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一种晶片抛光用陶瓷盘及抛光装置的制作方法

2022-06-25 15:43:52 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型属于晶片加工技术领域,更具体而言,涉及一种晶片抛光用陶瓷盘及抛光装置。


背景技术:

2.晶片抛光是晶片生产工序中的一环,如发明专利公开号cn 110421411a中公开了一种铌酸锂晶体薄片生产工艺,其生产工艺包括以下步骤:a:切条成形,在大片的铌酸锂片上切下小块的铌酸锂晶片,并将之加工成所需的形状;b:晶片抛光,对铌酸锂晶片的两面进行抛光处理;c:晶片镀膜,对铌酸锂晶片经过抛光的两面进行镀膜;d:检测,对镀膜后的铌酸锂晶片进行角度、光洁度以及镀膜的牢固度进行检测。
3.对于晶片的抛光工序,一般通过抛光设备进行,如发明专利公开号cn102152218a公开的晶片抛光装置所示,其将待抛光的晶片粘贴在晶片保持件上,再由加压装置将晶片保持件压在旋转抛光台上;
4.上述的晶片抛光装置中的晶片保持件一般为陶瓷盘,一个陶瓷盘上可粘贴多个晶片;上述方案存在的缺陷在于,将晶片直接粘贴在晶片保持件上,晶片在粘接的过程中容易发生位置偏移的问题,晶片偏离预设位置会影响晶片的抛光质量。


技术实现要素:

5.本实用新型的主要目的在于提供一种晶片抛光用陶瓷盘,旨在避免晶片固定在陶瓷盘上时发生移位的现象,保证晶片的抛光质量。
6.根据本实用新型的第一方面,提供了一种晶片抛光用陶瓷盘,包括盘体,所述盘体上设有用于容纳待抛光晶片的凹槽;还包括一基板,所述基板与所述凹槽适配,所述基板以可拆的方式固定在所述凹槽内,外设晶片以可拆的方式固定在所述基板上,外设晶片的待抛光面延伸至凹槽外。
7.本实用新型一个特定的实施例中,所述基板与外设晶片配合的表面为安装面,外设晶片与基板的重合面积小于所述安装面的面积。
8.本实用新型一个特定的实施例中,所述基板通过热熔蜡粘接在所述凹槽内。
9.本实用新型一个特定的实施例中,所述凹槽的边缘设有用于容纳多余液体蜡的容纳凹部。
10.本实用新型一个特定的实施例中,所述凹槽为多边形。
11.本实用新型一个特定的实施例中,所述凹槽为方形,所述容纳凹部为设置在所述凹槽的四个。
12.根据本实用新型的另一方面,提供了一种抛光装置,包括可旋转的抛光台、可升降且可旋转的夹具、抛光液喷嘴,还包括如上所述的晶片抛光用陶瓷盘,所述夹具夹紧所述盘体并将盘体压在抛光台上,由抛光台对外设晶片进行抛光。
13.本实用新型上述技术方案中的一个技术方案至少具有如下优点或有益效果之一:
14.在实际应用中,先将外设晶片固定安装在所述基板上,再将所述基板固定在所述凹槽内;由于基板与所述凹槽适配,基板固定在凹槽上时不会移位,而外设晶片是先固定在基板上的,所以在基板固定在凹槽上时,外设晶片不会出现移位的现象,保证外设晶片准确地固定在盘体上,保证晶片的抛光质量。
附图说明
15.下面结合附图和实施例对本实用新型进一步地说明;
16.图1是本实用新型的实施例1的结构图;
17.图2是本实用新型的实施例1的分解图;
18.图3是本实用新型的实施例2的结构图。
具体实施方式
19.下面详细描述本实用新型的实施方式,实施方式的示例在附图中示出,其中相同或类似的标号自始至终表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本实用新型,而不能理解为对本实用新型的限制。
20.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本实用新型的不同方案。
21.实施例1
22.参照图1至图2所示,一种晶片抛光用陶瓷盘,包括盘体1,所述盘体1上设有用于容纳待抛光晶片的凹槽11;还包括一基板2,所述基板2与所述凹槽11适配,所述基板2以可拆的方式固定在所述凹槽11内,外设晶片a以可拆的方式固定在所述基板2上,外设晶片a的待抛光面延伸至凹槽11外。
23.在实际应用中,先将外设晶片a固定安装在所述基板2上,再将所述基板2固定在所述凹槽11内;由于基板2与所述凹槽11适配,基板2固定在凹槽11上时不会移位,而外设晶片a是先固定在基板2上的,所以在基板2固定在凹槽11上时,外设晶片a不会出现移位的现象,保证外设晶片a准确地固定在盘体1上,保证晶片的抛光质量。
24.所述凹槽11的个数可以为3个、4个或更多,其根据实际应用而设,本实施例对此不作限制。
25.当外设晶片a抛光完毕后,需要将晶片取下,才可对晶片进行下一工序的操作,若外设晶片a的大小也于所述凹槽11的大小适配,则在取下晶片时的操作比较困难,若采用工具将晶片撬下,则容易损害晶片的质量,在本实施例中,所述基板2与外设晶片a配合的表面为安装面,外设晶片a与基板2的重合面积小于所述安装面的面积,使得抛光后的晶片可以直接从安装面上取下,操作简单,无需借助工具,保证了晶片的质量。
26.在实际应用中,所述基板2通过热熔蜡粘接在所述凹槽11内,外设晶片a也是通过热熔蜡粘接在所述基板2上;
27.加热该热熔蜡,其会变成液态,将外设晶片a或基板2放置在液态的热熔蜡上,当液态的热熔蜡固化后即可实现外设晶片a或基板2的固定;当需要从凹槽11上取下基板2、从基板2上取下晶片时,只需要对固化的热熔蜡进行加热,使其再次变成液态即可,操作方便;
28.本实施例所述的基板2以可拆卸的方式固定在凹槽11内、外设晶片a以可拆卸的方
式固定在基板2上也可以通过光刻胶实现,本实施例对此不作限制;光刻胶通过加热可固化,通过紫外线或溶剂可溶解。
29.在现有技术中,也有直接通过在盘体1上设置凹槽11固定外设晶片a的方式,此种方式固定外设晶片a,需要外设晶片a的大小与凹槽11的大小适配,若使用热熔蜡固定,多余的液态热熔蜡会从凹槽11和外设晶片a之间的间隙往上挤,且容易挤到外设晶片a的待抛光面上,影响外设晶片a的抛光质量;
30.所以基板2的设置可以避免此种情况的出现,其可以使得多余的蜡挤到基板2上,进一步保证了晶片的生产质量。
31.作为本实施例的优选,所述凹槽11的边缘设有用于容纳多余液体蜡的容纳凹部b,其可使得多余的热熔胶挤到容纳凹部b内,减少挤到基板2与凹槽11之间的间隙中的热熔胶的量,便于后续将基板2从所述凹槽11处取下。
32.更为优选地,所述凹槽11为多边形,即基板2的形状也为多边形,提高基板2固定的稳定性;
33.当然,本实施例并不排除所述基板2为圆形,但其相对于多边形的基板2,圆形的基板2固定在凹槽11上时有转动的可能性,转动会使得外设晶片a的位置有略微的偏移,若晶片的形状为条形,则会导致陶瓷盘上的多个条形晶片的朝向不一致,影响抛光质量。
34.作为本实施例的具体实现,所述凹槽11为方形,所述容纳凹部b为设置在所述凹槽11的四个,结构简单,加工方便。
35.实施例2
36.参考图3所示,一种抛光装置,包括可旋转的抛光台10、可升降且可旋转的夹具20、抛光液喷嘴30,还包括如实施例1所述的晶片抛光用陶瓷盘a,所述夹具20用于夹紧所述盘体并将盘体压在抛光台10上;所述抛光台10用于对外设晶片a进行抛光;所述抛光液喷嘴30用于将抛光液输出到所述抛光台10上。
37.通过实施例1的盘体固定外设晶片,使得外设晶片在固定在盘体上时的位置不会发生偏移,可保证后续晶片的抛光质量。
38.具体来说,所述抛光台10上设有抛光垫。
39.所述抛光台10通过第一电机驱动旋转,所述夹具20通过驱动装置驱动升降,驱动装置可以为气缸、电缸、液压缸等,所述夹具20通过第二电机驱动旋转,本实施例对此不做限制;抛光台10的旋转、夹具20的升降和旋转如发明专利公开号cn102152218a公开的晶片抛光装置中的抛光台、晶片保持件所示;也可以如发明专利公开号cn1082866c公开的晶片抛光装置和抛光方法中的旋转抛光床、晶片压住装置、旋转驱动装置所示。
40.晶片的抛光过程为:夹具20下降使晶片的待抛光面贴在抛光台10上,抛光液喷嘴30将抛光液输出到抛光台10上,抛光台10、夹具20转动实现对晶片的抛光工作。
41.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施方式,本领域的普通技术人员可以理解:在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施方式进行多种变化、修改、替换和变型,本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

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