案860中。由于有机层122沿着沟槽图案860沉积，使得用作漏电流的路径的有机层122的公共有机层hil、htl和etl沿着沟槽图案860和堤部116形成。因此，公共有机层hil、 htl和etl的长度增加并且漏电流的路径的长度增加。因此，用作漏电流流过的路径的有机层122的长度由于沟槽图案860增加，从而有机层122的电阻可以增加。因此，可以减少流到相邻子像素sp的发光二极管120的漏电流。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备800中，沟槽图案860被设置在第一子像素sp1 与第二子像素sp2之间的堤部116中，以最小化通过多个发光二极管120的公共有机层hil、htl和etl的漏电流。
167.图9是根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备的截面图。图9的显示设备 900与图7的显示设备的唯一不同之处在于，还包括锥形图案970，但其它配置基本相同，因此将省略冗余描述。
168.参照图9，锥形图案970还设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的堤部 116上。锥形图案970在堤部116上设置在第一子像素sp1与导电层740之间。然而，不限于此，锥形图案970也可以设置在第三子像素sp3与导电层740之间。此外，在图9中，尽管示出了锥形图案970被设置在堤部116上，但不限于此，并且倒锥形图案可以设置在堤部116上。
169.参照图9，设置在堤部116上的公共有机层hil、htl和etl可以设置在锥形图案970上。尽管在图9中示出了发光层eml设置在锥形图案970上，也可以在锥形图案970上不设置发光层eml或者仅在其上设置发光层eml的一部分，但不限于此。
170.在根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备900中，锥形图案970被设置在第一子像素sp1与导电层740之间的堤部116中，以最小化通过多个发光二极管120 的公共有机层hil、htl和etl的漏电流。首先，有机层122被设置在其中形成有锥形图案970的堤部116
上，使得有机层122也设置在锥形图案970中。由于有机层 122沿着锥形图案970沉积，使得用作漏电流的路径的有机层122的公共有机层hil、 htl和etl沿着锥形图案970和堤部116形成。因此，公共有机层hil、htl和etl 的长度可以增加，并且漏电流的路径的长度可以增加。因此，用作漏电流流过的路径的有机层122的长度由于锥形图案970增加，从而有机层122的电阻可以增加。因此，可以减少流到相邻子像素sp的发光二极管120的漏电流。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备900中，锥形图案970设置在第一子像素sp1与导电层 740之间的堤部116中，以最小化通过多个发光二极管120的公共有机层hil、htl 和etl的漏电流。
171.图10是根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备的截面图。图10的显示设备1000与图9的显示设备的唯一不同之处在于，还包括沟槽图案1060，但其它配置基本相同，因此将省略冗余描述。
172.参照图10，沟槽图案1060还设置在堤部116中。具体地，沟槽图案1060可以设置在第一子像素sp1与导电层740之间。沟槽图案1060设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的堤部116上。然而，不限于此，并且沟槽图案1060也可以设置在第一像素sp1与第三子像素sp3之间以及设置在第二子像素sp2与第三子像素 sp3之间。
173.参照图10，沟槽图案1060可以具有v形，其具有从堤部116的上表面延伸的多个倾斜表面。设置在堤部116上的公共有机层hil、htl和etl可以设置在沟槽图案1060上。
174.参照图10，锥形图案970还设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的堤部116上。锥形图案970在堤116上设置在第一子像素sp1与沟槽图案1060之间。然而，不限于此，并且锥形图案970也可以设置在第三子像素sp3与沟槽图案1060 之间。此外，在图10中，尽管示出了锥形图案970设置在堤部116上，但不限于此，并且倒锥形图案可以设置在堤部116上。参照图10，设置在堤部116上的公共有机层hil、htl和etl可以设置在锥形图案970上。
175.在根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备1000中，沟槽图案1060和锥形图案970被设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间的堤部116中，以最小化通过多个发光二极管120的公共有机层hil、htl和etl的漏电流。具体地，由于有机层122设置在其上形成有沟槽图案1060和锥形图案970的堤部116上，使得用作漏电流的路径的有机层122的公共有机层hil、htl和etl沿着沟槽图案1060、锥形图案970和堤部116形成。因此，公共有机层hil、htl和etl的长度可以增加，并且漏电流的路径的长度可以增加。因此，用作漏电流流过的路径的有机层122 的长度增加，从而可以增加有机层122的电阻。结果，可以减少流到相邻子像素sp 的发光二极管120的漏电流。因此，在根据本公开的又一示例性实施方式的显示设备 1000中，沟槽图案1060和锥形图案970设置在第一子像素sp1与第二子像素sp2之间，以最小化通过多个发光二极管120的公共有机层hil、htl和etl的漏电流。
176.本公开的示例性实施方式还可以描述如下：
177.根据本公开的一方面，一种显示设备包括：基板，其中限定有多个子像素；多个发光二极管，其设置在多个子像素内，共享公共有机层和阴极，并且分别具有分离的发光层和阳极；导电层，其设置在多个子像素之间；以及堤部，其设置在多个发光二极管之间的阴极下方并暴露阳极和导电层，多个子像素包括第一子像素以及导通电压低于第一子像素的导通电压的第二子像素，并且导电层被设置为在第一子像素与第二子像素之间更靠近第二子像素。
178.显示设备还可以包括设置在基板和多个发光二极管之间的平坦化层，其中，阳极和导电层设置在平坦化层上。
179.设置在第二子像素中的发光层可以设置在导电层上。
180.设置在导电层上的发光层的宽度可以大于由堤部暴露的导电层的宽度。
181.第一子像素可以是蓝色子像素，并且第二子像素可以是红色子像素或绿色子像素。
182.多个子像素还可以包括第三子像素，该第三子像素的导通电压低于第一子像素的导通电压并且高于第二子像素的导通电压。导电层可以包括：第一导电层，其被设置为在第一子像素与第二子像素之间更靠近第二子像素；以及第二导电层，其被设置为在第一子像素与第三子像素之间更靠近第三子像素。
183.所述导电层还可以包括第三导电层，其被设置为在第二子像素与第三子像素之间更靠近第二子像素。
184.第一子像素可以是蓝色子像素，第二子像素可以是红色子像素，并且第三子像素可以是绿色子像素。
185.显示设备还可以包括设置在堤部上并设置在第一子像素与导电层之间的沟槽图案。
186.显示设备还可以包括锥形图案或倒锥形图案，其设置在位于第一子像素与沟槽图案之间或沟槽图案与导电层之间的堤部上。
187.显示设备还可以包括锥形图案或倒锥形图案，其设置在位于第一子像素与导电层之间的堤部上。
188.所述导电层可以是电浮置的。
189.根据本公开的另一方面，一种显示设备可以包括：基板；多个子像素，其设置在基板上并且包括第一子像素和第二子像素，第二子像素的导通电压低于第一子像素的导通电压；多个发光二极管，其包括阳极、发光层、公共有机层和阴极，并设置在第一子像素和第二子像素中的每个中；以及导电层，其被设置为在第一子像素与第二子像素之间更靠近第二子像素。多个发光二极管共享公共有机层和阴极。
190.阳极和导电层可以设置在同一层上并且由相同的材料形成。
191.设置在第二子像素中的发光层可以延伸到导电层上，使得导电层、发光层、公共有机层和阴极形成辅助发光二极管。
192.辅助发光二极管的发射面积可以小于多个发光二极管中的每个的发射面积。
193.显示设备还可以包括第三子像素，第三子像素的导通电压低于第一子像素的导通电压并且高于第二子像素的导通电压。辅助发光二极管可以包括：第一辅助发光二极管，其在第一子像素与第二子像素之间发射具有与第二子像素的颜色相同的颜色的光；以及第二辅助发光二极管，其在第一子像素与第三子像素之间发射具有与第三子像素的颜色相同的颜色的光。
194.辅助发光二极管还可以包括第三辅助发光二极管，其在第二子像素与第三子像素之间发射具有与第二子像素的颜色相同的颜色的光。
195.第一子像素可以包括蓝色发光层，并且第二子像素可以包括红色发光层或绿色发光层。
196.显示设备还可以包括：第三子像素，该第三子像素的导通电压低于第一子像素的导通电压并且高于第二子像素的导通电压。导电层可以包括：第一导电层，其被设置为在第一子像素与第二子像素之间更靠近第二子像素；以及第二导电层，其被设置为在第一子像素与第三子像素之间更靠近第三子像素
197.所述导电层还可以包括第三导电层，其被设置为在第二子像素与第三子像素之间更靠近第二子像素。
198.第一子像素可以包括蓝色发光层，第二子像素可以包括红色发光层，并且第三子像素可以包括绿色发光层。
199.显示设备还可以包括：堤部，其被设置为限定多个子像素在基板上的位置并暴露导电层；以及沟槽图案，其设置在位于第一子像素与导电层之间的堤部上。
200.显示设备还可以包括设置在位于第一子像素与沟槽图案之间的堤部上的锥形图案或倒锥形图案。
201.显示设备还可以包括：堤部，其被设置为限定多个子像素在基板上的位置并暴露导电层；以及锥形图案或倒锥形图案，其设置在位于第一子像素与第二子像素之间的堤部上。
202.导电层可以是电浮置的。
203.相关申请的交叉引用
204.本技术要求于2020年12月28日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请 no.10-2020-0185235的优先权，其公开内容通过引用并入本文。