在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜与流程

技术特征：
1.一种在衬底表面形成膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：将前驱体气化成前驱体蒸气；在所述前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中，通过先压缩再膨胀提高所述前驱体蒸气的供气流量，以在所述沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。2.根据权利要求1所述的在衬底表面形成膜的方法，其特征在于，提高所述前驱体蒸气的供气流量的步骤包括：关闭向所述沉积腔室内输送前驱体蒸气的开关，维持一段时间后再打开。3.根据权利要求2所述的在衬底表面形成膜的方法，其特征在于，使用气化装置将前驱体气化成前驱体蒸气，所述气化装置与所述沉积腔室之间设置有流量控制阀门，所述前驱体蒸气经由所述流量控制阀门流入所述沉积腔室，关闭流量控制阀门一段时间后再将其打开，以提高所述前驱体蒸气的供气流量。4.根据权利要求3所述的在衬底表面形成膜的方法，其特征在于，所述时间为1-3秒。5.根据权利要求1-4任一项所述的在衬底表面形成膜的方法，其特征在于，所述前驱体蒸气以原子层沉积的方式形成在所述衬底上。6.根据权利要求5所述的膜，其特征在于，所述膜的材质选自：hfo2、zro2、tio2、nb2o5、al2o3和sio2中的任一种成分或多种成分的组合。7.一种在衬底表面形成膜的设备，其特征在于，包括：气化装置，用于将前驱体气化成前驱体蒸气；沉积腔室,其内设置有衬底，用于接收所述前驱体蒸气，并将所述前驱体蒸气沉积在所述衬底上；流量控制阀门，位于所述气化装置与沉积腔室之间，所述前驱体蒸气经由所述流量控制阀门流入所述沉积腔室，用于调节所述前驱体蒸气的供气流量，并在所述气化装置向所述沉积腔室输送前驱体蒸气的过程中，先关闭一段时间后再打开。8.根据权利要求7所述的在衬底表面形成膜的设备，其特征在于，所述流量控制阀门为三通阀门，所述流量控制阀门的输入端与所述气化装置相连，所述设备还包括：喷嘴，与所述沉积腔室连通，所述流量控制阀门的第一输出端与所述喷嘴相连；气泵，与所述流量控制阀门的第二输出端相连；排气装置，与所述气泵相连。9.根据权利要求7所述的在衬底表面形成膜的设备，其特征在于，所述气化装置选自：气化器、起泡器或烘烤器中的任一种。10.根据权利要求7-9任一项所述的在衬底表面形成膜的设备，其特征在于，还包括单腔式、集群式、炉管式以及翻转式设备。

技术总结
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种在衬底表面形成膜的方法，包括以下步骤：将前驱体气化成前驱体蒸气；在前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中，通过先压缩再膨胀提高前驱体蒸气的供气流量，以在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的供气流量，这样可以将前驱体蒸气输送到衬底中心以及沉积腔室的顶部区域，避免衬底中心前驱体蒸气供应不足，从而在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。均匀的膜。均匀的膜。


技术研发人员：安重镒 金成基 项金娟 李亭亭 刘青
受保护的技术使用者：真芯（北京）半导体有限责任公司
技术研发日：2020.12.24
技术公布日：2022/6/24