纳米复合物、包括其的纳米颗粒墨组合物及发光器件的制作方法

纳米复合物、包括其的纳米颗粒墨组合物及发光器件
1.本技术要求于2020年12月24日提交的第10-2020-0183705号韩国专利申请的优先权和权益，出于所有目的，该韩国专利申请通过引用包含于此，如同在此充分阐述一样。
技术领域
2.发明的实施例总体上涉及显示装置，更具体地，涉及纳米复合物、包括该纳米复合物的纳米颗粒墨组合物及包括该纳米颗粒墨组合物的发光器件。


背景技术：

3.发光器件将电能转换为光能。发光器件的示例包括其中发光材料是有机材料的有机发光器件、其中发光材料是量子点的量子点发光器件等。
4.发光器件可以具有其中顺序地形成有第一电极、空穴传输区域、发射层、电子传输区域和第二电极的结构。从第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区域朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可以通过电子传输区域朝向发射层移动。空穴和电子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
5.在该背景技术部分中公开的以上信息仅用于理解发明构思的背景，因此，其可能包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

6.根据发明的原理和示例性实施方式构造的纳米复合物和包括该纳米复合物的纳米颗粒墨组合物以及包括该纳米颗粒墨组合物的发光器件能够提供稳定的墨组合物，所述稳定的墨组合物特别有利于用在具有高量子点猝灭可能性的发光器件中。可以通过将包括与金属氧化物纳米颗粒具有强结合力的锚定位点的螯合配体引入到纳米复合物中以防止金属氧化物纳米颗粒的聚集来确保稳定性。因此，使量子点与纳米复合物之间的直接接触最小化以抑制量子点猝灭。
7.发明构思的附加特征将在下面的描述中阐述，并且部分地将通过描述而明显，或者可以通过发明构思的实践来获知。
8.根据发明的一个方面，纳米复合物包括：金属氧化物纳米颗粒；以及螯合配体，结合到金属氧化物纳米颗粒的表面且包括环部分。
9.环部分可以是离域基团。
10.环部分可以是贫π电子的含氮c
1-c
60
环基。
11.螯合配体可以包括结合到金属氧化物纳米颗粒的表面的两个或更多个锚定位点。
12.螯合配体可以是如在此所定义的式1-1至式1-4的基团。
13.螯合配体可以是如在此所描述的配体1至配体6中的至少一种。
14.螯合配体可以具有约1.5nm或更小的长度。
15.纳米复合物还可以包括结合到金属氧化物纳米颗粒的表面的单齿配体。
16.单齿配体可以包括吡啶基团、咪唑基团、噁唑基团或它们的任何组合。
17.金属氧化物纳米颗粒可以包括zno、znmgo、znalo、tio2或它们的任何组合。
18.纳米颗粒墨组合物可以包括：溶剂；以及如上所述的纳米复合物，其中，纳米复合物可以基本上分散在溶剂中。
19.溶剂可以包括醇类溶剂、醚类溶剂、脂肪族烃溶剂、芳香族烃溶剂或它们的任何组合。
20.纳米颗粒墨组合物可以在25℃下具有约1cp或更大且约10cp或更小的粘度。
21.纳米颗粒墨组合物在25℃下可以具有约20dyne/cm至约40dyne/cm的表面张力。
22.发光器件可以包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，在第一电极与第二电极之间，其中，中间层可以包括发射层，并且包括在中间层中的至少一个层由如上所述的纳米颗粒墨组合物制成。
23.中间层还可以包括在第一电极与发射层之间的空穴传输区域和在发射层与第二电极之间的电子传输区域。
24.空穴传输区域可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合，电子传输区域可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合，并且包括在空穴传输区域和电子传输区域中的至少一个层可以由纳米颗粒墨组合物制成。
25.电子传输区域可以包括电子传输层，并且电子传输层由纳米颗粒墨组合物制成。
26.发射层可以包括量子点。
27.量子点可以包括iii-vi族的半导体化合物、ii-vi族的半导体化合物、iii-v族的半导体化合物、i-iii-vi族的半导体化合物、iv-vi族的半导体化合物、iv族的元素或化合物或者它们的任何组合。
28.将理解的是，前面的一般描述和下面的详细描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对如所要求保护的发明的进一步解释。
附图说明
29.附图示出了发明的示例性实施例，并与描述一起用于解释发明构思，附图被包括以提供对发明的进一步理解，并且并入本说明书中并构成本说明书的一部分。
30.图1是根据发明的原理构造的发光器件的实施例的示意性剖视图。
31.图2是包括根据发明的原理构造的发光器件的发光设备的实施例的示意性剖视图。
32.图3是包括根据发明的原理构造的发光器件的发光设备的另一实施例的示意性剖视图。
33.图4a至图4c是根据发明的原理制成的合成示例1以及对比合成示例1和对比合成示例2的纳米复合物的分散剂的照片结果。
34.图5a和图5b是基于根据发明的原理制成的合成示例1和对比合成示例1的纳米复合物的墨排出(ink discharge)的照片结果。
具体实施方式
35.在下面的描述中，出于解释的目的，阐述了许多具体细节以提供对发明的各种实
施例或实施方式的透彻理解。如在此所使用的，“实施例”和“实施方式”是作为采用在此所公开的一个或更多个发明构思的装置或方法的非限制性示例的可互换的词。然而，明显的是，可以在没有这些具体细节或者具有一个或更多个等同布置的情况下实践各种实施例。在其它情况下，以框图形式示出了公知的结构和装置，以避免不必要地混淆各种实施例。此外，各种实施例可以不同，但是不必排它。例如，在不脱离发明构思的情况下，实施例的具体形状、构造和特性可以在另一实施例中使用或实施。
36.除非另外说明，否则所示出的实施例将被理解为提供可以在实践中实施发明构思的一些方式的不同细节的示例性特征。因此，除非另外说明，否则在不脱离发明构思的情况下，各种实施例的特征、组件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(在下文中，单独地或统一称为“元件”)可以另外组合、分离、互换和/或重新布置。
37.通常在附图中提供交叉影线和/或阴影的使用以使相邻元件之间的边界清晰。如此，除非说明，否则交叉影线或阴影的存在或不存在都不传达或表明对元件的具体材料、材料性质、尺寸、比例、所示元件之间的共性和/或任何其它特性、属性、性质等的任何偏爱或要求。此外，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的尺寸和相对尺寸。当实施例可以不同地实施时，可以不同于所描述的顺序来执行具体的工艺顺序。例如，可以基本上同时执行两个连续描述的工艺或以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。另外，同样的附图标记表示同样的元件。
38.当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，所述元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指在具有或不具有中间元件的情况下的物理连接、电连接和/或流体连接。此外，d1轴、d2轴和d3轴不限于直角坐标系的诸如x轴、y轴和z轴的三个轴，并且可以在更广泛的意义上解释。例如，d1轴、d2轴和d3轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个(种/者)”和“选自于由x、y和z组成的组中的至少一个(种/者)”可以解释为仅x、仅y、仅z或者x、y和z中的两个(种/者)或更多个(种/者)的任意组合，诸如以xyz、xyy、yz和zz为例。如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。
39.虽然在此可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种类型的元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被命名为第二元件。
40.为了描述性目的，可以在此使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下方”、“在
……
下面”、“下”、“在
……
上方”、“上”、“在
……
之上”、“较高的”、“侧”(例如，如在“侧壁”中)等的空间相对术语，由此来描述如附图中所示的一个元件与另一(另一些)元件的关系。空间相对术语旨在涵盖设备在使用、操作和/或制造中的除了图中描绘的方位以外的不同方位。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，术语“在
……
下方”可以涵盖上方和下方两个方位。此外，设备可以被另外定位(例如，旋转90度或处于其它方位)，如此，相应地解释在此所使用的空间相对描述语。
41.在此所使用的术语是出于描述具体实施例的目的，而不旨在是限制性的。如在此所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。此外，当在本说明书中使用术语“包括”、“包含”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但是不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。在此所使用的术语“由
……
组成”指仅存在相应的组件，同时排除添加其它组件的可能性。例如，措辞“由a、b和c组成”指仅存在a、b和c。还注意的是，如在此所使用的，术语“基本上(基本)”、“约(大约)”和其它类似术语用作近似术语而不是程度术语，并且如此，被用来解释本领域普通技术人员将认识到的测量值、计算值和/或提供值中的固有偏差。
42.在此，参照作为理想化的实施例和/或中间结构的示意图的剖视图和/或分解图来描述各种实施例。如此，将预期例如由制造技术和/或公差导致的图示形状的变化。因此，在此所公开的实施例不应被一定解释为限于具体示出的区域的形状，而是将包括由例如制造引起的形状上的偏差。以这种方式，附图中示出的区域本质上可以是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的实际形状，如此，不必旨在成为限制。
43.除非另外定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开是其一部分的领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义相一致的含义，并且不应以理想化或过于形式化的意义来进行解释，除非在此被明确这样定义。
44.纳米复合物
45.根据一方面的纳米复合物可以包括：金属氧化物纳米颗粒；以及螯合配体，结合到纳米颗粒(即，金属氧化物纳米颗粒)的表面且包括环部分。环部分可以是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基。
46.在实施例中，环部分可以是离域基团。在实施例中，环部分可以是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
6-c
60
芳基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂芳基。在实施例中，环部分可以是贫π电子的含氮c
1-c
60
环基。贫π电子的含氮c
1-c
60
环基与在此所描述的相同。
47.在实施例中，螯合配体可以包括结合到纳米颗粒的表面的两个或更多个锚定位点。这里，锚定位点是当配体配位到纳米颗粒时使配体吸附到纳米颗粒上的位点。在实施例中，锚定位点可以是由*＝n-*'、*-n＝*'、*-oh或三价n表示的部分。螯合配体可以包括由*＝n-*'、*-n＝*'、*-oh或三价n表示的两个或更多个部分。
48.在实施例中，螯合配体可以选自于由式1-1至式1-4表示的基团：
49.式1-1
[0050][0051]
式1-2
[0052][0053]
式1-3
[0054][0055]
式1-4
[0056][0057]
其中，在式1-1至式1-4中，
[0058]
x1可以是c(r1)或n，x2可以是c(r2)或n，x3可以是c(r3)或n，x4可以是c(r4)或n，x5可以是c(r5)或n，x6可以是c(r6)或n，x7可以是c(r7)或n，并且x8可以是c(r8)或n，
[0059]
r1至r8和ar1至ar4可以均独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
烷基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c
60
烯基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c
60
炔基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
烷氧基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基、-si(q1)(q2)(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，
[0060]
ar1至ar4中的至少一个可以是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0061]r10a
可以是：氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0062]
均未取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的任何组合的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基；
[0063]
均未取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的任何组合的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基；或者
[0064]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，
[0065]
其中，q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以均独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者均未取代或取代有氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。在实施例中，螯合配体可以是选自于以下配体1至配体6中的至少一种：
[0066][0067]
在实施例中，螯合配体的长度可以是约1.5nm或更小。在实施例中，纳米复合物还可以包括结合到纳米颗粒的表面的单齿配体。在实施例中，单齿配体可以包括吡啶基团、咪唑基团、噁唑基团或它们的任何组合。在实施例中，金属氧化物纳米颗粒可以包括zno、znmgo、znalo、tio2或它们的任何组合。
[0068]
在现有技术中，不将配体引入纳米颗粒(具体地，用在电子传输层中的金属氧化物纳米颗粒(例如，氧化锌(zno)))的表面，以确保适当水平的电子迁移率，因此，存在长期稳定性的问题。另外，在制备应该具有特定物理性质的zno墨时选择溶剂存在困难，并且已经触发了由于墨引起的喷墨印刷机头的堵塞。
[0069]
因此，在具有量子点的发光器件中，由于量子点与zno之间的直接接触引起的量子点淬灭的可能性高，当引入诸如量子点的长链配体时，量子点和zno可以由于溶解性而混合。可以通过将包括与金属氧化物纳米颗粒具有强结合力的锚定位点的螯合配体引入到纳米复合物中以防止金属氧化物纳米颗粒的聚集来确保稳定性。
[0070]
另外，当纳米复合物应用于包括量子点的发光器件时，使量子点与纳米复合物之间的直接接触最小化以抑制量子点猝灭。此外，将螯合配体引入到纳米复合物中以改变金属氧化物纳米颗粒的表面的状态，因此可以不同地选择用于制备墨组合物的溶剂。在实施例中，除了现有技术的亲水性溶剂之外，增大了其中可确保溶解性的溶剂的范围，并且可以制备的墨组合物是各式各样的。
[0071]
在通过使用纳米复合物形成包括在发光器件中的层的情况下，可以适当地调节电荷注入特性。纳米复合物可以可选地包括离域环部分以进一步改善电子传导性。
[0072]
可以通过本领域中已知的任何方法来制备纳米复合物。在实施例中，可以通过超声法、加热法等执行将螯合配体引入到金属氧化物纳米颗粒的表面的步骤。
[0073]
纳米颗粒墨组合物
[0074]
根据另一方面的纳米颗粒墨组合物可以包括：溶剂；以及上述纳米复合物，分散在溶剂中。在实施例中，溶剂可以包括醇类溶剂、醚类溶剂、脂肪族烃溶剂、芳香族烃溶剂或它们的任何组合。在实施例中，溶剂可以包括甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、戊醇、己醇、庚醇、辛醇、
壬醇、癸醇、正辛烷、正壬烷、正癸烷、正十一烷、正十二烷、正十三烷、正十四烷、正十五烷、正十六烷、2-甲基庚烷、3-甲基庚烷、4-甲基庚烷、2,2-二甲基己烷、2,3-二甲基己烷、2,4-二甲基己烷、2,5-二甲基己烷、3,3-二甲基己烷、3-乙基己烷、2,2,4-三甲基戊烷、2-甲基辛烷、2-甲基壬烷、2-甲基癸烷、2-甲基十一烷、2-甲基十二烷、2-甲基十三烷、甲基环己烷、乙基环己烷、1,1-二甲基环己烷、1,2-二甲基环己烷、环庚烷、甲基环庚烷、双环己烷、萘烷、甲苯、二甲苯、乙苯、二乙苯、均三甲苯、丙基苯、环己基苯、二甲氧基苯、苯甲醚、乙氧基甲苯、苯氧基甲苯、异丙基联苯、二甲基苯甲醚、丙基苯甲醚、1-乙基萘、2-乙基萘、2-乙基联苯、辛基苯、1,3-二丙氧基苯、4-甲氧基苯甲醛二甲基缩醛、4,4'-二氟二苯甲烷、二苯醚、1,2-二甲氧基-4-(1-丙烯基)苯、2-苯氧基甲苯、二苯基甲烷、2-苯基吡啶、二甲基苄基醚、3-苯氧基甲苯、3-苯基吡啶、2-苯基苯甲醚、2-苯氧基四氢呋喃、1-丙基-4-苯基苯、2-苯氧基-1,4-二甲基苯、乙基-2-萘基醚、十二烷基苯、2,2,5-三甲基二苯醚、二苄基醚、2,3,5-三甲基二苯醚、n-甲基二苯胺、4-异丙基联苯、α,α-二氯二苯甲烷、4-(3-苯丙基)吡啶、苯甲酸甲酯、苯甲酸乙酯、苯甲酸正丙酯、苯甲酸异丙酯、苯甲酸叔丁酯、苯甲酸苄酯、1,1-双(3,4-二甲基苯基)乙烷、二乙二醇丁基甲基醚(degbme)、二乙二醇单甲醚(degme)、二乙二醇乙基甲基醚(degeme)、二乙二醇二丁醚(degdbe)、丙二醇甲醚乙酸酯(pgmea)、三乙二醇单甲醚(tgme)、二乙二醇单丁醚(dgbe)、环己基苯或它们的任何组合，但是实施例不限于此。
[0075]
在实施例中，纳米颗粒墨组合物在25℃下的粘度可以是约1厘泊(cp)或更大且约10cp或更小。在实施例中，纳米颗粒墨组合物在25℃下的粘度可以是约2cp至约7cp，但是实施例不限于此。满足粘度的范围的纳米颗粒墨组合物可以适合于通过可溶工艺(soluble process)制造发光器件的电子传输层。作为测量粘度的方法，可以利用本领域技术人员通常已知的方法，例如，可以利用流变仪(例如，由美国马萨诸塞州(massachusetts,u.s.)米德尔伯勒(middleboro)的brookfield ametek公司以商品名dv-i出售的流变仪)来测量粘度。
[0076]
在实施例中，纳米颗粒墨组合物在25℃下的表面张力可以是约20达因每厘米(dyne/cm)至约40dyne/cm。在实施例中，纳米颗粒墨组合物在25℃下的表面张力可以是约25dyne/cm至约35dyne/cm，但是实施例不限于此。满足表面张力的范围的纳米颗粒墨组合物可以适合于通过可溶工艺制造发光器件的电子传输层。作为测量表面张力的方法，可以利用本领域技术人员通常已知的方法，例如，可以利用张力计(例如，sita气泡压力张力计)来测量表面张力。
[0077]
在实施例中，纳米颗粒墨组合物在25℃下的蒸气压可以是约10-2
mmhg或更小。在实施例中，纳米颗粒墨组合物在25℃下的蒸气压可以是约10-5
mmhg至约10-2
mmhg，但是实施例不限于此。满足蒸气压的范围的纳米颗粒墨组合物可以适合于通过可溶工艺制造发光器件的电子传输层。基于纳米颗粒墨组合物的总重量，纳米颗粒墨组合物中的纳米复合物的量可以是约0.5重量百分比(wt％)或更多且约15wt％或更少，例如，约1wt％或更多且约10wt％或更少，但是实施例不限于此。
[0078]
添加剂
[0079]
出于控制能带水平、控制电荷迁移率、改善涂覆均匀性等的目的，纳米颗粒墨组合物还可以包括添加剂。添加剂可以包括分散剂、粘附促进剂、流平剂(leveling agent，或称为“整平剂”)、抗氧化剂、紫外线吸收剂或它们的任何组合。在实施例中，纳米颗粒墨组合物
还可以包括分散剂以改善纳米复合物的分散性。分散剂可以用于防止纳米颗粒墨组合物中的纳米复合物的聚集且在可溶工艺期间赋予纳米颗粒墨组合物的保护层的作用。
[0080]
分散剂可以包括阴离子、阳离子和非离子聚合物材料。基于100wt％的纳米复合物，分散剂的量可以是约10wt％至约50wt％，例如，约15wt％至约30wt％。当分散剂的量在上述范围内时，可以基本上防止纳米颗粒墨组合物中的纳米复合物的聚集，并且分散剂可以起到纳米复合物的保护层的作用。
[0081]
可以添加粘附促进剂以改善对基底的粘附，粘附促进剂可以包括具有反应性取代基的硅烷偶联剂，所述反应性取代基选自于由羧基基团、甲基丙烯酰基基团、异氰酸酯基团、环氧基团和它们的组合组成的组，但是实施例不限于此。在实施例中，硅烷偶联剂可以包括三甲氧基甲硅烷基苯甲酸、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-异氰酸酯丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷或它们的任何组合。
[0082]
可以添加流平剂以改善纳米颗粒墨组合物的涂覆性质。流平剂可以包括例如硅类化合物、氟类化合物、硅氧烷类化合物、非离子表面活性剂、离子表面活性剂、钛酸酯偶联剂等，但是实施例不限于此。在实施例中，流平剂可以包括硅类化合物、氟类化合物或它们的任何组合。
[0083]
硅类化合物没有特别限制，并且可以包括二甲基硅、甲基硅、苯基硅、甲基苯基硅、烷基改性的硅、烷氧基改性的硅、聚醚改性的硅等。在实施例中，作为硅类化合物，可以利用二甲基硅、甲基苯基硅等。
[0084]
氟类化合物没有特别限制，并且可以包括聚四氟乙烯、聚偏二氟乙烯、氟代烷基甲基丙烯酸酯、全氟聚醚、全氟烷基环氧乙烷等。在实施例中，作为氟类化合物，可以利用聚四氟乙烯。
[0085]
硅氧烷类化合物没有特别限制，并且可以包括二甲基硅氧烷化合物。合适的硅氧烷产品由日本东京的信越有机硅有限公司(shin-etsu silicone co.,ltd.)以商品名kf96l-1、kf96l-5、kf96l-10、kf96l-100出售。
[0086]
上述流平剂可以单独使用或者可以以两种或更多种类型的流平剂组合使用。流平剂的量可以根据期望的性能变化，并且基于纳米颗粒墨组合物的总重量，可以是约0.001wt％至约5wt％，例如，约0.001wt％至约1wt％。当流平剂的量在上述范围内时，可以改善纳米颗粒墨组合物的流动性和膜均匀性。
[0087]
纳米颗粒墨组合物可以用于制造发光器件。纳米颗粒墨组合物具有优异的喷墨排出稳定性，因此可以是例如用于喷墨印刷的纳米颗粒墨组合物，但不限于此。
[0088]
发光器件
[0089]
根据另一方面的发光器件包括：第一电极；第二电极，面对第一电极；以及中间层，在第一电极与第二电极之间，其中，中间层包括发射层，并且包括在中间层中的至少一个层可以使用上述纳米颗粒墨组合物形成。
[0090]
图1的描述
[0091]
图1是根据发明的原理构造的发光器件的实施例的示意性剖视图。
[0092]
发光器件10包括第一电极110、中间层130和第二电极150，并且中间层130包括发射层133。在实施例中，中间层130还可以包括在第一电极110与发射层133之间的空穴传输
区域131和在发射层133与第二电极150之间的电子传输区域135。在实施例中，空穴传输区域131可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合，电子传输区域135可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合，并且包括在空穴传输区域131和电子传输区域135中的至少一个层可以使用纳米颗粒墨组合物来形成。在下文中，将结合图1描述根据实施例的发光器件10的结构和制造发光器件10的示例性方法。
[0093]
第一电极110
[0094]
在图1中，基底可以附加地位于第一电极110下面或第二电极150上方。作为基底，可以使用玻璃基底或塑料基底。在实施例中，基底可以是柔性基底，并且可以包括诸如聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯(par)、聚醚酰亚胺或它们的任何组合的具有优异的耐热性和耐久性的塑料。
[0095]
第一电极110可以通过例如在基底上沉积或溅射用于形成第一电极110的材料来形成。当第一电极110是阳极时，用于形成第一电极110的材料可以是促进空穴注入的高逸出功材料。
[0096]
第一电极110可以是反射电极、半透射电极或透射电极。当第一电极110是透射电极时，用于形成第一电极110的材料可以包括氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锡(sno2)、氧化锌(zno)或它们的任何组合。在一个或更多个实施例中，当第一电极110是半透射电极或反射电极时，镁(mg)、银(ag)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)或它们的任何组合可以用作用于形成第一电极110的材料。第一电极110可以具有由单个层组成的单层结构或者包括多个层的多层结构。在实施例中，第一电极110可以具有ito/ag/ito的三层结构。
[0097]
中间层130
[0098]
中间层130可以位于第一电极110上。中间层130可以包括发射层133。中间层130还可以包括在第一电极110与发射层133之间的空穴传输区域131以及在发射层133与第二电极150之间的电子传输区域135。除了各种有机材料之外，中间层130还可以包括诸如有机金属化合物的含金属化合物、诸如量子点的无机材料等。
[0099]
在一个或更多个实施例中，中间层130可以包括：i)两个或更多个发射单元，顺序地堆叠在第一电极110与第二电极150之间；以及ii)电荷产生层，位于两个发射单元之间。当中间层130包括如上所述的发射单元和电荷产生层时，发光器件10可以是串联发光器件。
[0100]
中间层130中的空穴传输区域131
[0101]
空穴传输区域131可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成；ii)单层结构，由单个层组成，所述单个层由多种不同材料组成；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。
[0102]
空穴传输区域131可以包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合。例如，空穴传输区域131可以具有多层结构，多层结构包括空穴注入层/空穴传输层结构、空穴注入层/空穴传输层/发射辅助层结构、空穴注入层/发射辅助层结构、空穴传输层/发射辅助层结构或者空穴注入层/空穴传输层/电子阻挡层结构，其中，在每种结构中，从第一电极110顺序地堆叠层。
[0103]
空穴传输区域131可以包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们
的任何组合：
[0104]
式201
[0105][0106]
式202
[0107][0108]
其中，在式201和式202中，
[0109]
l
201
至l
204
可以均独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0110]
l
205
可以是*-o-*'、*-s-*'、*-n(q
201
)-*、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
20
亚烷基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c
20
亚烯基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0111]
xa1至xa4可以均独立地是0至5的整数，
[0112]
xa5可以是1至10的整数，
[0113]r201
至r
204
和q
201
可以均独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0114]r201
和r
202
可以可选地经由单键、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c5亚烷基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代或取代有至少一个r
10a
的c
8-c
60
多环基(例如，咔唑基等)(例如，化合物ht16)，
[0115]r203
和r
204
可以可选地经由单键、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c5亚烷基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c5亚烯基彼此连接，以形成未取代或取代有至少一个r
10a
的c
8-c
60
多环基，并且
[0116]
na1可以是1至4的整数。
[0117]
在实施例中，式201和式202中的每个可以包括由式cy201至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0118][0119]
式cy201至式cy217中的r
10b
和r
10c
均与结合r
10a
所描述的相同，环cy
201
至环cy
204
可以均独立地是c
3-c
20
碳环基或c
1-c
20
杂环基，式cy201至式cy217中的至少一个氢可以未被取代或被r
10a
取代。
[0120]
在实施例中，式cy201至式cy217中的环cy
201
至环cy
204
可以均独立地是苯基团、萘基团、菲基团或蒽基团。在实施例中，式201和式202中的每个可以包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个。在实施例中，式201可以包括由式cy201至式cy203表示的基团中的至少一个以及由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。
[0121]
在实施例中，式201中的xa1可以是1，r
201
可以是由式cy201至式cy203中的一个表示的基团，xa2可以是0，r
202
可以是由式cy204至式cy207中的一个表示的基团。在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式cy201至式cy203中的一个表示的基团。在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式cy201至式cy203表示的基团，并且可以包括由式cy204至式cy217表示的基团中的至少一个。在实施例中，式201和式202中的每个可以不包括由式cy201至式cy217表示的基团。
[0122]
在实施例中，空穴传输区域131可以包括化合物ht1至化合物ht44、4,4',4
”‑
三[苯基(间甲苯基)氨基]三苯胺(m-mtdata)、1-n,1-n-双[4-(二苯基氨基)苯基]-4-n,4-n-二苯基苯-1,4-二胺(tdata)、4,4',4
”‑
三[2-萘基(苯基)氨基]三苯胺(2-tnata)、双(萘-1-基)-n,n'-双(苯基)联苯胺(npb或npd)、n4,n4'-二(萘-2-基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-npb)、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基联苯胺(tpd)、n,n'-双(3-甲基苯基)-n,n'-二苯基-9,9-螺二芴-2,7-二胺(螺-tpd)、n2,n7-二-1-萘基-n2,n7-二苯基-9,9'-螺二[9h-芴]-2,7-二胺(螺-npb)、n,n'-二(1-萘基)-n,n'-二苯基-2,2'-二甲基-(1,1'-联苯)-4,4'-二胺(甲基化npb)、4,4'-亚环己基双[n,n-双(4-甲基苯基)苯胺](tapc)、n,n,n',n'-四(3-甲基苯基)-3,3'-二甲基联苯胺(hmtpd)、4,4',4
”‑
三(n-咔唑基)三苯胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pedot/pss)、聚苯胺/樟脑磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)(pani/pss)
中的一种或它们的任何组合：
[0123]
[0124]
[0125]
[0126]
[0127][0128]
空穴传输区域131的厚度可以在约50埃至约(例如，约至约)的范围内。当空穴传输区域131包括空穴注入层、空穴传输层或它们的任何组合时，空穴注入层的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内，空穴传输层的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内。当空穴传输区域131、空穴注入层和空穴传输层的厚度在这些范围内时，可以获得令人满意的空穴传输特性，而不显著增大驱动电压。
[0129]
发射辅助层可以通过根据由发射层133发射的光的波长补偿光学谐振距离来增大发光效率，电子阻挡层可以阻挡来自电子传输区域135的电子的流动。发射辅助层和电子阻挡层可以包括如上所述的材料。
[0130]
p掺杂剂
[0131]
除了这些材料之外，空穴传输区域131还可以包括用于改善导电性质的电荷产生材料。电荷产生材料可以(例如，以由电荷产生材料组成的单个层的形式)均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域131中。电荷产生材料可以是例如p掺杂剂。在实施例中，p掺杂剂的最低未占分子轨道(lumo)能级可以是约-3.5ev或更低。
[0132]
在实施例中，p掺杂剂可以包括醌衍生物、含氰基化合物、包含元素el1和元素el2的化合物或者它们的任何组合。醌衍生物的示例可以包括四氰基醌二甲烷(tcnq)、2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基醌二甲烷(f4-tcnq)等。
[0133]
含氰基化合物的示例可以包括1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲基六甲腈(hat-cn)、由下面的式221表示的化合物等。
[0134][0135]
式221
[0136][0137]
在式221中，
[0138]r221
至r
223
可以均独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，并且
[0139]r221
至r
223
中的至少一个可以均独立地是均取代有以下基团的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基：氰基；-f；-cl；-br；-i；取代有氰基、-f、-cl、-br、-i或它们的任何组合的c
1-c
20
烷基；或者它们的任何组合。在包含元素el1和元素el2的化合物中，元素el1可以是金属、准金属或它们的组合，元素el2可以是非金属、准金属或它们的组合。
[0140]
金属的示例可以包括：碱金属(例如，锂(li)、钠(na)、钾(k)、铷(rb)、铯(cs)等)；碱土金属(例如，铍(be)、镁(mg)、钙(ca)、锶(sr)、钡(ba)等)；过渡金属(例如，钛(ti)、锆(zr)、铪(hf)、钒(v)、铌(nb)、钽(ta)、铬(cr)、钼(mo)、钨(w)、锰(mn)、锝(tc)、铼(re)、铁(fe)、钌(ru)、锇(os)、钴(co)、铑(rh)、铱(ir)、镍(ni)、钯(pd)、铂(pt)、铜(cu)、银(ag)、金(au)等)；后过渡金属(例如，锌(zn)、铟(in)、锡(sn)等)；以及镧系金属(例如，镧(la)、铈(ce)、镨(pr)、钕(nd)、钷(pm)、钐(sm)、铕(eu)、钆(gd)、铽(tb)、镝(dy)、钬(ho)、铒(er)、铥(tm)、镱(yb)、镥(lu)等)。
[0141]
准金属的示例可以包括硅(si)、锑(sb)和碲(te)。非金属的示例可以包括氧(o)和卤素(例如，f、cl、br、i等)。
[0142]
在实施例中，包含元素el1和元素el2的化合物的示例可以包括金属氧化物、金属卤化物(例如，金属氟化物、金属氯化物、金属溴化物或金属碘化物)、准金属卤化物(例如，准金属氟化物、准金属氯化物、准金属溴化物或准金属碘化物)、金属碲化物或它们的任何组合。
[0143]
金属氧化物的示例可以包括氧化钨(例如，wo、w2o3、wo2、wo3、w2o5等)、氧化钒(例如，vo、v2o3、vo2、v2o5等)、氧化钼(moo、mo2o3、moo2、moo3、mo2o5等)和氧化铼(例如，reo3等)。
[0144]
金属卤化物的示例可以包括碱金属卤化物、碱土金属卤化物、过渡金属卤化物、后过渡金属卤化物和镧系金属卤化物。碱金属卤化物的示例可以包括lif、naf、kf、rbf、csf、
licl、nacl、kcl、rbcl、cscl、libr、nabr、kbr、rbbr、csbr、lii、nai、ki、rbi和csi。碱土金属卤化物的示例可以包括bef2、mgf2、caf2、srf2、baf2、becl2、mgcl2、cacl2、srcl2、bacl2、bebr2、mgbr2、cabr2、srbr2、babr2、bei2、mgi2、cai2、sri2和bai2。
[0145]
过渡金属卤化物的示例可以包括卤化钛(例如，tif4、ticl4、tibr4、tii4等)、卤化锆(例如，zrf4、zrcl4、zrbr4、zri4等)、卤化铪(例如，hff4、hfcl4、hfbr4、hfi4等)、卤化钒(例如，vf3、vcl3、vbr3、vi3等)、卤化铌(例如，nbf3、nbcl3、nbbr3、nbi3等)、卤化钽(例如，taf3、tacl3、tabr3、tai3等)、卤化铬(例如，crf3、crcl3、crbr3、cri3等)、卤化钼(例如，mof3、mocl3、mobr3、moi3等)、卤化钨(例如，wf3、wcl3、wbr3、wi3等)、卤化锰(例如，mnf2、mncl2、mnbr2、mni2等)、卤化锝(例如，tcf2、tccl2、tcbr2、tci2等)、卤化铼(例如，ref2、recl2、rebr2、rei2等)、卤化铁(例如，fef2、fecl2、febr2、fei2等)、卤化钌(例如，ruf2、rucl2、rubr2、rui2等)、卤化锇(例如，osf2、oscl2、osbr2、osi2等)、卤化钴(例如，cof2、cocl2、cobr2、coi2等)、卤化铑(例如，rhf2、rhcl2、rhbr2、rhi2等)、卤化铱(例如，irf2、ircl2、irbr2、iri2等)、卤化镍(例如，nif2、nicl2、nibr2、nii2等)、卤化钯(例如，pdf2、pdcl2、pdbr2、pdi2等)、卤化铂(例如，ptf2、ptcl2、ptbr2、pti2等)、卤化铜(例如，cuf、cucl、cubr、cui等)、卤化银(例如，agf、agcl、agbr、agi等)和卤化金(例如，auf、aucl、aubr、aui等)。
[0146]
后过渡金属卤化物的示例可以包括卤化锌(例如，znf2、zncl2、znbr2、zni2等)、卤化铟(例如，ini3等)和卤化锡(例如，sni2等)。镧系金属卤化物的示例可以包括ybf、ybf2、ybf3、smf3、ybcl、ybcl2、ybcl3、smcl3、ybbr、ybbr2、ybbr3、smbr3、ybi、ybi2、ybi3和smi3。准金属卤化物的示例可以包括卤化锑(例如，sbcl5等)。
[0147]
金属碲化物的示例可以包括碱金属碲化物(例如，li2te、na2te、k2te、rb2te、cs2te等)、碱土金属碲化物(例如，bete、mgte、cate、srte、bate等)、过渡金属碲化物(例如，tite2、zrte2、hfte2、v2te3、nb2te3、ta2te3、cr2te3、mo2te3、w2te3、mnte、tcte、rete、fete、rute、oste、cote、rhte、irte、nite、pdte、ptte、cu2te、cute、ag2te、agte、au2te等)、后过渡金属碲化物(例如，in2te3、snte、znte等)和镧系金属碲化物(例如，late、cete、prte、ndte、pmte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute等)。
[0148]
中间层130中的发射层133
[0149]
当发光器件10是全色发光器件时，发射层133可以根据子像素被图案化为红色发射层、绿色发射层和/或蓝色发射层。在一个或更多个实施例中，发射层133可以具有红色发射层、绿色发射层和蓝色发射层中的两个或更多个层的堆叠结构，其中，所述两个或更多个层彼此接触或彼此分开。在一个或更多个实施例中，发射层133可以包括红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料中的两种或更多种材料，其中，所述两种或更多种材料在单个层中彼此混合以发射白光。发射层133可以包括主体和掺杂剂。掺杂剂可以包括磷光掺杂剂、荧光掺杂剂或它们的任何组合。基于100wt％的主体，发射层133中的掺杂剂的量可以是约0.01wt％至约15wt％。
[0150]
在一个或更多个实施例中，发射层133可以包括量子点。在实施例中，发射层133可以包括延迟荧光材料。延迟荧光材料可以充当发射层133中的主体或掺杂剂。发射层133的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内。当发射层133的厚度在该范围内时，可以获得优异的发光特性，而不显著增大驱动电压。
[0151]
主体
[0152]
主体可以包括由下面的式301表示的化合物：
[0153]
式301
[0154]
[ar
301
]
xb11-[(l
301
)
xb1-r
301
]
xb21
，
[0155]
其中，在式301中，
[0156]
ar
301
和l
301
可以均独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0157]
xb11可以是1、2或3，
[0158]
xb1可以是0至5的整数，
[0159]r301
可以是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
烷基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c
60
烯基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c
60
炔基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
烷氧基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基、-si(q
301
)(q
302
)(q
303
)、-n(q
301
)(q
302
)、-b(q
301
)(q
302
)、-c(＝o)(q
301
)、-s(＝o)2(q
301
)或-p(＝o)(q
301
)(q
302
)，
[0160]
xb21可以是1至5的整数，并且
[0161]q301
至q
303
均与结合q1所描述的相同。
[0162]
在实施例中，当式301中的xb11是2或更大时，两个或更多个ar
301
可以经由单键彼此连接。
[0163]
在实施例中，主体可以包括由式301-1表示的化合物、由式301-2表示的化合物或它们的任何组合：
[0164]
式301-1
[0165][0166]
式301-2
[0167][0168]
其中，在式301-1和式301-2中，
[0169]
环a
301
至环a
304
可以均独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0170]
x
301
可以是o、s、n-[(l
304
)
xb4-r
304
]、c(r
304
)(r
305
)或si(r
304
)(r
305
)，
[0171]
xb22和xb23可以均独立地是0、1或2，
[0172]
l
301
、xb1和r
301
均与在此所描述的相同，
[0173]
l
302
至l
304
均独立地与结合l
301
所描述的相同，
[0174]
xb2至xb4均独立地与结合xb1所描述的相同，并且
[0175]r302
至r
305
和r
311
至r
314
均与结合r
301
所描述的相同。
[0176]
在一个实施例中，主体可以包括碱土金属配合物。在实施例中，主体可以包括be配合物(例如，化合物h55)、mg配合物、zn配合物或它们的组合。
[0177]
在实施例中，主体可以包括化合物h1至化合物h124、9,10-二(2-萘基)蒽(adn)、2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(madn)、9,10-二(2-萘基)-2-叔丁基-蒽(tbadn)、4,4'-双(n-咔唑基)-1,1'-联苯(cbp)、1,3-二(咔唑-9-基)苯(mcp)、1,3,5-三(咔唑-9-基)苯(tcp)、3,3-二(9h-咔唑-9-基)联苯(mcbp)中的一种或它们的任何组合：
[0178]
[0179]
[0180]
[0181]
[0182]
[0183]
[0184][0185]
磷光掺杂剂
[0186]
磷光掺杂剂可以包括至少一种过渡金属作为中心金属。磷光掺杂剂可以包括单齿配体、二齿配体、三齿配体、四齿配体、五齿配体、六齿配体或它们的任何组合。磷光掺杂剂可以是电中性的。
[0187]
在实施例中，磷光掺杂剂可以包括由式401表示的有机金属化合物：
[0188]
式401
[0189]
m(l
401
)
xc1
(l
402
)
xc2
[0190]
式402
[0191][0192]
其中，在式401和式402中，
[0193]
m可以是过渡金属(例如，铱(ir)、铂(pt)、钯(pd)、锇(os)、钛(ti)、金(au)、铪(hf)、铕(eu)、铽(tb)、铑(rh)、铼(re)或铥(tm))，
[0194]
l
401
可以是由式402表示的配体，xc1可以是1、2或3，其中，当xc1是2或更大时，两个或更多个l
401
可以彼此相同或不同，
[0195]
l
402
可以是有机配体，xc2可以是0、1、2、3或4，其中，当xc2是2或更大时，两个或更
多个l
402
可以彼此相同或不同，
[0196]
x
401
和x
402
可以均独立地是氮或碳，
[0197]
环a
401
和环a
402
可以均独立地是c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基，
[0198]
t
401
可以是单键、*-o-*'、*-s-*'、*-c(＝o)-*'、*-n(q
411
)-*'、*-c(q
411
)(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝c(q
412
)-*'、*-c(q
411
)＝*'或*＝c＝*'，并且
[0199]
x
403
和x
404
可以均独立地是化学键(例如，共价键或配位键)、o、s、n(q
413
)、b(q
413
)、p(q
413
)、c(q
413
)(q
414
)或si(q
413
)(q
414
)，
[0200]q411
至q
414
均与结合q1所描述的相同，
[0201]r401
和r
402
可以均独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
20
烷基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
20
烷氧基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基、-si(q
401
)(q
402
)(q
403
)、-n(q
401
)(q
402
)、-b(q
401
)(q
402
)、-c(＝o)(q
401
)、-s(＝o)2(q
401
)或-p(＝o)(q
401
)(q
402
)，
[0202]q401
至q
403
均与结合q1所描述的相同，
[0203]
xc11和xc12可以均独立地是0至10的整数，并且
[0204]
式402中的*和*'均表示与式401中的m的结合位。
[0205]
在实施例中，在式402中，i)x
401
可以是氮，x
402
可以是碳，或者ii)x
401
和x
402
中的每个可以是氮。
[0206]
在实施例中，当式401中的xc1是2或更大时，两个或更多个l
401
中的两个环a
401
可以可选地经由作为连接基的t
402
彼此连接，两个环a
402
可以可选地经由作为连接基的t
403
彼此连接(见化合物pd1至化合物pd4和化合物pd7)。变量t
402
和变量t
403
均与结合t
401
所描述的相同。
[0207]
式401中的变量l
402
可以是有机配体。在实施例中，l
402
可以包括卤素基团、二酮基团(例如，乙酰丙酮(化物)基团)、羧酸基团(例如，吡啶甲酸(盐)基团)、-c(＝o)基团、异腈基团、-cn基团、磷基团(例如，膦基团、亚磷酸(盐)基团等)或它们的任何组合。
[0208]
磷光掺杂剂可以包括例如化合物pd1至化合物pd25中的一种或者它们的任何组合：
[0209][0210]
荧光掺杂剂
[0211]
荧光掺杂剂可以包括含胺基化合物、含苯乙烯基化合物或它们的任何组合。在实施例中，荧光掺杂剂可以包括由式501表示的化合物：
[0212]
式501
[0213][0214]
其中，在式501中，
[0215]
ar
501
、l
501
至l
503
、r
501
和r
502
可以均独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0216]
xd1至xd3可以均独立地是0、1、2或3，并且
[0217]
xd4可以是1、2、3、4、5或6。
[0218]
在实施例中，式501中的ar
501
可以是其中三个或更多个单环基团缩合在一起的缩合环基团(例如，蒽基团、基团或芘基团)。
[0219]
在实施例中，式501中的xd4可以是2。在实施例中，荧光掺杂剂可以包括化合物fd1至化合物fd36、dpvbi、dpavbi中的一种，或它们的任何组合：
[0220]
[0221]
[0222][0223]
延迟荧光材料
[0224]
发射层133可以包括延迟荧光材料。如在此所使用的，延迟荧光材料可以选自于能够基于延迟荧光发射机理发射延迟荧光的化合物。根据包括在发射层133中的其它材料的类型，包括在发射层133中的延迟荧光材料可以充当主体或掺杂剂。
[0225]
在实施例中，延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差可以大于或等于约0ev且小于或等于约0.5ev。当延迟荧光材料的三重态能级(ev)与延迟荧光材料的单重态能级(ev)之间的差满足上述范围时，可以有效地发生延迟荧光材料从三重态到单重态的向上转换，因此可以改善发光器件10的发射效率。
[0226]
在实施例中，延迟荧光材料可以包括：i)包括至少一种电子供体(例如，诸如咔唑基团的富π电子的c
3-c
60
环基团)和至少一种电子受体(例如，亚砜基、氰基或贫π电子的含氮c
1-c
60
环基团)的材料；以及ii)包括其中两个或更多个环基团在共享硼(b)的同时缩合的c
8-c
60
多环基团的材料。
[0227]
延迟荧光材料的示例可以包括以下化合物df1至化合物df9中的至少一种：
[0228][0229]
量子点
[0230]
发射层133可以包括量子点。量子点指半导体化合物的晶体，并且可以包括能够根据晶体的尺寸发射各种发射波长的光的任何材料。量子点的直径可以例如在约1nm至约10nm的范围内。
[0231]
量子点可以通过湿化学工艺、金属有机化学气相沉积工艺、分子束外延工艺或与这些工艺类似的任何工艺来合成。
[0232]
根据湿化学工艺，将前驱体材料与有机溶剂混合以生长量子点颗粒晶体。当晶体生长时，有机溶剂自然地充当配位在量子点晶体的表面上的分散剂且控制晶体的生长，使得可以通过比气相沉积法(诸如金属有机化学气相沉积(mocvd)工艺或分子束外延(mbe)工艺)容易地执行且需要低成本的工艺来控制量子点颗粒的生长。
[0233]
量子点可以包括：ii-vi族的半导体化合物；iii-v族的半导体化合物；iii-vi族的半导体化合物；i-iii-vi族的半导体化合物；iv-vi族的半导体化合物；iv族的元素或化合物；或者它们的任何组合。
[0234]
ii-vi族的半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如cdse、cdte、zns、znse、znte、zno、hgs、hgse、hgte、mgse或mgs；三元化合物，诸如cdses、cdsete、cdste、znses、znsete、znste、hgses、hgsete、hgste、cdzns、cdznse、cdznte、cdhgs、cdhgse、cdhgte、hgzns、hgznse、hgznte、mgznse或mgzns；四元化合物，诸如cdznses、cdznsete、
cdznste、cdhgses、cdhgsete、cdhgste、hgznses、hgznsete或hgznste；或者它们的任何组合。
[0235]
iii-v族的半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如gan、gap、gaas、gasb、aln、alp、alas、alsb、inn、inp、inas、insb等；三元化合物，诸如ganp、ganas、gansb、gapas、gapsb、alnp、alnas、alnsb、alpas、alpsb、ingap、innp、inalp、innas、innsb、inpas、inpsb等；四元化合物，诸如gaalnp、gaalnas、gaalnsb、gaalpas、gaalpsb、gainnp、gainnas、gainnsb、gainpas、gainpsb、inalnp、inalnas、inalnsb、inalpas、inalpsb等；或者它们的任何组合。在实施例中，iii-v族的半导体化合物还可以包括ii族元素。还包括ii族元素的iii-v族的半导体化合物的示例可以包括inznp、ingaznp、inalznp等。
[0236]
iii-vi族的半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如gas、gase、ga2se3、gate、ins、inse、in2s3、in2se3或inte；三元化合物，诸如ingas3或ingase3；或者它们的任何组合。i-iii-vi族的半导体化合物的示例可以包括：三元化合物，诸如agins、agins2、cuins、cuins2、cugao2、aggao2或agalo2；或者它们的任何组合。
[0237]
iv-vi族的半导体化合物的示例可以包括：二元化合物，诸如sns、snse、snte、pbs、pbse、pbte等；三元化合物，诸如snses、snsete、snste、pbses、pbsete、pbste、snpbs、snpbse、snpbte等；四元化合物，诸如snpbsse、snpbsete、snpbste等；或者它们的任何组合。iv族元素或化合物可以包括：单质，诸如si或ge；二元化合物，诸如sic或sige；或者它们的任何组合。
[0238]
包括在诸如二元化合物、三元化合物和四元化合物的多元素化合物中的每个元素可以以均匀浓度或非均匀浓度存在于颗粒中。
[0239]
在实施例中，量子点可以具有单一结构或者核/壳双重结构。在具有单一结构的量子点的情况下，包括在对应的量子点中的每种元素的浓度是均匀的。在实施例中，包含在核中的材料和包含在壳中的材料可以彼此不同。
[0240]
量子点的壳可以充当保护层以防止核的化学变性以维持半导体特性，并且/或者充当荷电层以向量子点赋予电泳特性。壳可以是单个层或多层。存在于量子点的核和壳之间的界面中的元素可以具有朝向量子点的中心减小的浓度梯度。
[0241]
量子点的壳的示例可以是金属、准金属或非金属的氧化物、半导体化合物以及它们的任何组合。金属、准金属或非金属的氧化物的示例可以包括：二元化合物，诸如sio2、al2o3、tio2、zno、mno、mn2o3、mn3o4、cuo、feo、fe2o3、fe3o4、coo、co3o4或nio；三元化合物，诸如mgal2o4、cofe2o4、nife2o4或comn2o4；或者它们的任何组合。半导体化合物的示例可以包括如在此所描述的ii-vi族的半导体化合物、iii-v族的半导体化合物、iii-vi族的半导体化合物、i-iii-vi族的半导体化合物、iv-vi族的半导体化合物或者它们的任何组合。另外，半导体化合物可以包括cds、cdse、cdte、zns、znse、znte、znses、zntes、gaas、gap、gasb、hgs、hgse、hgte、inas、inp、ingap、insb、alas、alp、alsb或它们的任何组合。
[0242]
量子点的发射波长光谱的半峰全宽(fwhm)可以是约45nm或更小，例如，约40nm或更小，例如，约30nm或更小，在这些范围内，可以增大色纯度或颜色再现性。另外，由于通过量子点发射的光在所有方向上发射，因此可以改善宽视角。
[0243]
另外，量子点可以是大致球形纳米颗粒、大致角锥形纳米颗粒、大致多臂纳米颗粒、大致立方体纳米颗粒；以及可为大致纳米管形状、大致纳米线形状、大致纳米纤维形状
或大致纳米板形状。
[0244]
因为可以通过控制量子点的尺寸来调节能带隙，所以可以从量子点发射层获得具有各种波段的光。因此，通过使用不同尺寸的量子点，可以实现发射各种波长的光的发光器件。在实施例中，可以选择量子点的尺寸以发射红光、绿光和/或蓝光。另外，量子点的尺寸可以被构造为通过组合各种颜色的光来发射白光。
[0245]
中间层130中的电子传输区域135
[0246]
电子传输区域135可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成；ii)单层结构，由单个层组成，所述单个层由多种不同材料组成；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。
[0247]
电子传输区域135可以包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合。
[0248]
在实施例中，电子传输区域135可以具有电子传输层/电子注入层结构、空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层结构、电子控制层/电子传输层/电子注入层结构或者缓冲层/电子传输层/电子注入层结构，其中，在每种结构中，从发射层133顺序地堆叠层。
[0249]
在实施例中，电子传输区域135可以包括电子传输层，电子传输层可以使用纳米颗粒墨组合物来形成。
[0250]
电子传输区域135(例如，电子传输区域135中的缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层或电子传输层)可以包括包含至少一个贫π电子的含氮c
1-c
60
环基团的无金属化合物。
[0251]
在实施例中，电子传输区域135可以包括由下面的式601表示的化合物。
[0252]
式601
[0253]
[ar
601
]
xe11-[(l
601
)
xe1-r
601
]
xe21
，
[0254]
在式601中，
[0255]
ar
601
和l
601
可以均独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，
[0256]
xe11可以是1、2或3，
[0257]
xe1可以是0、1、2、3、4或5，
[0258]r601
可以是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基、-si(q
601
)(q
602
)(q
603
)、-c(＝o)(q
601
)、-s(＝o)2(q
601
)或-p(＝o)(q
601
)(q
602
)，
[0259]q601
至q
603
均与结合q1所描述的相同，
[0260]
xe21可以是1、2、3、4或5，并且
[0261]
ar
601
、l
601
和r
601
中的至少一个可以均独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的贫π电子的含氮c
1-c
60
环基团。
[0262]
在实施例中，当式601中的xe11是2或更大时，两个或更多个ar
601
可以经由单键连接。在实施例中，式601中的ar
601
可以是取代或未取代的蒽基团。
[0263]
在实施例中，电子传输区域135可以包括由式601-1表示的化合物：
[0264]
式601-1
[0265][0266]
其中，在式601-1中，
[0267]
x
614
可以是n或c(r
614
)，x
615
可以是n或c(r
615
)，x
616
可以是n或c(r
616
)，x
614
至x
616
中的至少一个可以是n，
[0268]
l
611
至l
613
均与结合l
601
所描述的相同，
[0269]
xe611至xe613均与结合xe1所描述的相同，
[0270]r611
至r
613
均与结合r
601
所描述的相同，并且
[0271]r614
至r
616
可以均独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
20
烷基、c
1-c
20
烷氧基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基。
[0272]
在实施例中，式601和式601-1中的xe1和xe611至xe613可以均独立地是0、1或2。
[0273]
电子传输区域135可以包括化合物et1至化合物et45、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bcp)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(bphen)、三-(8-羟基喹啉)铝(alq3)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-n1,o8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(balq)、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4h-1,2,4-三唑(taz)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4h-1,2,4-三唑(ntaz)、二苯基(4-(三苯基甲硅烷基)苯基)-氧化膦(tspo1)中的一种或它们的任何组合：
[0274]
[0275]
[0276][0277]
电子传输区域135的厚度可以是约至约例如，约至约当电子传输区域135包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层或它们的任何组合时，缓冲层、空穴阻挡层或电子控制层的厚度可以均独立地是约至约(例如，约至约)，电子传输层的厚度可以是约至约(例如，约至约)。当缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层和/或电子传输区域的厚度在上述范围内时，可以获得令人满意的电子传输特性，而不显著增大驱动电压。
[0278]
除了上述材料之外，电子传输区域135(例如，电子传输区域135中的电子传输层)还可以包括含金属材料。
[0279]
含金属材料可以包括碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碱金属配合物的金属离子可以是li离子、na离子、k离子、rb离子或cs离子，碱土金属配合物的金属离子可以是be离子、mg离子、ca离子、sr离子或ba离子。与碱金属配合物或碱土金属配合物的金属离子配位的配体可以包括羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。
[0280]
在实施例中，含金属材料可以包括li配合物。li配合物可以包括例如化合物et-d1(8-羟基喹啉锂，liq)或化合物et-d2：
[0281]
[0282]
电子传输区域135可以包括促进来自第二电极150的电子注入的电子注入层。电子注入层可以与第二电极150直接接触。
[0283]
电子注入层可以具有：i)单层结构，由单个层组成，所述单个层由单种材料组成；ii)单层结构，由单个层组成，所述单个层由多种不同材料组成；或者iii)多层结构，包括包含不同材料的多个层。
[0284]
电子注入层可以包括碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合。
[0285]
碱金属可以包括li、na、k、rb、cs或它们的任何组合。碱土金属可以包括mg、ca、sr、ba或它们的任何组合。稀土金属可以包括sc、y、ce、tb、yb、gd或它们的任何组合。
[0286]
含碱金属化合物、含碱土金属化合物和含稀土金属化合物可以包括碱金属、碱土金属和稀土金属的氧化物、卤化物(例如，氟化物、氯化物、溴化物或碘化物)或碲化物或者它们的任何组合。
[0287]
含碱金属化合物可以包括碱金属氧化物(诸如li2o、cs2o或k2o)、碱金属卤化物(诸如lif、naf、csf、kf、lii、nai、csi或ki)或它们的任何组合。含碱土金属化合物可以包括碱土金属氧化物(诸如，bao、sro、cao、ba
x
sr
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数)、ba
x
ca
1-x
o(x是满足0《x《1的条件的实数))等。含稀土金属化合物可以包括ybf3、scf3、sc2o3、y2o3、ce2o3、gdf3、tbf3、ybi3、sci3、tbi3或它们的任何组合。在实施例中，含稀土金属化合物可以包括镧系金属碲化物。镧系金属碲化物的示例可以包括late、cete、prte、ndte、pmte、smte、eute、gdte、tbte、dyte、hote、erte、tmte、ybte、lute、la2te3、ce2te3、pr2te3、nd2te3、pm2te3、sm2te3、eu2te3、gd2te3、tb2te3、dy2te3、ho2te3、er2te3、tm2te3、yb2te3和lu2te3。
[0288]
碱金属配合物、碱土金属配合物和稀土金属配合物可以包括：i)碱金属、碱土金属和稀土金属的离子中的一个；以及ii)作为结合到金属离子的配体，例如，羟基喹啉、羟基异喹啉、羟基苯并喹啉、羟基吖啶、羟基菲啶、羟基苯基噁唑、羟基苯基噻唑、羟基苯基噁二唑、羟基苯基噻二唑、羟基苯基吡啶、羟基苯基苯并咪唑、羟基苯基苯并噻唑、联吡啶、菲咯啉、环戊二烯或它们的任何组合。
[0289]
电子注入层可以由如上所述的碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合组成。在实施例中，电子注入层还可以包括有机材料(例如，由式601表示的化合物)。
[0290]
在实施例中，电子注入层可以由以下化合物组成：i)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)；或者ii)a)含碱金属化合物(例如，碱金属卤化物)以及b)碱金属、碱土金属、稀土金属或它们的任何组合。在实施例中，电子注入层可以是ki:yb共沉积层、rbi:yb共沉积层等。
[0291]
当电子注入层还包括有机材料时，碱金属、碱土金属、稀土金属、含碱金属化合物、含碱土金属化合物、含稀土金属化合物、碱金属配合物、碱土金属配合物、稀土金属配合物或它们的任何组合可以均匀地或非均匀地分散在包括有机材料的基质中。
[0292]
电子注入层的厚度可以在约至约(例如，约至约)的范围内。当电子注入层的厚度在上述范围内时，可以获得令人满意的电子注入特性，而不显著增大驱
动电压。
[0293]
第二电极150
[0294]
第二电极150可以位于具有这种结构的中间层130上。第二电极150可以是作为电子注入电极的阴极，并且作为用于第二电极150的材料，可以使用均具有低逸出功的金属、合金、导电化合物或它们的任何组合。
[0295]
在实施例中，第二电极150可以包括锂(li)、银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铝-锂(al-li)、钙(ca)、镁-铟(mg-in)、镁-银(mg-ag)、镱(yb)、银-镱(ag-yb)、ito、izo或它们的组合。第二电极150可以是透射电极、半透射电极或反射电极。第二电极150可以具有单层结构或者包括两个或更多个层的多层结构。
[0296]
覆盖层
[0297]
第一覆盖层可以位于第一电极110外部，并且/或者第二覆盖层可以位于第二电极150外部。详细地，发光器件10可以具有：其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130和第二电极150以该陈述的次序顺序地堆叠的结构；其中第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以该陈述的次序顺序地堆叠的结构；或者其中第一覆盖层、第一电极110、中间层130、第二电极150和第二覆盖层以该陈述的次序顺序地堆叠的结构。
[0298]
在发光器件10的中间层130的发射层133中产生的光可以通过第一电极110(其是半透射电极或透射电极)和第一覆盖层朝向外部提取，或者在发光器件10的中间层130的发射层133中产生的光可以通过第二电极150(其是半透射电极或透射电极)和第二覆盖层朝向外部提取。
[0299]
根据相长干涉的原理，第一覆盖层和第二覆盖层可以增大外部发射效率。因此，发光器件10的光提取效率增大，使得可以改善发光器件10的发射效率。第一覆盖层和第二覆盖层中的每个可以包括(在589nm处)具有约1.6或更大的折射率的材料。
[0300]
第一覆盖层和第二覆盖层可以均独立地是包括有机材料的有机覆盖层、包括无机材料的无机覆盖层或者包括有机材料和无机材料的复合覆盖层。
[0301]
第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以均独立地包括碳环化合物、杂环化合物、含胺基化合物、卟啉衍生物、酞菁衍生物、萘酞菁衍生物、碱金属配合物、碱土金属配合物或它们的任何组合。碳环化合物、杂环化合物和含胺基化合物可以可选地取代有包含o、n、s、se、si、f、cl、br、i或它们的任何组合的取代基。在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以均独立地包括含胺基化合物。
[0302]
在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以均独立地包括由式201表示的化合物、由式202表示的化合物或它们的任何组合。
[0303]
在实施例中，第一覆盖层和第二覆盖层中的至少一个可以均独立地包括化合物ht28至化合物ht33中的一种、化合物cp1至化合物cp6中的一种、n4,n4'-二(萘-2-基)-n4,n4'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(β-npb)或它们的任何组合：
[0304][0305]
电子设备
[0306]
发光器件可以包括在各种电子设备中。在实施例中，包括发光器件的电子设备可以是发光设备、认证设备等。
[0307]
除了发光器件之外，电子设备(例如，发光设备)还可以包括：i)滤色器；ii)颜色转换层；或者iii)滤色器和颜色转换层。滤色器和/或颜色转换层可以位于从发光器件发射的光的至少一个行进方向上。在实施例中，从发光器件发射的光可以是蓝光或白光。发光器件可以与上述相同。在实施例中，颜色转换层可以包括量子点。量子点可以是例如如在此所描述的量子点。
[0308]
电子设备可以包括第一基底。第一基底可以包括多个子像素区域，滤色器可以包括分别与子像素区域对应的多个滤色器区域，颜色转换层可以包括分别与子像素区域对应的多个颜色转换区域。
[0309]
像素限定膜(或称为“像素限定层”)可以位于子像素区域之间以限定子像素区域中的每个。滤色器还可以包括多个滤色器区域和位于滤色器区域之间的遮光图案，颜色转换层可以包括多个颜色转换区域和位于颜色转换区域之间的遮光图案。
[0310]
滤色器区域(或颜色转换区域)可以包括发射第一颜色光的第一区域、发射第二颜色光的第二区域以及/或者发射第三颜色光的第三区域，第一颜色光、第二颜色光和/或第三颜色光可以具有彼此不同的最大发射波长。在实施例中，第一颜色光可以是红光，第二颜色光可以是绿光，第三颜色光可以是蓝光。在实施例中，滤色器区域(或颜色转换区域)可以
包括量子点。详细地，第一区域可以包括红色量子点，第二区域可以包括绿色量子点，第三区域可以不包括量子点。量子点与在此所描述的相同。第一区域、第二区域和/或第三区域可以均包括散射体。
[0311]
在实施例中，发光器件可以发射第一光，第一区域可以吸收第一光以发射第一第一颜色光，第二区域可以吸收第一光以发射第二第一颜色光，第三区域可以吸收第一光以发射第三第一颜色光。在这方面，第一第一颜色光、第二第一颜色光和第三第一颜色光可以具有不同的最大发射波长。详细地，第一光可以是蓝光，第一第一颜色光可以是红光，第二第一颜色光可以是绿光，第三第一颜色光可以是蓝光。
[0312]
除了如上所述的发光器件之外，电子设备还可以包括薄膜晶体管。薄膜晶体管可以包括源电极、漏电极和有源层，其中，源电极和漏电极中的任何一个可以电连接到发光器件的第一电极和第二电极中的任何一个。薄膜晶体管还可以包括栅电极、栅极绝缘层等。有源层可以包括晶体硅、非晶硅、有机半导体、氧化物半导体等。
[0313]
电子设备还可以包括用于密封发光器件的密封部。密封部可以放置在滤色器和/或颜色转换层与发光器件之间。密封部允许来自发光器件的光被提取到外部，同时并发地防止周围空气和湿气渗入到发光器件中。密封部可以是包括透明玻璃基底或塑料基底的密封基底。密封部可以是包括有机层和无机层中的至少一层的薄膜封装层。当密封部是薄膜封装层时，电子设备可以是柔性的。
[0314]
根据电子设备的用途，除了滤色器和/或颜色转换层之外，各种功能层可以附加地位于密封部上。功能层可以包括触摸屏层、偏振层等。触摸屏层可以是压敏触摸屏层、电容式触摸屏层或红外触摸屏层。认证设备可以是例如通过使用活体(例如，指尖、瞳孔等)的生物识别信息来认证个体的生物识别认证设备。除了发光器件之外，认证设备还可以包括生物识别信息收集器。
[0315]
电子设备可以采用各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子日记本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、寻鱼器、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船舶的仪表)、投影仪等的形式，或者可以应用于各种显示器、光源、照明、个人计算机(例如，移动个人计算机)、移动电话、数码相机、电子日记本、电子词典、电子游戏机、医疗仪器(例如，电子温度计、血压计、血糖仪、脉搏测量装置、脉搏波测量装置、心电图显示器、超声诊断装置或内窥镜显示器)、寻鱼器、各种测量仪器、仪表(例如，用于车辆、飞机和船舶的仪表)、投影仪等。
[0316]
图2和图3的描述
[0317]
图2是包括根据发明的原理构造的发光器件的发光设备的实施例的示意性剖视图。
[0318]
图2的发光设备包括基底100、薄膜晶体管(tft)、发光器件和密封发光器件的封装部300。基底100可以是柔性基底、玻璃基底或金属基底。缓冲层210可以形成在基底100上。缓冲层210可以防止杂质渗透穿过基底100，并且可以在基底100上提供基本上平坦的表面。
[0319]
tft可以位于缓冲层210上。tft可以包括有源层220、栅电极240、源电极260和漏电极270。有源层220可以包括诸如硅或多晶硅的无机半导体、有机半导体或氧化物半导体，并且可以包括源区、漏区和沟道区。用于使有源层220与栅电极240绝缘的栅极绝缘膜230可以
位于有源层220上，栅电极240可以位于栅极绝缘膜230上。
[0320]
层间绝缘膜250位于栅电极240上。层间绝缘膜250可以放置在栅电极240与源电极260之间以使栅电极240与源电极260绝缘，并且放置在栅电极240与漏电极270之间以使栅电极240与漏电极270绝缘。
[0321]
源电极260和漏电极270可以位于层间绝缘膜250上。层间绝缘膜250和栅极绝缘膜230可以形成为暴露有源层220的源区和漏区，源电极260和漏电极270可以与有源层220的源区和漏区的暴露部分接触。
[0322]
tft电连接到发光器件以驱动发光器件，并且被钝化层280覆盖。钝化层280可以包括无机绝缘膜、有机绝缘膜或它们的组合。发光器件设置在钝化层280上。发光器件可以包括第一电极110、中间层130和第二电极150。
[0323]
第一电极110可以形成在钝化层280上。钝化层280不完全地覆盖漏电极270且暴露漏电极270的一部分，第一电极110连接到漏电极270的暴露部分。
[0324]
包含绝缘材料的像素限定层290可以位于第一电极110上。像素限定层290暴露第一电极110的一定区域，中间层130可以形成在第一电极110的暴露区域中。像素限定层290可以是聚酰亚胺有机膜或聚丙烯酸有机膜。中间层130的至少一些层可以延伸超过像素限定层290的上部，从而以公共层的形式定位。
[0325]
第二电极150可以位于中间层130上，覆盖层170可以附加地形成在第二电极150上。覆盖层170可以形成为覆盖第二电极150。
[0326]
封装部300可以位于覆盖层170上。封装部300可以位于发光器件上以保护发光器件免受湿气或氧的影响。封装部300可以包括：无机膜，包括氮化硅(sin
x
)、氧化硅(sio
x
)、氧化铟锡、氧化铟锌或它们的任何组合；有机膜，包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚乙烯磺酸盐、聚甲醛、聚芳酯、六甲基二硅氧烷、丙烯酸树脂(例如，聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸等)、环氧类树脂(例如，脂肪族缩水甘油醚(age)等)或它们的组合；或者无机膜和有机膜的组合。
[0327]
图3是包括根据发明的原理构造的发光器件的发光设备的另一实施例的示意性剖视图。
[0328]
除了遮光图案500和功能区400附加地位于封装部300上之外，图3的发光设备与图2的发光设备基本上相同。功能区400可以是：i)滤色器区；ii)颜色转换区；或者iii)滤色器区和颜色转换区的组合。在实施例中，包括在图3的发光设备中的发光器件可以是串联发光器件。
[0329]
制造发光器件的方法
[0330]
根据实施例的制造发光器件的方法包括以下步骤：在第一电极上形成空穴传输区域的操作(a)；在空穴传输区域上形成发射层的操作(b)；以及在发射层上形成电子传输区域的操作(c)，并且操作(a)至操作(c)中的至少一个包括使用上述纳米颗粒墨组合物的可溶工艺。
[0331]
在根据实施例的制造发光器件的方法中，操作(a)可以包括使用上述纳米颗粒墨组合物的可溶工艺，纳米颗粒墨组合物可以包括上述金属氧化物。在根据实施例的制造发光器件的方法中，操作(b)可以包括使用上述纳米颗粒墨组合物的可溶工艺，纳米颗粒墨组合物可以包括上述量子点。
[0332]
在根据实施例的制造发光器件的方法中，操作(c)可以包括使用上述纳米颗粒墨组合物的可溶工艺，纳米颗粒墨组合物可以包括上述金属氧化物。
[0333]
在实施例中，可溶工艺可以使用喷墨印刷法来执行。作为在喷墨印刷法中使用的喷墨印刷机等，可以利用已知的喷墨印刷机。在喷墨印刷法中，可以利用具有配置有根据电压施加压力的压电型喷嘴的喷墨头的喷墨印刷机。
[0334]
更详细地，将量子点组合物从喷墨头的喷嘴排出到基底上。在这方面，排出的量子点组合物的量可以是每次约1皮升(pl)至每次约50pl，例如，每次约1pl至每次约30pl，例如，每次约1pl至每次约20pl。
[0335]
喷墨头的孔径可以是约5μm至约50μm，例如，约10μm至约30μm，以使喷嘴的堵塞最小化且改善排出精度，但不限于此。基于剪切率，喷墨头的排出压力可以是约1,000s-1
至约10,000s-1
，但不限于此。
[0336]
虽然在形成涂覆膜期间的温度没有特别限制，但是在抑制包括在量子点组合物中的材料的结晶方面，温度可以是约10℃至约50℃，例如，约15℃至约40℃，例如，约15℃至约30℃，例如，约20℃至约25℃。
[0337]
因为使用纳米颗粒墨组合物来形成包括在发光器件中的构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层中的至少一个，所以可以有效地制造包括无机纳米颗粒的高质量大面积的发光器件。
[0338]
在实施例中，除了通过使用上述纳米颗粒墨组合物的可溶工艺形成的层之外，可以均在一定区域中通过使用诸如真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔-布洛杰特(lb)沉积、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(liti)的各种方法来形成构成空穴传输区域的层、发射层和构成电子传输区域的层。
[0339]
当通过真空沉积来形成构成空穴传输区域131的层、发射层133和构成电子传输区域135的层时，根据将包括在待形成的层中的材料和待形成的层的结构，可以在约100℃至约500℃的沉积温度、约10-8
托至约10-3
托的真空度和约/秒至约/秒的沉积速度下执行真空沉积。
[0340]
术语的定义
[0341]
如在此所使用的术语“室温”指约25℃。
[0342]
如在此所使用的术语“螯合配体”指具有能够配位到金属类材料的两个或更多个位点的配体。
[0343]
在此所使用的术语“i族”可以包括iupac周期表上的ib族元素，并且i族元素可以包括例如铜(cu)、银(ag)、金(au)等。
[0344]
在此所使用的术语“ii族”可以包括iupac周期表上的iia族元素和iib族元素，并且ii族元素包括例如镁(mg)、钙(ca)、锌(zn)、镉(cd)和汞(hg)。
[0345]
在此所使用的术语“iii族”可以包括iupac周期表上的iiia族元素和iiib族元素，并且iii族元素可以包括例如铝(al)、镓(ga)、铟(in)和铊(tl)。
[0346]
在此所使用的术语“iv族”可以包括iupac周期表上的iva族元素和ivb族元素，并且ii族元素包括例如碳(c)、硅(si)、锗(ge)、锡(sn)和铅(pb)。
[0347]
在此所使用的术语“v族”可以包括iupac周期表上的va族元素和vb族元素，并且v族元素可以包括例如氮(n)、磷(p)、砷(as)和锑(sb)。
[0348]
在此所使用的术语“vi族”可以包括iupac周期表上的via族元素和vib族元素，并且vi族元素可以包括例如硫(s)、硒(se)和碲(te)。
[0349]
如在此所使用的术语“中间层”指发光器件的第一电极和第二电极之间的单个层和/或所有层。包括在“中间层”中的材料不限于有机材料。
[0350]
如在此所使用的术语“c
3-c
60
碳环基”指仅由碳组成且具有三个至六十个碳原子的环基，如在此所使用的术语“c
1-c
60
杂环基”指具有一个至六十个碳原子且还具有除了碳之外的杂原子的环基。c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基可以均是由一个环组成的单环基或者其中两个或更多个环彼此稠合的多环基。在实施例中，c
1-c
60
杂环基的成环原子数可以是3个至61个。
[0351]
如在此所使用的术语“环基”可以包括c
3-c
60
碳环基和c
1-c
60
杂环基。
[0352]
如在此所使用的术语“富π电子的c
3-c
60
环基”指具有三个至六十个碳原子且不包括*-n＝*'作为成环部分的环基，如在此所使用的术语“贫π电子的含氮c
1-c
60
环基”指具有一个至六十个碳原子且包括*-n＝*'作为成环部分的杂环基。
[0353]
在实施例中，c
3-c
60
碳环基可以是：i)基团t1；或者ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠合环基(例如，环戊二烯基团、金刚烷基团、降冰片烷基团、苯基团、并环戊二烯基团、萘基团、甘菊环基团、引达省基团、苊基团、非那烯基团、菲基团、蒽基团、荧蒽基团、苯并[9,10]菲基团、芘基团、基团、苝基团、戊芬基团、庚搭烯基团、并四苯基团、苉基团、并六苯基团、并五苯基团、玉红省基团、蒄基团、卵苯基团、茚基团、芴基团、螺二芴基团、苯并芴基团、茚并菲基团或茚并蒽基团)。
[0354]c1-c
60
杂环基可以是：i)基团t2；ii)其中两个或更多个基团t2彼此稠合的稠合环基；或者iii)其中至少一个基团t2和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环基(例如，吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团、吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)。
[0355]
富π电子的c
3-c
60
环基可以是：i)基团t1；ii)其中两个或更多个基团t1彼此稠合的稠合环基；iii)基团t3；iv)其中两个或更多个基团t3彼此稠合的稠合环基；或者v)其中至少一个基团t3和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环基(例如，c
3-c
60
碳环基、吡咯基团、噻吩基团、呋喃基团、吲哚基团、苯并吲哚基团、萘并吲哚基团、异吲哚基团、苯并异吲哚基团、萘并异吲哚基团、苯并噻咯基团、苯并噻吩基团、苯并呋喃基团、咔唑基团、二苯并噻咯基团、
二苯并噻吩基团、二苯并呋喃基团、茚并咔唑基团、吲哚并咔唑基团、苯并呋喃并咔唑基团、苯并噻吩并咔唑基团、苯并噻咯并咔唑基团、苯并吲哚并咔唑基团、苯并咔唑基团、苯并萘并呋喃基团、苯并萘并噻吩基团、苯并萘并噻咯基团、苯并呋喃并二苯并呋喃基团、苯并呋喃并二苯并噻吩基团、苯并噻吩并二苯并噻吩基团等)。
[0356]
贫π电子的含氮c
1-c
60
环基可以是：i)基团t4；ii)其中两个或更多个基团t4彼此稠合的稠合环基；iii)其中至少一个基团t4和至少一个基团t1彼此稠合的稠合环基；iv)其中至少一个基团t4和至少一个基团t3彼此稠合的稠合环基；或者v)其中至少一个基团t4、至少一个基团t1和至少一个基团t3彼此稠合的稠合环基(例如，吡唑基团、咪唑基团、三唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、苯并吡唑基团、苯并咪唑基团、苯并噁唑基团、苯并异噁唑基团、苯并噻唑基团、苯并异噻唑基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团、喹啉基团、异喹啉基团、苯并喹啉基团、苯并异喹啉基团、喹喔啉基团、苯并喹喔啉基团、喹唑啉基团、苯并喹唑啉基团、菲咯啉基团、噌啉基团、酞嗪基团、萘啶基团、咪唑并吡啶基团、咪唑并嘧啶基团、咪唑并三嗪基团、咪唑并吡嗪基团、咪唑并哒嗪基团、氮杂咔唑基团、氮杂芴基团、氮杂二苯并噻咯基团、氮杂二苯并噻吩基团、氮杂二苯并呋喃基团等)。
[0357]
基团t1可以是环丙烷基团、环丁烷基团、环戊烷基团、环己烷基团、环庚烷基团、环辛烷基团、环丁烯基团、环戊烯基团、环戊二烯基团、环己烯基团、环己二烯基团、环庚烯基团、金刚烷基团、降冰片烷(或双环[2.2.1]庚烷)基团、降冰片烯基团、双环[1.1.1]戊烷基团、双环[2.1.1]己烷基团、双环[2.2.2]辛烷基团或苯基团，
[0358]
基团t2可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团、硼杂环戊二烯基团、2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团，
[0359]
基团t3可以是呋喃基团、噻吩基团、1h-吡咯基团、噻咯基团或硼杂环戊二烯基团，并且
[0360]
基团t4可以是2h-吡咯基团、3h-吡咯基团、咪唑基团、吡唑基团、三唑基团、四唑基团、噁唑基团、异噁唑基团、噁二唑基团、噻唑基团、异噻唑基团、噻二唑基团、氮杂噻咯基团、氮杂硼杂环戊二烯基团、吡啶基团、嘧啶基团、吡嗪基团、哒嗪基团、三嗪基团或四嗪基团。
[0361]
如在此所使用的术语“环基”、“c
3-c
60
碳环基”、“c
1-c
60
杂环基”、“富π电子的c
3-c
60
环基”或“贫π电子的含氮c
1-c
60
环基”指根据结合所使用的术语的式的结构与任何环基稠合的基团或多价基团(例如，二价基团、三价基团、四价基团等)。在实施例中，“苯基团”可以是可以由本领域普通技术人员根据包括“苯基团”的式的结构容易地理解的苯并基团、苯基、亚苯基等。
[0362]
单价c
3-c
60
碳环基和单价c
1-c
60
杂环基的示例可以包括c
3-c
10
环烷基、c
1-c
10
杂环烷基、c
3-c
10
环烯基、c
1-c
10
杂环烯基、c
6-c
60
芳基、c
1-c
60
杂芳基、单价非芳香稠合多环基和单价非芳香稠合杂多环基，二价c
3-c
60
碳环基和二价c
1-c
60
杂环基的示例可以包括c
3-c
10
亚环烷基、c
1-c
10
亚杂环烷基、c
3-c
10
亚环烯基、c
1-c
10
亚杂环烯基、c
6-c
60
亚芳基、c
1-c
60
亚杂芳基、二价非芳香稠合多环基以及二价非芳香稠合杂多环基。
[0363]
如在此所使用的术语“c
1-c
60
烷基”指具有一个至六十个碳原子的直链或支链的脂肪族饱和烃单价基团，其示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、叔戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、3-戊基、仲异戊基、正己基、异己基、仲己基、叔己基、正庚基、异庚基、仲庚基、叔庚基、正辛基、异辛基、仲辛基、叔辛基、正壬基、异壬基、仲壬基、叔壬基、正癸基、异癸基、仲癸基和叔癸基。如在此所使用的术语“c
1-c
60
亚烷基”指具有与c
1-c
60
烷基对应的结构的二价基团。
[0364]
如在此所使用的术语“c
2-c
60
烯基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳双键的单价烃基，其示例包括乙烯基、丙烯基和丁烯基。如在此所使用的术语“c
2-c
60
亚烯基”指具有与c
2-c
60
烯基对应的结构的二价基团。
[0365]
如在此所使用的术语“c
2-c
60
炔基”指在c
2-c
60
烷基的中间或末端处具有至少一个碳-碳三键的单价烃基，其示例包括乙炔基和丙炔基。如在此所使用的术语“c
2-c
60
亚炔基”指具有与c
2-c
60
炔基对应的结构的二价基团。
[0366]
如在此所使用的术语“c
1-c
60
烷氧基”指由-oa
101
(其中，a
101
是c
1-c
60
烷基)表示的单价基团，其示例包括甲氧基、乙氧基和异丙氧基。
[0367]
如在此所使用的术语“c
3-c
10
环烷基”指具有3个至10个碳原子的单价饱和烃环基，其示例包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、环庚基、环辛基、金刚烷基、降冰片烷基(或双环[2.2.1]庚基)、双环[1.1.1]戊基、双环[2.1.1]己基和双环[2.2.2]辛基。如在此所使用的术语“c
3-c
10
亚环烷基”指具有与c
3-c
10
环烷基对应的结构的二价基团。
[0368]
如在此所使用的术语“c
1-c
10
杂环烷基”指除了碳原子之外还包括作为成环原子的至少一种杂原子且具有1个至10个碳原子的单价环基，其示例包括1,2,3,4-噁三唑烷基、四氢呋喃基和四氢噻吩基。如在此所使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烷基”指具有与c
1-c
10
杂环烷基对应的结构的二价基团。
[0369]
在此所使用的术语“c
3-c
10
环烯基”指在其环中具有三个至十个碳原子和至少一个碳-碳双键且无芳香性的单价环基，其示例包括环戊烯基、环己烯基和环庚烯基。如在此所使用的术语“c
3-c
10
亚环烯基”指具有与c
3-c
10
环烯基对应的结构的二价基团。
[0370]
如在此所使用的术语“c
1-c
10
杂环烯基”指在其环结构中除了碳原子之外具有作为成环原子的至少一种杂原子、1个至10个碳原子以及至少一个双键的单价环基。c
1-c
10
杂环烯基的示例包括4,5-二氢-1,2,3,4-噁三唑基、2,3-二氢呋喃基和2,3-二氢噻吩基。如在此所使用的术语“c
1-c
10
亚杂环烯基”指具有与c
1-c
10
杂环烯基对应的结构的二价基团。
[0371]
如在此所使用的术语“c
6-c
60
芳基”指具有具备六个至六十个碳原子的碳环芳香体系的单价基团，如在此所使用的术语“c
6-c
60
亚芳基”指具有具备六个至六十个碳原子的碳环芳香体系的二价基团。c
6-c
60
芳基的示例包括苯基、并环戊二烯基、萘基、甘菊环基、引达省基、苊基、非那烯基、菲基、蒽基、荧蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、苝基、戊芬基、庚搭烯基、并四苯基、苉基、并六苯基、并五苯基、玉红省基、蒄基和卵苯基。当c
6-c
60
芳基和c
6-c
60
亚芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此稠合。
[0372]
如在此所使用的术语“c
1-c
60
杂芳基”指具有杂环芳香体系的单价基团，杂环芳香体系具有除了碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子以及1个至60个碳原子。如在此所使用的术语“c
1-c
60
亚杂芳基”指具有杂环芳香体系的二价基团，杂环芳香体系具有除了碳原子之外的作为成环原子的至少一种杂原子以及1个至60个碳原子。c
1-c
60
杂芳基的示
例包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、三嗪基、喹啉基、苯并喹啉基、异喹啉基、苯并异喹啉基、喹喔啉基、苯并喹喔啉基、喹唑啉基、苯并喹唑啉基、噌啉基、菲咯啉基、酞嗪基和萘啶基。当c
1-c
60
杂芳基和c
1-c
60
亚杂芳基均包括两个或更多个环时，所述两个或更多个环可以彼此稠合。
[0373]
如在此所使用的术语“单价非芳香稠合多环基(或单价非芳香缩合多环基)”指具有彼此稠合的两个或更多个环、仅碳原子(例如，具有8个至60个碳原子)作为成环原子且当作为整体来考虑时在其整个分子结构中不具有芳香性的单价基团。单价非芳香稠合多环基的示例包括茚基、芴基、螺二芴基、苯并芴基、茚并菲基和茚并蒽基。如在此所使用的术语“二价非芳香稠合多环基(或二价非芳香缩合多环基)”指具有与单价非芳香稠合多环基对应的结构的二价基团。
[0374]
如在此所使用的术语“单价非芳香稠合杂多环基(或单价非芳香缩合杂多环基)”指具有彼此稠合的两个或更多个环、除了碳原子(例如，具有1个至60个碳原子)之外的作为成环原子的至少一种杂原子且当作为整体来考虑时在其整个分子结构中不具有芳香性的单价基团。单价非芳香稠合杂多环基的示例包括吡咯基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、苯并吲哚基、萘并吲哚基、异吲哚基、苯并异吲哚基、萘并异吲哚基、苯并噻咯基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、咔唑基、二苯并噻咯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、氮杂咔唑基、氮杂芴基、氮杂二苯并噻咯基、氮杂二苯并噻吩基、氮杂二苯并呋喃基、吡唑基、咪唑基、三唑基、四唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、异噻唑基、噁二唑基、噻二唑基、苯并吡唑基、苯并咪唑基、苯并噁唑基、苯并噻唑基、苯并噁二唑基、苯并噻二唑基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、咪唑并三嗪基、咪唑并吡嗪基、咪唑并哒嗪基、茚并咔唑基、吲哚并咔唑基、苯并呋喃并咔唑基、苯并噻吩并咔唑基、苯并噻咯并咔唑基、苯并吲哚并咔唑基、苯并咔唑基、苯并萘并呋喃基、苯并萘并噻吩基、苯并萘并噻咯基、苯并呋喃并二苯并呋喃基、苯并呋喃并二苯并噻吩基和苯并噻吩并二苯并噻吩基。如在此所使用的术语“二价非芳香稠合杂多环基(或二价非芳香缩合杂多环基)”指具有与单价非芳香稠合杂多环基对应的结构的二价基团。
[0375]
如在此所使用的术语“c
6-c
60
芳氧基”表示由-oa
102
(其中，a
102
是c
6-c
60
芳基)表示的单价基团，如在此所使用的术语“c
6-c
60
芳硫基”表示由-sa
103
(其中，a
103
是c
6-c
60
芳基)表示的单价基团。
[0376]r10a
可以是：
[0377]
氘(-d)、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；
[0378]
均未取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的任何组合的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基；
[0379]
均未取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的任何组合的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基；或者
[0380]-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)。
[0381]
在此所使用的q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
可以均独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者均未取代或取代有氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。
[0382]
如在此所使用的术语“杂原子”指除了碳原子之外的任何原子。杂原子的示例包括o、s、n、p、si、b、ge、se或它们的任何组合。
[0383]
如在此所使用的术语“ph”指苯基，如在此所使用的术语“me”指甲基，如在此所使用的术语“et”指乙基，如在此所使用的术语“tert-bu”或“bu
t”指叔丁基，如在此所使用的术语“ome”指甲氧基。
[0384]
如在此所使用的术语“联苯基”指“取代有苯基的苯基”。换句话说，“联苯基”是具有c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0385]
如在此所使用的术语“三联苯基”指“取代有联苯基的苯基”。“三联苯基”是具有取代有c
6-c
60
芳基的c
6-c
60
芳基作为取代基的取代的苯基。
[0386]
除非另外定义，否则如在此所使用的*和*'均指与对应式中的相邻原子的结合位。
[0387]
示例
[0388]
zno纳米颗粒的合成
[0389]
将通过将四甲基氢氧化铵(10mmol)溶解在10ml乙醇中所获得的溶液滴加到通过将乙酸锌(10mmol)溶解在40ml二甲基亚砜(dmso)中所获得的溶液，并且将所得物混合并在约常压和常温条件(约1个大气压和约20℃)下反应1小时。
[0390]
在反应完成之后，添加丙酮执行离心，将所得物分散在乙醇中，从而合成zno纳米颗粒。
[0391]
合成示例1：纳米复合物的制备
[0392]
将作为无机纳米颗粒的zno(直径：5nm)和作为配体的配体1以2:1的重量比混合，并且在室温(约20℃)下(通过来自sungdong ultrasonic co.ltd的sd-100h)进行超声处理30分钟，从而制备纳米复合物1。
[0393][0394]
合成示例2：纳米复合物的制备
[0395]
将作为无机纳米颗粒的zno(直径：5nm)和作为配体的配体2以2:1的重量比混合，并且在室温下进行超声处理30分钟，从而制备纳米复合物2。
[0396][0397]
合成示例3：纳米复合物的制备
[0398]
将作为无机纳米颗粒的zno(直径：5nm)和作为配体的配体3以2:1的重量比混合，并且在室温下进行超声处理30分钟，从而制备纳米复合物3。
[0399][0400]
合成示例4：纳米复合物的制备
[0401]
将作为无机纳米颗粒的zno(直径：5nm)和作为配体的配体4以2:1的重量比混合，并且在室温下进行超声处理30分钟，从而制备纳米复合物4。
[0402][0403]
合成示例5：纳米复合物的制备
[0404]
将作为无机纳米颗粒的zno(直径：5nm)和作为配体的配体5以2:1的重量比混合，并且在室温下进行超声处理30分钟，从而制备纳米复合物5。
[0405][0406]
合成示例6：纳米复合物的制备
[0407]
将作为无机纳米颗粒的zno(直径：5nm)和作为配体的配体6以2:1的重量比混合，并且在室温下进行超声处理30分钟，从而制备纳米复合物6。
[0408][0409]
对比合成示例1：纳米复合物的制备
[0410]
除了使用乙醇胺作为配体之外，以与合成示例1中的方式相同的方式制备纳米复合物a。
[0411]
对比合成示例2：纳米复合物的制备
[0412]
除了使用苄胺作为配体之外，以与合成示例1中的方式相同的方式制备纳米复合物b。
[0413]
评价示例1：分散度评价
[0414]
评价在合成示例1以及对比合成示例1和对比合成示例2中制备的纳米复合物的分散剂。作为在分散度评价中所使用的溶剂，根据所使用的配体结构，在合成示例1和对比合成示例2中利用甲苯，并且在对比合成示例1中利用乙醇。
[0415]
图4a至图4c是根据发明的原理制成的合成示例1以及对比合成示例1和对比合成示例2的纳米复合物的分散剂的照片结果。
[0416]
在纳米复合物分散在每种溶剂中之后所获得的结果示出在图4a至图4c中。图4a至图4c示出在合成示例1和对比合成示例1的情况下确保了分散性，但是在对比合成示例2的情况下发生沉淀。
[0417]
评价示例2：墨排出的评价
[0418]
基于分散度评价，评价相对于合成示例1和对比合成示例1的纳米复合物的墨排出。墨溶剂在器件制造期间与下量子点(qd)层具有正交性，根据所使用的配体结构，在合成示例1中使用甲基苯甲酸乙酯，并且在对比合成示例1中使用三乙二醇单甲醚(tgme)。
[0419]
图5a和图5b是基于根据发明的原理制成的合成示例1和对比合成示例1的纳米复合物的墨排出的照片结果。
[0420]
墨排出的评价的结果示出在图5a(合成示例1)和图5b(对比合成示例1)中。图5a和图5b示出在合成示例1中墨被良好地排出而没有喷墨头堵塞的显著且意想不到的结果，同时在对比合成示例1中发生喷墨头堵塞。
[0421]
通过发明的示例性实施方式和/或发明的示例性方法可以实现的一些优点包括通过将螯合配体引入到纳米复合物中以防止金属氧化物纳米颗粒的聚集来确保稳定性。而且，可以将螯合配体引入到纳米复合物中以改变金属氧化物纳米颗粒的表面的状态，因此可以不同地选择用于制备墨组合物的溶剂。
[0422]
发光器件包括由纳米颗粒墨组合物形成的层，所述纳米颗粒墨组合物包括根据发明的原理和实施例制成的纳米复合物，当发光器件包括量子点时，可以通过使量子点与金属氧化物纳米颗粒之间的直接接触最小化来减少量子点淬灭。在通过使用包括纳米复合物的纳米颗粒墨组合物来形成包括在发光器件的实施例中的层的情况下，可以适当地调节电荷注入特性。
[0423]
虽然在此已经描述了某些实施例和实施方式，但是根据该描述，其它实施例和修改将是明显的。因此，发明构思不限于这些实施例，而是限于所附权利要求以及如对于本领域普通技术人员而言将明显的各种明显的修改和等同布置的更宽范围。