纳米复合物、包括其的纳米颗粒墨组合物及发光器件的制作方法

技术特征：
1.一种纳米复合物，所述纳米复合物包括：金属氧化物纳米颗粒；以及螯合配体，结合到所述金属氧化物纳米颗粒的表面且包括环部分。2.根据权利要求1所述的纳米复合物，其中，所述环部分是离域基团。3.根据权利要求1所述的纳米复合物，其中，所述环部分是贫π电子的含氮c
1-c
60
环基。4.根据权利要求1所述的纳米复合物，其中，所述螯合配体包括结合到所述金属氧化物纳米颗粒的所述表面的两个或更多个锚定位点。5.根据权利要求1所述的纳米复合物，其中，所述螯合配体是式1-1至式1-4的基团：式1-1式1-2式1-3式1-4其中，在式1-1至式1-4中，x1是c(r1)或n，x2是c(r2)或n，x3是c(r3)或n，x4是c(r4)或n，x5是c(r5)或n，x6是c(r6)或n，x7是c(r7)或n，并且x8是c(r8)或n，r1至r8和ar1至ar4均彼此独立地是氢、氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
烷基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c
60
烯基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
2-c
60
炔基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
烷氧基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基、未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基、-si(q1)(q2)
(q3)、-n(q1)(q2)、-b(q1)(q2)、-c(＝o)(q1)、-s(＝o)2(q1)或-p(＝o)(q1)(q2)，ar1至ar4中的至少一个彼此独立地是未取代或取代有至少一个r
10a
的c
3-c
60
碳环基或者未取代或取代有至少一个r
10a
的c
1-c
60
杂环基，r
10a
是：氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基或硝基；均彼此独立地未取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
11
)(q
12
)(q
13
)、-n(q
11
)(q
12
)、-b(q
11
)(q
12
)、-c(＝o)(q
11
)、-s(＝o)2(q
11
)、-p(＝o)(q
11
)(q
12
)或它们的任何组合的c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基或c
1-c
60
烷氧基；均彼此独立地未取代或取代有氘、-f、-cl、-br、-i、羟基、氰基、硝基、c
1-c
60
烷基、c
2-c
60
烯基、c
2-c
60
炔基、c
1-c
60
烷氧基、c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基、c
6-c
60
芳硫基、-si(q
21
)(q
22
)(q
23
)、-n(q
21
)(q
22
)、-b(q
21
)(q
22
)、-c(＝o)(q
21
)、-s(＝o)2(q
21
)、-p(＝o)(q
21
)(q
22
)或它们的任何组合的c
3-c
60
碳环基、c
1-c
60
杂环基、c
6-c
60
芳氧基或c
6-c
60
芳硫基；或者-si(q
31
)(q
32
)(q
33
)、-n(q
31
)(q
32
)、-b(q
31
)(q
32
)、-c(＝o)(q
31
)、-s(＝o)2(q
31
)或-p(＝o)(q
31
)(q
32
)，其中，q1至q3、q
11
至q
13
、q
21
至q
23
和q
31
至q
33
均彼此独立地是：氢；氘；-f；-cl；-br；-i；羟基；氰基；硝基；c
1-c
60
烷基；c
2-c
60
烯基；c
2-c
60
炔基；c
1-c
60
烷氧基；或者均彼此独立地未取代或取代有氘、-f、氰基、c
1-c
60
烷基、c
1-c
60
烷氧基、苯基、联苯基或它们的任何组合的c
3-c
60
碳环基或c
1-c
60
杂环基。6.根据权利要求1所述的纳米复合物，其中，所述螯合配体是配体1至配体6中的至少一种：7.根据权利要求1所述的纳米复合物，其中，所述螯合配体具有1.5nm或更小的长度。8.根据权利要求1所述的纳米复合物，所述纳米复合物还包括结合到所述金属氧化物纳米颗粒的所述表面的单齿配体。9.根据权利要求8所述的纳米复合物，其中，所述单齿配体包括吡啶基团、咪唑基团、噁唑基团或它们的任何组合。10.根据权利要求1所述的纳米复合物，其中，所述金属氧化物纳米颗粒包括zno、znmgo、znalo、tio2或它们的任何组合。11.一种纳米颗粒墨组合物，所述纳米颗粒墨组合物包括：溶剂；以及
根据权利要求1至10中任一项所述的纳米复合物，其中，所述纳米复合物分散在所述溶剂中。12.根据权利要求11所述的纳米颗粒墨组合物，其中，所述溶剂包括醇类溶剂、醚类溶剂、脂肪族烃溶剂、芳香族烃溶剂或它们的任何组合。13.根据权利要求11所述的纳米颗粒墨组合物，其中，所述纳米颗粒墨组合物在25℃下具有1cp或更大且10cp或更小的粘度。14.根据权利要求11所述的纳米颗粒墨组合物，其中，所述纳米颗粒墨组合物在25℃下具有20dyne/cm至40dyne/cm的表面张力。15.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，面对所述第一电极；以及中间层，在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述中间层包括发射层，并且包括在所述中间层中的至少一个层由根据权利要求11至14中任一项所述的纳米颗粒墨组合物制成。16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述中间层还包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区域和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区域。17.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述空穴传输区域包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或它们的任何组合，所述电子传输区域包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或它们的任何组合，并且包括在所述空穴传输区域和所述电子传输区域中的至少一个层由所述纳米颗粒墨组合物制成。18.根据权利要求16所述的发光器件，其中，所述电子传输区域包括电子传输层，并且所述电子传输层由所述纳米颗粒墨组合物制成。19.根据权利要求15所述的发光器件，其中，所述发射层包括量子点。20.根据权利要求19所述的发光器件，其中，所述量子点包括iii-vi族的半导体化合物、ii-vi族的半导体化合物、iii-v族的半导体化合物、i-iii-vi族的半导体化合物、iv-vi族的半导体化合物、iv族的元素或化合物或者它们的任何组合。

技术总结
公开了纳米复合物、包括其的纳米颗粒墨组合物及发光器件。纳米复合物包括：金属氧化物纳米颗粒；以及螯合配体，结合到金属氧化物纳米颗粒的表面且包括环部分。米颗粒的表面且包括环部分。米颗粒的表面且包括环部分。


技术研发人员：郑然九 都贤美 河在国 金成云 辛锺雨 崔兮琼
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2021.12.10
技术公布日：2022/6/28