曝光工具及使用曝光工具的方法与流程

技术特征：
1.一种曝光工具，其特征在于，包含：一遮罩变形侦测器；及一或多个处理器，用以：在一扫描制程期间的多个实例中，经由该遮罩变形侦测器获取与一遮罩相关联的遮罩变形信息，该扫描制程包括以下步骤：扫描一晶圆的多个场；在该扫描制程期间，基于该遮罩变形信息，判定该遮罩在多个实例中的一变形；及在该扫描制程期间，基于该遮罩在该些实例下的该变形，多次对该曝光工具的一或多个组件进行一或多次调整。2.根据权利要求1所述的曝光工具，其特征在于，该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整用以减少或消除在不进行该一或多次调整的情况下由该遮罩的该变形引起的一像差。3.根据权利要求1所述的曝光工具，其特征在于，用于执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整的该一或多个处理器用以引起以下中的一或多者：基于该遮罩的该变形将该遮罩更换为一替换遮罩，或调整该曝光工具的一投射透镜。4.根据权利要求1所述的曝光工具，其特征在于，用于执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整的该一或多个处理器用以：在该晶圆的一第一场的一第一次扫描与该晶圆的一第二场的一第二次扫描之间执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整，或在该晶圆的该第一场的该第一次扫描期间执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整。5.根据权利要求1所述的曝光工具，其特征在于，该遮罩变形侦测器包含一遮罩温度感测器，用以在该扫描制程期间量测该遮罩的一温度。6.根据权利要求5所述的曝光工具，其特征在于，该一或多个处理器用以：基于该扫描制程期间该遮罩的该温度估计该遮罩的该变形。7.根据权利要求5所述的曝光工具，其特征在于，该一或多个处理器用以基于该遮罩的多个量测温度与该扫描制程的多个像差的一映射来判定一像差漂移，且其中用于在该扫描制程期间执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整的该一或多个处理器用以：在该扫描制程期间基于该像差漂移执行该曝光工具的该一或多个组件的该一或多次调整。8.根据权利要求5所述的曝光工具，其特征在于，该遮罩温度感测器位于一扫描组件上或附近，该扫描组件用以引导光穿过该遮罩且朝向该晶圆，且其中该遮罩温度感测器与该扫描组件的一扫描方向对准。9.一种使用曝光工具的方法，其特征在于，包含以下步骤：通过一曝光工具对一晶圆的一第一场进行一第一次扫描，该第一次扫描包括以下步骤：将一电磁场投射穿过一遮罩且投射至该晶圆的该第一场上；通过一遮罩变形侦测器获取与该第一次扫描期间该遮罩的变形相关联的遮罩变形信息；
基于该遮罩变形信息，对该曝光工具的一或多个组件进行一或多次调整；及通过该曝光工具且在对该曝光工具的该一或多个组件进行该一或多次调整之后，对该晶圆的一第二场进行一第二次扫描，该第二次扫描包括以下步骤：将该电磁场投射穿过该遮罩且投射至该晶圆的该第二场。10.一种曝光工具，其特征在于，包含：一扫描组件，用以执行一扫描制程，该扫描制程包含以下步骤：引导光穿过一遮罩且朝向一晶圆；一遮罩变形侦测器，用以在该扫描制程的多个实例中获取与在该扫描制程期间该晶圆的多个不同场的多个扫描相关联的遮罩变形信息；一投射透镜，用以在该扫描制程期间基于与该扫描制程期间该晶圆的该些不同场的该些扫描相关联的该遮罩变形信息进行调整；及一遮罩外壳，用以将该遮罩定位在该扫描组件与该投射透镜之间。

技术总结
本文描述的一些实施方式提供了一种曝光工具及使用曝光工具的方法。该曝光工具包括遮罩变形侦测器及一或多个处理器，该一或多个处理器用以在扫描晶圆的多个场的扫描制程期间经由遮罩变形侦测器获取与遮罩相关联的遮罩变形信息。一或多个处理器在扫描制程期间基于遮罩变形信息多次判定遮罩的变形，且在扫描制程期间基于遮罩的变形多次执行对曝光工具的一或多个组件的一或多次调整。一或多个组件的一或多次调整。一或多个组件的一或多次调整。


技术研发人员：吴旻政 黄静茹
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.01.21
技术公布日：2022/7/1