基片处理装置的制作方法

1.本发明涉及基片处理装置。


背景技术：

2.已知有使用超临界状态的处理流体来使附着有处理液的半导体晶片等基片干燥的技术(参照专利文献1)。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2013-251550号公报。


技术实现要素：

6.发明要解决的问题
7.在使超临界状态的处理流体从小直径的开口猛烈地喷出的情况下，有时会产生处理流体的涡流，或者产生处理流体的滞留。在这样的情况下，未必能够高效地将处理流体引导到基片(特别是干燥对象面)的周围，其结果是，有时基片的干燥处理需要长时间。另外，由于从开口猛烈地喷出的处理流体被吹向基片，有时液体会非意愿地从基片飞散。
8.因此，无法稳定地进行基片表面整体的干燥处理。
9.本发明提供有利于稳定地进行基片的干燥处理的技术。
10.用于解决问题的技术手段
11.本发明的一个方式涉及一种基片处理装置，其使用超临界状态的处理流体来使附着有液体的基片干燥，其包括：能够将基片收纳于内侧的处理容器；在处理容器的内侧的保持位置保持基片的保持部；流体供给部，其具有向处理容器的内侧释放处理流体的供给开口部；和供给引导部件，其在供给开口部与保持位置之间与供给开口部相对，对来自供给开口部的处理流体进行引导以使其扩展到比供给开口部的开口面积大的面积的范围。
12.发明效果
13.根据本发明，有利于稳定地进行基片的干燥处理。
附图说明
14.图1是表示基片处理装置的一例的俯视图。
15.图2是表示干燥单元和供给单元的具体构成例的图。
16.图3是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。
17.图4是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。
18.图5是表示第1实施方式的干燥单元的一例的侧视图。
19.图6是表示第1实施方式的干燥单元的一例的主视图。
20.图7是表示第1实施方式的干燥单元的一例的主视图。
21.图8是从上方观察第1实施方式的干燥单元的一例的截面的图。
22.图9是表示供给引导部件的第1结构例的放大截面图。
23.图10是表示供给引导部件的第2结构例的放大截面图。
24.图11是表示供给引导部件的第3结构例的放大截面图。
25.图12是表示供给引导部件的第4结构例的放大截面图。
26.图13是表示供给引导部件的第5结构例的放大截面图。
27.图14是表示供给引导部件的第6结构例的放大截面图。
28.图15是表示供给引导部件的第7结构例的放大截面图。
29.图16是从上方观察第3实施方式的干燥单元的一例的截面的图。
30.图17是从侧方观察第3实施方式的干燥单元的一例的截面的图。
31.图18是从侧方观察第1变形例的干燥单元的一例的截面的图。
32.附图标记说明
33.32b干燥单元
34.60压力容器
35.61供给头
36.65保持部
37.67供给开口部
38.80供给引导部件
39.f处理流体
40.l液膜
41.s处理空间
42.w基片
具体实施方式
43.以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。本发明并不限定于以下说明的方式和各附图所示的方式。
44.在各附图中简化地例示性地表示了各要素。因此，各要素的形态(例如形状、尺寸)、要素间的尺寸比在附图之间未必一致。
45.图1是表示基片处理装置1的一例的俯视图。附图所示的x轴方向、y轴方向和z轴方向是相互垂直的方向。x轴方向和y轴方向是水平方向，z轴方向是沿着重力作用的铅垂方向的高度方向。
46.图1所示的基片处理装置1包括在x轴方向上排列设置的送入送出站2和处理站3。
47.送入送出站2具有在x轴方向上排列设置的载置台21、输送部22和交接部23。
48.在载置台21上设置有多个运载件c。各运载件c收纳多个基片w。在输送部22设置有能够输送1个或多个基片w的可动式的第1输送装置22a。在交接部23设置有暂时保持1个或多个基片w的过渡装置23a。各运载件c与过渡装置23a之间的基片w的输送由第1输送装置22a进行。
49.基片w并无限定，典型的是半导体基片(例如硅晶片或化合物半导体晶片)或玻璃基片。在基片w的表面可以设置有电子电路等器件，也可以形成有微细凹凸图案。
50.处理站3具有输送区块31和处理区块32。
51.输送区块31以在x轴方向上与交接部23相邻的方式设置。在输送区块31设置有能够输送基片w的可动式的第2输送装置31a。第2输送装置31a在过渡装置23a与处理区块32的各单元之间和处理区块32的各单元之间输送基片w。
52.处理区块32以在y轴方向上与输送区块31相邻的方式设置。处理区块32的数量没有限定。在图1所示的例子中，2个处理区块32以在y轴方向上夹着输送区块31的方式设置。此外，多个处理区块32也可以在z轴方向上排列。
53.各处理区块32具有液膜形成单元32a、干燥单元32b和供给单元32c。液膜形成单元32a、干燥单元32b和供给单元32c各自的数量没有限定。在图1所示的例子中，在各处理区块32中，液膜形成单元32a、干燥单元32b和供给单元32c各设置有2个。
54.液膜形成单元32a对基片w赋予液体，在基片w的上表面形成液膜。液膜形成单元32a的具体结构没有限定。作为一例，液膜形成单元32a具有将基片w以可旋转的方式保持的旋转吸盘和向基片w的上表面释放液体的喷嘴。对基片w供给的液体没有限定。作为一个例子，也可以将化学液体(sc1(氨和过氧化氢的水溶液)、dhf(稀氢氟酸)等)、冲洗液(去离子水等)和干燥液(ipa(异丙醇)等有机溶剂等)按该顺序从喷嘴释放而供给到基片w。
55.干燥单元32b通过将由液膜形成单元32a形成在基片w上的液膜置换为超临界状态的处理流体，来使基片w干燥。超临界状态的处理流体具有临界温度以上的温度，且具有临界压力以上的压力。通过使用超临界状态的处理流体，能够抑制由基片w上的液体的表面张力引起的基片w的凹凸图案的倒塌，并且使基片w干燥。处理流体没有限定，例如可以使用二氧化碳(co2)作为处理流体。
56.供给单元32c向干燥单元32b供给流体。供给单元32c的具体结构没有限定。关于干燥单元32b和供给单元32c的具体结构例将在后面叙述(参照图2等)。
57.基片处理装置1还包括控制基片处理装置1的各构成要素的控制装置4。图1所示的控制装置4例如由计算机构成，包括运算处理部41和存储部42。
58.运算处理部41通过适当读出并执行存储于存储部42的程序，来控制基片处理装置1的各构成要素而进行各种处理。在存储部42中存储有用于在基片处理装置1中进行的各种处理的程序和数据。存储于控制部93的存储部中的程序和数据可以记录于能够由计算机读取的存储介质，也可以从该存储介质安装于存储部。作为计算机可读取的存储介质，例如有硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)和存储卡等。
59.图2是表示干燥单元32b和供给单元32c的具体结构例的图。
60.在图2所示的例子中，处理流体的供给线包括上游侧供给线路50、第1供给线路51和第2供给线路52。
61.上游侧供给线路50与第1流体供给源55、第1供给线路51和第2供给线路52连接。第1流体供给源55是处理流体的供给源，例如是贮存处理流体的罐。处理流体从第1流体供给源55通过上游侧供给线路50被供给到第1供给线路51和第2供给线路52。
62.在上游侧供给线路50上，从上游向下游依次设置有阀101、加热器102、压力传感器103、节流孔104、温度传感器105和过滤器106。这里所说的上游和下游的用语以基片w的干燥处理中的处理流体的通常的流动方向为基准。
63.阀101是打开和关闭来自第1流体供给源55的处理流体的供给的阀，在打开状态下允许处理流体向下游侧的供给线(即上游侧供给线路50)流入，在关闭状态下不使处理流体
向下游侧的供给线流入。加热器102对在上游侧供给线路50中流动的处理流体进行加热。压力传感器103在加热器102与节流孔104之间检测在上游侧供给线路50中流动的处理流体的压力。节流孔104将向下游送出的处理流体的压力调节为期望压力(例如16mpa左右)。温度传感器105在节流孔104与过滤器106之间检测在上游侧供给线路50中流动的处理流体的温度。过滤器106从在上游侧供给线路50中流动的处理流体中去除杂质。
64.在图2所示的上游侧供给线路50上不仅连接有第1流体供给源55，还连接有第2流体供给源56和第3流体供给源57。第2流体供给源56是ipa的供给源，经由阀107而与上游侧供给线路50中的阀101与加热器102之间的部分连接。第3流体供给源57是惰性气体(例如n2)的供给源，经由阀108而与上游侧供给线路50中的阀101与加热器102之间的部分连接。
65.在第1供给线路51上，从上游向下游依次设置有阀111、节流孔112、压力传感器113和温度传感器114。
66.阀111打开和关闭第1供给线路51中的处理流体的流通。节流孔112将向下游送出的处理流体的压力调节为期望压力。压力传感器113检测在第1供给线路51中流动的处理流体的压力。温度传感器114检测在第1供给线路51中流动的处理流体的温度。
67.在第1供给线路51中的比温度传感器114靠下游侧的部分连接有吹扫线路54。吹扫线路54与第1供给线路51连接，并且与吹扫气体供给源121连接。吹扫气体供给源121是吹扫气体(例如n2等惰性气体)的供给源，例如是贮存吹扫气体的罐。在吹扫线路54上，从吹扫气体供给源121向第1供给线路51依次设置有止回阀122和阀123。阀123打开和关闭吹扫线路54中的吹扫气体的流通。吹扫气体例如在停止向干燥单元32b的处理空间供给处理流体的期间，从吹扫气体供给源121经由吹扫线路54和第1供给线路51供给到干燥单元32b的处理空间。
68.第2供给线路52包括第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b。第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b从连接上游侧供给线路50的部分向相互不同的方向延伸，但与干燥单元32b的供给头(特别是供给引导路径(例如参照图8的附图标记“66”))连接。在第1分支供给线路52a上设置有阀131，在第2分支供给线路52b上设置有阀132。阀131和阀132是打开和关闭向供给头供给处理流体的阀。
69.在干燥单元32b设置有温度传感器141。温度传感器141检测干燥单元32b中的处理空间的温度。
70.排出线路53具有第1分支排出线路53a、第2分支排出线路53b和下游侧排出线路53c。第1分支排出线路53a和第2分支排出线路53b与来自干燥单元32b的处理空间的气体(包括处理流体)的排出路径(例如参照图8的附图标记“70”)连接，并且与下游侧排出线路53c连接。
71.在第1分支排出线路53a上，从上游向下游依次设置有温度传感器151、压力传感器152和阀153。温度传感器151检测在第1分支排出线路53a中流动的处理流体的温度。压力传感器152检测在第1分支排出线路53a中流动的处理流体的压力。阀153是打开和关闭第1分支排出线路53a中的处理流体的流通的阀。在第2分支排出线路53b设置有阀154，阀154使第2分支排出线路53b中的处理流体的流通打开和关闭。
72.在下游侧排出线路53c上，从上游向下游依次设置有压力调节阀155、压力传感器156、温度传感器157和阀158。压力调节阀155是调节在下游侧排出线路53c中流动的处理流
体的压力的阀。压力调节阀155的开度根据干燥单元32b的处理空间的压力，在控制装置4的控制下被适应性地调节。压力传感器156检测在下游侧排出线路53c中流动的处理流体的压力。温度传感器157检测在下游侧排出线路53c中流动的处理流体的温度。阀158打开和关闭下游侧排出线路53c中的处理流体的流通。在要将处理流体向外部排出的情况下打开阀158，在不将处理流体向外部排出的情况下关闭阀158。
73.上述的各压力传感器和各温度传感器的测量结果被发送到控制装置4，在用于基片处理装置1的构成要素(即上述的阀、加热器102、压力调节阀155和其他设备)的控制的处理中，根据需要来使用。
74.图2所示的干燥单元32b和供给单元32c的上述结构只不过是一例，干燥单元32b和/或供给单元32c也可以具有其他结构。例如，作为向干燥单元32b的处理空间供给处理流体的管线，也可以仅设置第1供给线路51和第2供给线路52中的一者。另外，第2供给线路52可以包含与干燥单元32b的处理空间连接的3个以上的分支供给线，也可以是单一管线。同样地，排出线路53可以包含与干燥单元32b的处理空间连接的3个以上的分支排出线，也可以是单一管线。另外，也可以不设置第2流体供给源56和第3流体供给源57。
75.接着，对干燥单元32b中的基片w的干燥处理的典型例进行说明。以下说明的基片干燥处理(基片处理方法)所包含的各工序省略详细的说明，但通过使基片处理装置1的构成要素(例如各阀)在控制装置4的控制下适当驱动来进行。
76.首先，经由第2输送装置31a(参照图1)，在干燥单元32b的处理空间配置基片w，该处理空间被密闭(送入处理工序)。这里所说的“密闭”是指处理空间与外部气密地隔断的状态，但不一定是指严格的气密状态(即完全的气密状态)。处理空间即使在密闭的状态下，也与处理流体f的流路(供给路径和排出路径)连接，经由该流路与设置于干燥单元32b的外侧的管线、设备相连。之后，通过将来自第1流体供给源55的处理流体供给到干燥单元32b的处理空间，使该处理空间的压力上升，其结果是，向该处理空间供给超临界状态的处理流体(升压处理工序)。
77.之后，一边将干燥单元32b的处理空间的压力保持为维持处理流体的超临界状态的压力，一边在处理空间中形成以沿着基片w的表面的方式流动的处理流体的层流(流通处理工序)。由此，附着于基片w的液体(例如凹凸图案间的ipa液体)逐渐被置换为超临界状态的处理流体，从基片w逐渐去除液体。
78.在从基片w充分地去除液体之后，一边停止向干燥单元32b的处理空间供给处理流体，一边从该处理空间排出处理流体，该处理空间的压力逐渐下降至期望压力(例如大气压)(减压处理工序)。
79.之后，经由第2输送装置31a(参照图1)，从干燥单元32b的处理空间取出基片w(送出处理工序)。
80.基片w经过上述一系列的工序而被干燥。
81.接着，对干燥单元32b的具体例进行说明。
82.[第1实施方式]
[0083]
图3至图5是表示第1实施方式的干燥单元32b的一个示例的侧视图。图6和图7是表示第1实施方式的干燥单元32b的一例的主视图。图8是从上方观察第1实施方式的干燥单元32b的一例的截面的图。
[0084]
在图3～图8所示的例子中，没有设置上述的第1供给线路51(参照图2)。即，在干燥单元32b的处理空间s没有连接第1供给线路51，仅从第2供给线路52(第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b)供给处理流体f。但是，以下说明的技术也能够应用于在干燥单元32b上连接第1供给线路51并从第1供给线路51和第2供给线路52这两者向处理空间s供给处理流体f的装置和方法。
[0085]
如上所述，干燥单元32b作为使用超临界状态的处理流体f来使附着有液体的基片w干燥的基片处理装置发挥功能。图3～图8所示的干燥单元32b包括：具有处理空间s的压力容器(处理容器)60；用于向处理空间s供给处理流体f的供给头61；和用于从处理空间s排出处理流体f的排出头62。
[0086]
压力容器60为中空结构，在内侧具有处理空间s。处理空间s由压力容器60从外侧覆盖而被划分，但处理空间s的水平方向(y轴方向)的两端部不被压力容器60覆盖而开口。处理空间s的两端部的开口彼此相对，在处理空间s中位于夹着配置于保持位置的基片w的位置。
[0087]
如图8所示，在本例的压力容器60贯通形成有2个容器排出路径70。这些容器排出路径70分别与第1分支排出线路53a和第2分支排出线路53b连接，如后述那样构成处理流体f的排出路径的一部分。
[0088]
通过将基片w导入并配置于处理空间s，压力容器60将干燥对象的基片w收纳于内侧。该基片w被保持部65(参照图7)保持在压力容器60的内侧的保持位置。
[0089]
保持部65的具体结构没有限定。本例的保持部65由在处理空间s中向上方延伸的多个销构成。各销可以相对于压力容器60固定地设置，也可以设置为能够相对于压力容器60移动，例如也可以设置为能够在高度方向上进退。通过将基片w载置于这些销，该基片w被多个销从下方支承。
[0090]
供给头61以覆盖处理空间s的一侧的开口的方式设置。供给头61具有向压力容器60的内侧的处理空间s排出处理流体f的多个供给开口部67，作为向处理空间s供给处理流体f的流体供给部发挥功能。
[0091]
在供给头61与压力容器60之间设置有密封部件(省略图示)，通过该密封部件，确保供给头61与压力容器60之间的处理空间s的气密性。
[0092]
供给头61的具体结构没有限定。如图8所示，本例的供给头61具有供给主体部61a、由形成于供给主体部61a的空间构成的供给引导路径66、多个供给开口部67和供给凹部63。
[0093]
供给引导路径66在水平方向(在本例中为x轴方向)延伸。在供给引导路径66的两端的开口部分别连接有第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b。经由第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b向供给引导路径66供给处理流体f。
[0094]
多个供给开口部67沿着供给引导路径66在水平方向(在本例中为x轴方向)上排列设置，与供给引导路径66和供给凹部63分别连接。在图8所示的例子中，在x轴方向上，在覆盖配置于保持位置的基片w的整体范围的范围内，分散配置有多个供给开口部67。
[0095]
多个供给开口部67的具体的配置方式没有限定。例如，多个供给开口部67也可以在水平方向(特别是x轴方向)上相互不同的位置设置成一列。另外，由在水平方向(x轴方向)上排列的2个以上的供给开口部67构成的供给开口部列也可以在高度方向(z轴方向)上排列2个以上。
[0096]
在图8所示的结构的情况下，根据距第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b的距离，来自各供给开口部67的处理流体f的喷出状态能够改变。例如，存在处理流体f从与来自第1分支供给线路52a的处理流体f和来自第2分支供给线路52b的处理流体f合流的供给引导路径66的中央部分相对的供给开口部67更猛烈地喷出的倾向。
[0097]
因此，也可以根据离第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b的距离来改变各供给开口部67的数量密度、孔径和/或孔形状。由此，例如能够使来自多个供给开口部67的处理流体f的喷出状态(例如喷出速度、喷出量等)均匀化。
[0098]
或者，也可以与距第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b的距离无关地决定各供给开口部67的数量密度、孔径和/或孔形状。例如，也可以与距第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b的距离无关，而使各供给开口部67的数量密度、孔径和/或孔形状是均匀的。在该情况下，能够有意地使处理空间s中的处理流体f的流动不均匀化。另外，根据需要，也可以将多个供给开口部67的一部分密封，从供给头61仅向处理空间s的一部分喷出处理流体f。
[0099]
供给凹部63构成向处理空间s开口的横向流体释放部71。处理流体f从横向流体释放部71向处理空间s释放，通过配置于保持位置的基片w的周围而到达排出头62。
[0100]
这样，在本例中，由位于从配置于保持位置的基片w在水平方向上偏移了的位置的供给头61(供给引导路径66、各供给开口部67和供给凹部63)构成将处理流体f向处理空间s引导的供给路径。
[0101]
供给引导部件(第1供给引导部件)80的至少一部分定位于供给凹部63。
[0102]
供给引导部件80位于多个供给开口部67与在处理空间s中定位基片w的保持位置之间，并与各供给开口部67相对。供给引导部件80对从各供给开口部67流入到供给凹部63的处理流体f进行引导，使其从横向流体释放部71向处理空间s流出。
[0103]
具体而言，供给引导部件80一边将来自各供给开口部67的处理流体f向处理空间s(特别是配置于保持位置的基片w)引导，一边对其进行引导以使其扩展到比各供给开口部67的开口面积大的面积的范围。由此，能够将流动均匀化了的处理流体f向基片w(特别是基片w的上表面)的周围送出，能够使基片w的干燥处理稳定化。
[0104]
此外，这里所说的“面积”例如能够以与y轴方向(水平方向)垂直的面(x-z平面)为基准。处理流体f的范围被供给引导部件80扩大的具体的方向没有限定。也可以利用供给引导部件80在以y轴为基准的1个或多个放射方向上扩大处理流体f的范围。例如，处理流体f的范围可以在x轴方向上扩展，也可以在z轴方向上扩展，还可以在相对于x轴方向和z轴方向这两者倾斜的方向上扩展。
[0105]
这样，图8所示的供给引导部件80在各供给开口部67与保持位置之间，位于从配置于保持位置的基片w在水平方向上偏移了的位置。
[0106]
供给引导部件80的具体结构没有限定，供给引导部件80的具体的结构例在后面叙述(参照图9～图12)。
[0107]
排出头62以覆盖处理空间s的另一侧的开口的方式设置。排出头62具有供处理流体f从压力容器60的内侧的处理空间s流入的多个排出开口部68，作为促进处理流体f从处理空间s排出的流体排出部发挥功能。
[0108]
排出头62的具体结构没有限定。本例的排出头62具有排出主体部62a、安装于排出
主体部62a的排出旋转轴部62b和排出路径形成部62c。图3～图8所示的排出主体部62a、排出旋转轴部62b和排出路径形成部62c由同一部件一体地构成。
[0109]
排出头62设置成可移动，能够配置于覆盖处理空间s的另一侧的开口的封闭位置和不覆盖处理空间s的另一侧的开口的开放位置。具体而言，在控制装置4(参照图1)的控制下，来自开闭驱动装置(省略图示)的动力被传递到排出旋转轴部62b，由此排出头62整体进行水平移动和旋转移动。
[0110]
例如排出头62从封闭位置(参照图3和图6)起在水平方向(在本例中为y轴方向)移动而从压力容器60离开(参照图4)。而且，排出头62以不与压力容器60接触或碰撞的方式以排出旋转轴部62b为中心旋转，从而配置于开放位置(参照图5和图7)。
[0111]
另一方面，在使排出头62从开放位置向封闭位置移动的情况下，以与上述的“用于从封闭位置向开放位置移动的一系列的动作”相反的顺序进行一系列的动作。
[0112]
在排出头62配置于封闭位置的状态下，密封部件(省略图示)定位于排出头62与压力容器60之间。通过该密封部件，确保排出头62与压力容器60之间的处理空间s的气密性。
[0113]
在排出头62配置于开放位置的情况下，如图7所示，处理空间s向水平方向开放。本例的排出路径形成部62c具有
コ
字状截面。由此，在排出头62配置于开放位置的状态下，排出路径形成部62c不从水平方向覆盖处理空间s的一部分或整体。
[0114]
向处理空间s送入基片w的工序和从处理空间s送出基片w的工序分别在排出头62配置于开放位置的状态下进行。即，第2输送装置31a(参照图1)与基片w一起在水平方向移动，经由处理空间s的水平开放的开口进入处理空间s，将该基片w交给保持部65。另外，第2输送装置31a经由处理空间s的水平开放的开口进入处理空间s，从保持部65接收基片w，与该基片w一起在水平方向移动而从处理空间s退避。
[0115]
通过像这样将排出头62设置成可动式，能够确保用于基片w对于处理空间s的送入和送出的适当的间隙。此外，也可以在排出头62的基础上或者代替排出头62将供给头61设置为能够移动。在这些情况下，也能够确保用于向处理空间s输送基片w的适当的间隙。
[0116]
如图8所示，排出路径形成部62c具有多个排出开口部68和排出引导路径69。
[0117]
多个排出开口部68沿着排出引导路径69在水平方向(在本例中为x轴方向)上排列，并与排出引导路径69连接。在图8所示的例子中，在x轴方向上，在覆盖配置于保持位置的基片w的整体范围的范围内，分散配置有多个排出开口部68。排出引导路径69在水平方向(在本例中为x轴方向)延伸。
[0118]
在排出头62配置于封闭位置的状态下，排出路径形成部62c位于压力容器60的内侧(即处理空间s)。在该状态下，多个排出开口部68与处理空间s和排出引导路径69连接，排出引导路径69的两端的开口部分别与容器排出路径70连接。其结果是，各排出开口部68、排出引导路径69和各容器排出路径70相互连接。
[0119]
因此，处理流体f能够经由各排出开口部68从处理空间s向排出引导路径69流入，之后，经由容器排出路径70从排出引导路径69向第1分支排出线路53a和第2分支排出线路53b流出。
[0120]
这样，在本例中，由排出头62(各排出开口部68和排出引导路径69)和压力容器60(各容器排出路径70)构成将处理流体f从压力容器60内的处理空间s向压力容器60外引导的排出路径。
[0121]
具有上述结构的干燥单元32b中的基片w的干燥处理例如以如下方式进行。
[0122]
首先，在排出头62配置于开放位置的状态下，基片w被送入到处理空间s，在保持位置被保持部65保持(送入处理工序)。
[0123]
之后，排出头62配置于封闭位置。由此，处理空间s被压力容器60、供给头61和排出头62封闭。但是，处理空间s经由供给路径(供给凹部63、各供给开口部67和供给引导路径66)与第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b相连。另外，处理空间s经由排出路径(各排出开口部68、排出引导路径69和各容器排出路径70)与第1分支排出线路53a和第2分支排出线路53b相连。
[0124]
然后，经由第1分支供给线路52a和第2分支供给线路52b输送来的处理流体f流入到供给引导路径66、各供给开口部67和供给凹部63(升压处理工序和流通处理工序)。处理流体f在被供给开口部67整流后从横向流体释放部71向处理空间s释放，以层流的状态通过基片w的周围而向排出头62去。然后，处理流体f通过各排出开口部68、排出引导路径69和各容器排出路径70，向第1分支排出线路53a和第2分支排出线路53b流出。
[0125]
通过这样在基片w的周围连续地流动的处理流体f，基片w被干燥。特别是，处理流体f通过供给引导部件80而在防止了涡流、滞留的状态下在基片w的周围流动，所以能够稳定地进行基片w的干燥处理。其结果是，能够抑制基片w的凹凸图案的倒塌、微粒的产生。
[0126]
在基片w被充分干燥后，降低处理空间s的压力(减压处理工序)。
[0127]
然后，排出头62配置于开放位置，从处理空间s送出基片w(送出处理工序)。
[0128]
接着，对第1实施方式的供给引导部件80的具体的结构例进行说明。
[0129]
[供给引导部件的第1结构例]
[0130]
图9是表示供给引导部件80的第1结构例的放大截面图。
[0131]
在本例中，多个供给开口部67在水平方向(特别是x轴方向)上相互不同的位置设置成一列。
[0132]
供给引导部件80具有在水平方向(特别是x轴方向)延伸的一体结构，与这些供给开口部67相对。供给引导部件80通过螺钉、螺栓或螺钉等固定件(省略图示)固定于供给主体部61a。
[0133]
供给引导部件80能够具有对从各供给开口部67喷出的处理流体f的扩散和流速进行调节，并且有助于处理流体f的流动的均匀化的任意的形状。供给引导部件80的形状优选根据实际的设计条件、用途来决定。
[0134]
图9所示的供给引导部件80具有叶片形状(翼型)，对来自供给开口部67的处理流体f进行引导以使其在高度方向(z轴方向)扩展。供给引导部件80以叶片的前缘部与供给开口部67相对且叶片的后缘部朝向处理空间s(配置于保持位置的基片w)的方式配置。供给引导部件80的上表面和下表面具有平滑的表面形状，不会阻碍处理流体f从供给开口部67向处理空间s(特别是配置于保持位置的基片w)的流动。
[0135]
供给凹部63中的处理流体f的流路由供给主体部61a和供给引导部件80划分。图9所示的供给引导部件80在从供给开口部67去往处理空间s的方向(y轴方向)上，在高度方向上逐渐变大之后，在高度方向上逐渐变小。因此，供给凹部63中的处理流体f的流路在从供给开口部67去往处理空间s的方向(y轴方向)上，在高度方向上逐渐变窄之后，在高度方向上逐渐扩大。
[0136]
具有这样的叶片形状的供给引导部件80对于确保处理流体f向从各供给开口部67向基片w(保持位置)的方向(y轴方向)的流动，并且进行引导以使处理流体f在与y轴方向垂直的方向扩展是有效的。但是，供给引导部件80的具体的叶片形状(例如叶片弦长、中心线、最大叶片厚度和最大外倾)没有限定。
[0137]
处理流体f被供给引导部件80引导，随着向供给引导部件80的后方(即配置于保持位置的基片w侧)前进，阶段性地从供给引导部件80剥离。在较早的阶段从供给引导部件80剥离的处理流体f，向横向流体释放部71的高度方向端部(上下端部)行进的倾向较强。在较慢的阶段从供给引导部件80剥离的处理流体f，向横向流体释放部71的高度方向中央部行进的倾向较强。
[0138]
通过使用具有最佳的叶片截面(空气箔)的供给引导部件80来将处理流体f向处理空间s释放，能够改善处理空间s中的处理流体f的流速分布，抑制初始升压时的来自基片w的液体的飞散、局部的干燥。
[0139]
供给凹部63随着远离各供给开口部67(即，随着靠近处理空间s(特别是配置于保持位置的基片w))，开口面积逐渐变大。处理流体f在刚从各供给开口部67释放之后与供给引导部件80碰撞而扩散，处理流体f的流速分布被平滑化。
[0140]
具体而言，处理流体f通过供给引导路径66向x轴方向(水平方向)扩散，之后，从各供给开口部67喷出而与供给引导部件80碰撞，从而向z轴方向扩散。之后，在供给凹部63中的在供给主体部61a与供给引导部件80之间局部变窄的部分，处理流体f的向y轴方向(水平方向)的流速被均匀化。之后，通过处理流体f从供给引导部件80的表面的阶段性剥离，处理流体f再次向z轴方向扩散。
[0141]
处理流体f经过这些多阶段的扩散工序，在x轴方向、y轴方向和z轴方向分别使流动均匀化后，从横向流体释放部71流入到处理空间s。
[0142]
这样，根据本结构例的供给引导部件80，处理流体f在刚从各供给开口部67喷出之后流速降低而势头被抑制，在流动状态被均匀化的状态下从横向流体释放部71向处理空间s送出。因此，超临界状态的处理流体f在基片w(特别是上表面)的整体上以均匀的状态被引导，能够抑制基片w的干燥的局部进行，能够稳定地进行基片w的整体的干燥处理。
[0143]
另外，本结构例的供给引导部件80至少局部地配置于供给头61的内侧(即供给凹部63)。由此，能够使供给头61和供给引导部件80单元化，能够简化压力容器60的结构。另外，能够使用省空间结构的供给头61和供给引导部件80。
[0144]
[模拟结果]
[0145]
本技术发明人实际进行了使用计算机的模拟，考察了使用图9所示的第1结构例的供给头61和供给引导部件80的情况下的处理流体f的流动状态的模拟结果。
[0146]
此时，对于具备图9所示的供给头61但不具备供给引导部件80的干燥单元32b，也在基本相同的条件下进行了模拟。
[0147]
在干燥单元32b不具备供给引导部件80的情况下，与供给开口部67面对的部位和不与供给开口部67面对的部位之间的处理流体f的流速差大。因此，确认了在与相邻的供给开口部67之间对应的部位(即不与供给开口部67面对的部位)容易产生处理流体f的涡流、滞留。
[0148]
此外，可知在不设置供给引导部件80的情况下，通过减小横向流体释放部71的截
面积(特别是高度方向尺寸)，也能够减少供给凹部63中的处理流体f的涡流、滞留的产生。但是，在该情况下，由于处理流体f从横向流体释放部71猛烈地喷出，所以确认到在处理空间s中的不与横向流体释放部71面对的部位容易产生处理流体f的涡流、滞留。
[0149]
这样，可知在干燥单元32b不包括供给引导部件80的情况下，产生处理流体f的涡流、滞留，处理流体f的流动难以均匀化和稳定化。
[0150]
另一方面，可知在干燥单元32b具备供给引导部件80的情况下，有效地减少了处理流体f的涡流、滞留的产生，处理流体f在基片w的周围无停滞地顺畅地流动，促进处理流体f的流动的均匀化和稳定化。
[0151]
[供给引导部件的第2结构例]
[0152]
在本结构例中，对于与上述的第1结构例相同的事项，省略详细的说明。
[0153]
图10是表示供给引导部件80的第2结构例的放大截面图。
[0154]
在供给凹部63设置有多个供给引导部件80。各供给引导部件80具有叶片形状，遍及供给凹部63的x轴方向整体地延伸，并固定于供给主体部61a。
[0155]
这些供给引导部件80在从各供给开口部67向保持位置的方向(y轴方向)上多级地设置。即，在y轴方向上的第1配置位置设置有1个以上的供给引导部件80，在y轴方向上与第1配置位置不同的第2配置位置设置有1个以上的供给引导部件80。
[0156]
在图10所示的例子中，相对于在y轴方向上位于前级(即供给开口部67侧)的供给引导部件80，另一供给引导部件80分别位于高度方向的上侧和下侧。由此，通过前级的供给引导部件80在上下方向扩散的处理流体f通过后级(即保持位置侧)的供给引导部件80进一步在上下方向扩散。其结果是，能够确保处理流体f向从各供给开口部67向基片w(保持位置)的方向(y轴方向)的流动，并且能够更有效地促进处理流体f在高度方向上的扩散。
[0157]
此外，在图10中简化地表示了多个供给引导部件80，供给引导部件80的数量、形状和配置位置没有限定。
[0158]
这样，根据本结构例的多个供给引导部件80，能够使处理流体f在多个阶段在高度方向上扩散，以更均匀的流动状态从横向流体释放部71释放。
[0159]
[供给引导部件的第3结构例]
[0160]
在本结构例中，对于与上述的第1结构例相同的事项，省略详细的说明。
[0161]
图11是表示供给引导部件80的第3结构例的放大截面图。
[0162]
供给引导部件80设置成可动，以使得能够改变来自各供给开口部67的处理流体f的引导的状态。图11所示的叶片形状的供给引导部件80如实线和双点划线所示，在供给凹部63中旋转移动(摆动)。
[0163]
供给引导部件80可以在控制装置4的控制下通过未图示的驱动装置而移动，也可以由操作者手动地使供给引导部件80旋转来调整供给引导部件80的朝向。
[0164]
根据本结构例的供给引导部件80，能够在高度方向上适当地改变处理流体f的流速(流量)的平衡。
[0165]
[供给引导部件的第4结构例]
[0166]
在本结构例中，对于与上述的第1结构例相同的事项，省略详细的说明。
[0167]
图12是表示供给引导部件80的第4结构例的放大截面图。
[0168]
多个供给开口部67也可以包含设置于在高度方向上不同的位置的2个以上的供给
开口部67。而且，供给引导部件80也可以具有与在高度方向上设置于相互不同的位置的多个供给开口部67相对的一体结构。
[0169]
在图12所示的例子中，3个供给开口部67在高度方向上排列，叶片形状的供给引导部件80在供给凹部63中与这3个供给开口部67相对。
[0170]
在设置于高度方向上相互不同的位置的多个供给开口部67与供给引导部件80之间设置有合流路72。合流路72至少局部由供给凹部63构成。从多个供给开口部67喷出的处理流体f在合流路72中至少部分地合流，之后与供给引导部件80碰撞而被供给引导部件80引导。
[0171]
根据本结构例，通过设置于在高度方向上不同的位置的多个供给开口部67，处理流体f在到达供给引导部件80之前在高度方向上扩散。
[0172]
另外，从设置于在高度方向上不同的位置的多个供给开口部67喷出的处理流体f在合流路72合流，由此能够在到达供给引导部件80之前促进流动的均匀化。
[0173]
[第2实施方式]
[0174]
在本实施方式的干燥单元32b中，对与上述的第1实施方式的干燥单元32b中的要素相同或对应的要素标注相同的附图标记，并省略其详细的说明。
[0175]
图13～图15是从上方观察第2实施方式的干燥单元32b的一例的截面的图，分别图示第5～第7结构例的供给引导部件80。
[0176]
本实施方式的供给头61的供给主体部61a具有供给引导路径66和多个供给开口部67，但不具有供给凹部63。因此，处理流体f在从各供给开口部67喷出之后立即进入到处理空间s。
[0177]
供给引导部件80设置于处理空间s，在各供给开口部67与基片w(保持位置)之间与各供给开口部67相对，并且从水平方向的外侧局部地包围配置于保持位置的基片w。供给引导部件80的固定方法没有限定，但典型地，供给引导部件80由压力容器60直接或间接地固定。
[0178]
在本实施方式的干燥单元32b中，处理流体f也在从各供给开口部67释放之后被供给引导部件80扩散，促进处理流体f的流动的均匀化。因此，能够抑制处理空间s中的处理流体f的涡流、滞留的产生。
[0179]
另外，通过以从水平方向的外侧局部地包围基片w的方式设置供给引导部件80，能够使由供给引导部件80整流后立即产生的处理流体f向基片w的周围流动。
[0180]
其中，供给引导部件80需要在处理流体f到达配置于保持位置的基片w之前对处理流体f进行扩散和整流，所以设置于保持位置(基片w)与供给头61(各供给开口部67)之间。因此，从进行基片w相对于处理空间s的顺畅的送入和送出的观点出发，优选基片w经由排出头62侧的开口被送入和送出到处理空间s。
[0181]
另外，供给引导部件80的设置范围优选设定为不阻碍基片w相对于处理空间s的送入和送出的范围。因此，为了在处理空间s中确保用于基片w的送入和送出的通路，优选在保持位置(基片w)与排出头62之间不设置供给引导部件80。
[0182]
接着，对第2实施方式的供给引导部件80的具体的结构例进行说明。
[0183]
[供给引导部件的第5结构例]
[0184]
在本结构例中，对于与上述的第1结构例相同的事项，省略详细的说明。
[0185]
图13是表示供给引导部件80的第5结构例的放大截面图。
[0186]
设置于处理空间s的供给引导部件80具有一体结构，且具有沿着配置于保持位置的基片w的外周的形状。
[0187]
在该情况下，供给引导部件80也能够具有叶片形状，也可以将供给引导部件80的前缘部定位于供给头61侧，并且将供给引导部件80的后缘部定位于配置在保持位置的基片w侧。
[0188]
根据本结构例的供给引导部件80，能够使刚刚被供给引导部件80在高度方向扩散并整流后的处理流体f向基片w的周围流动。
[0189]
[供给引导部件的第6结构例]
[0190]
在本结构例中，对于与上述的第5结构例相同的事项，省略详细的说明。
[0191]
图14是表示供给引导部件80的第6结构例的放大截面图。
[0192]
在本结构例中，多个供给引导部件80在多个供给开口部67的排列方向(在图14所示的例子中为x轴方向)上排列。
[0193]
即，在处理空间s中配置于保持位置的基片w在第1水平方向(在图14所示的例子中为y轴方向)上与各供给开口部67隔开间隔。而且，多个供给引导部件80以在与第1水平方向成直角的第2水平方向(在图14所示的例子中为x轴方向)上排列的方式设置。
[0194]
这样，在第2水平方向上排列的多个供给引导部件80的一个端部在靠近各供给开口部67的位置与各供给开口部67相对，另一个端部在靠近配置于保持位置的基片w的位置从水平方向的外侧局部地包围该基片w。
[0195]
在图14所示的例子中，各供给引导部件80中的供给头61侧的端部的y轴方向位置在供给引导部件80之间相同。另一方面，各供给引导部件80中的基片w侧(即排出头62侧)的端部的y轴方向位置根据x轴方向位置来决定，供给引导部件80之间未必相同。因此，各供给引导部件80的y轴方向的长度根据x轴方向位置而变化。
[0196]
根据本结构例的供给引导部件80，处理流体f在刚从各供给开口部67排出之后被多个供给引导部件80引导，能够使刚刚被供给引导部件80扩散并整流之后的处理流体f向基片w的周围流动。
[0197]
其中，在图14所示的例子中，各供给引导部件80具有对来自各供给开口部67的处理流体f进行引导以使其在水平方向(在图14所示的例子中为x轴方向)扩展的叶片形状。即，各供给引导部件80的流线形状表面朝向x轴方向，由各供给引导部件80引导的处理流体f以在x轴方向扩散的方式从供给引导部件80剥离。因此，能够使在x轴方向上均匀地扩散的处理流体f在配置于保持位置的基片w的周围流动。
[0198]
[供给引导部件的第7结构例]
[0199]
在本结构例中，对于与上述的第5结构例相同的事项，省略详细的说明。
[0200]
图15是表示供给引导部件80的第7结构例的放大截面图。
[0201]
在本结构例中，多个供给引导部件80在处理空间s中在多个供给开口部67的排列方向(x轴方向)和与多个供给开口部67的排列方向垂直的水平方向(y轴方向)这两个方向排列。
[0202]
即，配置于保持位置的基片w在第1水平方向(在图15所示的例子中为y轴方向)上与各供给开口部67隔开间隔。多个供给引导部件80包含在第1水平方向(y轴方向)上排列的
2个以上的供给引导部件80和在与第1水平方向成直角的第2水平方向(x轴方向)上排列的2个以上的供给引导部件80。
[0203]
配置于保持位置的基片w由配置于在第1水平方向(y轴方向)和第2水平方向(x轴方向)这两个方向上相互不同的位置的2个以上的供给引导部件80从水平方向的外侧局部地包围。
[0204]
具体而言，不仅设置有在靠近各供给开口部67的位置与各供给开口部67相对的多个供给引导部件80，还设置有在靠近配置于保持位置的基片w的位置从水平方向的外侧局部地包围该基片w的多个供给引导部件80。
[0205]
此外，在图15中简化地表示了多个供给引导部件80，供给引导部件80的数量、形状和配置位置没有限定。
[0206]
根据本结构例的供给引导部件80，处理流体f在刚从各供给开口部67排出之后被多个供给引导部件80引导，能够使刚刚被供给引导部件80扩散并整流之后的处理流体f向基片w的周围流动。
[0207]
其中，图15所示的各供给引导部件80具有对来自各供给开口部67的处理流体f进行引导以使其在水平方向(在图14所示的例子中为x轴方向)扩展的叶片形状。因此，能够使在x轴方向上均匀地扩散的处理流体f在配置于保持位置的基片w的周围流动。
[0208]
另外，在图15所示的例子中，相对于在y轴方向上位于前级的供给引导部件80，其他的供给引导部件80分别位于x轴方向的一侧和另一侧。由此，通过前级的供给引导部件80向x轴方向扩散了的处理流体f，通过后级的供给引导部件80进一步向x轴方向扩散。其结果是，能够确保处理流体f向从各供给开口部67向基片w(保持位置)的方向(y轴方向)的流动，并且能够更有效地促进处理流体f在x轴方向上的扩散。
[0209]
[第3实施方式]
[0210]
在本实施方式的干燥单元32b中，对与上述的第1实施方式的干燥单元32b中的要素相同或对应的要素标注相同的符号，并省略其详细的说明。
[0211]
图16是从上方观察第3实施方式的干燥单元32b的一例的截面的图。图17是从侧方观察第3实施方式的干燥单元32b的一例的截面的图。
[0212]
作为向处理空间s供给处理流体f的流体供给部，除了设置有具有多个供给开口部67(第1供给开口部)的供给头61(第1流体供给部)之外，还设置有具有多个下方分支路(第2供给开口部)76的压力容器60(第2流体供给部)。
[0213]
在压力容器60中的位于下侧的部分形成有下方引导路径75、多个下方分支路76和多个下方供给凹部77。下方引导路径75、多个下方分支路76和多个下方供给凹部77位于从配置于保持位置的基片w向下方偏移了的位置。
[0214]
下方引导路径75包括在高度方向上延伸的部分和在高度方向上连接的在水平方向上延伸的部分。在下方引导路径75中的在高度方向延伸的部分连接有第1供给线路51(参照图2)。从第1供给线路51供给的处理流体f，经由下方引导路径75的在高度方向延伸的部分流入到在水平方向延伸的部分。
[0215]
多个下方分支路76与下方引导路径75的沿水平方向延伸的部分连接，分别沿着半径相互不同的多个同心圆设置。
[0216]
多个下方供给凹部77分别与多个下方分支路76连接，沿着半径相互不同的多个同
心圆设置。各下方供给凹部77构成向处理空间s开口的下方流体释放部73。
[0217]
在本实施方式中，作为引导部件，除了在水平方向上位于各供给开口部67与保持位置之间的第1供给引导部件80a之外，还设置有在高度方向上位于各个下方分支路76与保持位置之间的多个第2供给引导部件80b。
[0218]
图16和图17所示的多个第2供给引导部件80b分别配置于多个下方供给凹部77，沿着半径相互不同的多个同心圆设置。各第2供给引导部件80b对来自相对的下方分支路76的处理流体f进行引导以使其扩展到比该下方分支路76的开口面积大的面积的范围。
[0219]
在图16和图17所示的例子中，第1供给引导部件80a具有与上述的第1结构例的供给引导部件80(参照图9)相同的结构，第2供给引导部件80b具有与第1结构例的供给引导部件80相同的叶片形状。
[0220]
为了在上述的升压处理工序中使处理空间s急速升压，要求将大量的处理流体f在短时间内送入到处理空间s。在该情况下，为了防止基片w的上表面的液体的飞散、基片w的上表面的局部干燥的进行，有时在开始从基片w的横向供给处理流体f之前，开始从基片w的下方供给处理流体f。
[0221]
在本实施方式中，从基片w的下方向处理空间s供给的处理流体f也被引导部件(即第2供给引导部件80b)扩散和整流。这样，通过各第2供给引导部件80b抑制从基片w的下方向处理空间s供给的处理流体f的势头，将均匀流动的处理流体f从基片w的下方向处理空间s送出，由此能够抑制来自基片w的液体飞散、基片w的局部干燥。
[0222]
[第1变形例]
[0223]
图18是从侧方观察第1变形例的干燥单元32b的一例的截面的图。
[0224]
在本变形例中，在处理空间s中，利用保持部(省略图示)将多个基片w(在图18所示的例子中为2个基片w)在保持位置在高度方向排列并保持。另外，与各个基片w对应的多个供给引导部件80在高度方向上排列设置。另外，与各个基片w对应的多个排出引导部件83在高度方向上排列设置。
[0225]
保持基片w的保持部(省略图示)能够具有任意的结构。例如，也可以将固定于压力容器60的多个载置部、即从下方支承对应的基片w的多个载置部设置为保持部。
[0226]
各供给引导部件80设置在与对应的基片w的高度方向位置对应的高度方向位置。各供给引导部件80以与对应的供给开口部67相对的方式定位。
[0227]
在图18所示的例子中，与上述的图9所示的例子同样地，1个供给开口部67与1个供给引导部件80相对应，2个供给开口部67在高度方向上排列。各供给开口部67与供给主体部61a所具有的供给引导路径66和对应的供给凹部63连接。在图18所示的例子中，共用的供给引导路径66与多个供给开口部67连接，但多个供给开口部67也可以与分别设置的供给引导路径66连接。
[0228]
各供给引导部件80的一部分或整体定位于对应的供给凹部63。
[0229]
图18所示的各供给引导部件80具有与图9所示的供给引导部件80相同的叶片形状，但也可以具有其他形状(例如参照图10～图12)。
[0230]
各排出引导部件83设置在与对应的基片w的高度方向位置对应的高度方向位置，以与对应的排出开口部68相对的方式定位。
[0231]
在图18所示的例子中，1个排出开口部68与1个排出引导部件83相对应，2个排出开
口部68在高度方向上排列。各排出开口部68与排出主体部62a所具有的排出引导路径69和对应的排出凹部84连接。在图18所示的例子中，共用的排出引导路径69与多个排出开口部68连接，但多个排出开口部68也可以与分别设置的排出引导路径69连接。
[0232]
各排出引导部件83的一部分或整体定位于对应的各排出凹部84。各排出凹部84构成向处理空间s开口的流体流出部85。图18所示的各排出引导部件83具有与供给引导部件80相同的叶片形状，但也可以具有其他形状(例如参照图10～图12)。
[0233]
根据本变形例的干燥单元32b，通过在供处理流体f从压力容器60的内侧的处理空间s流入的排出开口部68与保持位置(基片w)之间与排出开口部68相对的排出引导部件83，将处理流体f从处理空间s引导到排出开口部68。因此，能够通过排出引导部件83调整从配置于保持位置的基片w向各排出开口部68的处理流体f的流动，能够抑制处理流体f的涡流、滞留的产生。
[0234]
另外，通过在高度方向上设置多个供给引导部件80，即使在处理空间s的高度方向的尺寸大的情况下，也能够调整处理空间s整体中的处理流体f的流动，抑制处理流体f的涡流、滞留的产生。
[0235]
另外，在处理空间s中配置有多个基片w的情况下，通过设置向各个基片w引导处理流体f的多个供给引导部件80，能够将流动均匀化的处理流体f向各基片w的周围送出。
[0236]
此外，在处理空间s中配置有多个基片w的上述的装置结构、设置有排出引导部件83的上述的装置结构能够应用于各种装置和方法，例如也能够应用于上述的各实施方式和各结构例。
[0237]
[其他变形例]
[0238]
基片w也可以在由托盘等保持部(省略图示)保持的状态下，与该保持部一起对于处理空间s送入和送出。这样的保持部例如也可以安装于供给头61和排出头62中的可动式的集管。
[0239]
例如，在排出头62设置成可移动的情况下，也可以在排出头62配置于开放位置的状态下，通过第2输送装置31a(参照图1)将基片w载置到安装于排出头62的托盘(省略图示)。在该情况下，通过排出头62从开放位置向封闭位置移动，基片w与托盘一起被送入到处理空间s。另外，通过排出头62从封闭位置向开放位置移动，基片w与托盘一起从处理空间s送出。
[0240]
此外，在基片w的上表面形成有液膜l的情况下，在基片w的上表面朝向上方的状态下，将基片w载置于托盘。然后，一边维持基片w的上表面朝向上方的状态，一边使排出头62在封闭位置与开放位置之间移动。
[0241]
应当注意的是，在本说明书中公开的实施方式和变形例在所有方面都只不过是例示，不被限定性地解释。上述的实施方式和变形例能够在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下进行各种方式的省略、置换和变更。例如也可以组合上述的实施方式和变形例，另外也可以将上述以外的实施方式与上述的实施方式或者变形例组合。
[0242]
另外，将上述的技术思想具体化的技术类别没有限定。例如上述基片处理装置也可以应用于其他装置。另外，也可以通过用于使计算机执行上述的基片处理方法所包含的1个或多个步骤(step)的计算机程序来具体实现上述的技术思想。另外，也可以通过记录有这样的计算机程序的计算机可读取的非暂时性(non-transitory)的记录介质来具体实现
上述的技术思想。