基片处理装置的制作方法

1.本发明涉及一种基片处理装置。


背景技术：

2.在专利文献1中公开了对基片进行处理的基片处理装置。上述基片处理装置包括在大气压气氛下进行基片处理的大气部和在减压气氛下进行基片处理的减压部。上述大气部和上述减压部经由内部能够切换为大气压气氛和减压气氛的2个负载锁定模块而连接为一体。
3.在专利文献2中公开了对基片进行处理的基片处理系统。上述基片处理系统包括：内部能够维持为真空气氛的真空输送腔室；和内部被维持为大气气氛的大气输送腔室。上述真空输送腔室和上述大气输送腔室由能够将气氛切换为真空气氛和大气气氛的多个(例如3个)负载锁定腔室连接。
4.现有技术文献
5.专利文献
6.专利文献1：日本特开2020-009855号公报
7.专利文献2：日本特开2020-167244号公报


技术实现要素：

8.发明要解决的技术问题
9.本发明的技术提供一种基片处理装置，其无需改变真空输送模块的设计，就能够改变负载锁定室的数量。
10.用于解决技术问题的技术方案
11.本发明的一个方式的基片处理装置包括：一个或多个基片处理模块；与上述一个或多个基片处理模块连接的真空输送模块；负载锁定模块，其包括沿第一水平方向排列的至少3个负载锁定室；筒状适配模块，其配置在上述真空输送模块与上述负载锁定模块之间，具有第一开口和第二开口，上述第一开口与上述负载锁定模块连接，上述第二开口与上述真空输送模块连接，上述第一开口在上述第一水平方向上具有第一长度，上述第二开口在上述第一水平方向上具有第二长度，上述第一长度比上述第二长度大；以及输送机构，其配置在上述真空输送模块内，构成为能够经由上述筒状适配模块在上述一个或多个基片处理模块与上述负载锁定模块之间输送基片。
12.发明效果
13.依照本发明，能够提供一种无需改变真空输送模块的设计就能够改变负载锁定室的数量的基片处理装置。
附图说明
14.图1是表示本实施方式的晶片处理装置的结构例的俯视图。
15.图2是表示本实施方式的真空输送部的结构例的立体图。
16.图3是表示本实施方式的真空输送部的结构例的纵截面图。
17.图4是表示本实施方式的筒状适配模块的结构例的横截面图。
18.图5是表示本实施方式的筒状适配模块的结构例的立体图。
19.图6是表示另一个实施方式的晶片处理装置的结构例的俯视图。
20.图7是表示另一个实施方式的晶片处理装置的结构例的俯视图。
21.图8是表示另一个实施方式的筒状适配模块的结构例的立体图。
22.图9是表示另一个实施方式的晶片处理装置的结构例的俯视图。
23.附图标记说明
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晶片处理装置
[0025]
10
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大气部
[0026]
20
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负载锁定模块
[0027]
50
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输送模块
[0028]
60
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筒状适配模块
[0029]
60a
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第一开口
[0030]
60b
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第二开口
[0031]
80
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晶片输送机构
[0032]wꢀꢀꢀꢀ
晶片。
具体实施方式
[0033]
在半导体器件的制造工艺中，进行使收纳有半导体晶片(基片：以下，简称为“晶片”)的晶片处理模块(基片处理模块)的内部为减压(真空)状态，对该晶片进行处理的各种处理步骤。这些处理步骤在设有多个晶片处理模块的晶片处理装置中进行。
[0034]
该晶片处理装置例如包括：大气部，其具有在大气气氛下对晶片进行处理和/或输送的大气模块；以及减压部(真空部)，其包括在减压(真空)气氛下对晶片进行处理和/或输送的减压(真空)模块。大气部和减压部经由能够将内部切换为大气气氛和减压气氛的负载锁定模块而连接为一体。
[0035]
但是，在设计晶片处理装置时，鉴于例如减少该晶片处理装置的占用空间(footprint)、提高该晶片处理装置中的生产率(throughput)等各种技术问题，如专利文献1、专利文献2中分别公开的那样，需要适当地设计负载锁定模块的设置数量不同的晶片处理装置。
[0036]
然而，在如上述那样负载锁定模块的设置数量不同的情况下，根据负载锁定模块的设置数量，负载锁定模块的连接所需要的宽度尺寸改变，因此需要适当改变要连接的减压部的大小(特别是宽度尺寸)。即，也需要根据负载锁定模块的设置数量来改变减压部的设计，因此存在晶片处理装置的设计、制造所花费的成本增加、设计的通用性降低这样的技术问题。
[0037]
本发明的技术是鉴于上述情况而完成的，提供一种基片处理装置，其无需改变真空输送模块(减压部)的设计就能够改变负载锁定模块中的负载锁定(loadlock)室的数量。以下，参照附图，对作为本实施方式的基片处理装置的晶片处理装置进行说明。注意，在本
说明书和附图中，实质上具有相同的功能和结构的要素用相同的附图标记表示，从而省略的重复说明。
[0038]
《晶片处理装置》
[0039]
首先，对本实施方式的晶片处理装置进行说明。图1是表示本实施方式的晶片处理装置1的概要结构的俯视图。在本实施方式中，对晶片处理装置1包括晶片处理模块的情况进行说明，其中，晶片处理模块用于对作为基片的晶片w进行蚀刻处理、成膜处理或扩散处理等等离子体处理。另外，本发明的晶片处理装置1的模块结构不限于此，可以根据晶片处理的目的而任意选择。
[0040]
如图1所示，晶片处理装置1具有大气部10和减压部(真空部)11经由负载锁定模块20连接为一体的结构。大气部10包括在大气气氛下对晶片w进行处理和/或输送的大气模块。减压部11包括在减压(真空)气氛下对晶片w进行处理和/或输送的减压模块(真空模块)。
[0041]
负载锁定模块20沿着后述的装载模块30和后述的筒状适配模块60的宽度方向(x轴方向：第一水平方向)具有多个(在本实施方式中例如3个)负载锁定室21a、21b、21c。在一个实施方式中，负载锁定模块20包括沿第一水平方向排列的3个负载锁定室21a、21b、21c。
[0042]
负载锁定室21a、21b、21c(以下，有时将它们一并简称为“负载锁定室21”)被设置成经由晶片输送口22、23，将大气部10的后述的装载模块30的内部空间和减压部11的后述的输送模块50的内部空间连通。另外，晶片输送口22、23分别构成为能够由闸门(gate valve)24、25开闭。
[0043]
负载锁定室21构成为能够暂时保持晶片w。另外，负载锁定室21构成为能够将内部切换为大气气氛和减压气氛(真空状态)。即，负载锁定模块20构成为能够在大气气氛的大气部10与减压气氛的减压部11之间适当地交接晶片w。
[0044]
另外，关于负载锁定模块20的详细结构，在后文说明。
[0045]
大气部10包括：设有后述的晶片输送机构40的装载模块30；和装载口32，其载置可保管多个晶片w的前开式晶片传送盒(foup)31。另外，在装载模块30中，也可以相邻地设置有对晶片w的水平方向的朝向进行调节的定向模块(未图示)、收纳多个晶片w的收纳模块(未图示)等。
[0046]
装载模块30的内部由矩形的壳体构成，壳体的内部被维持为大气气氛。在装载模块30的构成y轴负方向侧的长边的一个侧面，排列地配置有多个(例如5个)装载口32。在构成装载模块30的y轴正方向侧的长边的另一个侧面，排列地配置有负载锁定模块20的负载锁定室21a、21b、21c。
[0047]
在装载模块30的内部设置有对晶片w进行输送的晶片输送机构40。晶片输送机构40包括：保持晶片w并进行移动的输送臂41；旋转台42，其以输送臂41可旋转的方式支承输送臂41；和搭载有旋转台42的旋转载置台43。另外，在装载模块30的内部设置有在装载模块30的长边方向(x轴方向)上延伸的导轨44。旋转载置台43设置在导轨44上，晶片输送机构40构成为能够沿着导轨44移动。
[0048]
减压部11包括：在内部输送晶片w的输送模块50；将负载锁定模块20和输送模块50相互连接的筒状适配模块60；以及对从输送模块50输送来的晶片w实施所希望的处理的晶片处理模块70。输送模块50、筒状适配模块60和晶片处理模块70的内部分别构成为能够维
持为减压气氛。另外，在本实施方式中，对于一个输送模块50连接有多个(例如6个)晶片处理模块70。另外，晶片处理模块70的数量、配置并不限定于本实施方式，能够任意地设定。
[0049]
作为真空输送模块的输送模块50如上所述经由筒状适配模块60与负载锁定模块20连接。输送模块50与一个或多个晶片处理模块70连接。输送模块50例如将被输送到负载锁定模块20的负载锁定室21a的晶片w输送到一个晶片处理模块70进行处理之后，经由负载锁定模块20的负载锁定室21c输送到大气部10。另外，关于输送模块50的详细结构，在后文说明。
[0050]
在输送模块50的内部设置有作为输送晶片w的输送机构的晶片输送机构80。晶片输送机构80构成为经由后述的筒状适配模块60在一个或多个晶片处理模块70与负载锁定模块20之间输送晶片w。晶片输送机构80包括：保持晶片w并进行移动发热输送臂81；旋转台82，其以输送臂81可旋转的方式支承输送臂81；和搭载有旋转台82的旋转载置台83。旋转载置台83固定于输送模块50的中央部分。
[0051]
筒状适配模块60如上述那样将负载锁定模块20和输送模块50相互连接。另外，关于筒状适配模块60的详细结构，在后文说明。
[0052]
晶片处理模块70对晶片w进行例如蚀刻处理、成膜处理或扩散处理等等离子体处理。即，晶片处理模块70也可以包含等离子体处理模块。晶片处理模块70可以包括进行与晶片处理的目的相应的处理的各种模块。另外，晶片处理模块70经由形成于输送模块50的侧壁面的晶片输送口51与输送模块50连通，晶片输送口51构成为能够使用闸门71来开闭。
[0053]
在以上的晶片处理装置1中，如图1所示，设置有控制部90。控制部90例如是包括cpu、存储器等计算机，具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有对晶片处理装置1中的晶片w的处理进行控制的程序。此外，上述程序也可以记录在计算机可读取的存储介质h中，从该存储介质h安装到控制部90。
[0054]
本实施方式的晶片处理装置1如以上那样构成。接着，对上述的负载锁定模块20、输送模块50和筒状适配模块60的详细结构进行说明。图2和图3是示意性地表示负载锁定模块20、输送模块50和筒状适配模块60的概要结构的立体图和纵截面图。另外，图4是示意性地表示负载锁定模块20和筒状适配模块60的概要结构的横截面图。
[0055]
如图2和图3所示，负载锁定模块20、筒状适配模块60和输送模块50从y轴负方向侧依次排列地连接。
[0056]
如图2和图4所示，负载锁定模块20具有沿着筒状适配模块60的宽度方向(x轴方向)排列地配置的3个负载锁定室21a、21b、21c。在3个负载锁定室21分别形成有与装载模块30之间进行晶片w的交接的晶片输送口22和与输送模块50之间进行晶片w的交接的基片输送口即晶片输送口23。换言之，在负载锁定模块20的y轴负方向侧和正方向侧的侧壁分别各形成有3个晶片输送口22、23。
[0057]
负载锁定模块20的负载锁定室21如上述那样经由闸门24(在图2和图3中省略图示)、闸门25(在图2中省略图示)与装载模块30和输送模块50连接。利用该闸门24、25，兼顾负载锁定室21与装载模块30、或者输送模块50之间的气密性的确保和彼此的连通。
[0058]
如图3所示，在负载锁定室21设置有暂时保持在装载模块30与输送模块50之间被输送的晶片w的保存部26。
[0059]
另外，如图3所示，负载锁定模块20与对负载锁定室21的内部供给气体的供气部27
和排出气体的排气部28连接。负载锁定模块20构成为能够利用这些供气部27和排气部28将负载锁定室21的内部切换为大气气氛和减压气氛。
[0060]
在输送模块50中的与筒状适配模块60连接的y轴负方向侧的一端部，形成有与筒状适配模块60之间进行晶片w的输送的开口部52。另外，输送模块50的y轴正方向侧的另一端部被作为板的终端板(end plate)53封闭。
[0061]
这样，在输送模块50与筒状适配模块60之间，如图示所示没有设置板、闸门。即，输送模块50与筒状适配模块60的内部空间连通，界定出由晶片输送机构80输送晶片w的一体的输送空间s。在一个实施方式中，输送模块50的开口部52与筒状适配模块60的开口部(后述的第二开口60b)尺寸匹配。
[0062]
在构成输送模块50的长边的x轴负方向侧和正方向侧的侧面，如上述那样形成有与晶片处理模块70连通的多个(在本实施方式中，与晶片处理模块70的设置数量相应地为6个)晶片输送口51。晶片输送口51构成为能够使用闸门71(在图2和图3中省略图示)来开闭。
[0063]
另外，晶片输送口51的上方的输送模块50的顶面与用于对输送空间s供给非活性气体(例如n2气体)的气体供给部54连接。
[0064]
气体供给部54以形成所谓的气帘的方式对输送空间s供给非活性气体，以遮挡晶片输送口51，抑制在闸门71打开时颗粒等从晶片处理模块70向输送模块50飞散。
[0065]
另外，气体供给部54对输送空间s的内部供给非活性气体，以使得消除输送空间s的内部中气流的滞留部分，能够利用与筒状适配模块60连接的后述的排气机构64适当地对输送空间s的内部进行排气。
[0066]
图5是表示筒状适配模块60的概要结构的立体图。如上所述，筒状适配模块60将负载锁定模块20与输送模块50相互连接。
[0067]
筒状适配模块60由具有第一开口60a和第二开口60b的大致筒形形状构成，其中，第一开口60a形成于与负载锁定模块20连接的(y轴负方向侧)一个侧面，第二开口60b形成于与输送模块50连接的(y轴正方向侧)另一个侧面。在一个实施方式中，筒状适配模块60配置在真空输送模块50与负载锁定模块20之间，具有第一开口60a和第二开口60b。第一开口60a与负载锁定模块20连接。第二开口60b与真空输送模块50连接。第一开口60a在第一水平方向(x轴方向)上具有第一长度。第二开口60b在第一水平方向(x轴方向)上具有第二长度。第一长度比第二长度大。在一个实施方式中，筒状适配模块60具有与第一开口60a和第二开口60b连通的内部空间。筒状适配模块60的内部空间经由第二开口60b与真空输送模块50的内部空间连通。
[0068]
在此，如本实施方式的晶片处理装置1，在负载锁定模块20具有多个(例如3个以上的)负载锁定室21的情况下，如图4所示，该负载锁定模块20的宽度尺寸(x轴方向：第一水平方向的尺寸)有时比输送模块50的宽度尺寸(x轴方向：第一水平方向的尺寸)大。
[0069]
因此，如图4所示，本实施方式的筒状适配模块60构成为，与负载锁定模块20连接的一个侧面侧(y轴负方向侧)的宽度尺寸比与输送模块50连接的另一个侧面侧(y轴正方向侧)的宽度尺寸大。同样地，与负载锁定模块20连接的一个侧面侧(y轴负方向侧)的第一开口60a和与输送模块50连接的另一个侧面侧(y轴正方向侧)的第二开口60b相比，至少在宽度方向(x轴方向)上形成得较大。
[0070]
具体而言，第一开口60a形成为能够在负载锁定模块20的负载锁定室21a、21b、21c
与输送模块50之间适当地进行晶片w的输送的大小，换言之，形成为将形成于负载锁定模块20的y轴正方向侧的壁面的、3个晶片输送口23全部覆盖的大小。
[0071]
另外，第二开口60b形成为与形成于输送模块50的一端部的开口部52大致相同的大小，换言之，由输送模块50的宽度尺寸程度的大小形成。
[0072]
这样，通过由与跟输送模块50连接的另一个侧面侧(y轴正方向侧)不同的宽度尺寸构成筒状适配模块60的与负载锁定模块20连接的一个侧面侧(y轴负方向侧)的宽度尺寸，即使在如本实施方式那样负载锁定模块20的宽度尺寸(x轴方向的尺寸)和输送模块50的宽度尺寸(x轴方向的尺寸)不同的情况下，也能够适当地将负载锁定模块20和输送模块50连接。
[0073]
换言之，即使在设计负载锁定模块20中的负载锁定室21的设置数量不同的晶片处理装置1的情况下，仅通过改变该筒状适配模块60的与负载锁定模块20连接的一个侧面侧(y轴负方向侧)的宽度尺寸，也能够适当地将负载锁定模块20和输送模块50连接。
[0074]
另外，筒状适配模块60的高度尺寸h1构成为比输送模块50的高度尺寸h2小。而且，筒状适配模块60以其顶面与输送模块50的顶面大致一致的方式与输送模块50连接。换言之，如图3所示，在输送空间s的下部形成有因高度尺寸h1与高度尺寸h2之差d而产生的台阶部ss。
[0075]
筒状适配模块60的顶面与用于对输送空间s供给非活性气体(例如n2气体)的气体供给部(非活性气体供给源)61连接。
[0076]
气体供给部61以形成所谓的气帘的方式对输送空间s供给非活性气体，以遮挡形成于负载锁定室21的晶片输送口23，抑制在闸门25打开时颗粒等在负载锁定模块20与输送模块50之间飞散。
[0077]
另外，气体供给部61对输送空间s的内部供给非活性气体，以消除输送空间s的内部中气流的滞留部分，能够利用后述的排气机构64适当地对输送空间s的内部进行排气。
[0078]
另外，筒状适配模块60的底面经由连接配管62和压力调节阀63与用于对输送空间s的内部进行排气的排气机构64连接。在一个实施方式中，筒状适配模块60具有能够与气体供给部(非活性气体供给源)61连接的气体供给口和能够与排气机构64连接的排气口。
[0079]
作为连接配管62，具有至少比筒状适配模块60的进深尺寸(y轴方向的尺寸)小的直径，而且能够选择具有比筒状适配模块60的高度尺寸h1与输送模块50的高度尺寸h2之差d长的全长的管状部件。换言之，连接配管62配置于在筒状适配模块60的下方形成的负载锁定模块20与输送模块50的间隙空间，至少在比输送模块50的底面靠下方的位置连接压力调节阀63和排气机构64。在一个实施方式中，筒状适配模块60在与第一水平方向(x轴)正交的第二水平方向(y轴)上具有第三长度，连接配管62的直径比第三长度小。
[0080]
压力调节阀63(例如apc阀)通过其开闭来调整由排气机构64进行的输送空间s的抽真空，即调整输送空间s的真空度。
[0081]
排气机构64包括将输送空间s的内部压力排气至中等真空程度的第一真空泵(例如干式泵)和将输送空间s的内部压力排气至高真空的第二真空泵(例如涡轮分子泵)。
[0082]
在晶片处理装置1中，为了削减该晶片处理装置1的占用空间，优选尽可能减小筒状适配模块60的进深尺寸(y轴方向的尺寸)。然而，在这样减小了筒状适配模块60的进深尺寸的情况下，该筒状适配模块60的进深尺寸与压力调节阀63、排气机构64(特别是涡轮分子
泵)的尺寸相比变小，有时无法适当地将压力调节阀63、排气机构64与筒状适配模块60的下部连接。
[0083]
因此，在本实施方式中，使用直径比筒状适配模块60的进深尺寸小的连接配管62将排气机构64的配管延长，由此至少在比输送模块50的底面靠下方的位置、更具体而言与晶片处理装置1的周边单元、部件不发生干扰的高度位置连接压力调节阀63和排气机构64。
[0084]
另外，在如上述那样配合筒状适配模块60的进深尺寸来选择连接配管62的直径的情况下，有时需要配置直径比排气机构64(特别是涡轮分子泵)的连接所需的规格尺寸小的连接配管62。在该情况下，例如由于排气机构64运转时或破损时产生的反作用力，用于连接配管62、压力调节阀63的紧固的紧固部件(例如螺纹件等，未图示)有可能破损。
[0085]
因此，在本实施方式中，在配置直径比排气机构64的连接所需的规格尺寸小的连接配管62来进行排气机构64的连接的情况下，优选增加用于连接配管62、压力调节阀63的紧固的紧固部件的个数、增大该紧固部件的直径。通过像这样改变紧固部件的个数、直径，能够提高连接配管62和压力调节阀63的紧固强度，抑制因排气机构64运转时或破损时产生的反作用力而导致该紧固部件破损。
[0086]
另外，在本实施方式中，将排气机构64连接于筒状适配模块60的底面，但排气机构64的连接部位并不限定于此。即，只要能够适当地设置压力调节阀63、排气机构64即可，也可以代替筒状适配模块60的底面，或者除了从筒状适配模块60的底面之外，从输送模块50的侧面、底面进行输送空间s的排气。
[0087]
另外，在本实施方式的晶片处理装置1中，形成负载锁定模块20与输送模块50之间的晶片w的输送路径的、负载锁定室21的形成晶片输送口23的侧壁面29(参照图4)和筒状适配模块60的侧壁面65(参照图4)，沿着由晶片输送机构80的输送臂81输送晶片w的输送方向(输送臂81进入负载锁定室21的进入方向)倾斜地形成。
[0088]
如上所述，在负载锁定模块20具有多个(例如3个以上的)负载锁定室21的情况下，有时该负载锁定模块20的宽度尺寸(x轴方向的尺寸)比输送模块50的宽度尺寸(x轴方向的尺寸)大。在该情况下，在晶片输送口23垂直于负载锁定室21形成的情况下，存在特别是在沿x轴方向排列地配置的3个负载锁定室21中的位于两侧的2个负载锁定室21a、21c中，输送臂81与晶片输送口23、筒状适配模块60的侧壁面发生干扰而无法适当地进行晶片w的交接的可能性。
[0089]
因此，在本实施方式的负载锁定室21a、21c中，沿着晶片w的输送方向(输送臂81的进入方向)倾斜地形成形成晶片输送口23的侧壁面29，由此，如图4所示使输送臂81倾斜地进入负载锁定室21。由此，能够抑制晶片输送口23与输送臂81的干扰，适当地进行晶片w的交接。
[0090]
另外，除此之外，如图4所示，通过使筒状适配模块60的侧壁面65沿着晶片w的输送方向倾斜地形成，能够抑制筒状适配模块60的侧壁面65与输送臂81的干扰，进而适当地进行晶片w的交接。
[0091]
另外，如图4所示，在沿x轴方向排列地配置的3个负载锁定室21中的、位于中心的负载锁定室21b中，也可以不需要使侧壁面29倾斜，而沿着晶片w的输送方向垂直于负载锁定室21地形成。另外，也可以除了形成晶片输送口23的侧壁面29之外，还沿着晶片w的输送方向(输送臂41的进入方向)形成形成与装载模块30之间的晶片输送口22的侧壁面(未图
示)。
[0092]
在本实施方式的晶片处理装置1中，形成真空输送部的负载锁定模块20、输送模块50和筒状适配模块60如以上那样构成。
[0093]
依照本实施方式的晶片处理装置1，利用一个侧面侧(y轴负方向侧)和另一个侧面侧(y轴正方向侧)的宽度尺寸(x轴方向的尺寸)不同的大致筒形的筒状适配模块60，将在减压环境下输送晶片w的输送模块50、和在该输送模块50与大气部10之间进行晶片w的交接的负载锁定模块20连接。由此，即使在如本实施方式那样需要将宽度尺寸不同的负载锁定模块20与输送模块50连接的情况下，也能够适当地将负载锁定模块20与输送模块50连接。
[0094]
另外，依照本实施方式的晶片处理装置1，即使在需要遵循各种要求来设计负载锁定模块20中的负载锁定室21的设置数量不同的晶片处理装置1的情况下，仅对与负载锁定模块20连接的筒状适配模块60的一个侧面侧的宽度尺寸进行设计改变也就可以了。换言之，无需如现有技术那样根据负载锁定室21的数量来改变输送模块50的设计，因此能够抑制晶片处理装置1的设计、制造所花费的成本，并且能够提高设计的通用性。
[0095]
另外，现有技术中，在输送模块50的下部配置有例如闸门71的驱动机构(未图示)、与晶片处理模块70连接的各种单元，因此难以确保进行输送模块50的内部(输送空间s)的减压的排气机构的设置空间。
[0096]
关于这一点，在本实施方式中，筒状适配模块60的底面经由连接配管62与排气机构64连接。通过像这样设置筒状适配模块60，能够确保排气机构64的设置空间，并且进一步利用连接配管62进行排气路径的延长，因此能够不与前述的闸门71的驱动机构(未图示)、各种单元发生干扰地设置排气机构64。
[0097]
另外，像这样通过利用连接配管62进行的排气路径的延长能够适当地确保排气机构64的设置空间，因此，在本实施方式中，除了现有技术中作为排气机构64普遍使用的干式泵以外，还能够将分子涡轮泵和压力调节阀63连接到输送空间s。由此，与现有技术相比，能够进一步提高输送空间s的真空度，更适当地进行晶片处理装置1中的晶片处理。
[0098]
另外，如上所述，一直以来，遵循各种要求分别设计负载锁定模块20中的负载锁定室21的数量不同的晶片处理装置1。换言之，由于根据负载锁定室21的数量而分别进行了最优的设计，因此难以进行晶片处理装置1中的追加单元的设计，即，难以进行用于追加晶片处理装置1的功能的改造(例如改变负载锁定室21的数量)。
[0099]
关于这一点，在本实施方式中，仅通过在晶片处理装置1中进行筒状适配模块60的拆装或者更换，能够容易地进行负载锁定室21的数量的改变。
[0100]
具体而言，例如当负载锁定模块20在宽度方向上排列地设有3个负载锁定室21时，如图1、图5所示，经由筒状适配模块60，由此能够适当地将宽度尺寸不同的负载锁定模块20和输送模块50连接。
[0101]
另一方面，例如在该晶片处理装置1中，在使负载锁定室21的数量增加(例如4个)的情况下，如图6所示，将设有4个负载锁定室210a～210d的负载锁定模块200经由仅改变了一个侧面侧(y轴负方向侧)的端部的宽度尺寸(和第一开口的宽度尺寸)的筒状适配模块600与现有的输送模块50连接即可。
[0102]
另外，另一方面，例如在晶片处理装置1中，在使负载锁定室21的数量减少(例如2个)的情况下，在设有2个负载锁定室310a、310b的负载锁定模块300的宽度尺寸(或者至少
第一开口的宽度尺寸)与现有的输送模块50的宽度尺寸相同的情况下，如图7所示，省略筒状适配模块60而将负载锁定模块300与输送模块50连接即可。
[0103]
对上述内容进行概括，在晶片处理装置1中，在改变负载锁定模块的负载锁定室的数量时，根据想要的负载锁定室的数量，适当选择、更换包含与大气部10之间进行晶片w的交接的负载锁定模块的灵活性系统(flexible system)即可更换单元即可。在一个实施方式中，灵活性系统连接在真空输送模块50与大气输送模块30之间，选择性地包括第一可更换单元和第二可更换单元中的任一者。
[0104]
若进行补充，则例如在图1或图5所示的设置有3个负载锁定室21的例子中，负载锁定模块20和筒状适配模块60构成“第二可更换单元”。
[0105]
另外，例如在图6所示的设置有4个负载锁定室210的例子中，负载锁定模块200和筒状适配模块600构成“第二可更换单元”。在一个实施方式中，第二可更换单元包括第二负载锁定模块20(或200)和筒状适配模块60(或600)。第二负载锁定模块20(或200)包括在宽度方向上排列地配置的至少3个负载锁定室。第二负载锁定模块20(或200)的宽度尺寸大于第一负载锁定模块300的宽度尺寸。筒状适配模块60(或600)配置在真空输送模块50与第二负载锁定模块20(或200)之间，具有第一开口60a和第二开口60b。第一开口60a与第二负载锁定模块20(或200)连接，第二开口60b与真空输送模块50连接。第一开口60a的宽度尺寸比第二开口60b的宽度尺寸大。
[0106]
另外，在图7所示的设置有2个负载锁定室310的例子中，负载锁定模块300构成“第一可更换单元”。在一个实施方式中，第一可更换单元包括第一负载锁定模块300，该第一负载锁定模块300与真空输送模块50连接且包含沿宽度方向排列地配置的2个负载锁定室。
[0107]
此时，在各个“交接单元”中，优选与输送模块50连接的筒状适配模块60、600或者负载锁定模块300的y轴正方向侧的端部的宽度尺寸相同。换言之，优选各个交接单元的y轴正方向侧的端部的宽度尺寸构成为能够与输送模块50连接。
[0108]
像这样，准备交接单元，该交接单元包含在减压环境下输送晶片w的输送模块50和与大气部10之间进行晶片w的交接的负载锁定模块，仅通过根据想要的负载锁定室的数量进行交接单元的更换，就能够容易地改变负载锁定室21的数量。此时，如上所述，对于输送模块50而言，不需要根据负载锁定室的数量进行设计改变，因此与现有技术相比，能够适当地削减负载锁定室的数量的改变所花费的成本、工时。
[0109]
另外，在图7中，在负载锁定模块300和输送模块50的宽度尺寸相同的情况下省略了筒状适配模块60的设置，但即使在像这样负载锁定模块300和输送模块50的宽度尺寸相同的情况下，也可以在它们之间插设筒状适配模块。通过像这样插设筒状适配模块来进行负载锁定模块300的连接，如上所述，能够经由连接配管62将作为压力调节阀63和排气机构64的涡轮分子泵适当地连接于输送空间s。
[0110]
另外，在以上的实施方式中，根据负载锁定模块中的负载锁定室的数量设计了一个侧面(y轴负方向侧)的宽度尺寸不同的多个筒状适配模块，但是，例如筒状适配模块也可以构成为一个侧面(y轴负方向侧)侧的宽度方向能够伸缩。即，如图8所示，也可以使一个筒状适配模块700构成为能够根据负载锁定室的数量来调整与负载锁定模块连接的一个侧面侧的宽度尺寸和第一开口700a的宽度尺寸。像这样，使筒状适配模块700构成为能够在宽度方向上伸缩，由此不需要根据负载锁定室21的数量来改变筒状适配模块700的设计，因此能
够进一步削减晶片处理装置1的设计、制造所花费的成本，并且能够进一步提高设计的通用性。
[0111]
另外，在以上的实施方式中，以在形成真空输送部的负载锁定模块20、输送模块50和筒状适配模块60中进行晶片w的输送的情况为例进行了说明，但如本实施方式的晶片处理装置1，在晶片处理模块70对晶片w进行等离子体处理的情况下，也可以构成为在真空输送部中还能够输送边缘环er。边缘环er是在等离子体处理时包围晶片w的周围地配置的环状部件。
[0112]
更具体而言，例如在减压部11中，也可以代替一个晶片处理模块70，或者除了一个晶片处理模块70之外，设置收纳边缘环er的收纳模块(未图示)，并且使晶片输送机构80构成为能够输送边缘环er。
[0113]
或者，例如在大气部10中，也可以与装载模块30相邻地设置收纳边缘环er的收纳模块(未图示)，并且使晶片输送机构40和晶片输送机构80构成为能够输送边缘环er。在该情况下，如图9所示，使负载锁定模块20中的至少一个负载锁定室21(在图示的例子中为负载锁定室21b)构成为能够载置边缘环er。
[0114]
本次公开的实施方式在所有方面均是例示而不应该认为是限制性的。上述的实施方式在不脱离所附权利要求及其主旨的情况下，可以以各种方式省略、替换、改变。