一种改变半导体材料PN型的制备方法

一种改变半导体材料pn型的制备方法
技术领域
1.本发明涉及半导体材料领域，尤其涉及一种通过改变制备参数可以改变材料的pn型制备方法。


背景技术：

2.p型半导体又称空穴型半导体，是以带正电的空穴导电为主的半导体。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。n型半导体也称为电子型半导体。即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。当p型半导体和n型半导体紧密接触时，就会产生pn结结构，这种结构会在接触面附近产生空间电荷区。根据这个特性，利用pn结可以制造多种功能的晶体二极管，并广泛应用与现代工业中。
3.目前，pn结中的当p型半导体和n型半导体一般分别用复杂不同的掺杂制备工艺获得。利用pn结不同的特性，可以具有不同的应用，比如：整流二极管、检波二极管、雪崩二极管、隧道二极管、变容二极管、半导体激光二极管、光电探测器和太阳能电池等。因此在实际应用中就需要多种p型半导体和n型半导体的性质。目前的方法不可避免的伴随着工序复杂，制备周期长，成分不可变，成本高，成品尺寸大等缺点，很难更好的适应现在工业上的要求。


技术实现要素：

4.本发明的目的是一种改变半导体材料pn型的新方法。
5.本发明将一种硒化锌掺杂半导体沉积到基底表面形成半导体薄膜，通过控制制备条件，达到控制基片上半导体薄膜pn型的目的。制备过程中选择使用脉冲激光沉积技术(pulse laser deposition,pld)完成薄膜的制备，基片选择使用石英玻璃。上述靶材为znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
半导体掺杂材料。
6.本发明的半导体材料通过脉冲激光沉积法来制备的，采用如下技术方案实现：先采用固体反应烧结法制备znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷靶材，再采用脉冲激光沉积法制备znse:mo:ga薄膜，通过控制不同的制备条件，得到不同pn特性的半导体薄膜。
7.具体步骤如下：
8.1)制备znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷靶材：
9.烧结是陶瓷生产过程中必不可少的一部分。本发明中采用固相反应烧结法制备了znse:mo:ga陶瓷材料，其摩尔配比为4:3:3；根据化学计量比利用电子天平对znse(99.99％)、mo(99.99％)和ga2o3(99.999％)的粉末进行称重，粉末在玛瑙砂浆中手动研磨2小时，然后在球磨机中研磨6小时；将混合粉末压入压力为10mpa的圆柱形模具中15分钟，以完成圆柱形散装材料的制备；所得块状材料在1800℃的温度下烧结8小时，烧结在高温管式炉中，在烧结过程中添加ar气氛以消除氧的影响，然后重复研磨，最终获得znse0.4:mo0.3:ga0.3陶瓷材料；
10.2)生长znse:mo:ga薄膜：
11.以步骤1)中制备的znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷为靶材，以石英玻璃为衬底，采用脉冲激光沉积法制备znse:mo:ga薄膜，脉冲激光脉冲宽度为10ns，重复频率为10hz，单脉冲能量为200mj；脉冲激光通过凸透镜和真空腔窗口，最终聚焦到靶材表面；当激光聚焦在靶材表面时，使等离子体羽流溅到基片表面，最后在靶材对面的基片表面沉积得到纳米薄膜；在沉积过程中，平均激光功率设置为400mw，沉积时间严格控制在30min；脉冲激光沉积的温度为25℃-800℃、压强为4pa-10pa；根据调整上述的温度或/和压强可以得到p型或n型材料，进而改变半导体材料pn型。
12.在得到p型材料的基础上通过提高温度或/和增加压强能够得到n型材料。
13.本发明具有的有益效果：
14.本发明只利用同一块半导体靶材，采用脉冲激光沉积法，制备出纳米结构、结晶质量好、表面光滑的pn型完全不同的半导体薄膜，为拓展、优化半导体应用创造了良好的前提条件。
附图说明
15.图1是实施例1制备的znse:mo:ga薄膜的实物图和xrd图谱。
16.图2是实施例2制备的znse:mo:ga薄膜的实物图和xrd图谱。
具体实施方式
17.以下结合附图和具体实施方式对本发明作进一步说明。，但本发明并不限于以下实施例。
18.制备出的znse:mo:ga薄膜的实物图和xrd图谱，见图1。结合末尾的表一可得出，薄膜样品中的衍射峰基本上只有40.5
°
位置的mo(110)峰。在10pa和800℃下的曲线上，35
°
到40
°
衍射范围内发现一个宽峰。通过比较，可以发现该衍射峰属于ga2o3成分。宽峰代表非晶态结构，这证明在此条件下ga2o3的结晶化是不完整的。同时随着温度和压强的增大，薄膜的只有在10pa和800℃条件下，电阻率才会发生明显的突变，随着载流子浓度的增加，电阻率降低。结果显示可以控制薄膜的p型和n型。
19.实施例1
20.1)制备znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷靶材：
21.烧结是陶瓷生产过程中必不可少的一部分。本发明中采用固相反应烧结法制备了znse:mo:ga陶瓷材料，其配比分别为4:3:3。根据化学计量比利用电子天平对znse(99.99％)、mo(99.99％)和ga2o3(99.999％)的粉末进行称重。粉末在玛瑙砂浆中手动研磨2小时，然后在球磨机中研磨6小时。将混合粉末压入压力为10mpa的f20mm圆柱形模具中15分钟，以完成圆柱形散装材料的制备。大块材料在1800℃的温度下烧结8小时。在高温管式炉中，在烧结过程中添加ar气氛以消除氧的影响。重复研磨(包括研磨)后的过程两次，最终获得znse0.4:mo0.3:ga0.3陶瓷材料。
22.2)生长znse:mo:ga薄膜：
23.以步骤1)中制备的znse
0.4
:mo
0.3
:ga
0.3
陶瓷为靶材，以石英玻璃为衬底，采用脉冲沉积法制备znse:mo:ga薄膜，使用355nm(nd:yag，gcr-170)作为紫外光源，脉冲宽度为10ns，重复频率为10hz，单脉冲能量为200mj。脉冲激光通过凸透镜和真空腔窗口，最终聚焦
到目标表面。当激光聚焦在靶材表面时，使等离子体羽流溅到基片表面，最后在靶材对面的基片表面沉积得到纳米薄膜。在沉积过程中，平均激光功率设置为400mw，沉积时间严格控制在30min。制备压强为0.45pa，温度为25℃、400℃、800℃。
24.实施例2
25.1)同实施例1中的步骤1)；
26.2)除将沉积条件改为25℃温度下4pa、6pa和10pa，其他操作均同实施例1中的步骤2)；
[0027][0028]
表1实施例1-2制备的p-n结薄膜的霍尔效应检测结果。