一种大尺寸铌酸锂单晶及其晶体生长方法与流程

技术特征：
1.一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法，包括以下步骤：准备原料、制备富锂多晶料、熔化、提拉生长，其特征在于，提拉生长为将固定好的籽晶保持非旋转缓慢的方式下降到液面，控制温度保持籽晶截面积保持不变，稳定后缓慢沿z轴方向进行多次提拉；其中，多次提拉的方式为：第一次提拉：将籽晶进入液面4mm，稳定10min后开始提拉并缩颈，缩颈时提拉速度8mm/h，升温速度8℃/h，缩颈宽度为1mm，提拉高度为2mm；第二次提拉：将籽晶进入液面2mm，稳定10min后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度4mm/h，升温速度4℃/h，缩颈宽度为2mm，提拉高度为4mm；第三次提拉：将籽晶进入液面1mm，稳定10min后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度1mm/h，升温速度2℃/h，缩颈宽度为4mm，提拉高度为8mm。2.根据权利要求1所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，富锂多晶料是将碳酸锂和五氧化二铌混合后压块制备得到的。3.根据权利要求2所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，碳酸锂和五氧化二铌的摩尔比为1:1-1.5。4.根据权利要求1所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，熔化：将籽晶沿z轴方向固定，同时将富锂多晶料熔化在铂金坩埚中，保温10个小时。5.根据权利要求4所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，铂金坩埚尺寸为直径60mm、高60mm。6.根据权利要求1所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，生长阶段，对铌酸锂单晶进行冷却至室温，冷却方式采用阶梯性降温。7.根据权利要求6所述的一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法,其特征在于，阶梯性降温按照以下顺序进行操作：以8-10℃/h降温60-90min，20-25℃/h降温2-4h，40-60℃/h降温6-8h，最后80-100℃/h降温至室温。8.一种如权利要求1-7任一项所述的晶体生长方法得到的大尺寸铌酸锂单晶,其特征在于，大尺寸铌酸锂单晶化学式为linbo3，铌酸锂单晶的直径为20-80mm。

技术总结
本发明公开了一种大尺寸铌酸锂单晶的晶体生长方法，其中多次提拉的方式为：将籽晶进入液面4mm，进入液面4mm后稳定10mi n后开始提拉并缩颈，缩颈时提拉速度8mm/h，升温速度8℃/h，缩颈宽度为1mm，提拉高度为2mm；将籽晶进入液面2mm，进入液面2mm后稳定10mi n后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度4mm/h，升温速度4℃/h，缩颈宽度为2mm，提拉高度为4mm；将籽晶进入液面1mm，进入液面1mm后稳定10mi n后再次提拉并缩颈，缩颈时提拉速度1mm/h，升温速度2℃/h，缩颈宽度为4mm，提拉高度为8mm，本发明多次提拉的方式来改变大尺寸铌酸锂单晶的生长；有效提高铌酸锂单晶的质量。高铌酸锂单晶的质量。


技术研发人员：罗毅 龚瑞 刘照俊
受保护的技术使用者：合肥中科瑞恒新材料科技有限责任公司
技术研发日：2022.05.07
技术公布日：2022/7/1