切割胶带和切割芯片接合膜的制作方法

1.本发明涉及能够在半导体装置制造工序中使用的切割胶带和切割芯片接合膜。


背景技术：

2.以往，在半导体装置的制造中，为了通过切割工序将半导体晶片单片化为半导体芯片，有时使用切割胶带、由该切割胶带与芯片接合膜一体化而成的切割芯片接合膜。切割胶带设为在基材膜上设有粘着剂层的形态，用于在粘着剂层上配置半导体晶片，按照半导体晶片切割时经单片化的半导体芯片不会飞散的方式进行固定保持的用途。然后，将半导体芯片从切割胶带的粘着剂层剥离，通过另外准备的粘接剂、粘接膜使其固着于引线框、配线基板、或另外的半导体芯片等被粘物。
3.切割芯片接合膜在切割胶带的粘着剂层上可剥离地设有芯片接合膜(以下，有时称为“粘接膜”或“粘接剂层”)。在半导体装置的制造中，用于在切割芯片接合膜的芯片接合膜上贴附、配置半导体晶片，将半导体晶片与芯片接合膜一同切割，得到各个带粘接膜的半导体芯片。然后，将半导体芯片与芯片接合膜一同从切割胶带的粘着剂层剥离(拾取)而作为带芯片接合膜的半导体芯片，并通过芯片接合膜使半导体芯片固着于引线框、配线基板、或另外的半导体芯片等被粘物。
4.上述切割芯片接合膜从提高生产率的观点考虑可优选地使用，作为使用切割芯片接合膜来获得带芯片接合膜的半导体芯片的方法，近年来，代替以往的利用高速旋转的切割刀片进行的全切切断方法，作为能够抑制将薄膜化的半导体晶片单片化为芯片时的破片(chipping)的方法，提出了(1)基于dbg(dicing before grinding，磨削前切割)的方法、(2)基于隐形切割(注册商标)的方法等。
5.上述(1)的基于dbg的方法中，首先，使用切割刀片将半导体晶片不完全切断，在半导体晶片的表面形成特定深度的分割槽，然后适宜调整磨削量而进行背面磨削，从而得到包含多个半导体芯片的半导体晶片的分割体或可单片化为多个半导体芯片的半导体晶片。然后，将该半导体晶片的分割体或该可单片化为半导体芯片的半导体晶片贴附于切割芯片接合膜，将切割胶带在低温下(例如，-30℃以上0℃以下)扩展(以下，有时称为“冷扩展”)，从而将在低温下已脆化的芯片接合膜沿着上述分割槽割断为相当于各个半导体芯片的尺寸、或与半导体晶片一同割断。最后通过拾取从切割胶带的粘着剂层剥离，从而能够得到各个带芯片接合膜的半导体芯片。
6.上述(2)的基于隐形切割的方法中，首先，将半导体晶片贴附于切割芯片接合膜，向半导体晶片内部照射激光，选择性地形成改性区域(改性层)，同时形成切割预定线。然后，对切割胶带进行冷扩展，从而使龟裂从改性区域相对于半导体晶片垂直地进展，沿着上述切割预定线，与在低温下已脆化的芯片接合膜一起各个割断。最后，通过拾取从切割胶带的粘着剂层剥离，从而能够得到各个带芯片接合膜的半导体芯片。
7.另外，上述(1)的基于dbg的方法中，也可以代替通过切割刀片在半导体晶片表面形成分割(割断)槽，而是通过隐形切割在半导体晶片内部选择性地设置改性区域，来获得
可单片化的半导体晶片。这是被称为sdbg(stealth dicing before griding，磨削前隐形切割)的方法。
8.上述拾取的工序中，将带芯片接合膜的半导体晶片割断后，将切割胶带在常温附近进行扩展(以下，有时称为“常温扩展”)，使邻接的各个带芯片接合膜的半导体芯片间的间隔(以下，有时称为“切口宽度”)变宽，使切割胶带的外周部分(未贴合半导体晶片的部分)热收缩，在使各个半导体芯片间的间隔(切口宽度)变宽的状态下进行固定，从而能够从切割胶带的粘着剂层剥离并拾取经割断的各个带芯片接合膜的半导体芯片。
9.另外，近年来，随着半导体晶片的薄型化，在半导体芯片的多段层叠工序中的引线接合时变得容易发生芯片破裂，作为该课题的对策，提出了兼具间隔物功能的引线埋入型芯片接合膜。引线埋入型芯片接合膜需要在芯片接合时将引线没有间隙地埋入，与上述以往的通用芯片接合膜相比，厚度较厚，有流动性高(高温下的熔融粘度低)的倾向，因此在将这样的引线埋入型芯片接合膜层叠于以往的切割胶带而供于半导体芯片的制造时，存在以下问题。
10.即，上述冷扩展工序中，对于与切割胶带密合的芯片接合膜或带芯片接合膜的半导体晶片，从冷扩展的切割胶带使割断力(外部应力)作用时，低温下的拉伸应力不能说充分大，对于这样的以往的切割胶带而言，该拉伸应力作为能够将上述带引线埋入型芯片接合膜的半导体晶片充分割断的外部应力，难以说是充分具有裕度的大小，有时带引线埋入型芯片接合膜的半导体晶片的预定割断部位的一部分没有割断。另外，半导体芯片间的间隔(切口宽度)没有充分变宽，发生被割断的厚度厚的芯片接合膜彼此的再附着、半导体芯片彼此的碰撞，有时在拾取工序中引起拾取错误。
11.进一步，经历了扩展工序的切割胶带的粘着剂层上的带芯片接合膜的半导体芯片中，有时该芯片接合膜的边缘部分从切割胶带的粘着剂层发生部分剥离。预先形成在半导体芯片表面上的配线电路越是多层化，则该配线电路与半导体芯片的材料之间的热膨胀率差也成为原因之一，使得半导体芯片变得容易翘曲，因此容易加剧上述部分剥离。关于该部分剥离(以下，有时称为“浮起”)的发生，其程度越高，则越存在如下可能：在之后的清洗工序等中，成为带芯片接合膜的半导体芯片从切割胶带非有意脱落的原因；在之后的拾取工序中，由于半导体芯片的位置偏离、下述现象等而成为拾取错误的原因。特别是在切割胶带的粘着剂层由活性能量射线(例如紫外线)固化性的粘着剂组合物构成的情况下，在从切割胶带拾取带芯片接合膜的半导体芯片之前，为了降低粘着剂层的粘着力而照射紫外线，使粘着剂层固化，但若是带芯片接合膜的半导体芯片的边缘部分从切割胶带的粘着剂层大幅剥离，则在发生了剥离的部分，粘着剂层会与空气中的氧接触，从而即使照射紫外线，有时粘着剂层也不会充分固化。这种情况下，容易发生如下现象：粘着层的粘着力不会充分降低，因此在拾取工序中，用上推部的面积大的上推夹具从切割胶带的下表面侧进行上推，为了拾取位于该夹具上的半导体芯片而使吸附夹头从半导体芯片上部接触时，带芯片接合膜的半导体芯片的边缘部会再次固着于固化不足的粘着剂层，无法从切割胶带的粘着剂层拾取带芯片接合膜的半导体芯片。
12.因而，对于芯片接合膜，竭力进行了对割断性与流动性的平衡控制和可靠性提高的研究，另一方面，对于切割胶带，迫切期望如下性能：不仅在使用以往的芯片接合膜时，即使在使用引线埋入型芯片接合膜那样的厚度较厚、流动性高的芯片接合膜时，也能通过扩
展将芯片接合膜与半导体晶片一同良好地割断，不易发生芯片接合膜从粘着剂层的部分剥离，最终能够实现良好的拾取性。
13.作为抑制上述扩展时的割断不良状况、扩展后的部分剥离发生的以往技术，专利文献1中，公开了如下的切割胶带：出于通过扩展工序对于切割胶带上的芯片接合膜使其良好地割断、并且抑制从切割胶带浮起、剥离的目的，具有包含基材和粘着剂层的层叠结构，在特定条件的拉伸试验中，以5～30％范围的至少一部分的应变值计，能够表现15～32mpa范围内的拉伸应力。
14.另一方面，在切割胶带的处理中，由于切割胶带有时在加热条件下被贴合于芯片接合膜，另外切割芯片接合膜有时在加热条件下被贴合于半导体晶片，进一步，在以切割芯片接合膜的形式进行预切割加工时，有时为了将余量的切割胶带在不切割的情况下良好地剥离除去而进行局所加热处理等，因此，对于切割胶带，还要求一定的耐热性。如果切割胶带的耐热性低，则有时会固着于操作台(芯片)上而变得难以剥离。另外，如果由于热而使切割胶带发生应变、翘曲等变形，则经薄膜化的半导体晶片也可能会变形。因此，对于切割胶带，在要求上述带芯片接合膜的半导体晶片的良好割断性、直至拾取工序为止的与芯片接合膜的良好密合性、良好拾取性的同时还要求耐热性。
15.作为提高上述耐热性的以往技术，专利文献2中，以提供耐热性优异、且取得了分割(割断)性与扩张性的平衡的切割膜基材为目的，公开了一种切割膜基材，其包含至少一层由树脂组合物构成的层，该树脂组合物含有选自由乙烯-不饱和羧酸系共聚物和前述乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物组成的组的至少一种树脂(a)30质量份以上95质量份以下、选自由聚酰胺和聚氨酯组成的组的至少一种树脂(b)5质量份以上且小于40质量份、以及前述聚酰胺以外的抗静电剂(c)0质量份以上30质量份以下(其中，树脂(a)、树脂(b)和抗静电剂(c)的合计设为100质量份)。
16.[现有技术文献]
[0017]
[专利文献]
[0018]
[专利文献1]日本特开2019-16787号公报
[0019]
[专利文献2]日本特开2017-98369号公报


技术实现要素：

[0020]
发明要解决的课题
[0021]
关于专利文献1的切割胶带，虽然实施例中表明，通过在将可表现特定的拉伸应力特性的切割胶带和以丙烯酸系树脂为主体的厚度10μm的芯片接合膜层叠而成的切割芯片接合膜上贴合半导体晶片分割体，并进行冷扩展，从而芯片接合膜可良好地分割(割断)，但割断后的芯片接合膜中，仍然存在从切割胶带的粘着剂层发生浮起的面积达到20％左右的情况，仍有改善的余地。另外，关于对厚度较厚、流动性高的引线埋入型芯片接合膜的割断性、半导体芯片的拾取性、切割胶带的耐热性则没有提及，在这些方面并不明确。至少实施例中显示的作为切割胶带的聚氯乙烯基材的耐热性不能说是充分的。
[0022]
另外，关于专利文献2的切割膜基材，虽然在实施例记载了包含至少一层由特定的树脂组合物构成的层的切割膜基材具有优异的耐热性，半导体晶片的分割(割断)性与扩张性的平衡优异，并且，通过作为切割膜使用，能够顺畅地实施半导体制造时的切割工序和后
续的扩张工序，能够制造没有胶带残留、变形的半导体，但是，关于包含引线埋入型在内的芯片接合膜、基于冷扩展的其割断性、或芯片接合膜从切割胶带的粘着剂层的部分剥离(浮起)的发生等课题，则完全没有认识到，另外，半导体芯片的拾取性也包括在内，在这些方面都不明确。
[0023]
如此一来，关于以往技术的切割胶带，在与引线埋入型芯片接合膜那样的流动性高、厚度较厚的芯片接合膜贴合而制成切割芯片接合膜并供于半导体芯片的制造工序的情况下，从冷扩展时的带芯片接合膜的半导体晶片的割断性、扩展后的芯片接合膜从粘着剂层的部分剥离(浮起)的抑制、半导体芯片的拾取性和耐热性等诸多观点考虑，很难说充分得到了满足，仍有改善的余地。
[0024]
本发明是鉴于上述问题、状況而做出的，其目的在于，提供一种切割胶带作为半导体制造工序用的切割胶带，该切割胶带即使在贴合引线埋入型芯片接合膜那样的流动性高、厚度较厚的芯片接合膜来应用的情况下，也(1)耐热性优异，(2)通过冷扩展，带芯片接合膜的半导体晶片能够良好地割断，并且，通过常温扩展，能够充分确保切口宽度，(3)割断后的芯片接合膜中，从切割胶带的粘着剂层的部分剥离(浮起)得到充分抑制，能够良好地拾取经割断的各个带芯片接合膜的半导体芯片。
[0025]
用于解决课题的方法
[0026]
本发明人等基于该目的，为了解决前述课题而进行了潜心研究，结果发现，通过(1)作为切割胶带的基材膜，使用由以特定的质量比例包含由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)以及聚酰胺树脂(b)的树脂构成的、具有预定的拉伸应力物性值的树脂膜，(2)作为粘着剂组合物，使用包含具有特定范围的羟基值的丙烯酸系粘着性聚合物作为主成分、并且残留羟基浓度和活性能量射线反应性碳-碳双键浓度设为预定范围的活性能量射线固化性粘着剂组合物，能够解决上述课题，从而完成了本发明。
[0027]
即，本发明的第1方面涉及的切割胶带具备：
[0028]
基材膜、以及在该基材膜上的含有活性能量射线固化性粘着剂组合物的粘着剂层，
[0029]
(1)前述基材膜包含由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)、以及聚酰胺树脂(b)，
[0030]
前述基材膜由该基材膜整体中的前述树脂(a)与前述树脂(b)的质量比率(a)：(b)为72：28～95：5范围的树脂组合物构成，
[0031]
即使在将基材膜沿md方向(基材膜制膜时的流动方向)和td方向(相对于md方向垂直的方向)中的任一方向拉伸的情况下，在-15℃的5％伸长时的应力也为15.5mpa以上28.5mpa以下的范围，
[0032]
(2)前述活性能量射线固化性粘着剂组合物包含具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物、光聚合引发剂、以及与前述羟基发生交联反应的多异氰酸酯系交联剂，前述丙烯酸系粘着性聚合物的主链的玻璃化转变温度(tg)为-65℃以上-50℃以下的范围，羟基值为12.0mgkoh/g以上55.0mgkoh/g以下的范围，
[0033]
前述活性能量射线固化性粘着剂组合物中，
[0034]
前述多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与前述丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)为0.02以上0.20以下的范围，
[0035]
交联反应后的残留羟基浓度相对于每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物为0.18mmol以上0.90mmol以下的范围，
[0036]
活性能量射线反应性碳-碳双键浓度相对于每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物为0.85mmol以上1.60mmol以下的范围。
[0037]
某一方式中，前述活性能量射线反应性碳-碳双键浓度相对于每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物具有1.02mmol以上1.51mmol以下的范围。
[0038]
某一方式中，前述丙烯酸系粘着性聚合物具有20万以上60万以下的范围的重均分子量mw。
[0039]
某一方式中，前述丙烯酸系粘着性聚合物具有0mgkoh/g以上9.0mgkoh/g以下的范围的酸值。
[0040]
另外，根据本发明的第2方面，上述构成的切割胶带能够提供在前述切割胶带的前述粘着剂层上设置芯片接合膜而成的切割芯片接合膜。
[0041]
某一方式中，前述切割芯片接合膜中，前述切割胶带的粘着剂层对于前述芯片接合膜的23℃时的紫外线照射后低角度粘着力(剥离角度30
°
、剥离速度600mm/分钟)为0.95n/25mm以下，前述切割胶带的粘着剂层对于前述芯片接合膜的-30℃时的紫外线照射前剪切粘接力(拉伸速度1,000mm/分钟)为100.0n/100mm2以上。
[0042]
某一方式中，前述切割芯片接合膜中，前述芯片接合膜包含含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、环氧树脂和酚醛树脂作为树脂成分。
[0043]
某一方式中，前述切割芯片接合膜中，前述芯片接合膜为引线埋入型芯片接合膜。
[0044]
某一方式中，前述切割芯片接合膜中，将作为树脂成分的前述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、前述环氧树脂和前述酚醛树脂的合计量设为基准100质量份的情况下，前述芯片接合膜(a)以树脂成分总量成为100质量份的方式调整为以17质量份以上50质量份以下的范围包含前述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物，以30质量份以上50质量份以下的范围包含前述环氧树脂，以20质量份以上53质量份以下的范围包含前述酚醛树脂，(b)相对于前述环氧树脂和前述酚醛树脂的合计量100质量份，以0.01质量份以上0.07质量份以下的范围包含固化促进剂，(c)相对于前述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、前述环氧树脂和前述酚醛树脂的合计量100质量份，以10质量份以上80质量份以下的范围包含无机填料。
[0045]
发明的效果
[0046]
根据本发明，作为半导体制造工序用的切割胶带，能够提供如下的切割胶带：即使在贴合引线埋入型芯片接合膜那样的流动性高、厚度较厚的芯片接合膜来应用的情况下，也(1)耐热性优异，(2)通过冷扩展，带芯片接合膜的半导体晶片能够良好地割断，并且，通过常温扩展，能够充分确保切口宽度，(3)割断后的芯片接合膜中，从切割胶带的粘着剂层的部分剥离(浮起)得到充分抑制，(4)能够良好地拾取经割断的各个带芯片接合膜的半导体芯片。
附图说明
[0047]
[图1]为表示应用本实施方式的切割胶带的基材膜的构成的一例的截面图。
[0048]
[图2]为表示应用本实施方式的切割胶带的构成的一例的截面图。
[0049]
[图3]为表示将应用本实施方式的切割胶带与芯片接合膜贴合而构成的切割芯片接合膜的一例的截面图。
[0050]
[图4]为对切割胶带的制造方法进行说明的流程图。
[0051]
[图5]为对半导体芯片的制造方法进行说明的流程图。
[0052]
[图6]为表示在切割芯片接合膜的外缘部贴附有环形框(晶片环)、在芯片接合膜中心部贴附有被加工为可单片化的半导体晶片的状态的立体图。
[0053]
[图7](a)～(f)为表示通过激光照射形成有多个改性区域的半导体晶片的磨削工序和该半导体晶片向切割芯片接合膜的贴合工序的一例的截面图。
[0054]
[图8](a)～(f)为表示使用了薄膜半导体晶片的半导体芯片的制造例的截面图，该薄膜半导体晶片贴合有切割芯片接合膜且具有多个改性区域。
[0055]
[图9]为使用了半导体芯片的层叠构成的半导体装置的一个方式的示意截面图，该半导体芯片是使用应用本实施方式的切割芯片接合膜而制造的。
[0056]
[图10]为使用了半导体芯片的另一半导体装置的一个方式的示意截面图，该半导体芯片是使用应用本实施方式的切割芯片接合膜而制造的。
[0057]
[图11](a)～(c)为用于说明切割胶带的粘着剂层对于芯片接合膜(粘接剂层)的uv照射后粘着力的测定方法的概略图。
[0058]
[图12]为用于说明切割胶带的粘着剂层对于芯片接合膜(粘接剂层)的-30℃时的剪切粘接力的测定方法的概略图。
[0059]
[图13]为用于说明扩展后的半导体芯片间的间隔(切口宽度)的测定方法的平面图。
[0060]
[图14]为图13中的半导体晶片的中心部的放大平面图。
[0061]
符号说明
[0062]
1：基材膜，2：粘着剂层，3、3a1、3a2：芯片接合膜(粘接剂层、粘接膜)，4：半导体芯片搭载用支撑基板，5：外部连接端子，6：端子，7：引线，8：密封材，9：支撑构件，10：切割胶带，11：opp膜基材单面粘着胶带(背衬带)，12：纸两面粘着胶带(固定带)，13：平板交叉工作台，14：pet膜基材单面粘着胶带(背衬带、固定带)，15：sus板，20：切割芯片接合膜，w、30：半导体晶片，30a、30a1、30a2：半导体芯片，30b：改性区域，31：半导体晶片中心部，32：半导体晶片左部，33：半导体晶片右部，34：半导体晶片上部，35：半导体晶片下部，40：环形框(晶片环)，41：保持工具，50：吸附夹头，60：上推销(针)，70、80：半导体装置。
具体实施方式
[0063]
以下，根据需要参照附图，对本发明的优选实施方式详细进行说明。但是，本发明不受以下实施方式的限定。
[0064]
(切割胶带和切割芯片接合膜的构成)
[0065]
图1的(a)～(d)为表示应用本实施方式的切割胶带的基材膜1的构成的一例的截面图。本实施方式的切割胶带的基材膜1可以为单一的树脂组合物的单层(参照图1的(a)1-a)，可以为由相同树脂组合物的多层构成的层叠体(参照图1的(b)1-b)，也可以为由不同树脂组合物的多层构成的层叠体(参照图1的(c)1-c、(d)1-d)。设为由多层构成的层叠体的情况下，层数没有特别限定，优选为2层以上5层以下的范围。
[0066]
图2为表示应用本实施方式的切割胶带的构成的一例的截面图。如图2所示，切割胶带10具有在基材膜1的第1面上具备粘着剂层2的构成。需说明的是，虽然图中未示出，但在切割胶带10的粘着剂层2的表面(与和基材膜1相对的面相反侧的面)上，可具备具有脱模性的基材片(剥离衬垫)。基材膜1由含有包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的树脂组合物构成。作为形成粘着剂层2的粘着剂，例如可使用通过照射紫外线(uv)等活性能量射线而发生固化、收缩从而使对于被粘物的粘着力降低的活性能量射线固化性的丙烯酸系粘着剂等。
[0067]
该构成的切割胶带10在半导体制造工序中例如如以下那样使用。在切割胶带10的粘着剂层2上，贴附通过刀片在表面形成了分割槽的半导体晶片、通过激光在内部形成了改性层的半导体晶片并保持(临时固定)，通过冷扩展将半导体晶片割断为各个半导体芯片后，通过常温扩展将半导体芯片间的切口宽度充分扩张，通过拾取工序将各个半导体芯片从切割胶带10的粘着剂层2剥离。通过另外准备的粘接剂、粘接膜使所得的半导体芯片固着于引线框、配线基板、或另外的半导体芯片等被粘物。
[0068]
图3为表示使应用本实施方式的切割胶带10与芯片接合膜(粘接膜)3贴合并一体化的构成、即所谓的切割芯片接合膜的一例的截面图。如图3所示，切割芯片接合膜20具有芯片接合膜(粘接膜)3可剥离地密合、层叠于切割胶带10的粘着剂层2上的构成。
[0069]
该构成的切割芯片接合膜20在半导体制造工序中例如如以下那样使用。在切割芯片接合膜20的芯片接合膜3上，贴附通过刀片在表面形成了分割槽的半导体晶片、通过激光在内部形成了改性层的半导体晶片并保持(粘接)，通过冷扩展将半导体晶片与芯片接合膜3一起割断，得到各个带芯片接合膜3的半导体芯片。或者在切割芯片接合膜20的芯片接合膜3上，贴附半导体晶片并保持(粘接)，在该状态下通过激光在半导体晶片的内部形成改性层后，通过冷扩展将半导体晶片与芯片接合膜3一同割断，得到各个带芯片接合膜3的半导体芯片。接下来，通过常温扩展将带芯片接合膜3的半导体芯片间的切口宽度充分扩张后，通过拾取工序将各个带芯片接合膜3的半导体芯片从切割胶带10的粘着剂层2剥离。通过芯片接合膜(粘接膜)3将所得的带芯片接合膜(粘接膜)3的半导体芯片固着于引线框、配线基板、或另外的半导体芯片等被粘物。需说明的是，虽然图中未示出，但在切割胶带10的粘着剂层2的表面(与和基材膜1相对的面相反侧的面)和芯片接合膜3的表面(与和粘着剂层2相对的面相反侧的面)，可以分别具备具有脱模性的基材片(剥离衬垫)。
[0070]
《切割胶带》
[0071]
(基材膜)
[0072]
关于本发明的切割胶带10中的作为第一构成要件的基材膜1，以下进行说明。上述基材膜1为由树脂组合物构成的树脂膜，该树脂组合物含有由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物(以下，有时仅称为“离聚物”)构成的树脂(a)、以及聚酰胺树脂(b)。
[0073]
关于上述基材膜1整体中的由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的合计量，只要上述基材膜1的在-15℃的5％伸长时的应力为上述范围内，则没有特别限定，相对于构成基材膜1整体的树脂组合物总量，优选占75质量％以上。更优选为80质量％以上，特别优选为90质量％以上。
[0074]
关于使用这样的构成的基材膜1的切割胶带10，在其粘着剂层2上密合有芯片接合膜3的形态中，适合于在半导体装置制造工序的冷扩展工序、进一步在常温扩展工序中使
用。即，适合于通过冷扩展工序，将带芯片接合膜3的被加工为可单片化的半导体晶片沿着切割预定线良好地割断，以良好的成品率获得预定尺寸的各个带芯片接合膜3的半导体芯片。进一步，在常温扩展工序中，也会在充分确保半导体芯片间的切口宽度的基础上维持所需的扩张性。
[0075]
[由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)]
[0076]
本实施方式的基材膜1中，由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)中，乙烯-不饱和羧酸系共聚物的羧基的一部分或全部被金属(离子)中和。需说明的是，以下的说明中，有时将“由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂”表述为“由离聚物构成的树脂”、或仅表述为“离聚物”。
[0077]
上述构成离聚物的乙烯-不饱和羧酸系共聚物为乙烯与不饱和羧酸共聚而成的至少二元的共聚物，也可以为进一步与第3共聚成分共聚而成的三元以上的多元共聚物。需说明的是，乙烯-不饱和羧酸系共聚物可以单独使用一种，也可以并用两种以上的乙烯-不饱和羧酸系共聚物。
[0078]
作为上述构成乙烯-不饱和羧酸二元共聚物的不饱和羧酸，可列举例如丙烯酸、甲基丙烯酸、乙基丙烯酸、衣康酸、衣康酸酐、富马酸、巴豆酸、马来酸、马来酸酐等碳数4～8的不饱和羧酸等。尤其优选丙烯酸或甲基丙烯酸。
[0079]
上述乙烯-不饱和羧酸系共聚物为三元以上的多元共聚物的情况下，除了上述构成二元共聚物的乙烯和不饱和羧酸以外，还可包含形成多元共聚物的第3共聚成分。作为第3共聚成分，可列举不饱和羧酸酯(例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸异丁酯、马来酸二甲酯、马来酸二乙酯等烷基部位的碳数为1～12的(甲基)丙烯酸烷基酯)、不饱和烃(例如，丙烯、丁烯、1,3-丁二烯、戊烯、1,3-戊二烯、1-己烯等)、乙烯酯(例如，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等)、乙烯基硫酸、乙烯基硝酸等氧化物、卤化合物(例如氯乙烯、氟乙烯等)、含乙烯基的伯、仲胺化合物、一氧化碳、二氧化硫等，作为这些共聚成分，优选不饱和羧酸酯。
[0080]
上述乙烯-不饱和羧酸系共聚物的形态可以是嵌段共聚物、无规共聚物、接枝共聚物中的任一者，也可以是二元共聚物、三元共聚物中的任一者。其中，从工业上可获取的方面而言，优选二元无规共聚物、三元无规共聚物、二元无规共聚物的接枝共聚物或三元无规共聚物的接枝共聚物，更优选为二元无规共聚物或三元无规共聚物。
[0081]
作为上述乙烯-不饱和羧酸系共聚物的具体例，可列举乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-甲基丙烯酸共聚物等二元共聚物、乙烯-甲基丙烯酸-丙烯酸2-甲基丙酯共聚物等三元共聚物。另外，可以使用作为乙烯-不饱和羧酸系共聚物而上市的市售品，可使用例如三井杜邦化学公司制的nucrel系列(注册商标)等。
[0082]
上述乙烯-不饱和羧酸系共聚物中的不饱和羧酸酯的共聚比(质量比)优选为1质量％以上20质量％以下的范围，从扩展工序中的扩张性和耐热性(粘连、熔接)的观点考虑，更优选为5质量％以上15质量％以下的范围。
[0083]
本实施方式的基材膜1中，用作树脂(a)的离聚物中，优选上述乙烯-不饱和羧酸系共聚物所含的羧基被金属离子以任意的比例交联(中和)。作为酸基的中和所使用的金属离子，可列举锂离子、钠离子、钾离子、铷离子、铯离子、锌离子、镁离子、锰离子等金属离子。这些金属离子当中，从工业化制品的获取容易性考虑，优选镁离子、钠离子和锌离子，更优选
钠离子和锌离子。
[0084]
上述离聚物中的乙烯-不饱和羧酸系共聚物的中和度优选为10摩尔％以上85摩尔％以下的范围，优选为15摩尔％以上82％摩尔％以下的范围。通过将上述中和度设为10摩尔％以上，能够更加提高带芯片接合膜的半导体晶片的割断性，通过设为85摩尔％以下，能够使膜的制膜性更加良好。需说明的是，所谓中和度，是指金属离子相对于乙烯-不饱和羧酸系共聚物所具有的酸基、特别是羧基的摩尔数的配合比率(摩尔％)。
[0085]
上述由离聚物构成的树脂(a)具有约85～100℃程度的熔点，该由离聚物构成的树脂(a)的熔体流动速率(mfr)优选为0.2g/10分钟以上20.0g/10分钟以下的范围，更优选为0.5g/10分钟以上20.0g/10分钟以下的范围，进一步优选为0.5g/10分钟以上18.0g/10分钟以下的范围。若熔体流动速率为上述范围内，则作为基材膜1的制膜性变得良好。需说明的是，mfr是通过基于jis k7210-1999的方法以190℃、负荷2160g测定的值。
[0086]
本实施方式的构成基材膜1的树脂组合物除了包含上述由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)之外还进一步包含聚酰胺树脂(b)。通过由以上述由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)与聚酰胺树脂(b)的质量比率(a)：(b)成为72：28～95：5的范围的方式混合而成的树脂组合物来构成基材膜1，不仅能够提高该基材膜1的耐热性，还能增大低温下(例如，-15℃)拉伸时的拉伸应力，通过将该拉伸应力设为合适的范围，能够对使用了该基材膜1的切割胶带10赋予在冷扩展工序中能以良好的成品率将带引线埋入型芯片接合膜3的半导体晶片单片化的良好割断力，进一步在常温扩展工序中，能够维持可充分确保半导体芯片间的切口宽度的良好扩张性。上述质量比率(a)：(b)优选为74：26～92：8的范围，更优选为80：20～90：10的范围。本说明书的数值范围的上限和下限能够任意选择该数值并进行组合。
[0087]
[聚酰胺树脂(b)]
[0088]
作为上述聚酰胺树脂(b)，可列举例如草酸、己二酸、癸二酸、十二烷酸、对苯二甲酸、间苯二甲酸、1,4-环己烷二羧酸等羧酸与乙二胺、四亚甲基二胺、五亚甲基二胺、六亚甲基二胺、十亚甲基二胺、1,4-环己基二胺、间二甲苯二胺等二胺的缩聚物，ε-己内酰胺、ω-十二内酰胺等环状内酰胺开环聚合物、6-氨基己酸、9-氨基壬酸、11-氨基十一烷酸、12-氨基十二烷酸等氨基羧酸的缩聚物，或上述环状内酰胺、二羧酸与二胺的共聚物等。
[0089]
上述聚酰胺树脂(b)可使用市售品。具体而言，可列举尼龙4(熔点268℃)、尼龙6(熔点225℃)、尼龙46(熔点240℃)、尼龙66(熔点265℃)、尼龙610(熔点222℃)、尼龙612(熔点215℃)、尼龙6t(熔点260℃)、尼龙11(熔点185℃)、尼龙12(熔点175℃)、共聚物尼龙(例如，尼龙6/66、尼龙6/12、尼龙6/610、尼龙66/12、尼龙6/66/610等)、尼龙mxd6(熔点237℃)、尼龙46等。这些聚酰胺当中，从作为基材膜1的制膜性和机械特性的观点考虑，优选尼龙6、尼龙6/12。
[0090]
上述聚酰胺树脂(b)的含量为使基材膜1整体中的上述由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)与上述聚酰胺树脂(b)的质量比率(a)：(b)成为72：28～95：5的范围的量。上述聚酰胺树脂(b)的质量比率小于上述范围的情况下，有可能基材膜1的耐热性提高效果和低温下的拉伸应力增大效果不足。另一方面，上述聚酰胺树脂(b)的质量比率大于上述范围的情况下，有可能利用基材膜1的树脂组合物难以稳定地制膜。另外，有可能基材膜1的柔软性受损而无法维持常温扩展工序中的扩张性，有可能拾取带芯片接合膜3的
半导体芯片时发生因半导体芯片的破裂等导致的拾取不良。上述聚酰胺树脂(b)的含量更优选为使基材膜1整体中的上述由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)与上述聚酰胺树脂(b)的质量比率(a)：(b)成为74：26～92：8的范围的量。
[0091]
需说明的是，基材膜1为由多层构成的层叠体的情况下，上述由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)与上述聚酰胺树脂(b)的质量比率是指，根据各层中的由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)与聚酰胺树脂(b)的质量比率、以及基材膜1(层叠体)整体中的各层的质量比率计算得到的基材膜1(层叠体)整体中的值。
[0092]
如果基材膜1整体中的由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)与聚酰胺树脂(b)的质量比率为上述范围内，则能够将基材膜1的耐热性提高至120～140℃程度，并且，能够对于该基材膜1表现拉伸应力，该拉伸应力适于在加工为切割胶带10的形式并供于半导体装置制造工序时的冷扩展工序中，将被加工为可单片化的半导体晶片和贴附于该半导体晶片的芯片接合膜3这两者以良好的成品率沿着切割预定线进行割断。进一步，在常温扩展工序中，也能够表现可充分确保经割断的半导体芯片间的切口宽度的扩张性。
[0093]
[其他]
[0094]
上述构成基材膜1的树脂组合物在不损害本发明的效果的范围内还可以根据需要添加其他树脂、各种添加剂。作为上述其他树脂，可列举例如聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、乙烯-不饱和羧酸系共聚物、聚醚酯酰胺。相对于上述由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)和上述聚酰胺树脂(b)的合计100质量份，这样的其他树脂例如可以以20质量份以下的比例配合。另外，作为上述添加剂，可列举例如抗静电剂、抗氧化剂、热稳定剂、光稳定剂、紫外线吸收剂、颜料、染料、润滑剂、抗粘连剂、防霉剂、抗菌剂、阻燃剂、阻燃助剂、交联剂、交联助剂、发泡剂、发泡助剂、无机填充剂、纤维增强材等。相对于上述由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)和上述聚酰胺树脂(b)的合计100质量份，这样的各种添加剂例如可以以5质量份以下的比例配合。
[0095]
[基材膜的拉伸应力]
[0096]
关于上述基材膜1，即使在将基材膜1在md方向(基材膜制膜时的流动方向)和td方向(相对于md方向垂直的方向)的任一方向上拉伸的情况下，在-15℃的5％伸长时的拉伸应力也为15.5mpa以上28.5mpa以下的范围。通过将基材膜1的在-15℃的5％伸长时的拉伸应力设为上述范围内，在将基材膜1加工为切割胶带10的形式并供于半导体装置制造工序时的冷扩展工序中，由于将切割胶带10向所有方向拉伸而产生的内部应力可成为能够将加工为可单片化的半导体晶片和贴附于该半导体晶片的芯片接合膜3沿着切割预定线容易地割断的充分大小的外部应力。进一步，在常温扩展工序中，也能充分确保经割断的半导体芯片间的切口宽度。另外进一步，能够适度地降低紫外线(uv)照射后的切割胶带10对于芯片接合膜3的低角度粘着力。其结果是，在切割工序中，能够提高带芯片接合膜3的半导体芯片的割断成品率。进一步，能够抑制在拾取工序中诱发拾取错误。上述拉伸应力优选为16.0mpa以上27.4mpa以下的范围，更优选为17.3mpa以上24.8mpa以下的范围。
[0097]
[基材膜的厚度]
[0098]
上述基材膜1的厚度没有特别限定，如果考虑到作为切割胶带10使用，例如优选为70μm以上120μm以下的范围。更优选为80μm以上100μm以下的范围。若基材膜1的厚度小于70μm，则在将切割胶带10供于切割工序时，有可能环形框(晶片环)的保持变得不足。另外若基
材膜1的厚度超过120μm，则因基材膜1制膜时的残留应力释放导致的翘曲有可能变大。
[0099]
[基材膜的构成]
[0100]
上述基材膜1的构成没有特别限定，可以为单一的树脂组合物的单层，可以为由相同树脂组合物的多层构成的层叠体，也可以为由不同树脂组合物的多层构成的层叠体。设为由多层构成的层叠体的情况下，层数没有特别限定，优选为2层以上5层以下的范围。
[0101]
将上述基材膜1设为由多层构成的层叠体的情况下，例如，可以是将使用本实施方式的树脂组合物制膜的层层叠多层而成的构成，也可以是在使用本实施方式的树脂组合物制膜的层上层叠使用本实施方式的树脂组合物以外的树脂组合物制膜的层而成的构成。其中，层叠体整体中的上述由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)与上述聚酰胺树脂(b)的质量比率(a)：(b)需要调整为72：28～95：5的范围。
[0102]
上述使用其他树脂组合物制膜的层可列举例如使用由选自直链状低密度聚乙烯(lldpe)、低密度聚乙烯(ldpe)、乙烯-α烯烃共聚物、聚丙烯、乙烯-不饱和羧酸共聚物、乙烯-不饱和羧酸-不饱和羧酸烷基酯三元共聚物、乙烯-不饱和羧酸烷基酯共聚物、乙烯-乙烯酯共聚物、乙烯-不饱和羧酸烷基酯-一氧化碳共聚物、或它们的不饱和羧酸接枝物的单种或任意多种构成的混合物、上述乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物(a)等树脂组合物制膜的层。这些当中，从与由本实施方式的包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层的密合性和通用性的观点考虑，优选乙烯-不饱和羧酸共聚物、乙烯-不饱和羧酸-不饱和羧酸烷基酯三元共聚物、乙烯-不饱和羧酸烷基酯共聚物和这些共聚物的离聚物。
[0103]
作为本实施方式的基材膜1包含层叠构成的情况的例子，具体而言，可列举以下的2层构成、3层构成等基材膜。
[0104]
作为2层构成，可列举例如：
[0105]
(1)[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]、
[0106]
(2)[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-2)]、
[0107]
(3)[由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)构成的树脂层：(a-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]、
[0108]
(4)[由乙烯-不饱和羧酸系共聚物构成的树脂层：(c-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]等由相同树脂层或不同种树脂层构成的2层(第1层/第2层)构成。
[0109]
作为3层构成，可列举例如：
[0110]
(5)[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的
树脂层：(ab-1)]、
[0111]
(6)[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-2)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]、
[0112]
(7)[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]/[由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)构成的树脂层：(a-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]、
[0113]
(8)[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]/[由乙烯-不饱和羧酸系共聚物构成的树脂层(c-1)]/[本实施方式的由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)和聚酰胺树脂(b)的混合物构成的树脂层：(ab-1)]等由相同树脂层或不同种树脂层构成的3层(第1层/第2层/第3层)构成。
[0114]
[基材膜的制膜方法]
[0115]
作为本实施方式的基材膜1的制膜方法，可采用以往惯用的方法。将离聚物树脂(a)和聚酰胺树脂(b)、根据需要加入的其他成分熔融混炼而成的树脂组合物通过例如t模铸塑成型法、t模夹辊成型法、吹胀成型法、挤出层压法、压延成型法等各种成型方法加工为膜状即可。另外，基材膜1为由多层构成的层叠体的情况下，通过压延成型法、挤出法、吹胀成型法等方法分别将各层进行制膜，通过热层压或利用适宜粘接剂的粘接等方法将它们层叠，从而能够制造层叠体。作为上述粘接剂，可列举例如由选自前述各种乙烯共聚物或它们的不饱和羧酸接枝物的单种或任意多种构成的混合物等。另外，也可以通过共挤出层压法将各层的树脂组合物同时挤出而制造层叠体。需说明的是，以提高与后述粘着剂层2的密合性为目的，基材膜1的与粘着剂层2相接一侧的面可以实施电晕处理或等离子体处理等。另外，以基材膜1制膜时的卷绕稳定化、防止制膜后的粘连为目的，基材膜1的与粘着剂层2相接一侧的面的相反侧的面可以实施利用压花辊的压花处理等。
[0116]
(粘着剂层)
[0117]
关于本发明的切割胶带10中的作为第二构成要件的含有活性能量射线固化性粘着剂组合物的粘着剂层2，以下进行说明。
[0118]
[丙烯酸系粘着性聚合物]
[0119]
在活性能量射线固化性粘着剂组合物中作为主成分所含的丙烯酸系粘着性聚合物为具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物。该丙烯酸系粘着性聚合物在活性能量射线固化性粘着剂组合物的总质量中优选占90质量％以上，更优选占95质量％以上。
[0120]
上述具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物的详细情况在后文中描述，通常可通过如下方法获得：将(甲基)丙烯酸烷基酯单体和含羟基单体共聚而得到共聚物(具有羟基的丙烯酸系粘着性聚合物)作为基础聚合物，使具有能够与该共聚物所具有的羟基发生加成反应的异氰酸酯基和碳-碳双键的化合物(活性能量射线反
应性化合物)发生加成反应。
[0121]
上述具有羟基的丙烯酸系粘着性聚合物的主链(主骨架)中，如上所述，由作为共聚物成分的至少包含(甲基)丙烯酸烷基酯单体和含羟基单体的共聚物构成。并且，上述具有羟基的丙烯酸系粘着性聚合物(共聚物)按照主链的玻璃化转变温度(tg)为-65℃以上-50℃以下的范围的方式调整共聚物组成。在此，玻璃化转变温度(tg)是基于构成丙烯酸系粘着性聚合物的单体(单体)成分的组成，通过下述通式(1)所示的fox式算出的理论值。
[0122]
1/tg＝w1/tg1 w2/tg2
…
wn/tgnꢀꢀꢀꢀ
通式(1)
[0123]
[上述通式(1)中，tg为丙烯酸系粘着性聚合物的玻璃化转变温度(单位：k)，tgi(i＝1、2、
…
n)为单体i形成均聚物时的玻璃化转变温度(单位：k)，wi(i＝1、2、
…
n)表示单体i在全部单体成分中的质量分率。]
[0124]
均聚物的玻璃化转变温度(tg)可在例如“polymer handbook(聚合物手册)”(j.brandrup和e.h.immergut编、interscience publishers)等中找到。
[0125]
上述具有羟基的丙烯酸系粘着性聚合物(共聚物)的主链的玻璃化转变温度(tg)小于-65℃的情况下，包含该共聚物等的粘着剂层2变得过度柔软，有可能在紫外线照射后的拾取工序中，带芯片接合膜的半导体芯片难以从粘着剂层2剥离，有可能在芯片接合膜表面发生粘着剂残留(污染)。其结果是，半导体芯片的良品成品率降低。另一方面，上述玻璃化转变温度(tg)超过-50℃的情况下，包含它们的粘着剂层2的韧性降低，因此对芯片接合膜3的润湿性、追随性变差，有可能对芯片接合膜3的初始密合性变差，有可能低温下半导体晶片、芯片接合膜3被割断时的冲击力不能得到充分缓和而容易传递至粘着剂层2与芯片接合膜3的界面。其结果是，在冷扩展工序中，容易发生芯片接合膜3从粘着剂层2浮起，半导体芯片的良品成品率降低。上述玻璃化转变温度(tg)优选为-63℃以上-51℃以下的范围，更优选为-61℃以上-54℃以下的范围。
[0126]
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯单体，可列举例如碳数6～18的(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、或作为碳数5以下的单体的(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸甲酯等。这些当中，优选使用丙烯酸2-乙基己酯，相对于构成上述具有羟基的丙烯酸系粘着性聚合物(共聚物)的主链的单体成分总量，优选以40质量％以上85质量％以下的范围包含。
[0127]
另外，作为含羟基单体，可列举例如(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟基己酯、(甲基)丙烯酸8-羟基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羟基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羟基甲基环己基)甲酯等。使上述含羟基单体共聚的目的是：第一，设为用于通过加成反应对上述丙烯酸系粘着性聚合物导入后述的活性能量射线反应性碳-碳双键的加成反应点(-oh)；第二，设为用于与后述的多异氰酸酯系交联剂的异氰酸酯基(-nco)反应而将上述丙烯酸系粘着性聚合物进行高分子量化的交联反应点；第三，设为用于提高交联反应后的粘着剂层2与芯片接合膜3的初始密合性的活性点(极性点)时，当利用丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基
通过加成反应来导入活性能量射线反应性碳-碳双键的情况下，作为一个标准，上述羟基单体的含量优选事先调整为相对于共聚物单体成分总量在15质量％以上31质量％以下的范围内。即，将上述共聚物中的羟基单体的含量事先调整为上述范围内时，容易将作为本发明的粘着剂组合物涉及的构成要件的丙烯酸系粘着性聚合物的羟基值、后述的多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)、以及交联反应后的残留羟基浓度和活性能量射线反应性碳-碳双键浓度控制在上述预定范围，因而优选。
[0128]
上述具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物通过在将上述具有羟基的丙烯酸系粘着性聚合物共聚后，使具有能与该共聚物在侧链上所具有的羟基发生加成反应的异氰酸酯基和碳-碳双键的化合物(活性能量射线反应性化合物)进行加成反应的方法来获得，从其反应追踪的容易度(控制的稳定性)、技术难易度的观点考虑是最优选的。作为这样的具有异氰酸酯基和碳-碳双键的化合物(活性能量射线反应性化合物)，可列举例如具有(甲基)丙烯酰氧基的异氰酸酯化合物。具体而言，可列举2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、4-甲基丙烯酰氧基-正丁基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯等。
[0129]
上述加成反应中，为了维持碳-碳双键的活性能量射线反应性，优选使用阻聚剂。作为这样的阻聚剂，优选氢醌-单甲醚等醌系阻聚剂。阻聚剂的量没有特别限制，相对于丙烯酸系粘着性聚合物100质量份，通常优选为0.01质量份以上0.1质量份以下的范围。
[0130]
进行上述加成反应时，(1)为了通过之后添加的多异氰酸酯系交联剂使上述丙烯酸系粘着性聚合物交联、进一步使其高分子量化，(2)为了提高交联反应后的粘着剂层2与芯片接合膜3的初始密合性，需要使预定量的羟基残留在交联反应后的粘着剂组合物中。另外，另一方面，还需要将活性能量射线反应性碳-碳双键浓度控制在预定范围。需要考虑这两个观点时，例如在使具有(甲基)丙烯酰氧基的异氰酸酯化合物与在侧链具有羟基的共聚物反应的情况下，作为一个标准，该具有(甲基)丙烯酰氧基的异氰酸酯化合物优选使用相对于上述丙烯酸系粘着性聚合物所具有的含羟基单体成为37摩尔％以上85摩尔％以下范围的比例的量进行加成反应。
[0131]
上述丙烯酸系粘着性聚合物中，除了上述(甲基)丙烯酸烷基酯单体和含羟基单体以外，以调整粘着力、玻璃化转变温度(tg)等为目的，还可以根据需要共聚有其他共聚单体成分。作为这样的其他共聚单体成分，可列举例如(甲基)丙烯酸、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸、异巴豆酸等含羧基单体、马来酸酐、衣康酸酐等含酸酐基单体、(甲基)丙烯酰胺、n,n-二甲基(甲基)丙烯酰胺、n-丁基(甲基)丙烯酰胺、n-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、n-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺、n-甲氧基甲基(甲基)丙烯酰胺、n-丁氧基甲基(甲基)丙烯酰胺等酰胺系单体、(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸n,n-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸叔丁基氨基乙酯等含氨基单体、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含缩水甘油基单体等具有官能团的单体。这样的具有官能团的单体的含量没有特别限定，相对于共聚单体成分总量，优选为0.5质量％以上30质量％以下的范围。
[0132]
将这样的具有羟基以外的官能团的单体共聚的情况下，还可以利用该官能团在上述丙烯酸系粘着性聚合物中导入活性能量射线反应性碳-碳双键。例如，丙烯酸系粘着性聚合物在侧链具有羧基的情况下，通过与(甲基)丙烯酸缩水甘油酯、2-(1
‑アジリジニル
)乙基
(甲基)丙烯酸酯等活性能量射线反应性化合物反应的方法，能够在上述丙烯酸系粘着性聚合物中导入活性能量射线反应性碳-碳双键，丙烯酸系粘着性聚合物在侧链具有缩水甘油基的情况下，通过与(甲基)丙烯酸等活性能量射线反应性化合物反应的方法等，能够在上述丙烯酸系粘着性聚合物中导入活性能量射线反应性碳-碳双键。其中，使具有羟基以外的官能团的单体共聚并利用该官能团在丙烯酸系粘着性聚合物中导入活性能量射线反应性碳-碳双键的情况下，作为一个标准，同时被共聚的含羟基单体的含量优选事先调整为相对于共聚物单体成分总量为3质量％以上15质量％以下的范围。通过这样操作，变得容易将丙烯酸系粘着性聚合物的羟基值、后述的多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)以及交联反应后的残留羟基浓度控制在上述预定范围，因而优选。
[0133]
进一步，上述具有官能团的丙烯酸系粘着性聚合物中，以凝聚力和耐热性等为目的，在不损害本发明效果的范围内，还可以根据需要含有其他共聚单体成分。作为这样的其他共聚单体成分，具体而言，可列举例如(甲基)丙烯腈等含氰基单体，乙烯、丙烯、异戊二烯、丁二烯、异丁烯等烯烃系单体，苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等苯乙烯系单体，乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等乙烯酯系单体，甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚等乙烯基醚系单体，氯乙烯、偏二氯乙烯等含卤原子的单体，(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基的单体，n-乙烯基-2-吡咯烷酮、n-甲基乙烯基吡咯烷酮、n-乙烯基吡啶、n-乙烯基哌啶酮、n-乙烯基嘧啶、n-乙烯基哌嗪、n-乙烯基吡嗪、n-乙烯基吡咯、n-乙烯基咪唑、n-乙烯基噁唑、n-乙烯基吗啉、n-乙烯基己内酰胺、n-(甲基)丙烯酰基吗啉等具有含氮原子的环的单体。这些其他共聚单体成分可以单独使用，也可以组合使用两种以上。
[0134]
本实施方式中，作为使上述单体共聚而成的具有羟基的优选共聚物，具体而言，可列举丙烯酸2-乙基己酯与丙烯酸2-羟基乙酯的二元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸2-羟基乙酯与甲基丙烯酸的三元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正丁酯与丙烯酸2-羟基乙酯的三元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯与丙烯酸2-羟基乙酯的三元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸2-羟基乙酯与甲基丙烯酸的四元共聚物，丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸甲酯、丙烯酸2-羟基乙酯与甲基丙烯酸的四元共聚物等，但不特别限定于此。并且，优选对于这些优选的共聚物，使2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯作为具有(甲基)丙烯酰氧基的异氰酸酯化合物进行加成反应，制成具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物。
[0135]
如此得到的具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物的羟基值为12.0mgkoh/g以上55.0mgkoh/g以下的范围。上述羟基值小于12.0mgkoh/g的情况下，有可能粘着剂组合物中的交联反应后的残留羟基浓度变小，粘着剂层2对芯片接合膜3的初始密合性降低。其结果是，在冷扩展工序中，容易发生芯片接合膜3从粘着剂层2的浮起，半导体芯片的良品成品率降低。另一方面，上述羟基值超过55.0mgkoh/g的情况下，粘着剂组合物中的交联反应后的残留羟基浓度过度增大，粘着剂层2对芯片接合膜3的初始密合性有可能增大到必要以上的程度。其结果是，在紫外线照射后的拾取工序中，带芯片接合膜的半导体芯片变得难以从粘着剂层2剥离，半导体芯片的拾取成品率降低。上述羟基值优选为12.7mgkoh/g以上53.2mgkoh/g以下的范围，更优选为17.0mgkoh/g以上39.0mgkoh/g以下的范围。
[0136]
另外，上述具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物的酸值优选为0mgkoh/g以上9.0mgkoh/g以下的范围。若酸值在上述范围内，则不会妨碍由紫外线照射带来的粘着剂层2的粘着力降低的效果，能够抑制冷扩展工序中的芯片接合膜3从粘着剂层2的浮起。上述酸值优选为2.0mgkoh/g以上8.2mgkoh/g以下的范围，更优选为2.5mgkoh/g以上5.5mgkoh/g以下的范围。
[0137]
进一步，上述具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物优选具有20万以上60万以下范围的重均分子量mw。丙烯酸系粘着性聚合物的重均分子量mw小于20万的情况下，考虑到涂覆性等，难以获得数千cp以上数万cp以下的高粘度的活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物的溶液，因而不优选。另外，活性能量射线照射前的粘着剂层2的凝聚力变小，活性能量射线照射后将带芯片接合膜3的半导体芯片从粘着剂层2脱离时，有可能污染带芯片接合膜3的半导体晶片。另一方面，重均分子量mw超过60万的情况下，粘着剂层2对芯片接合膜3的润湿性、追随性降低，初始密合力降低，因此有可能在冷扩展工序中发生芯片接合膜3从粘着剂层2的浮起。在此，重均分子量mw是指通过凝胶渗透色谱测定的标准聚苯乙烯换算值。上述重均分子量mw优选为33万以上55万以下的范围，更优选为35万以上40万以下的范围。
[0138]
[交联剂]
[0139]
本实施方式的活性能量射线固化性粘着剂组合物中，为了上述具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物的高分子量化，进一步含有多异氰酸酯系交联剂。作为上述多异氰酸酯系交联剂，可列举例如具有异氰脲酸酯环的多异氰酸酯化合物、使三羟甲基丙烷与六亚甲基二异氰酸酯反应而成的加合物多异氰酸酯化合物、使三羟甲基丙烷与甲苯二异氰酸酯反应而成的加合物多异氰酸酯化合物、使三羟甲基丙烷与二甲苯二异氰酸酯反应而成的加合物多异氰酸酯化合物、使三羟甲基丙烷与异佛尔酮二异氰酸酯反应而成的加合物多异氰酸酯化合物等。它们可以使用一种或组合使用两种以上。这些当中，从通用性的观点考虑，优选使用使三羟甲基丙烷与甲苯二异氰酸酯反应而成的加合物多异氰酸酯化合物、和或使三羟甲基丙烷与六亚甲基二异氰酸酯反应而成的加合物多异氰酸酯化合物。
[0140]
关于上述多异氰酸酯系交联剂，相对于上述聚合物主链的玻璃化转变温度(tg)为-65℃以上-50℃以下的范围、羟基值为12.0mgkoh/g以上55.0mgkoh/g以下范围的具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物，按照上述多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与上述丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)成为0.02以上0.20以下的范围的方式调整其添加量。通过这样调整多异氰酸酯系交联剂的添加量，能够将每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物的交联反应后的残留羟基浓度控制在0.18mmol以上0.90mmol以下的范围。本发明中，所谓“1g活性能量射线固化性粘着剂组合物”，意思是“除去后述的光聚合引发剂后的粘着剂组合物(固体成分)1g”、即“由丙烯酸系粘着性聚合物和多异氰酸酯系交联剂构成的粘着剂组合物(固体成分)1g”。需说明的是，粘着剂组合物包含后述的其他成分的情况下，其他成分也加在粘着剂组合物的重量中。上述当量比(nco/oh)优选为0.04以上0.19以下的范围，更优选为0.07以上0.14以下的范围。
[0141]
在此，上述多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与上述丙烯酸系粘着
性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)是，用根据活性能量射线固化性粘着剂组合物中的多异氰酸酯系交联剂的含量和每1分子该多异氰酸酯系交联剂的异氰酸酯基的平均个数计算求出的异氰酸酯基的总摩尔数除以导入了活性能量射线反应性碳-碳双键后的丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基的总摩尔数而得到的理论计算值。该羟基的总摩尔数例如为，在使用用于对作为基础聚合物的具有羟基的丙烯酸系粘着性聚合物导入活性能量射线反应性碳-碳双键的具有(甲基)丙烯酰氧基的异氰酸酯化合物进行加成反应的情况下，从作为基础聚合物的丙烯酸系粘着性聚合物中的羟基总摩尔数减去通过与添加的具有(甲基)丙烯酰氧基的异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的交联反应而在理论上被消耗的羟基摩尔数(＝具有(甲基)丙烯酰氧基的异氰酸酯化合物的异氰酸酯基摩尔数)，从而得到的值。
[0142]
另外，同样地，每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物中的交联反应后的残留羟基浓度为，从具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基总摩尔数减去通过与添加的多异氰酸酯系交联剂的异氰酸酯基的交联反应而在理论上被消耗的羟基摩尔数(＝交联剂的异氰酸酯基摩尔数)，将所得的值换算成每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物，从而得到。
[0143]
上述当量比(nco/oh)小于0.02的情况下，粘着剂层2的凝聚力变得不足，在紫外线照射后的拾取工序中，带芯片接合膜3的半导体芯片有可能难以从粘着剂层2剥离，有可能在芯片接合膜表面发生粘着剂残留(污染)，有可能芯片接合膜3的割断性变差。另外，特别是在羟基值大的情况下，交联反应后的残留羟基浓度过度变大，粘着剂层2与芯片接合膜3的初始密合性增大至必要以上的程度，在紫外线照射后的拾取工序中，带芯片接合膜3的半导体芯片有可能难以从粘着剂层2剥离。其结果是，半导体芯片的良品成品率降低。另一方面，上述当量比(nco/oh)超过0.20的情况下，根据羟基值的大小，粘着剂层2的交联反应后的韧性过度降低，即，过度变硬，粘着剂层2对芯片接合膜3的润湿性、追随性变差，有可能对芯片接合膜3的初始密合性变差，有可能无法充分缓和通过冷扩展将半导体晶片、芯片接合膜3割断时的冲击力，该冲击力变得容易传递至粘着剂层2与芯片接合膜3的界面。其结果是，冷扩展工序中，容易发生芯片接合膜3从粘着剂层2的浮起，半导体芯片的良品成品率降低。
[0144]
若上述多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与上述丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)为0.02以上0.20以下的范围内，则容易将以聚合物主链的玻璃化转变温度(tg)为-65℃以上-50℃以下的范围、羟基值为12.0mgkoh/g以上55.0mgkoh/g以下的范围的丙烯酸系粘着性聚合物为主成分的活性能量射线固化性粘着剂组合物每1g的、交联反应后的残留羟基浓度控制在0.18mmol以上0.90mmol以下的范围。通过这样操作，该羟基与芯片接合膜3表面的二氧化硅填料等的相互作用提高，粘着剂层2与芯片接合膜3的初始密合性适度提高，进一步，能够抑制交联反应后的粘着剂层2自身的韧性发生必要以上程度的降低，能够适当地维持粘性和冲击缓和性。其结果是，冷扩展工序中，芯片接合膜3从粘着剂层2的浮起得以抑制，半导体芯片的良品成品率提高。上述残留羟基浓度优选为0.29mmol以上0.60mmol以下的范围，更优选为0.30mmol以上0.37mmol以下的范围。
[0145]
作为在由上述活性能量射线固化性粘着剂组合物形成粘着剂层2后，用于使上述多异氰酸酯系交联剂与上述具有羟基的丙烯酸系粘着性聚合物反应的老化条件，没有特别
限定，例如，适宜设定为温度在23℃以上80℃以下的范围、时间在24小时以上168小时以下的范围即可。
[0146]
[光聚合引发剂]
[0147]
本实施方式的活性能量射线固化性粘着剂组合物包含通过活性能量射线的照射而产生自由基的光聚合引发剂。光聚合引发剂感受到对活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物的活性能量射线照射而产生自由基，引发活性能量射线固化性丙烯酸系粘着性聚合物所具有的碳-碳双键的交联反应。
[0148]
作为上述光聚合引发剂，没有特别限定，可使用以往公知的物质。可列举例如烷基苯酮系自由基聚合引发剂、酰基氧化膦系自由基聚合引发剂、肟酯系自由基聚合引发剂等。作为烷基苯酮系自由基聚合引发剂，可列举苯偶酰甲基缩酮系自由基聚合引发剂、α-羟基烷基苯酮系自由基聚合引发剂、氨基烷基苯酮系自由基聚合引发剂等。作为苯偶酰甲基缩酮系自由基聚合引发剂，具体而言，例如可列举2,2
’‑
二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮(例如，商品名omnirad 651、igm resins b.v.公司制)等。作为α-羟基烷基苯酮系自由基聚合引发剂，具体而言，可列举例如2-羟基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮(商品名omnirad 1173、igm resins b.v.公司制)、1-羟基环己基苯基酮(商品名omnirad 184、igm resins b.v.公司制)、1-[4-(2-羟基乙氧基)苯基]-2-羟基-2-甲基-1-丙烷-1-酮(商品名omnirad2959、igm resins b.v.公司制)、2-羟基-1-{4-[4-(2-羟基-2-甲基丙酰基)苄基]苯基}-2-甲基丙烷-1-酮(商品名omnirad 127、igm resins b.v.公司制)等。作为氨基烷基苯酮系自由基聚合引发剂，具体而言，可列举例如2-甲基-1-(4-甲基硫代苯基)-2-吗啉代丙烷-1-酮(商品名omnirad 907、igm resins b.v.公司制)或2-苄基甲基2-二甲基氨基-1-(4-吗啉代苯基)-1-丁酮(商品名omnirad 369、igm resins b.v.公司制)等。作为酰基氧化膦系自由基聚合引发剂，具体而言，可列举例如2,4,6-三甲基苯甲酰基-二苯基氧化膦(商品名omnirad tpo、igm resins b.v.公司制)、双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)-苯基氧化膦(商品名omnirad 819、igm resins b.v.公司制)，作为肟酯系自由基聚合引发剂，可列举(2e)-2-(苯甲酰氧基亚氨基)-1-[4-(苯基硫代)苯基]辛烷-1-酮(商品名omnirad oxe-01、igm resins b.v.公司制)等。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用两种以上。
[0149]
作为上述光聚合引发剂的添加量，相对于上述活性能量射线固化性丙烯酸系粘着性聚合物的固体成分100质量份，优选为0.1质量份以上10.0质量份以下的范围。光聚合引发剂的添加量小于0.1质量份的情况下，对于活性能量射线的光反应性不足，因此即使照射活性能量射线也不能充分引起丙烯酸系粘着性聚合物的光自由基交联反应，其结果是，活性能量射线照射后的粘着剂层2的粘着力降低效果变小，半导体芯片的拾取不良有可能增大。另一方面，光聚合引发剂的添加量超过10.0质量份的情况下，其效果饱和，从经济性的观点考虑也不优选。另外，根据光聚合引发剂的种类，有时粘着剂层2发生黄变而变得外观不良。
[0150]
另外，作为这样的光聚合引发剂的敏化剂，可将二甲基氨基乙基甲基丙烯酸酯、4-二甲基氨基苯甲酸异戊酯等化合物添加至活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物中。
[0151]
[其他]
[0152]
本实施方式的活性能量射线固化性粘着剂组合物可以在不损害本发明的效果的范围内，根据需要另外添加活性能量射线固化性化合物(例如，多官能的氨基甲酸酯丙烯酸
酯系低聚物等)、增粘剂、填充剂、抗老化剂、着色剂、阻燃剂、抗静电剂、表面活性剂、硅烷偶联剂、流平剂等添加剂。
[0153]
[活性能量射线反应性碳-碳双键浓度]
[0154]
本实施方式的活性能量射线固化性粘着剂组合物中，按照活性能量射线反应性碳-碳双键浓度相对于1g活性能量射线固化性粘着剂组合物成为0.85mmol以上1.60mmol以下的范围的方式进行调整。若每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物的活性能量射线反应性碳-碳双键浓度小于0.85mmol，则在上述每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物中的交联反应后的残留羟基浓度大时，紫外线照射后的粘着剂层2的粘着力不会充分降低，有可能变得在拾取工序中难以将带芯片接合膜3的半导体芯片从粘着剂层2剥离。另一方面，在每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物的活性能量射线反应性碳-碳双键浓度超过1.60mmol时，有可能难以确保上述每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物的、交联反应后的残留羟基浓度，有时根据丙烯酸系粘着性聚合物的共聚组成而在合成时的聚合或反应时变得容易凝胶化，合成变得困难。需说明的是，在确认丙烯酸系粘着性聚合物的碳-碳双键含量的情况下，可以通过测定丙烯酸系粘着性聚合物的碘值来算出碳-碳双键含量。
[0155]
若活性能量射线反应性碳-碳双键浓度相对于1g活性能量射线固化性粘着剂组合物为0.85mmol以上1.60mmol以下的范围内，则即使在应用提高了上述粘着剂层2对芯片接合膜3的初始密合性和粘着剂层2自身的韧性的包含活性能量射线固化性粘着剂组合物的粘着剂层2的情况下，紫外线照射后的粘着剂层2对芯片接合膜3的粘着力充分降低，带芯片接合膜3的半导体芯片从粘着剂层2的剥离(拾取性)变得良好。上述活性能量射线反应性碳-碳双键浓度相对于1g活性能量射线固化性粘着剂组合物优选为1.02mmol以上1.51mmol以下的范围。
[0156]
[粘着剂层的厚度]
[0157]
本实施方式的粘着剂层2的厚度没有特别限定，优选为5μm以上50μm以下的范围，更优选6μm以上20μm以下的范围，特别优选7μm以上15μm以下的范围。粘着剂层2的厚度小于5μm的情况下，有可能切割胶带10的粘着力过度降低。该情况下，冷扩展工序中，容易发生芯片接合膜3从粘着剂层2的浮起，半导体芯片的良品成品率降低。另外，作为切割芯片接合膜使用时，有时发生粘着剂层2与芯片接合膜3的密合不良。另一方面，粘着剂层2的厚度超过50μm的情况下，有可能对切割胶带10进行冷扩展时产生的内部应力难以作为外部应力传递至带芯片接合膜3的半导体晶片，该情况下，在切割工序中带芯片接合膜3的半导体芯片的割断成品率有可能降低。另外，从经济性的观点考虑，在实用上也不怎么优选。
[0158]
(锚固涂布层)
[0159]
就本实施方式的切割胶带10而言，在不损害本发明的效果的范围内，根据切割胶带10的制造条件、制造后的切割胶带10的使用条件等，可以在基材膜1与粘着剂层2之间，根据基材膜1的组成而设置锚固涂布层。通过设置锚固涂布层，基材膜1与粘着剂层2的密合力提高。
[0160]
(剥离衬垫)
[0161]
另外，在粘着剂层2的与基材膜1相反的表面侧(一方的表面侧)，根据需要可设置剥离衬垫。可作为剥离衬垫使用的材料没有特别限制，可列举例如聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等合成树脂、纸类等。另外，在剥离衬垫的表面，为了提高粘着剂层2的剥离
性，可以实施利用有机硅系剥离处理剂、长链烷基系剥离处理剂、氟系剥离处理剂等的剥离处理。剥离衬垫的厚度没有特别限定，可优选使用10μm以上200μm以下范围的剥离衬垫。
[0162]
(切割胶带的制造方法)
[0163]
图4为对切割胶带10的制造方法进行说明的流程图。首先，准备剥离衬垫(步骤s101：剥离衬垫准备工序)。接下来，制作作为粘着剂层2的形成材料的粘着剂层2用的涂布溶液(粘着剂层形成用涂布溶液)(步骤s102：涂布溶液制作工序)。涂布溶液例如可以通过将作为粘着剂层2的构成成分的丙烯酸系粘着性聚合物、交联剂与稀释溶剂均匀地混合搅拌来制作。作为溶剂，可使用例如甲苯、乙酸乙酯等通用的有机溶剂。
[0164]
然后，使用步骤s102中制作的粘着剂层2用的涂布溶液，在剥离衬垫的剥离处理面上涂布该涂布溶液并干燥，形成预定厚度的粘着剂层2(步骤s103：粘着剂层形成工序)。作为涂布方法，没有特别限定，可使用例如模涂机、缺角轮涂布机(注册商标)、凹版涂布机、辊涂机、反向涂布机等来涂布。另外，作为干燥条件，没有特别限定，优选在例如干燥温度80℃以上150℃以下的范围内、干燥时间0.5分钟以上5分钟以下的范围内进行。接下来，准备基材膜1(步骤s104：基材膜准备工序)。然后，在形成于剥离衬垫上的粘着剂层2上，贴合基材膜1(步骤s105：基材膜贴合工序)。最后，将所形成的粘着剂层2例如在40℃的环境下老化72小时，使其与丙烯酸系粘着性聚合物和交联剂反应，从而使其交联、固化(步骤s106：热固化工序)。通过以上的工序，能够制造在基材膜1上从基材膜侧起依次具备粘着剂层2、剥离衬垫的切割胶带10。需说明的是，本发明中，在粘着剂层2上具备剥离衬垫的层叠体有时也称为切割胶带10。
[0165]
需说明的是，作为在上述基材膜1上形成粘着剂层2的方法，例示了在剥离衬垫上涂布粘着剂层2用的涂布溶液并干燥，然后在粘着剂层2上贴合基材膜1的方法，也可以采用直接在基材膜1上涂布粘着剂层2用的涂布溶液并进行干燥的方法。从稳定生产的观点考虑，优选使用前者的方法。
[0166]
上述切割胶带10的详细情况在后文中描述，优选：粘着剂层2对芯片接合膜3的23℃时的紫外线照射后低角度粘着力(剥离角度30
°
、剥离速度600mm/分钟)为0.95n/25mm以下，粘着剂层2对芯片接合膜3的-30℃时的紫外线照射前剪切粘接力(拉伸速度1,000mm/分钟)为100.0n/100mm2以上。
[0167]
本实施方式的切割胶带10可以是卷成卷状的形态、宽度宽的片材进行层叠的形态。另外，也可以是将这些形态的切割胶带10切断为预定大小而形成的片状或带状的形态。
[0168]
《切割芯片接合膜》
[0169]
根据本发明的第2方面，关于本实施方式的切割胶带10，在半导体制造工序中，也可以作为在切割胶带10的粘着剂层2上可剥离地密合、层叠芯片接合膜(粘接剂层)3而成的切割芯片接合膜20的形式使用。芯片接合膜(粘接剂层)3用于将通过冷扩展而割断、单片化的半导体芯片粘接、连接于引线框、配线基板(支撑基板)。另外，层叠半导体芯片的情况下，还发挥半导体芯片彼此的粘接剂层的作用。该情况下，第一段的半导体芯片通过芯片接合膜(粘接剂层)3而粘接于形成有端子的半导体芯片搭载用配线基板，在第一段的半导体芯片上，进一步通过芯片接合膜(粘接剂层)3而粘接有第二段的半导体芯片。第一段的半导体芯片和第二段的半导体芯片的连接端子通过引线而与外部连接端子电连接，但第一段的半导体芯片用的引线在压接(芯片接合)时被埋入芯片接合膜(粘接剂层)3、即前述引线埋入
型芯片接合膜(粘接剂层)3中。以下，对于作为切割芯片接合膜20的形式使用本实施方式的切割胶带10的情况下的芯片接合膜(粘接剂层)3示出一例，但不特别限定于该例子。
[0170]
(芯片接合膜)
[0171]
上述芯片接合膜(粘接剂层)3是由通过热而固化的热固化型的粘接剂组合物构成的层。作为上述粘接剂组合物，没有特别限定，可使用以往公知的材料。作为上述粘接剂组合物的优选方式的一例，例如，作为热塑性树脂，可列举含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物，作为热固性树脂，可列举环氧树脂、以及在包含酚醛树脂作为对该环氧树脂的固化剂的树脂组合物中添加固化促进剂、无机填料、硅烷偶联剂等而成的热固性粘接剂组合物。由这样的热固性粘接剂组合物构成的芯片接合膜(粘接剂层)3具有如下特征等：半导体芯片/支撑基板间、半导体芯片/半导体芯片间的粘接性优异，另外还能够赋予电极埋入性和/或引线埋入性等，且能够在芯片接合工序中以低温粘接，在短时间内可获得优异的固化，通过密封剂被模塑后具有优异的可靠性，因此是优选的。
[0172]
以引线未埋入粘接剂层中的形态使用的通用芯片接合膜和以引线埋入粘接剂层中的形态使用的引线埋入型芯片接合膜中，关于构成其粘接剂组合物的材料的种类，多数基本相同，通过根据各自的目的来变更所使用的材料的配合比例、各个材料的物性、特性等，从而按要求定制成通用芯片接合膜用或引线埋入型芯片接合膜用。另外，作为最终的半导体装置的可靠性没有问题的情况下，引线埋入型芯片接合膜也有时作为通用芯片接合膜使用。即，引线埋入型芯片接合膜不限定为引线埋入用途，也同样地能够用于将半导体芯片粘接于具有因配线等引起的凹凸的基板、引线框等金属基板等的用途。
[0173]
(通用芯片接合膜用粘接剂组合物)
[0174]
首先，针对通用芯片接合膜用粘接剂组合物的一例进行说明，但不特别限定于该例子。作为由粘接剂组合物形成的芯片接合膜3的芯片接合时的流动性指标，例如可列举80℃时的剪切粘度特性，通用芯片接合膜的情况下，通常，80℃时的剪切粘度显示20,000pa
·
s以上40,000pa
·
s以下的范围、优选25,000pa
·
s以上35,000pa
·
s以下范围的值。作为上述通用芯片接合膜用粘接剂组合物的优选方式的一例，可列举如下的粘接剂组合物：将作为粘接剂组合物的树脂成分的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计量设为基准100质量份的情况下，(a)以树脂成分总量成为100质量份的方式调整为包含52质量份以上90质量份以下范围的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、5质量份以上25质量份以下范围的上述环氧树脂、5质量份以上23质量份以下范围的上述酚醛树脂，(b)相对于上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计量100质量份，包含0.1质量份以上0.3质量份以下范围的固化促进剂，(c)相对于上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计量100质量份，包含5质量份以上20质量份以下范围的无机填料。
[0175]
[含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物]
[0176]
上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物优选至少包含具有碳数1～8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯和(甲基)丙烯酸缩水甘油酯作为共聚物单元。从确保适当的粘接力的观点考虑，在含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物总量中，优选以0.5质量％以上6.0质量％以下的范围包含上述(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物单元，更优选以2.0质量％以上4.0质量％以下的范围包含。另外，从调整玻璃化转变温度(tg)的观点考虑，含有
缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物也可以根据需要包含苯乙烯、丙烯腈等其他单体作为共聚物单元。
[0177]
作为上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物的玻璃化转变温度(tg)，优选为-50℃以上30℃以下的范围，从提高作为芯片接合膜的处理性(粘性抑制)的观点考虑，更优选为-10℃以上30℃以下的范围。为了将含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物设为这样的玻璃化转变温度，优选使用(甲基)丙烯酸乙酯和/或(甲基)丙烯酸丁酯作为上述具有碳数1～8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯。
[0178]
上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物的重均分子量mw优选为50万以上200万以下的范围，更优选为70万以上100万以下的范围。若重均分子量mw为上述范围内，则容易使粘接力、耐热性、流动性适当。在此，重均分子量mw是指通过凝胶渗透色谱测定的标准聚苯乙烯换算值。
[0179]
关于上述芯片接合膜(粘接剂层)3中的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物的含有比例，当将粘接剂组合物中的作为树脂成分的该含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、后述的环氧树脂和酚醛树脂的合计量设为基准100质量份的情况下，优选为52质量份以上90质量份以下的范围，更优选为60质量份以上80质量份以下的范围。
[0180]
[环氧树脂]
[0181]
作为环氧树脂，没有特别限定，可列举例如双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、双酚s型环氧树脂、脂环式环氧树脂、脂肪族链状环氧树脂、苯酚酚醛清漆型环氧树脂、烷基苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、双酚a酚醛清漆型环氧树脂、联苯酚的二缩水甘油醚化物、萘二醇的二缩水甘油醚化物、苯酚类的二缩水甘油醚化物、醇类的二缩水甘油醚化物和它们的烷基取代物、卤代物、氢化物等二官能环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂等。另外，也可以使用多官能环氧树脂和含杂环的环氧树脂等通常知晓的其他环氧树脂。它们可以单独使用，也可以组合使用两种以上。
[0182]
从粘接力、耐热性的观点考虑，上述环氧树脂的软化点优选为70℃以上130℃以下的范围。另外，从使得后述的与酚醛树脂的固化反应充分进行这样的观点考虑，上述环氧树脂的环氧当量优选为100以上300以下的范围。
[0183]
关于上述芯片接合膜(粘接剂层)3中的上述环氧树脂的含有比例，从在芯片接合膜(粘接剂层)3中适当地表现作为热固化型粘接剂的功能这样的观点考虑，当将粘接剂组合物中的作为树脂成分的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、该环氧树脂和后述的酚醛树脂的合计量设为基准100质量份时，优选为5质量份以上25质量份以下的范围，更优选为10质量份以上20质量份以下的范围。
[0184]
[酚醛树脂：对环氧树脂的固化剂]
[0185]
作为对环氧树脂的固化剂，没有特别限定，可列举例如使苯酚化合物与作为2价连接基团的二甲苯化合物在无催化剂或酸催化剂的存在下反应而能够得到的酚醛树脂。作为上述酚醛树脂，可列举例如酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶型酚醛树脂和聚对氧基苯乙烯等聚氧苯乙烯等。作为酚醛清漆型酚醛树脂，可列举例如苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂和壬基苯酚酚醛清漆树脂等。这些酚醛树脂可以单独使用，也可以组合使用两种以上。这些酚醛树脂当中，苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂具有提高芯片接合膜(粘接剂层)3的连接可靠性的倾向，因此适合使用。
[0186]
从粘接力、耐热性的观点考虑，上述酚醛树脂的软化点优选为70℃以上90℃以下的范围。另外，从使得与环氧树脂的固化反应充分进行这样的观点考虑，上述酚醛树脂的羟基当量优选为100以上200以下的范围。
[0187]
从使得上述热固性树脂组合物中的环氧树脂与酚醛树脂的固化反应充分进行这样的观点考虑，相对于全部环氧树脂成分中的环氧基1当量，酚醛树脂优选以该全部酚醛树脂成分中的羟基优选为0.5当量以上2.0当量以下、更优选为0.8当量以上1.2当量以下的范围的量进行配合。由于依赖于各个树脂的官能团当量，因而不能一概而论，例如，当将粘接剂组合物中的作为树脂成分的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、上述环氧树脂和该酚醛树脂的合计量设为基准100质量份时，酚醛树脂的含有比例优选为5质量份以上23质量份以下的范围。
[0188]
[固化促进剂]
[0189]
另外，上述热固性树脂组合物中，可以根据需要添加叔胺、咪唑类、季铵盐类等的固化促进剂。作为这样的固化促进剂，具体而言，可列举例如2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑、1-氰乙基-2-苯基咪唑鎓偏苯三酸盐等，它们可以单独使用，也可以组合使用两种以上。上述固化促进剂的添加量相对于上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计100质量份优选为0.1质量份以上0.3质量份以下的范围。
[0190]
[无机填料]
[0191]
另外进一步，上述热固性树脂组合物中，从控制芯片接合膜(粘接剂层)3的流动性、提高弹性模量的观点考虑，可以根据需要添加无机填料。作为无机填料，可列举例如氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、晶质二氧化硅、非晶质二氧化硅等，它们也可以并用一种或两种以上。这些当中，从通用性的观点考虑，优选使用晶质二氧化硅、非晶质二氧化硅等。具体而言，例如，优选使用平均粒径为纳米尺寸的aerosil(注册商标：超微粒干式二氧化硅)。当上述作为树脂成分的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、环氧树脂和酚醛树脂的合计量设为基准100质量份时，上述芯片接合膜(粘接剂层)3中的上述无机填料的含有比例优选为5质量份以上20质量份以下的范围。
[0192]
[硅烷偶联剂]
[0193]
另外进一步，上述热固性树脂组合物中，从提高对被粘物的粘接力的观点考虑，可以根据需要添加硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，可列举例如β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和γ-缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷，它们也可以并用一种或两种以上。上述硅烷偶联剂的添加量相对于上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计100质量份优选为1.0质量份以上7.0质量份以下的范围。
[0194]
[其他]
[0195]
另外进一步，上述热固性树脂组合物中，在不损害作为芯片接合膜的功能的范围内，还可以添加阻燃剂、离子掺杂剂等。作为阻燃剂，可列举例如三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂等。作为离子掺杂剂，可列举例如水滑石类、氢氧化铋、含氢氧化锑、特定结构的磷酸锆、硅酸镁、硅酸铝、三唑系化合物、四唑系化合物和联吡啶系化合物等。
[0196]
(引线埋入型芯片接合膜用粘接剂组合物)
[0197]
接下来，对引线埋入型芯片接合膜用粘接剂组合物的一例进行说明，但不特别限
定于该例子。作为由粘接剂组合物形成的芯片接合膜3的芯片接合时的流动性指标，可列举例如80℃时的剪切粘度特性，引线埋入型芯片接合膜的情况下，通常，80℃时的剪切粘度显示200pa
·
s以上11,000pa
·
s以下的范围、优选2,000pa
·
s以上7,000pa
·
s以下的范围的值。作为上述引线埋入型芯片接合膜用粘接剂组合物的优选方式的一例，可列举如下的粘接剂组合物：当将作为粘接剂组合物的树脂成分的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计量设为基准100质量份时，(a)以树脂成分总量成为100质量份的方式调整为以17质量份以上51质量份以下的范围包含上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物，以30质量份以上64质量份以下的范围包含上述环氧树脂，以19质量份以上53质量份以下的范围包含上述酚醛树脂，(b)相对于上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计量100质量份，以0.01质量份以上0.07质量份以下的范围包含固化促进剂，(c)相对于上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计量100质量份，以10质量份以上80质量份以下的范围包含无机填料。
[0198]
[含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物]
[0199]
上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物中，优选至少包含具有碳数1～8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯和(甲基)丙烯酸缩水甘油酯作为共聚物单元。引线埋入型芯片接合膜的情况下，由于需要实现提高芯片接合时的流动性和确保固化后的粘接强度的兼顾，因此优选并用(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物单元比率高且分子量低的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(a)、与(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物单元比率低且分子量高的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(b)，并用时前者的(a)成分优选包含一定量以上。
[0200]
即，引线埋入型芯片接合膜用粘接剂组合物中的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物具体而言优选由“在含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物总量中以5.0质量％以上15.0质量％以下的范围包含(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物单元、玻璃化转变温度(tg)为-50℃以上30℃以下的范围、且重均分子量mw为10万以上40万以下的范围的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(a)”和“在含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物总量中以1.0质量％以上7.0质量％以下的范围包含(甲基)丙烯酸缩水甘油酯的共聚物单元、玻璃化转变温度(tg)为-50℃以上30℃以下的范围、且重均分子量mw为50万以上90万以下的范围的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(b)”的混合物构成。在此，重均分子量mw是指通过凝胶渗透色谱测定的标准聚苯乙烯换算值。
[0201]
上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(a)的含有比例优选为含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物总量((a)和(b)的合计)中的60质量％以上90质量％以下的范围。另外，从调整玻璃化转变温度(tg)的观点考虑，含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物可以根据需要包含苯乙烯、丙烯腈等其他单体作为共聚物单元。
[0202]
作为上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物整体的玻璃化转变温度(tg)，优选为-50℃以上30℃以下的范围，从提高作为芯片接合膜的处理性(抑制粘性)的观点考虑，更优选为-10℃以上30℃以下的范围。为了将含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物设为这样的玻璃化转变温度，作为上述具有碳数1～8的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯，优选使用(甲基)丙烯酸乙酯和/或(甲基)丙烯酸丁酯。
[0203]
关于上述引线埋入型芯片接合膜(粘接剂层)3中的上述含有缩水甘油基的(甲基)
丙烯酸酯共聚物总量((a)和(b)的合计)的含有比例，从芯片接合时的流动性和固化后的粘接强度的观点考虑，当将粘接剂组合物中的作为树脂成分的该含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、后述的环氧树脂和酚醛树脂的合计量设为基准100质量份时，优选为17质量份以上51质量份以下的范围，更优选为20质量份以上45质量份以下的范围。
[0204]
[环氧树脂]
[0205]
作为环氧树脂，没有特别限定，可使用与上述作为通用芯片接合膜用粘接剂组合物用的环氧树脂而例示的物质相同的物质。它们可以单独使用，也可以组合使用两种以上，引线埋入型芯片接合膜的情况下，由于需要在确保粘接强度的同时抑制粘接面中的空隙发生、并且赋予引线的良好埋入性，因此优选在控制其流动性、弹性模量的基础上，组合使用两种以上的环氧树脂。
[0206]
作为引线埋入型芯片接合膜(粘接剂层)3中使用的环氧树脂的优选方式，可列举由常温时为液态的环氧树脂(c)和软化点为98℃以下、优选85℃以下的环氧树脂(d)的混合物构成的环氧树脂。上述常温时为液态的环氧树脂(c)的含有比例优选为环氧树脂总量((c)和(d)的合计)中的15质量％以上75质量％以下的范围，更优选为30质量％以上50质量％以下的范围。从使得后述与酚醛树脂的固化反应充分进行这样的观点考虑，上述环氧树脂的环氧当量优选为100以上300以下的范围。
[0207]
关于上述芯片接合膜(粘接剂层)3中的上述环氧树脂的含有比例，从在芯片接合膜(粘接剂层)3中适当表现作为热固化型粘接剂的功能这样的观点考虑，当将粘接剂组合物中的作为树脂成分的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、该环氧树脂和后述酚醛树脂的合计量设为基准100质量份时，优选为30质量份以上64质量份以下的范围，更优选为35质量份以上50质量份以下的范围。
[0208]
[酚醛树脂：对环氧树脂的固化剂]
[0209]
作为对环氧树脂的固化剂，没有特别限定，同样可使用与上述作为通用芯片接合膜用粘接剂组合物用的酚醛树脂而例示的物质相同的物质。从粘接力、流动性的观点考虑，上述酚醛树脂的软化点优选为70℃以上115℃以下的范围。另外，从使得与环氧树脂的固化反应充分进行这样的观点考虑，上述酚醛树脂的羟基当量优选为100以上200以下的范围。
[0210]
从使得上述热固性树脂组合物中的环氧树脂与酚醛树脂的固化反应充分进行这样的观点考虑，相对于全部环氧树脂成分中的环氧基1当量，酚醛树脂优选以该全部酚醛树脂成分中的羟基优选为0.5当量以上2.0当量以下的范围的量进行配合，从兼顾芯片接合时的流动性这样的观点考虑，更优选以0.6当量以上1.0当量以下的范围的量进行配合。由于依赖于各个树脂的官能团当量，因此不能一概而论，例如，当将粘接剂组合物中的作为树脂成分的上述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、上述环氧树脂和该酚醛树脂的合计量设为基准100质量份的情况下，酚醛树脂的含有比例优选为19质量份以上53质量份以下的范围。
[0211]
[固化促进剂]
[0212]
另外，上述热固性树脂组合物中，可以根据需要添加叔胺、咪唑类、季铵盐类等固化促进剂。作为这样的固化促进剂，可以同样地使用与上述作为通用芯片接合膜用粘接剂组合物用的固化促进剂而例示的物质相同的物质。从抑制粘接面中的空隙产生的观点考虑，上述固化促进剂的添加量相对于上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计100质量份优选
为0.01质量份以上0.07质量份以下的范围。
[0213]
[无机填料]
[0214]
另外进一步，从芯片接合膜(粘接剂层)3的处理性提高、芯片接合时的流动性调整、触变性赋予、粘接强度提高等的观点考虑，上述热固性树脂组合物中可以根据需要添加无机填料。作为无机填料，可以同样地使用与上述作为通用芯片接合膜用粘接剂组合物用的无机填料而例示的物质相同的物质，这些当中，从通用性的观点考虑，优选使用二氧化硅填料。关于上述芯片接合膜(粘接剂层)3中的上述无机填料的含有比例，从芯片接合时的流动性、冷扩展时的割断性和粘接强度的观点考虑，当将上述作为树脂成分的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、环氧树脂和酚醛树脂的合计量设为基准100质量份时，优选为10质量份以上80质量份以下的范围，更优选15质量份以上50质量份以下的范围。
[0215]
关于上述无机填料，以提高芯片接合膜(粘接剂层)3的冷扩展时的割断性、充分表现固化后的粘接力为目的，优选混合平均粒径不同的两种以上的无机填料。具体而言，优选使用平均粒径为0.1μm以上5μm以下的范围的无机填料，作为以无机填料的总质量为基准计占80质量％以上的比例的主要的无机填料成分。当需要抑制由于芯片接合膜(粘接剂层)3的流动性过度提高导致的半导体芯片制造工序中的粘接剂层3的发泡、提高固化后的粘接强度的情况下，可以将平均粒径小于0.1μm的无机填料以无机填料的总质量为基准计以20质量％以下的配合量与上述主要无机填料成分并用。
[0216]
[硅烷偶联剂]
[0217]
另外进一步，上述热固性树脂组合物中，从提高对被粘物的粘接力的观点考虑，可以根据需要添加硅烷偶联剂。作为硅烷偶联剂，可以同样地使用与上述作为通用芯片接合膜用粘接剂组合物用的硅烷偶联剂而例示的物质相同的物质。关于上述硅烷偶联剂的添加量，从抑制粘接面中的空隙产生的观点考虑，相对于上述环氧树脂和上述酚醛树脂的合计100质量份，优选为0.5质量份以上2.0质量份以下的范围。
[0218]
[其他]
[0219]
另外进一步，上述热固性树脂组合物中，在不损害作为芯片接合膜3的功能的范围内，可以添加阻燃剂、离子掺杂剂等。作为这些阻燃剂、离子掺杂剂，可以同样地使用与上述作为通用芯片接合膜用粘接剂组合物用的阻燃剂、离子掺杂剂而例示的物质相同的物质。
[0220]
(芯片接合膜(粘接剂层)的厚度)
[0221]
上述芯片接合膜(粘接剂层)3的厚度没有特别限定，为了确保粘接强度、适当地埋入半导体芯片连接用的引线，或为了充分填充基板的配线电路等的凹凸，优选为5μm以上200μm以下的范围。若芯片接合膜(粘接剂层)3的厚度小于5μm，则有可能半导体芯片与引线框、配线基板等的粘接力变得不足。另一方面，若芯片接合膜(粘接剂层)3的厚度超过200μm，则是不经济的，并且对半导体装置的小型薄膜化的应对容易变得不足。需说明的是，在粘接性高、另外能够使半导体装置薄型化的方面来说，膜状粘接剂的膜厚更优选为10μm以上100μm以下的范围，特别优选为20μm以上75μm以下的范围。
[0222]
更具体而言，作为用作通用芯片接合膜(粘接剂层)时的厚度，例如为5μm以上且小于30μm的范围、特别优选为10μm以上25μm以下的范围，作为用作引线埋入型芯片接合膜(粘接剂层)时的厚度，例如为30μm以上100μm以下的范围，特别优选为40μm以上80μm以下的范围。
[0223]
(芯片接合膜的制造方法)
[0224]
上述芯片接合膜(粘接剂层)3例如如以下那样操作来制造。首先，准备剥离衬垫。需说明的是，作为该剥离衬垫，可以使用与配置在切割胶带10的粘着剂层2上的剥离衬垫相同的剥离衬垫。接下来，制作作为芯片接合膜(粘接剂层)3的形成材料的芯片接合膜(粘接剂层)3用的涂布溶液。涂布溶液例如可以通过将包含上述那样的作为芯片接合膜(粘接剂层)3的构成成分的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、环氧树脂、对环氧树脂的固化剂、无机填料、固化促进剂和硅烷偶联剂等的热固性树脂组合物与稀释溶剂均匀地混合分散从而制作。作为溶剂，可使用例如甲基乙基酮、环己酮等通用的有机溶剂。
[0225]
接下来，对于芯片接合膜(粘接剂层)3用的涂布溶液，在成为临时支撑体的上述剥离衬垫的剥离处理面上涂布该涂布溶液并干燥，形成预定厚度的芯片接合膜(粘接剂层)3。然后，将另外的剥离衬垫的剥离处理面贴合在芯片接合膜(粘接剂层)3上。作为涂布方法没有特别限定，可使用例如模涂机、缺角轮涂布机(注册商标)、凹版涂布机、辊涂机、反向涂布机等来涂布。另外，作为干燥条件，例如，优选在干燥温度60℃以上200℃以下的范围内、干燥时间1分钟以上90分钟以下的范围内进行。需说明的是，本发明中，在芯片接合膜(粘接剂层)3的两面或单面具备剥离衬垫的层叠体也有时称为芯片接合膜(粘接剂层)3。
[0226]
从提高拾取性的观点考虑，上述切割胶带10的粘着剂层2对上述芯片接合膜3的在23℃时的紫外线照射后低角度粘着力优选为0.95n/25mm以下，更优选为0.85n/25mm以下，进一步优选为0.70n/25mm以下。从提高拾取性的观点考虑，上述紫外线照射后低角度粘着力越小则越优选，而在将带芯片接合膜3的半导体芯片30a从切割胶带10拾取之前的阶段，从能够抑制带芯片接合膜3的半导体芯片30a从切割胶带10非有意地剥离或偏离，能够更好地进行拾取这样的观点考虑，优选为0.05n/25mm以上。另外，关于上述切割胶带10的粘着剂层2对于上述芯片接合膜3的在-30℃时的紫外线照射前剪切粘接力，从兼顾抑制扩展后的芯片接合膜3从切割胶带10的粘着剂层2部分剥离(浮起)和提高拾取性的观点考虑，优选为100.0n/100mm2以上，更优选为105.0n/100mm2以上140n/100mm2以下的范围，进一步优选为107.7n/100mm2以上123.0n/100mm2以下的范围。
[0227]
需说明的是，上述切割胶带10的粘着剂层2对于上述芯片接合膜3的在23℃时的紫外线照射后低角度粘着力和-30℃时的紫外线照射前剪切粘接力分别可使用实施例中记载的试验方法来测定。另外，在不会对拾取性造成障碍的情况下，上述紫外线照射前剪切粘接力测定试验中，破坏模式可以是前述粘接剂层的凝聚破坏。
[0228]
(切割芯片接合膜的制造方法)
[0229]
作为上述切割芯片接合膜20的制造方法，没有特别限定，可通过以往公知的方法来制造。例如，关于上述切割芯片接合膜20，首先单独分别准备切割胶带10和芯片接合膜20，接下来，分别将切割胶带10的粘着剂层2和芯片接合膜(粘接剂层)3的剥离衬垫剥离，利用例如热辊层压机等的压接辊将切割胶带10的粘着剂层2与芯片接合膜(粘接剂层)3压接并贴合即可。作为贴合温度，没有特别限定，例如优选为10℃以上100℃以下的范围，作为贴合压力(线压)，例如优选为0.1kgf/cm以上100kgf/cm以下的范围。需说明的是，本发明中，关于切割芯片接合膜20，有时也将在粘着剂层2和芯片接合膜(粘接剂层)3上具备剥离衬垫的层叠体称为切割芯片接合膜20。切割芯片接合膜20中，在粘着剂层2和芯片接合膜(粘接剂层)3上具备的剥离衬垫在将切割芯片接合膜20供于工事时进行剥离即可。
[0230]
上述切割芯片接合膜20可以是卷成卷状的形态、宽度宽的片材进行层叠的形态。另外，也可以是将这些形态的切割胶带10切断为预定大小而形成的片状或胶带状的形态。
[0231]
例如，如日本特开2011-159929号公报公开的那样，也可以在剥离基材(剥离衬垫)上，以岛状形成多个预切割加工成构成半导体元件的晶片形状的粘接剂层(芯片接合膜3)和粘着膜(切割胶带10)，从而以膜卷状的形态进行制造。该情况下，切割胶带10形成为比芯片接合膜(粘接剂层)3直径更大的圆形，芯片接合膜(粘接剂层)3形成为比半导体晶片30直径更大的圆形。以这样的膜卷状的形态实施预切割加工时，为了在不切掉余量的切割胶带10的情况下连续且良好进行剥离除去，有时对切割胶带10进行局部加热和或冷却处理。在此，加热的温度可适宜选择，优选为30℃～120℃。加热时间可适宜选择，优选为0.1～10秒。本发明的切割胶带10具有一定的耐热性，因此即便在120℃的高温实施加热处理，其处理中也不会特别存在问题。
[0232]
《半导体芯片的制造方法》
[0233]
图5为对使用本实施方式的在切割胶带10的粘着剂层2上层叠芯片接合膜(粘接剂层)3而成的切割芯片接合膜20来制造半导体芯片的方法进行说明的流程图。另外，图6为表示在切割芯片接合膜20的切割胶带10的外缘部(粘着剂层2露出部)贴附有环形框(晶片环)40、在中心部的芯片接合膜(粘接剂层)3上贴附有被加工为可单片化的半导体晶片的状态的概略图。另外进一步，图7(a)～(f)为表示通过激光照射形成有多个改性区域的半导体晶片的磨削工序和该半导体晶片向切割芯片接合膜的贴合工序的一例的截面图。图8(a)～(f)为表示使用了薄膜半导体晶片的半导体芯片的制造例的截面图，该薄膜半导体晶片贴合有切割芯片接合膜且具有多个改性区域。
[0234]
《使用切割芯片接合膜20的半导体芯片的制造方法》
[0235]
使用切割芯片接合膜20的半导体芯片的制造方法没有特别限定，按照前述方法中任一种方法即可，此处举出基于sdbg(stealth dicing before griding，磨削前隐形切割)的制造方法为例进行说明。
[0236]
首先，如图7(a)所示，例如准备在以硅为主成分的半导体晶片w的第一面wa上搭载有多个集成电路(未图示)的半导体晶片w(图5的步骤s201：准备工序)。并且，具有粘着面ta的晶片加工用胶带(背磨胶带)t贴合在半导体晶片w的第1面wa侧。
[0237]
接下来，如图7(b)所示，在将半导体晶片w保持于晶片加工用胶带t上的状态下，从与晶片加工用胶带t的相反侧、即半导体晶片的第二面wb侧，对半导体晶片w沿着其格子状的分割预定线x照射与晶片内部的集光点相匹配的激光，由于多光子吸收引起的烧蚀而在半导体晶片w内形成改性区域30b(图5的步骤s202：改性区域形成工序)。改性区域30b是用于通过冷扩展工序使半导体晶片w割断、分离为半导体芯片单元的脆弱化区域。关于在半导体晶片w中通过激光照射沿着分割预定线形成改性区域30b的方法，可参照例如日本专利第3408805号公报、日本特开2002-192370号公报、日本特开2003-338567号公报等中公开的方法。
[0238]
接下来，如图7(c)所示，在将半导体晶片w保持于晶片加工用胶带t上的状态下，通过从第2面wb开始的磨削加工将半导体晶片w薄膜化直至预定的厚度。在此，从半导体装置的薄型化的观点考虑，半导体晶片30的厚度调节为优选100μm以下、更优选10μm以上50μm以下的厚度。由此，通过后续工序的冷扩展，可得到在其内部具有容易单片化为多个半导体芯
片30a的改性区域30b的薄膜的半导体晶片30(图5的步骤s203：磨削、薄膜化工序)。需说明的是，本磨削、薄膜化工序中，根据半导体晶片30的磨削后的最终厚度、激光照射的扫描次数(投入功率)、晶片加工用胶带t的物性等的不同而施加磨削砂轮的磨削负荷时，存在如下情况：半导体晶片30以改性区域30b为起点在垂直方向发生龟裂的生长，在该阶段已经被割断为各个半导体芯片30a的情况；龟裂不生长而无法割断的情况。
[0239]
接下来，如图7(d)、(e)所示，保持于晶片加工用胶带t的在其内部具有多个改性区域30b的薄膜的半导体晶片30(半导体晶片30已经割断为半导体芯片30a的情况下，为多个半导体芯片30a)被贴合于另外准备的切割芯片接合膜20的芯片接合膜3(图5的步骤s204：贴合工序)。本工序中，将剥离衬垫从切割为圆形的切割芯片接合膜20的粘着剂层2和芯片接合膜(粘接剂层)3剥离后，如图6所示，在切割芯片接合膜20的切割胶带10的外缘部(粘着剂层2露出部)贴附环形框(晶片环)40，并且在层叠于切割胶带10的粘着剂层2的上中央部的芯片接合膜(粘接剂层)3上贴附被加工为可单片化的薄膜的半导体晶片30(当半导体晶片30已经被割断为半导体芯片30a的情况下，为多个半导体芯片30a)。然后，如图7(f)所示，从薄膜的半导体晶片30(当半导体晶片30已经被割断为半导体芯片30a的情况下，为多个半导体芯片30a)剥离晶片加工用胶带t。贴附时，一边利用压接辊等按压装置进行按压一边进行。贴附温度没有特别限定，例如优选为20℃以上130℃以下的范围，从减小半导体晶片30的翘曲的观点考虑，更优选为40℃以上100℃以下的范围内。贴附压力没有特别限定，优选为0.1mpa以上10.0mpa以下的范围。本发明的切割胶带10具有一定的耐热性，因此即使贴附温度为高温，其处理中也不会特别成为问题。
[0240]
接下来，在切割芯片接合膜20中的切割胶带10的粘着剂层2上贴附环形框40后，如图8(a)所示，将伴有被加工为可单片化的薄膜的半导体晶片30(当半导体晶片30已经被割断为半导体芯片30a的情况下，为多个半导体芯片30a)的该切割芯片接合膜20固定于扩展装置的保持工具41。如图8(b)所示，薄膜的半导体晶片30按照可单片化为多个半导体芯片30a的方式沿着切割预定线x在其内部形成有多个改性区域30b。
[0241]
接下来，如图8(c)所示那样进行在相对低温(例如，-30℃以上0℃以下)的条件下的第1扩展工序、即冷扩展工序，将半导体晶片30单片化为多个半导体芯片30a，同时切割芯片接合膜20的芯片接合膜(粘接剂层)3被割断为与半导体芯片30a的大小相对应的小片的芯片接合膜(粘接剂层)3a，得到带芯片接合膜3a的半导体芯片30a(图5的步骤s205：冷扩展工序)。本工序中，扩展装置所具备的中空圆柱形状的上推构件(未图示)在切割芯片接合膜20的下侧抵接于切割胶带10并上升，贴合有被加工为可单片化的半导体晶片30的切割芯片接合膜20的切割胶带10按照在包含半导体晶片30的径向和周向的二维方向上延伸的方式被扩展。通过冷扩展，由于切割胶带10向所有方向的拉伸而产生的内部应力作为外部应力被传递至加工为可单片化的半导体晶片30和贴附于该半导体晶片30的芯片接合膜3。由于该外部应力，半导体晶片30以形成于其内部的格子状的多个改性区域30b为起点在垂直方向上发生龟裂的生长，被割断为各个半导体芯片30a，同时在低温下脆化的芯片接合膜3也被割断为与半导体芯片30a相同尺寸的小片的芯片接合膜3a。需说明的是，当半导体晶片30已经在磨削、薄膜化工序中被割断为各个半导体芯片30a的情况下，仅有密合于半导体芯片30a的在低温下脆化的芯片接合膜3通过冷扩展被割断为与半导体芯片30a的大小相对应的小片的芯片接合膜3a，得到带芯片接合膜3a的半导体芯片30a。
[0242]
上述冷扩展工序中的温度条件例如为-30℃以上0℃以下，优选为-20℃以上-5℃以下的范围，更优选为-15℃以上-5℃以下的范围，特别优选为-15℃。上述冷扩展工序中的扩展速度(中空圆柱状的上推构件上升的速度)优选为0.1mm/秒以上1000mm/秒以下的范围，更优选为10mm/秒以上300mm/秒以下的范围。另外，上述冷扩展工序中的扩展量(中空圆柱状的上推构件的上推高度)优选为3mm以上16mm以下的范围。
[0243]
在此，本发明的切割胶带10中，首先，通过由包含特定量的聚酰胺树脂的以乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物为主成分的树脂组合物构成其基材膜1，从而能够将在-15℃的5％拉伸时的拉伸应力设为适当的范围，因此通过冷扩展，由于切割胶带10向所有方向的拉伸而产生的内部应力会作为外部应力有效地传递至被加工为可单片化的半导体晶片30和贴附于该半导体晶片30的芯片接合膜3，其结果是，半导体晶片30和芯片接合膜3同时以良好的成品率被割断。进一步，本发明的切割胶带10中，通过由以具有特定的玻璃化转变温度(tg)和羟基值的丙烯酸系粘着性聚合物为主成分的粘着剂组合物构成其粘着剂层2，且控制多异氰酸酯系交联剂的添加量，从而能够将交联反应后的粘着剂组合物的韧性和残留羟基浓度设为适当的范围，因此可在低温下的芯片接合膜3与粘着剂层2的界面赋予合适的冲击缓和性和初始粘着力，其结果是，通过冷扩展将加工为可单片化的半导体晶片30、芯片接合膜3割断时的冲击力被粘着剂层2缓和，保持了半导体芯片30a的小片的芯片接合膜3a(粘接剂层)的边缘四方从粘着剂层2的浮起、剥离得到抑制。
[0244]
上述冷扩展工序之后，使扩展装置的中空圆柱形状的上推构件下降，解除切割胶带10的扩展状态。
[0245]
接下来，如图8(d)所示那样进行相对高温(例如，10℃以上30℃以下)的条件下的第2扩展工序、即常温扩展工序，扩大带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a间的距离(切口宽度)。本工序中，扩展装置所具备的圆柱状的工作台(未图示)在切割芯片接合膜20的下侧抵接于切割胶带10并上升，将切割芯片接合膜20的切割胶带10扩展(图5的步骤s206：常温扩展工序)。通过常温扩展工序来充分确保带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a间的距离(切口宽度)，从而能够提高ccd相机等对半导体芯片30a的识别性，并且防止因拾取时邻接的半导体芯片30a彼此接触而发生的带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a彼此的再粘接。其结果是，在后述的拾取工序中，带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a的拾取性提高。
[0246]
上述常温扩展工序中的温度条件例如为10℃以上，优选为15℃以上30℃以下的范围。常温扩展工序中的扩展速度(圆柱状的工作台上升的速度)例如为0.1mm/秒以上50mm/秒以下的范围，优选为0.3mm/秒以上30mm/秒以下的范围。另外，常温扩展工序中的扩展量例如为3mm以上20mm以下的范围。
[0247]
通过工作台的上升将切割胶带10进行常温扩展后，工作台对切割胶带10进行真空吸附。然后，在工作台维持该吸附的状态下，工作台随着工事而下降，解除切割胶带10的扩展状态。在抑制在扩展状态解除后切割胶带10上的带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a的切口宽度变窄的方面，优选在切割胶带10被真空吸附于工作台的状态下，通过热风喷扫使切割胶带10中的比半导体芯片30a保持区域更靠近外侧的圆周部分加热收缩(热收缩)，将因扩展而产生的切割胶带10的松弛消除，从而保持绷紧状态。上述加热收缩后，解除工作台的真空吸附状态。上述热风的温度根据基材膜1的物性、热风喷出口与切割胶带的距
离和风量等来调整即可，例如优选200℃以上250℃以下的范围。另外，热风喷出口与切割胶带的距离例如优选为15mm以上25mm以下的范围。另外，风量例如优选35l/分钟以上45l/分钟以下的范围。需说明的是，进行热收缩工序时，以例如3
°
/秒以上10
°
/秒以下范围的旋转速度使扩展装置的工作台旋转，同时沿着切割胶带10的比半导体芯片30a保持区域更靠近外侧的圆周部分进行热风喷扫。
[0248]
本发明的切割胶带10由于使用了由包含特定量的聚酰胺树脂的以乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物为主成分的树脂组合物构成的树脂膜作为其基材膜1，因此具有一定的耐热性。因此，上述热收缩工序中，即使喷扫高温的热风，也不会发生热皱等，能够没有问题地使切割胶带10的圆周部分加热收缩。
[0249]
接下来，对于切割胶带10，从基材膜1侧照射活性能量射线，从而使粘着剂层2固化、收缩，使粘着剂层2对芯片接合膜3a的粘着力降低(图5的步骤s207：活性能量射线照射工序)。在此，作为上述后照射中使用的活性能量射线，可列举紫外线、可见光线、红外线、电子束、β线、γ线等。这些活性能量射线当中，优选紫外线(uv)和电子束(eb)，特别优选使用紫外线(uv)。作为用于照射上述紫外线(uv)的光源，没有特别限定，可使用例如黑光灯、紫外线荧光灯、低压水银灯、中压水银灯、高压水银灯、超高压水银灯、碳弧灯、金属卤化物灯、氙气灯等。另外，还可使用arf准分子激光器、krf准分子激光器、准分子灯或同步辐射光等。上述紫外线(uv)的照射光量没有特别限定，例如优选为100mj/cm2以上2,000j/cm2以下的范围，更优选为300mj/cm2以上1,000j/cm2以下的范围。
[0250]
在此，关于本发明的切割胶带10，如上所述，提高了其粘着剂层2在低温下对芯片接合膜(粘接剂层)3的密合性，而另一方面，由于在构成粘着剂层2的活性能量射线固化性粘着剂组合物中，将活性能量射线反应性碳-碳双键浓度控制为相对于1g活性能量射线固化性粘着剂组合物为0.85mmol以上1.60mmol以下的范围，因此紫外线(uv)照射后的粘着剂层2通过碳-碳双键的三维交联反应而交联密度增大，即，储存模量大幅上升，同时玻璃化转变温度也上升，体积收缩也增大，因此能够充分降低对芯片接合膜3a的粘着力。其结果是，在后述的拾取工序中，带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a的拾取性变得良好。
[0251]
接下来，进行所谓的拾取(图5的步骤s208：剥离(拾取)工序)，即，从切割胶带10的紫外线(uv)照射后的粘着剂层2剥取将通过上述扩展工序被割断、单片化的各个带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a。
[0252]
作为上述拾取的方法，可列举例如如下的方法等：如图8(e)所示，利用上推销(针)60将切割胶带10的基材膜1的第2面上推，并且如图8(f)所示，利用拾取装置(未图示)的吸附夹头50吸住被上推的带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a而从切割胶带10的粘着剂层2剥取带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a。由此，得到带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a。
[0253]
作为拾取条件，只要是实用上可容许的范围就没有特别限定，通常，上推销(针)60的上推速度大多设定为1mm/秒以上100mm/秒以下的范围内，当半导体芯片30a的厚度(半导体晶片的厚度)薄且为100μm以下的情况下，从抑制薄膜的半导体芯片30a的损伤的观点考虑，优选设定在1mm/秒以上20mm/秒以下的范围内。从增加生产率的观点考虑，更优选可设定在5mm/秒以上20mm/秒以下的范围内。
[0254]
另外，关于能够在不损伤半导体芯片30a的情况下进行拾取的上推销的上推高度，
例如从与上述同样的观点考虑，优选可设定在100μm以上600μm以下的范围内，从减轻对半导体薄膜芯片的应力的观点考虑，更优选可设定在100μm以上450μm以下的范围内。从增加生产率的观点考虑，尤其优选可设定在100μm以上350μm以下的范围内。这样的能进一步减小上推高度的切割胶带可谓拾取性优异。
[0255]
如以上说明的那样，关于由含有特定的聚酰胺树脂的以乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物为主成分的基材膜1和由特定的活性能量射线固化性粘着剂组合物构成的粘着剂层2所构成的本发明的切割胶带10，在半导体制造工序中，以芯片接合膜(粘接剂层)3可剥离地密合、层叠于切割胶带10的粘着剂层2上的切割芯片接合膜20的形式使用的情况下，即使在贴合引线埋入型芯片接合膜那样的流动性高、厚度较厚的芯片接合膜而应用时，也具备可耐受各工序的加热处理的耐热性，能够通过冷扩展而将带芯片接合膜3的半导体晶片30良好地割断，并且能够通过常温扩展充分确保切口宽度，割断后的芯片接合膜3a中，从切割胶带10的粘着剂层2的部分剥离(浮起)得到充分抑制，能够良好地拾取被割断的各个带芯片接合膜3a的半导体芯片30a。
[0256]
需说明的是，图8(a)～(f)所说明的制造方法为使用切割芯片接合膜20的半导体芯片30a的制造方法的一例(sdbg)，作为以切割芯片接合膜20的形式使用切割胶带10的方法不限定于上述方法。即，本实施方式的切割芯片接合膜20只要在切割时贴附于半导体晶片30，就可以不限定于上述方法地使用。
[0257]
其中，本发明的切割胶带10在用于得到dbg、隐形切割、sdbg等那样的薄膜半导体芯片的制造方法中，适合作为用于与引线埋入型芯片接合膜一体化而用作切割芯片接合膜的切割胶带。当然，也可以与通用芯片接合膜一体化而使用。
[0258]
《半导体装置的制造方法》
[0259]
以下对于搭载有半导体芯片的半导体装置具体进行说明，该半导体芯片是使用将应用本实施方式的切割胶带10和芯片接合膜3一体化而成的切割芯片接合膜20而制造的。
[0260]
半导体装置(半导体封装)例如可以通过将上述带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a加热压接于半导体芯片搭载用支撑构件或半导体芯片并使其粘接，然后经过引线接合工序和利用密封材的密封工序等工序来得到。
[0261]
图9为搭载有半导体芯片的层叠构成的半导体装置的一个方式的示意截面图，该半导体芯片是使用将应用本实施方式的切割胶带10和引线埋入型芯片接合膜3一体化而成的切割芯片接合膜20而制造的。图9所示的半导体装置70具备半导体芯片搭载用支撑基板4、经固化的芯片接合膜(粘接剂层)3a1和3a2、第一段的半导体芯片30a1、第二段的半导体芯片30a2、以及密封材8。半导体芯片搭载用支撑基板4、经固化的芯片接合膜3a1和半导体芯片30a1构成半导体芯片30a2的支撑构件9。
[0262]
在半导体芯片搭载用支撑基板4的一个面，配置有多个外部连接端子5，在半导体芯片搭载用支撑基板4的另一面，配置有多个端子6。半导体芯片搭载用支撑基板4具有用于将半导体芯片30a1和半导体芯片30a2的连接端子(未图示)与外部连接端子5电连接的引线7。利用经固化的芯片接合膜3a1，半导体芯片30a1以将来自外部连接端子5的凹凸埋入的形式被粘接于半导体芯片搭载用支撑基板4。半导体芯片30a2利用经固化的芯片接合膜3a2而被粘接于半导体芯片30a1。半导体芯片30a1、半导体芯片30a2和引线7被密封材8密封。这样一来，引线埋入型芯片接合膜3a适合用在重叠多个半导体芯片30a的层叠构成的半导体装
置中。
[0263]
另外，图10为搭载有半导体芯片的其他半导体装置的一个方式的示意截面图，该半导体芯片是使用将应用本实施方式的切割胶带10与通用芯片接合膜3一体化而成的切割芯片接合膜20而制造的。图10所示的半导体装置80具备半导体芯片搭载用支撑基板4、经固化的芯片接合膜3a、半导体芯片30a、以及密封材8。半导体芯片搭载用支撑基板4为半导体芯片30a的支撑构件，具有用于将半导体芯片30a的连接端子(未图示)与配置于半导体芯片搭载用支撑基板4的主面的外部连接端子(未图示)电连接的引线7。半导体芯片30a通过经固化的芯片接合膜3a而被粘接于半导体芯片搭载用支撑基板4。半导体芯片30a和引线7被密封材8密封。
[0264]
实施例
[0265]
通过以下实施例对本发明进行进一步具体说明，但本发明不限定于这些。
[0266]
1.基材膜1的制作
[0267]
作为用于制作基材膜1(a)～(s)的材料，分别准备下述树脂。
[0268]
(由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a))
[0269]
·
树脂(io1)
[0270]
由乙烯/甲基丙烯酸/丙烯酸2-甲基丙酯＝80/10/10的质量比率构成的三元共聚物、基于zn
2
离子的中和度：60mol％、熔点：86℃、mfr：1g/10分钟(190℃/2.16kg负荷)、密度：0.96g/cm3[0271]
·
树脂(io2)
[0272]
由乙烯/甲基丙烯酸＝85/15的质量比率构成的二元共聚物、基于zn
2
离子的中和度：23mol％、mfr：5g/10分钟(190℃/2.16kg负荷)、熔点：91℃、密度：0.95g/cm3[0273]
(聚酰胺树脂(b))
[0274]
·
树脂(pa1)
[0275]
尼龙6、熔点：225℃、密度：1.13g/cm3[0276]
·
树脂(pa2)
[0277]
尼龙6-12、熔点：215℃、密度：1.06g/cm3[0278]
(其他树脂(c))
[0279]
·
树脂(emaa1)
[0280]
由乙烯/甲基丙烯酸＝91/9的质量比率构成的二元共聚物、熔点：99℃、mfr：3g/10分钟(190℃/2.16kg负荷)、密度：0.93g/cm3[0281]
·
树脂(emaa2)
[0282]
由乙烯/甲基丙烯酸＝91/9的质量比率构成的二元共聚物、熔点：98℃、mfr：5g/10分钟(190℃/2.16kg负荷)、密度：0.93g/cm3[0283]
·
树脂(pp)
[0284]
无规共聚聚丙烯、熔点138℃
[0285]
·
树脂(eva)
[0286]
乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙酸乙烯酯含量20质量％、熔点82℃、密度：0.94g/cm3[0287]
·
树脂(pvc)
[0288]
氯乙烯、熔点95℃
[0289]
(基材膜1(a))
[0290]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa1)。首先，将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝95：5的质量比率进行干混。接下来，向双轴挤出机的树脂投入口投入干混后的混合物，以模温230℃进行熔融混炼，从而得到基材膜1(a)用树脂组合物。使用一种(相同树脂)3层t模膜成型机，将所得的树脂组合物投入各个挤出机中，以加工温度240℃的条件进行成型，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(a)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝95：5。
[0291]
(基材膜1(b))
[0292]
将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝90：10的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(b)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝90：10。
[0293]
(基材膜1(c))
[0294]
将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝85：15的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(c)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝85：15。
[0295]
(基材膜1(d))
[0296]
将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝80：20的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(d)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝80：20。
[0297]
(基材膜1(e))
[0298]
将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝74：26的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(e)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝74：26。
[0299]
(基材膜1(f))
[0300]
将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝72：28的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(f)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝72：28。
[0301]
(基材膜1(g))
[0302]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa1)。首先，作为第1层、第3层用的树脂，将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝72：28的质量比率进行干混。接下来，向双轴挤出机的树脂投入口投入干混后的混合物，以模温230℃进行熔融混炼，从而得到基材膜1(g)的第1层、第3层用的树脂组合物。另外，作为第2层用的树脂，单独使用上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)。使用两种(两种树脂)3层t模膜成型机，将各个树脂组合物和树脂投入各自的挤出机中，以加工温度240℃的条件进行成型，制作两种树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(g)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝81：19。
[0303]
(基材膜1(h))
[0304]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa1)，作为其他树脂(c)，准备(emaa1)。首先，作为第1层、第3层用的树脂，将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝85：15的质量比率进行干混。接下来，向双轴挤出机的树脂投入口投入干混后的混合物，以模温230℃进行熔融混炼，从而得到基材膜1(h)的第1层、第3层用的树脂组合物。另外，作为第2层用的树脂，单独使用上述其他树脂(c)的(emaa1)。使用两种(两种树脂)3层t模膜成型机，将各个树脂组合物和树脂投入各自的挤出机中，以加工温度240℃的条件进行成型，制作两种树脂的3层构成的厚度80μm的基材膜1(h)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/20μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝85：15。另外，层整体中的树脂(a)和树脂(b)的合计量的含有比例为75质量％。
[0305]
(基材膜1(i))
[0306]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa1)，作为其他树脂(c)，准备(emaa2)。首先，作为第1层、第3层用的树脂，将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝90：10的质量比率进行干混。接下来，向双轴挤出机的树脂投入口投入干混后的混合物，以模温230℃进行熔融混炼，从而得到基材膜1(i)的第1层、第3层用的树脂组合物。另外，作为第2层用的树脂，单独使用上述其他树脂(c)的(emaa2)。使用两种(两种树脂)3层t模膜成型机，将各个树脂组合物和树脂投入各自的挤出机中，以加工温度240℃的条件进行成型，制作两种树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(i)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝35μm/20μm/35μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝90：10。另外，层整体中的树脂(a)和树脂(b)的合计量的含有比例为78质量％。
[0307]
(基材膜1(j))
[0308]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa1)。首先，作为第1层、第2层用的树脂，将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝90：10的质量比率进行干混。接下来，向双轴挤出机的树脂投入口投入
干混后的混合物，以模温230℃进行熔融混炼，从而得到基材膜1(j)的第1层、第2层用的树脂组合物。使用一种(相同树脂)2层t模膜成型机，将各个树脂组合物投入各自的挤出机中，以加工温度240℃的条件进行成型，制作相同树脂的2层构成的厚度90μm的基材膜1(j)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层＝45μm/45μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝90：10。
[0309]
(基材膜1(k))
[0310]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa1)。首先，作为第1层用的树脂，将上述离聚物树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝90：10的质量比率进行干混。接下来，向双轴挤出机的树脂投入口投入干混后的混合物，以模温230℃进行熔融混炼，从而得到基材膜1(k)的第1层用的树脂组合物。接下来，作为第2层用的树脂，将上述离聚物树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝80：20的质量比率进行干混。接下来，向双轴挤出机的树脂投入口投入干混后的混合物，以模温230℃进行熔融混炼，从而得到基材膜1(k)的第2层用的树脂组合物。使用两种(相同树脂)2层t模膜成型机，将各个树脂组合物投入各自的挤出机中，以加工温度240℃的条件进行成型，制作两种树脂的2层构成的厚度100μm的基材膜1(k)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层＝50μm/50μm。作为层整体的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝90：10。
[0311]
(基材膜1(l))
[0312]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa1)。将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝70：30的质量比率进行干混。接下来，向双轴挤出机的树脂投入口投入干混后的混合物，以模温230℃进行熔融混炼，从而得到基材膜1(l)用树脂组合物。使用t模膜成型机，将所得的树脂组合物投入挤出机中，以加工温度240℃的条件进行成型，制作单层构成的厚度90μm的基材膜1(l)。
[0313]
(基材膜1(m))
[0314]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa2)。将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa2)以(a)：(b)＝88：12的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(m)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝88：12。
[0315]
(基材膜1(n))
[0316]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io2)，作为聚酰胺树脂(b)，准备(pa1)。将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io2)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝92：8的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(n)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝92：8。
[0317]
(基材膜1(o))
[0318]
作为由离聚物构成的树脂(a)，准备(io1)。没有将酰胺树脂(b)＝(pa1)进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂(仅由离聚物构成的树脂(a))的3层构成的厚度90μm的基材膜1(o)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。
[0319]
(基材膜1(p))
[0320]
将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝97：3的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(a)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(p)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝97：3。
[0321]
(基材膜1(q))
[0322]
将上述由离聚物构成的树脂(a)＝(io1)和上述聚酰胺树脂(b)＝(pa1)以(a)：(b)＝70：30的质量比率进行干混，除此之外，与基材膜1(q)同样地操作，制作相同树脂的3层构成的厚度90μm的基材膜1(q)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层2相接的面侧)/第2层/第3层＝30μm/30μm/30μm。层整体中的由离聚物构成的树脂(a)的总量与聚酰胺树脂(b)的总量的质量比率为(a)的总量：(b)的总量＝70：30。
[0323]
(基材膜1(r))
[0324]
作为其他树脂(c)，准备(pp)和(eva)。作为第1层和第3层用的树脂，使用(pp)，作为第2层用的树脂，使用(eva)，使用两种(两种树脂)3层t模膜成型机，将各个树脂投入各自的挤出机中，以加工温度150℃的条件进行成型，制作两种3层构成的厚度80μm的基材膜1(r)。各层的厚度设为第1层(与粘着剂层相接的面侧)/第2层/第3层＝8μm/64μm/8μm。
[0325]
(基材膜1(s))
[0326]
作为其他树脂(c)，准备(pvc)。使用t模膜成型机，将该树脂投入挤出机中，以加工温度150℃的条件进行成型，制作单层构成的厚度90μm的基材膜1(s)。
[0327]
[基材膜的在-15℃的5％伸长时的应力]
[0328]
对于上述制作的基材膜1(a)～(s)，求出在-15℃的温度环境下、5％伸长时的应力。作为试验片，当将t模中的熔融成型时的挤出方向设为md方向，将与md方向垂直的方向设为td方向的情况下，准备(1)在md方向裁切为70mm长度、在td方向裁切为10mm宽度的大小的试验片、(2)在td方向裁切为70mm长度、在md方向裁切为10mm宽度的大小的试验片两种。接下来，使用minebeamitsumi株式会社制的拉伸压缩试验机(型号：minebeatechnograph tg-5kn)，将试验片在minebeamitsumi株式会社制的恒温槽(型号：thb-a13-038)内以-15℃放置1分钟后，将卡盘间距离设为50mm、伸长速度(拉伸速度)设为300mm/分钟，使试验片在长度方向上伸长，测定相对于初始长度(卡盘间距离的50mm)伸长5％时的强度(单位为n)。将所得的强度除以胶带的截面积(单位为mm2)而得的数值作为在-15℃的5％伸长时的应力(单位为mpa)。
[0329]
[基材膜的耐热性]
[0330]
对于上述制作的基材膜1(a)～(s)，评价140℃时的耐热性。准备在md方向裁切为100mm长度、在td方向裁切为30mm宽度的大小的试验片，在试验片的中央部，用记号笔在md
方向上标记长度60mm的标线。将各试验片按照md方向成为上下方向的方式悬挂在恒温槽(调整为140℃)内，在各试验片的下侧施加5g的负荷，在140℃的环境下保存2分钟后，测定其标线长度l1(mm)，算出相对于加热试验前的标线长度l0(＝60mm)的变化率。
[0331]
变化率(％)＝[(l1-l0)/l0]
×
100
[0332]
按照以下的基准，评价基材膜1的耐热性，将b以上的评价判断为耐热性良好。
[0333]
a：变化率在
±
10％的范围内。
[0334]
b：变化率超出
±
10％的范围且在
±
14％的范围内。
[0335]
c：变化率超出
±
14％的范围。
[0336]
2.粘着剂组合物的溶液的调制
[0337]
作为切割胶带10的粘着剂层2用的粘着剂组合物，调制下述的活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(a)～(r)的溶液。
[0338]
需说明的是，作为构成这些粘着剂组合物的基础聚合物(丙烯酸酯共聚物)的共聚单体成分，准备：
[0339]
·
丙烯酸2-乙基己酯(2-eha、分子量：184.3、tg：-70℃)、
[0340]
·
丙烯酸2-羟基乙酯(2-hea、分子量：116.12、tg：-15℃)、
[0341]
·
丙烯酸丁酯(ba、分子量：128.17、tg：-54℃)、
[0342]
·
甲基丙烯酸甲酯(mma、分子量：100.12、tg：105℃)、
[0343]
·
甲基丙烯酸(maa、分子量：86.06、tg：130℃)。
[0344]
另外，作为多异氰酸酯系交联剂，准备东曹株式会社制的：
[0345]
·
tdi系的多异氰酸酯系交联剂(商品名：coronate l-45e、固体成分浓度：45质量％、溶液中的异氰酸酯基含量：8.05质量％、固体成分中的异氰酸酯基含量：17.89质量％、计算上的异氰酸酯基的数量：平均2.8个/1分子、分子量：656.64)、
[0346]
·
hdi系的多异氰酸酯系交联剂(商品名：coronate hl、固体成分浓度：75质量％、溶液中的异氰酸酯基含量：12.8质量％、固体成分中的异氰酸酯基含量：17.07质量％、计算上的异氰酸酯基的数量：平均2.6个/1分子、分子量：638.75)。
[0347]
(活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(a)的溶液)
[0348]
作为共聚单体成分，准备丙烯酸2-乙基己酯(2-eha)、丙烯酸-2羟基乙酯(2-hea)、甲基丙烯酸甲酯(mma)。将这些共聚单体成分以成为2-eha/2-hea/mma＝78.5质量份/21.0质量份/0.5质量份(＝425.94mmol/180.85mmol/5.81mmol)的共聚比率的方式混合，使用作为溶剂的乙酸乙酯、作为引发剂的偶氮二异丁腈(aibn)进行溶液自由基聚合，从而合成了具有羟基的基础聚合物(丙烯酸酯共聚物)的溶液。所得的基础聚合物的通过fox式算出的tg为-60℃。
[0349]
接下来，相对于该基础聚合物的固体成分100质量份，配合作为昭和电工株式会社制的活性能量射线反应性化合物的、昭和电工株式会社制的具有异氰酸酯基和活性能量射线反应性碳-碳双键的2-异氰酸酯甲基丙烯酸乙酯(商品名：karenz moi、分子量：155.15、异氰酸酯基：1个/1分子、双键基：1个/1分子)21.0质量份(135.35mmol：相对于2-hea为74.8mol％)，使其与2-hea的羟基的一部分反应，合成了在侧链上具有碳-碳双键的丙烯酸系粘着性聚合物(a)的溶液(固体成分浓度：50质量％、重均分子量mw：38万、固体成分羟基值：21.1mgkoh/g、固体成分酸值：2.7mgkoh/g、碳-碳双键含量：1.12mmol/g)。需说明的是，
上述反应中，作为用于维持碳-碳双键的反应性的阻聚剂，使用0.05质量份氢醌-单甲醚。
[0350]
接下来，相对于上述合成的丙烯酸系粘着性聚合物(a)的溶液200质量份(固体成分换算计为100质量份)，以2.0质量份的比率配合igm resins b.v.公司制的α-羟基烷基苯酮系光聚合引发剂(商品名：omnirad 184)，以0.4质量份的比率配合igm resins b.v.公司制的酰基氧化膦系光聚合引发剂(商品名：omnirad 819)，以2.56质量份(固体成分换算计为1.15质量份、1.75mmol)的比率配合作为交联剂的东曹株式会社制的tdi系的多异氰酸酯系交联剂(商品名：coronate l-45e、固体成分浓度：45质量％)，用乙酸乙酯稀释，并搅拌，调制固体成分浓度22质量％的活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(a)的溶液。活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(a)中的、多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)为0.13、残留羟基浓度为0.32mmol/g、碳-碳双键含量为1.11mmol/g。
[0351]
(活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(b)～2(t)的溶液)
[0352]
对于丙烯酸系粘着性聚合物(a)，分别如表3～6所示那样适宜变更共聚单体成分的共聚比率、活性能量射线反应性化合物的配合量和共聚单体成分，分别合成丙烯酸系粘着性聚合物(b)～(q)的溶液。合成的丙烯酸系粘着性聚合物(b)～(q)中，基础聚合物的tg、重均分子量mw、酸值和羟基值分别如表3～6所示。接下来，使用这些丙烯酸系粘着性聚合物的溶液，相对于丙烯酸系粘着性聚合物(a)～(q)的固体成分换算100质量份，分别如表3～6所示那样适宜配合光聚合引发剂和多异氰酸酯系交联剂，调制活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(b)～2(t)的溶液。活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(b)～2(t)中的、多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)、残留羟基浓度和碳-碳双键含量分别如表3～6所示。
[0353]
3.粘接剂组合物的溶液的调制
[0354]
作为切割芯片接合膜20的芯片接合膜(粘接剂层)3用的粘接剂组合物，调制下述的粘接剂组合物3(a)～3(d)的溶液。
[0355]
(粘接剂组合物3(a)的溶液)
[0356]
作为引线埋入型芯片接合膜用，调制、准备以下的粘接剂组合物溶液3(a)的溶液。首先，在由作为热固性树脂的株式会社printec制的双酚型环氧树脂(商品名：r2710、环氧当量：170、分子量：340、常温为液态)26质量份、东都化成株式会社制的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(商品名：ydcn-700-10、环氧当量210、软化点80℃)36质量份、作为交联剂的三井化学株式会社制的酚醛树脂(商品名：milex xlc-ll、羟基当量：175、软化点：77℃、吸水率：1质量份、加热质量减少率：4质量份)1质量份、air water株式会社制的酚醛树脂(商品名：he200c-10、羟基当量：200、软化点：71℃、吸水率：1质量份、加热质量减少率：4质量份)25质量份、air water株式会社制的酚醛树脂(商品名：he910-10、羟基当量：101、软化点：83℃、吸水率：1质量％、加热质量减少率：3质量％)12质量份、作为无机填料的admatechs株式会社制的二氧化硅填料分散液(商品名：sc2050-hlg、平均粒径：0.50μm)15质量份、admatechs株式会社制的二氧化硅填料分散液(商品名：sc1030-hja、平均粒径：0.25μm)14质量份、日本aerosil株式会社制的二氧化硅(商品名：aerosil r972、平均粒径：0.016μm)1质量份构成的树脂组合物中，加入作为溶剂的环己酮进行搅拌混合，进一步使用珠磨机分散90分钟。
[0357]
接下来，在上述树脂组合物中，加入作为热塑性树脂的nagase chemtex株式会社
制的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：htr-860p-30b-chn、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯含量：8质量％、重均分子量mw：23万、tg：-7℃)37质量份、nagase chemtex株式会社制的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：htr-860p-3csp、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯含量：3质量％、重均分子量mw：80万、tg：-7℃)9质量份、作为硅烷偶联剂的ge东芝株式会社制的γ-脲丙基三乙氧基硅烷(商品名：nuc a-1160)0.7质量份、ge东芝株式会社制的γ-脲丙基三乙氧基硅烷(商品名：nuc a-189)0.3质量份和作为固化促进剂的四国化成株式会社制的1-氰乙基-2-苯基咪唑(商品名：curezol 2pz-cn)0.03质量份，搅拌混合，用100目的过滤器过滤后，真空脱气，调制固体成分浓度20质量％的粘接剂组合物3(a)的溶液。树脂成分总量(热塑性树脂、热固性树脂和交联剂的合计质量)中的各树脂成分的含有比例为含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物：环氧树脂：酚醛树脂＝31.5质量％：42.5质量％：26.0质量％。另外，无机填料的含量相对于树脂成分总量为20.5质量％。
[0358]
(粘接剂组合物3(b)的溶液)
[0359]
作为引线埋入型芯片接合膜用，调制、准备以下的粘接剂组合物溶液3(b)的溶液。首先，在由作为热固性树脂的东都化成株式会社制的双酚f型环氧树脂(商品名：ydf-8170c、环氧当量：159、分子量：310、常温为液态)21量部、东都化成株式会社制的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(商品名：ydcn-700-10、环氧当量210、软化点80℃)33质量份、作为交联剂的air water株式会社制的酚醛树脂(商品名：he200c-10、羟基当量：200、软化点：71℃、吸水率：1质量％、加热质量减少率：4质量％)46质量份、作为无机填料的admatechs株式会社制的二氧化硅填料分散液(商品名：sc1030-hja、平均粒径：0.25μm)18质量份构成的树脂组合物中，加入作为溶剂的环己酮进行搅拌混合，进一步使用珠磨机分散90分钟。
[0360]
接下来，在上述树脂组合物中，加入作为热塑性树脂的nagase chemtex株式会社制的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：htr-860p-30b-chn、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯含量：8质量％、重均分子量mw：23万、tg：-7℃)16质量份、nagase chemtex株式会社制的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：htr-860p-3csp、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯含量：3质量％、重均分子量mw：80万、tg：-7℃)64质量份、作为硅烷偶联剂的ge东芝株式会社制的γ-脲丙基三乙氧基硅烷(商品名：nuc a-1160)1.3质量份、ge东芝株式会社制的γ-脲丙基三乙氧基硅烷(商品名：nuc a-189)0.6质量份和作为固化促进剂的四国化成株式会社制的1-氰乙基-2-苯基咪唑(商品名：curezol 2pz-cn)0.05质量份，搅拌混合，用100目的过滤器过滤后，真空脱气，调制固体成分浓度20质量％的粘接剂组合物3(b)的溶液。树脂成分总量(热塑性树脂、热固性树脂和交联剂的合计质量)中的各树脂成分的含有比例为含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物：环氧树脂：酚醛树脂＝44.4质量％：30.0质量％：25.6质量％。另外，无机填料的含量相对于树脂成分总量为10.0质量％。
[0361]
(粘接剂组合物3(c)的溶液)
[0362]
作为引线埋入型芯片接合膜用，调制、准备以下的粘接剂组合物溶液3(c)的溶液。首先，在由作为热固性树脂的株式会社printec制的双酚型环氧树脂(商品名：r2710、环氧当量：170、分子量：340、常温为液态)11质量份、dic株式会社制的双环戊二烯型环氧树脂(商品名：hp-7200h、环氧当量280、软化点83℃)40质量份、dic株式会社制的双酚s型环氧树脂(商品名：exa-1514、环氧当量300、软化点75℃)18质量份、作为交联剂的三井化学株式会社制的酚醛树脂(商品名：milex xlc-ll、羟基当量：175、软化点：77℃、吸水率：1质量％、加
热质量减少率：4质量％)1质量份、air water株式会社制的酚醛树脂(商品名：he200c-10、羟基当量：200、软化点：71℃、吸水率：1质量％、加热质量减少率：4质量％)20质量份、air water株式会社制的酚醛树脂(商品名：he910-10、羟基当量：101、软化点：83℃、吸水率：1质量％、加热质量减少率：3质量％)10质量份、作为无机填料的admatechs株式会社制的二氧化硅填料分散液(商品名：sc1030-hja、平均粒径：0.25μm)24质量份、日本aerosil株式会社制的二氧化硅(商品名：aerosil r972、平均粒径：0.016μm)0.8质量份构成的树脂组合物中，加入作为溶剂的环己酮进行搅拌混合，进一步使用珠磨机分散90分钟。
[0363]
接下来，在上述树脂组合物中加入作为热塑性树脂的nagase chemtex株式会社制的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：htr-860p-30b-chn、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯含量：8质量％、重均分子量mw：23万、tg：-7℃)30质量份、nagase chemtex株式会社制的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：htr-860p-3csp、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯含量：3质量％、重均分子量mw：80万、tg：-7℃)7.5质量份、作为硅烷偶联剂的ge东芝株式会社制的γ-脲丙基三乙氧基硅烷(商品名：nuc a-1160)0.57质量份、ge东芝株式会社制的γ-脲丙基三乙氧基硅烷(商品名：nuc a-189)0.29质量份和作为固化促进剂的四国化成株式会社制的1-氰乙基-2-苯基咪唑(商品名：curezol 2pz-cn)0.023质量份，搅拌混合，用100目的过滤器过滤后，真空脱气，调制固体成分浓度20质量％的粘接剂组合物3(c)的溶液。树脂成分总量(热塑性树脂、热固性树脂和交联剂的合计质量)中的各树脂成分的含有比例为含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物：环氧树脂：酚醛树脂＝27.3质量％：50.2质量％：22.5质量％。另外，无机填料的含量相对于树脂成分总量为18.0质量％。
[0364]
(粘接剂组合物3(d)的溶液)
[0365]
作为通用芯片接合膜用，调制、准备以下的粘接剂组合物3(d)的溶液。首先，在由作为热固性树脂的东都化成株式会社制的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(商品名：ydcn-700-10、环氧当量210、软化点80℃)54质量份、作为交联剂的三井化学株式会社制的酚醛树脂(商品名：milex xlc-ll、羟基当量：175、吸水率：1.8％)46质量份、作为无机填料的日本aerosil株式会社制的二氧化硅(商品名：aerosil r972、平均粒径0.016μm)32质量份构成的树脂组合物，加入作为溶剂的环己酮进行搅拌混合，进一步使用珠磨机分散90分钟。
[0366]
接下来，在上述树脂组合物中，加入作为热塑性树脂的nagase chemtex株式会社制的含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物(商品名：htr-860p-3csp、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯含量：3质量％、重均分子量mw：80万、tg：-7℃)274质量份、作为硅烷偶联剂的ge东芝株式会社制的γ-脲丙基三乙氧基硅烷(商品名：nuc a-1160)5.0质量份、ge东芝株式会社制的γ-脲丙基三乙氧基硅烷(商品名：nuc a-189)1.7质量份和作为固化促进剂的四国化成株式会社制的1-氰乙基-2-苯基咪唑(商品名：curezol 2pz-cn)0.1质量份，搅拌混合，用100目的过滤器过滤后，真空脱气，调制固体成分浓度20质量％的粘接剂组合物3(d)的溶液。树脂成分总量(热塑性树脂、热固性树脂和交联剂的合计质量)中的各树脂成分的含有比例为含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物：环氧树脂：酚醛树脂＝73.3质量％：14.4质量％：12.3质量％。另外，无机填料的含量相对于树脂成分总量为8.6质量％。
[0367]
4.切割胶带10和切割芯片接合膜20的制作
[0368]
(实施例1)
[0369]
在剥离衬垫(厚度38μm、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜)的剥离处理面侧，按照干燥后
的粘着剂层2的厚度成为8μm的方式涂布上述活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物(a)的溶液，在100℃的温度加热3分钟从而使溶剂干燥后，在粘着剂层2上贴合基材膜1(a)的第1层侧的表面，制作切割胶带10的原版。然后，将切割胶带10的原版在23℃的温度保存96小时，使粘着剂层2交联、固化。
[0370]
接下来，准备芯片接合膜(粘接剂层)3形成用的粘接剂组合物3(a)的溶液，在剥离衬垫(厚度38μm、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜)的剥离处理面侧，按照干燥后的芯片接合膜(粘接剂层)3的厚度成为50μm的方式涂布上述粘接剂组合物3(a)的溶液，通过首先在90℃的温度5分钟、接着在140℃的温度5分钟这2个阶段进行加热从而使溶剂干燥，制作具备剥离衬垫的芯片接合膜(粘接剂层)3。需说明的是，根据需要，也可以在芯片接合膜(粘接剂层)3的干燥面侧贴合保护膜(例如聚乙烯膜等)。
[0371]
接下来，将上述制作的具备剥离衬垫的芯片接合膜(粘接剂层)3连同剥离衬垫一起切成直径335mm的圆形，将该芯片接合膜(粘接剂层)3的粘接剂层露出面(没有剥离衬垫的面)贴合于剥离了剥离衬垫的上述切割胶带10的粘着剂层2面。贴合条件设为23℃、10mm/秒、线压30kgf/cm。
[0372]
最后，将切割胶带10切成直径370mm的圆形，从而制作在直径370mm的圆形的切割胶带10的粘着剂层2的上中心部层叠有直径335mm的圆形的芯片接合膜(粘接剂层)3的切割芯片接合膜20(ddf(a))。
[0373]
(实施例2～14)
[0374]
将基材膜1(a)分别变更为表1～3所示的基材膜1(b)～1(n)，除此之外，全部与实施例1同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(b)～ddf(n))。其中，仅对于实施例10和实施例12，将粘着剂层2的厚度分别设为7μm、15μm。
[0375]
(实施例15～27)
[0376]
将活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(a)的溶液分别变更为表3～5所示的活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(b)～2(n)的溶液，除此之外，全部与实施例2同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(o)～ddf(aa))。
[0377]
(实施例28)
[0378]
将干燥后的粘着剂层2的厚度变更为6μm，除此之外，全部与实施例2同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(bb))。
[0379]
(实施例29)
[0380]
将干燥后的粘着剂层2的厚度变更为20μm，除此之外，全部与实施例2同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(cc))。
[0381]
(实施例30)
[0382]
将粘接剂树脂组合物3(a)的溶液变更为粘接剂组合物3(b)的溶液，将干燥后的芯片接合膜(粘接剂层)3的厚度变更为30μm，除此之外，全部与实施例2同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(dd))。
[0383]
(实施例31)
[0384]
将粘接剂树脂组合物3(a)的溶液变更为粘接剂组合物3(c)的溶液，除此之外，全部与实施例2同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(ee))。
[0385]
(实施例32)
[0386]
将粘接剂树脂组合物3(a)的溶液变更为粘接剂组合物3(d)的溶液，将干燥后的芯片接合膜(粘接剂层)3的厚度变更为20μm，除此之外，全部与实施例2同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(ff))。
[0387]
(比较例1～6)
[0388]
将基材膜1(a)变更为基材膜1(o)，将活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(a)的溶液分别变更为表7所示的活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(o)～2(t)的溶液，除此之外，全部与实施例1同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(gg)～ddf(ll))。
[0389]
(比较例7～12)
[0390]
将活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(a)的溶液分别变更为表8所示的活性能量射线固化性丙烯酸系粘着剂组合物2(o)～2(t)的溶液，除此之外，全部与实施例2同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(mm)～ddf(rr))。
[0391]
(比较例13)
[0392]
将基材膜1(a)变更为基材膜1(o)，除此之外，全部与实施例1同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(ss))。
[0393]
(比较例14)
[0394]
将基材膜1(a)变更为基材膜1(p)，除此之外，全部与实施例1同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(tt))。
[0395]
(比较例15)
[0396]
将基材膜1(a)变更为基材膜1(q)，除此之外，全部与实施例1同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(uu)。
[0397]
(比较例16)
[0398]
将基材膜1(a)变更为基材膜1(r)，除此之外，全部与比较例1同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(vv))。
[0399]
(比较例17)
[0400]
将基材膜1(a)变更为基材膜1(s)，除此之外，全部与比较例1同样地操作，制作切割芯片接合膜20(ddf(ww))。
[0401]
5.切割芯片接合膜的评价方法
[0402]
对于实施例1～32和比较例1～17中制作的切割胶带10和切割芯片接合膜20(ddf(a)～ddf(ww))，通过以下所示的方法进行各种测定和评价。
[0403]
5.1芯片接合膜(粘接剂层)3的80℃时的剪切粘度的测定
[0404]
对于由粘接剂组合物3(a)～3(d)的溶液形成的各芯片接合膜(粘接剂层)3，通过下述的方法测定80℃时的剪切粘度。即，将除去了剥离衬垫的芯片接合膜(粘接剂层)3以总厚度成为200～210μm的方式在70℃贴合多片，制作层叠体。接下来，将该层叠体在厚度方向上冲孔出10mm
×
10mm的大小，作为测定样品。接下来，使用动态粘弹性装置ares(rheometric scientific far east公司制)，安装直径8mm的圆形铝板夹具后，设置测定样品。对测定样品在35℃施加5％的应变，并且一边以升温速度5℃/分钟的条件使测定样品升温一边测定剪切粘度，求出80℃时的剪切粘度的值。
[0405]
5.2切割胶带10的粘着剂层2对芯片接合膜(粘接剂层)3的uv照射后粘着力的测定
[0406]
分别准备各实施例和比较例中制作的切割胶带10和芯片接合膜(粘接剂层)3。切割胶带10裁切为宽度(基材膜1的td方向)30mm、长度(基材膜1的md方向)300mm的大小，另外，芯片接合膜20裁切为宽度30mm、长度100mm的大小。在与切割胶带10的剥离了剥离衬垫的粘着剂层2面的一端相距100mm的部分，在温度23℃、湿度50％rh的环境中，一边使用2kg橡胶辊压接芯片接合膜(粘接剂层)3的粘接剂层露出面(没有剥离衬垫的面)，一边使其平整地重叠而贴合。将该层叠体在5℃的环境中养护24小时后，在温度23℃、湿度50％rh的环境中，在芯片接合膜(粘接剂层)3的剥离了剥离衬垫的面上，一边使用2kg橡胶辊压接王子tac株式会社制的opp膜基材单面粘着胶带11(商品名：easy cut tape 207h、厚度70μm)的粘着剂层侧的面一边使其贴合而作为背衬。用新的切削刀具的刀刃按照宽度成为25mm的方式重新对该层叠体进行裁切，制成图11(a)所示那样的试验片。接下来，如图11(b)所示，在自由角度型粘着-被膜剥离解析装置(型号：vpa-2s、协和界面科学株式会社制)用的平板交叉工作台的中央，一边使用麦克赛尔株式会社制的纸两面粘着胶带12(商品名：no.5486、厚度140μm)，利用2kg橡胶辊压接上述试验片的opp膜基材单面粘着胶带11侧的面一边进行固定。接下来，从切割芯片接合膜20的切割胶带10的基材膜1侧，使用金属卤化物灯照射中心波长365nm的紫外线(uv)(照射强度：70mw/cm2、累积光量150mj/cm2)后，将固定有该试验片的平板交叉工作台安装于自由角度型粘着-被膜剥离解析装置，在温度23℃、湿度50％rh的环境中，如图11(c)(从正上方观察装置时的概略图)所示，以剥离角度30
°
、剥离速度600mm/分钟的条件拉伸切割胶带10侧(实际操作中，平板交叉工作台移动)，测定切割胶带10对于芯片接合膜(粘接剂层)3的低角度(剥离角度30
°
)粘着力(单位为n/25mm)(试验片n＝3的平均值)。
[0407]
5.3切割胶带10的粘着剂层2对于芯片接合膜3(粘接剂层)的-30℃时的剪切粘接力
[0408]
分别准备切割胶带10和芯片接合膜(粘接剂层)3。关于切割胶带10，使用2kg橡胶辊将作为背衬带的麦克赛尔株式会社制的pet膜基材单面粘着胶带14(商品名：no.626001、厚度55μm)的粘着剂层侧的面一边压接一边贴合在基材膜1侧后，裁切为宽度(基材膜1的td方向)10mm、长度(基材膜1的md方向)100mm的大小。另外，芯片接合膜20裁切为宽度30mm、长度100mm的大小。需说明的是，作为芯片接合膜20，使用在芯片接合膜(粘接剂层)3的干燥面侧具备保护膜(聚乙烯膜)的芯片接合膜。首先，将芯片接合膜20的仔细剥离了剥离衬垫的面一边使用2kg橡胶辊压接一边使其贴合于半导体晶片w(硅镜面晶片、宽度40mm、长度100mm、厚度0.725mm)的表面后，夹持于2片玻璃板，在40℃的温度下施加2kg负荷1分钟，进行压接。接下来，使用麦克赛尔株式会社制的pet膜基材单面粘着胶带14(商品名：no.626001、厚度55μm)，将粘接有该芯片接合膜(粘接剂层)3的半导体晶片w的两端面牢固地固定于sus板15，剥离芯片接合膜(粘接剂层)3的保护膜，作为剪切粘接力试验的被粘物。接下来，按照距离端部的长度方向10mm部分密合的方式、即密合面的大小成为10mm
×
10mm(密合面积：100mm2)的方式使切割胶带10的剥离了剥离衬垫的粘着剂层2面贴合在该被粘物的芯片接合膜(粘接剂层)3的表面，用2kg橡胶辊进行压接，在温度23℃、湿度50％rh的环境中养护20分钟，得到如图12(固定用的pet膜基材单面粘着胶带14未图示)所示那样的试验对象物。接下来，使用minebeamitsumi株式会社制的拉伸压缩试验机(型号：minebeatechnograph tg-5kn)，将试验对象物在minebeamitsumi株式会社制的恒温槽(型
号：thb-a13-038)内以-30℃放置1分钟后，以速度1,000mm/分钟在垂直方向上拉伸，测定此时所需的剪切方向的粘接力(单位为n/100mm2)(试验片n＝3的平均值)。
[0409]
5.4切割芯片接合膜20的隐形切割性的评价
[0410]
5.4.1半导体晶片割断性和芯片接合膜(粘接剂层)割断性
[0411]
首先，准备半导体晶片(硅镜面晶片、厚度750μm、外径12英寸)w，在一个面上贴附市售的背磨胶带。接下来，从半导体晶片w的与贴附了背磨胶带的一侧相反的面，使用株式会社disco制的隐形切割激光切割机(装置名：dfl7361)，按照割断后的半导体芯片30a的大小成为4.7mm
×
7.2mm的尺寸的方式，沿着格子状的分割预定线，按照以下条件照射激光，从而在半导体晶片w的预定深度位置形成改性区域30b。
[0412]
·
激光照射条件
[0413]
(1)激光振荡器型号：半导体激光激发q开关固体激光器
[0414]
(2)波长：1342nm
[0415]
(3)振荡形式：脉冲
[0416]
(4)频率：90khz
[0417]
(5)输出功率：1.7w
[0418]
(6)半导体晶片的载置台的移动速度：700mm/秒
[0419]
接下来，使用株式会社disco制的背磨装置(装置名：dgp8761)，对保持于背磨胶带的形成有该改性区域30b的厚度750μm的半导体晶片w进行磨削、薄膜化，从而得到厚度30μm的半导体晶片30。接下来，通过以下的方法实施冷扩展工序，从而评价作为隐形切割性的指标项目之一的半导体晶片割断性和粘接剂层割断性。具体而言，在与通过上述方法得到的形成有改性区域30b的厚度30μm的半导体晶片30的与贴附有背磨胶带的一侧相反的面，按照通过将剥离衬垫从各实施例和比较例中制作的切割芯片接合膜20剥离从而露出的粘接剂层3密合的方式，使用株式会社disco制的层压装置(装置名：dfm2800)，以层压温度70℃、层压速度10mm/秒的条件使切割芯片接合膜20贴合于该半导体晶片30，并且在切割胶带10的外缘部的粘着剂层2露出部贴附环形框(晶片环)40后，将背磨胶带剥离。需说明的是，在此，切割芯片接合膜20按照其基材膜1的md方向与半导体晶片30的格子状的分割预定线的纵线方向(基材膜1的td方向与半导体晶片30的格子状的分割预定线的横线方向)一致的方式贴附于半导体晶片30。
[0420]
将包括保持于上述环形框(晶片环)40的形成改性区域30b后的半导体晶片30的层叠体(半导体晶片30/粘接剂层3/粘着剂层2/基材膜1)固定于株式会社disco制的扩展装置(装置名：dds2300 fully automatic die separator)。接下来，通过以下的条件，对伴有半导体晶片30的切割芯片接合膜20的切割胶带10(粘着剂层2/基材膜1)进行冷扩展，从而将半导体晶片30和粘接剂层3割断。由此，得到了带芯片接合膜(粘接剂层)3的半导体芯片30a。需说明的是，本实施例中，通过下述的条件实施了冷扩展工序，但在根据基材膜1的物性和温度条件等而适宜调整了扩展条件(“扩展速度”和“扩展量”等)的基础上实施冷扩展工序即可。
[0421]
·
冷扩展工序的条件
[0422]
温度：-15℃、冷却时间：80秒、
[0423]
扩展速度：300mm/秒、
[0424]
扩展量：11mm、
[0425]
(4)待机时间：0秒
[0426]
对于冷扩展后的半导体晶片30和粘接剂层3，从半导体晶片30的表面侧，使用株式会社keyence制的光学显微镜(形式：vhx-1000)，以倍率200倍进行观察，从而测定预定割断的边中未被割断的边的数量。并且，对于半导体晶片30和粘接剂层3，分别根据预定割断的边的总数和未割断的边的总数，计算被割断的边的数量在预定割断的边的总数中所占的比例，作为割断率(％)。基于前述光学显微镜的观察部位针对半导体晶片30的整面来进行。按照以下的基准，对于半导体晶片30和粘接剂层3分别评价割断性，将b以上的评价判断为割断性良好。
[0427]
a：割断率为95％以上100％以下。
[0428]
b：割断率为90％以上且小于95％。
[0429]
c：割断率小于90％。
[0430]
5.4.2芯片接合膜(粘接剂层)3从切割胶带10的粘着剂层2的剥离(浮起)
[0431]
解除上述冷扩展状态后，再次使用株式会社disco制的扩展装置(装置名：dds2300 fully automatic die separator)，利用其加热扩展单元，按照以下的条件实施常温扩展工序。
[0432]
·
常温扩展工序的条件
[0433]
温度：23℃、
[0434]
扩展速度：30mm/秒、
[0435]
扩展量：9mm、
[0436]
(4)待机时间：15秒
[0437]
接下来，在维持扩展状态的状态下，用吸附工作台吸附切割胶带10，在维持由吸附工作台进行的该吸附的状态下，使吸附工作台随着工事下降。然后，按照以下的条件实施热收缩工序，使切割胶带10中的比半导体芯片30a保持区域更靠近外侧的圆周部分加热收缩(热收缩)。
[0438]
·
热收缩工序的条件
[0439]
热风温度：200℃、
[0440]
风量：40l/分钟、
[0441]
热风喷出口与切割胶带10的距离：20mm、
[0442]
工作台的旋转速度：7
°
/秒
[0443]
接下来，将切割胶带10从由吸附工作台进行的吸附摆脱后，在被割断的各个半导体芯片的四方周边，从半导体晶片30的表面侧，使用株式会社keyence制的光学显微镜(型号：vhx-1000)，以倍率50倍观察芯片接合膜(粘接剂层)3从切割胶带10的粘着剂层2剥离的状态。芯片接合膜(粘接剂层)3的剥离状态在任意位置的半导体芯片30a中均观察为几乎同样的状态，因此，该评价中的带芯片接合膜的半导体芯片的观察数设为位于半导体晶片30的中央部的预定的20个，观察其平均的剥离状态。按照以下的基准，对扩展时切割芯片接合膜20中的芯片接合膜(粘接剂层)3从切割胶带10的粘着剂层2剥离(浮起)的水平进行评价，将b以上的评价判断为良好。
[0444]
a：未观察到芯片接合膜从粘着剂层的剥离。
[0445]
b：在半导体芯片的四方周边观察到极少的芯片接合膜从粘着剂层的剥离，观察到剥离的部分的面积比例相对于半导体芯片的总面积小于20％。
[0446]
c：在半导体芯片的四方周边明确观察到芯片接合膜从粘着剂层的剥离，观察到剥离的部分的面积比例相对于半导体芯片的总面积为20％以上。
[0447]
5.4.3切割芯片接合膜20中的切割胶带10的扩张性(切口宽度)
[0448]
为了评价上述芯片接合膜(粘接剂层)3从切割胶带10的粘着剂层2的剥离(浮起)水平，在常温扩展工序中，将切割胶带10从由吸附工作台进行的吸附摆脱时，同时从半导体晶片30的表面侧，使用株式会社keyence制的光学显微镜(型号：vhx-1000)，以倍率200倍观察、测定在该状态下相邻的半导体芯片30a间的距离(切口宽度)，从而对切割芯片接合膜20中的切割胶带10的扩张性进行评价。
[0449]
具体而言，对于图11所示的半导体晶片30的中心部31中由邻接的4个半导体芯片30a形成的一个割断十字线部的4个部位(基材膜1的md方向：切口md1和切口md2的2个部位、基材膜1的td方向：切口td1和切口td2的2个部位、参照图12)、左部32中由邻接的6个半导体芯片30a形成的2个割断十字线部的7个部位(md方向：切口md3～切口md5的3个部位、td方向：切口td3～切口td6的4个部位、未图示)、右部33中由邻接的6个半导体芯片30a形成的2个割断十字线部的7个部位(md方向：切口md6～切口md8的3个部位、td方向：切口td7～切口td10的4个部位、未图示)、上部34中由邻接的6个半导体芯片30a形成的2个割断十字线部的7个部位(md方向：切口md9～切口md12的4个部位、td方向：切口td11～切口td13的3个部位、未图示)和下部35中由邻接的6个半导体芯片30a形成的2个割断十字线部的7个部位(md方向：切口md13～切口md16的4个部位、td方向：切口td14～切口td16的3个部位、未图示)的共计32个部位(md方向上16个部位、td方向上16个部位)，测定相邻的半导体芯片30a间的间隔距离，分别计算md方向16个部位的平均值作为md方向切口宽度，计算td方向16个部位的平均值作为td方向切口宽度。按照以下的基准，评价切割芯片接合膜20中的切割胶带10的扩张性，将b以上的评价判断为扩张性良好。
[0450]
a：md方向切口宽度、td方向切口宽度的任一个值均为30μm以上。
[0451]
b：md方向切口宽度的值为30μm以上，td方向切口宽度的值为25μm以上且小于30μm。
[0452]
c：md方向切口宽度、td方向切口宽度中任一者的值均小于25μm。
[0453]
5.5切割芯片接合膜20中的切割胶带10的拾取性的评价
[0454]
从保持了通过上述扩展工序而被割断、单片化的带芯片接合膜(粘接剂层)3a的半导体芯片30a的切割胶带10的基材膜1侧，以照射强度70mw/cm2按照累积光量成为150mj/cm2的方式照射中心波长365nm的紫外线(uv)，使粘着剂层2固化，从而作为拾取性的评价试样。
[0455]
接下来，使用fasford technology株式会社制(原株式会社日立高新技术制)的具有拾取机构的装置(装置名：diebonder db-830p)进行拾取试验。拾取用夹头的尺寸设为4.5
×
7.1mm、上推销的销根数设为12根，关于拾取的条件，将上推销的上推速度设为10mm/秒、上推销的上推高度设为200μm。将拾取的试行样品数设为预定位置的50个(芯片)，按照以下的基准，评价切割芯片接合膜20中的切割胶带10的拾取性，将b以上的评价判断为拾取性良好。
[0456]
a：连续拾取50个芯片，未发生芯片破裂或拾取错误的个数(拾取成功个数)为48个
以上50个以下。
[0457]
b：连续拾取50个芯片，未发生芯片破裂或拾取错误的个数(拾取成功个数)为45个以上且小于48个。
[0458]
c：连续拾取50个芯片，未发生芯片破裂或拾取错误的个数(拾取成功个数)小于45个。
[0459]
6.评价结果
[0460]
关于对实施例1～32和比较例1～17中制作的切割胶带10和切割芯片接合膜20(ddf(a)～ddf(ww))的各评价结果，与切割胶带10和切割芯片接合膜20的构成和所使用的基材膜1的构成等一起示于表1～9。
[0461]
[表1]
[0462][0463]
[表2]
[0464][0465]
[表3]
[0466][0467]
[表4]
[0468][0469]
[表5]
[0470][0471]
[表6]
[0472][0473]
[表7]
[0474][0475]
[表8]
[0476][0477]
[表9]
[0478][0479]
如表1～6所示，确认到：对于使用满足本发明要件的具备基材膜1(a)～(n)和含有粘着剂组合物2(a)～2(n)的粘着剂层2的切割胶带10制作的实施例1～32的切割芯片接合膜20(ddf(a)～ddf(ff))，在供于半导体装置的制造工序的情况下，在隐形切割性和拾取性
的任一者的评价中均可得到满意的结果。另外，耐热性的评价也良好。
[0480]
详细比较实施例时可知，对于实施例2～4、实施例7、8、实施例10～14、实施例20、22、23和实施例30～32的切割芯片接合膜20，在隐形切割性和拾取性的评价中能够以高水平兼顾，特别优异。关于耐热性，从实施例3～6的切割芯片接合膜20的评价结果明确可知，基材膜1中的聚酰胺树脂(b)的含有比率变大则变得更加良好。
[0481]
关于实施例1和实施例9的切割芯片接合膜20，基材膜1的td方向的在-15℃的5％伸长时的应力稍小，分别为15.8mpa、16.0mpa，因此芯片接合膜3的割断性稍差。另外，切割胶带10的扩张性也稍差。另外，关于实施例16的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物中的多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)为0.02，是范围的下限值，因此粘着剂层2的凝聚力变得稍小，芯片接合膜3的割断性稍差。另外，uv照射后的低角度粘着力稍大，拾取性也稍差。另外，进一步，关于实施例26的切割芯片接合膜20，也是同样，粘着剂组合物中的当量比(nco/oh)稍小，因此粘着剂层2的凝聚力变得稍小，芯片接合膜3的割断性稍差。另外，粘着剂组合物的活性能量射线反应性碳-碳双键浓度为0.85mmol/g，是范围的下限值，因此uv照射后的低角度粘着力稍大，进一步，也受到丙烯酸系粘着性聚合物的重均分子量mw的影响，也稍微可见芯片接合膜3的浮起，拾取性也稍差。
[0482]
另外，关于实施例5和实施例6的切割芯片接合膜20，基材膜1整体中的由离聚物构成的树脂(a)与聚酰胺树脂(b)的质量比率(a)：(b)分别为74：26、72：28，聚酰胺树脂(b)的含有比率稍大，因此由于基材膜1的刚性的影响，uv照射后的低角度粘着力稍大，拾取性稍差。另外，关于实施例17的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物中的交联反应后的残留羟基浓度为0.90mmol/g，是范围的上限值，因此-30℃时uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜3的剪切粘接力稍大，拾取性稍差。另外，进一步，关于实施例18的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物的活性能量射线反应性碳-碳双键浓度为0.85mmol/g，是范围的下限值，因此uv照射后的低角度粘着力稍大，拾取性稍差。另外，进一步，关于实施例21的切割芯片接合膜20，推测是因为粘着剂组合物中的丙烯酸系粘着性聚合物的主链的玻璃化转变温度稍高，另一方面，丙烯酸系粘着性聚合物的作为共聚成分的丙烯酸丁酯(ba)与芯片接合膜3的相互作用强，虽然未看到芯片接合膜3的浮起，但-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜3的剪切粘接力稍大，uv照射后的低角度粘着力也稍大，拾取性稍差。
[0483]
另外，关于实施例15和实施例19的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物中的多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基(nco)与丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基(oh)的当量比(nco/oh)为0.20，是范围的上限值，因此粘着剂层2变得稍硬，-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜的剪切粘接力稍小，稍微可见芯片接合膜3的浮起。由于其影响，关于实施例15的切割芯片接合膜20，拾取性稍差。另外，进一步，关于实施例19的切割芯片接合膜20，虽然稍微看到芯片接合膜3的浮起，但粘着剂组合物的活性能量射线反应性碳-碳双键浓度大，为1.51mmol/g，因此拾取性勉强确保了a水平(拾取成功个数48个)。另外，进一步，关于实施例24的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物中的交联反应后的残留羟基浓度为0.18mmol/g，是范围的下限值，因此-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜3的剪切粘接力稍小，稍微看到芯片接合膜3的浮起，由于其影响，导致拾取性稍差。另外，进一步，关于实施例25的切割芯片接合膜20，丙烯酸系粘着性聚合物的重均分子量mw稍大，因此-30℃
时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜的剪切粘接力稍小，稍微看到芯片接合膜3的浮起，由于其影响，导致拾取性稍差。另外，进一步，关于实施例27的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物中的丙烯酸系粘着性聚合物的基础聚合物的玻璃化转变温度稍高，因此-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜的剪切粘接力稍小，稍微看到芯片接合膜3的浮起，由于其影响，导致拾取性稍差。另外，进一步，关于实施例28的切割芯片接合膜20，粘着剂层2的厚度稍薄，因此-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜3的剪切粘接力稍小，稍微看到芯片接合膜3的浮起，由于其影响，导致拾取性稍差。另外，进一步，关于实施例29的切割芯片接合膜20，粘着剂层2的厚度稍厚，因此切割胶带10的扩张性稍差，uv照射后的低角度粘着力也稍大，由于其影响，导致拾取性稍差。
[0484]
与此相对，如表7所示，关于使用具备不满足本发明要件的基材膜1(o)和不满足本发明要件的含有粘着剂组合物2(o)～2(t)的粘着剂层2的切割胶带10制作的比较例1～6的切割芯片接合膜20(ddf(gg)～ddf(ll))，确认到：任一者均耐热性不足，在隐形切割性4个项目中任一者的评价和拾取性的评价中，为比实施例1～32的切割芯片接合膜20(ddf(a)～ddf(ff))差的结果。同样地，如表9所示，关于使用具备不满足本发明要件的基材膜1(r)、1(s)和不满足本发明要件的含有粘着剂组合物2(o)的粘着剂层2的切割胶带10制作的比较例16、17的切割芯片接合膜20(ddf(vv)、ddf(ww))，确认到：耐热性不足，在隐形切割性4个项目中任一者的评价和拾取性的评价中，为比实施例1～32的切割芯片接合膜20(ddf(a)～ddf(ff))差的结果。
[0485]
另外，如表8所示，关于使用虽然使用了满足本发明要件的基材膜1(b)但具备不满足本发明要件的含有粘着剂组合物2(o)～(t)的粘着剂层2的切割胶带10制作的比较例7～12的切割芯片接合膜20(ddf(mm)～ddf(rr))，确认到：耐热性、半导体晶片30的割断性、芯片接合膜3的割断性和切割胶带10的扩张性良好，但在隐形切割性4个项目中任一者的评价和拾取性的评价中，为比实施例1～32的切割芯片接合膜20(ddf(a)～ddf(ff))差的结果。
[0486]
另外，如表9所示，关于使用虽然使用了满足本发明要件的含有粘着剂组合物2(a)的粘着剂层2但具备含有不满足本发明要件的基材膜1(o)～(q)的粘着剂层的切割胶带10制作的比较例13～15的切割芯片接合膜20(ddf(ss)～ddf(uu))，确认到：在耐热性的评价和隐形切割性4个项目中任一者的评价、以及拾取性的评价中，为比实施例1～32的切割芯片接合膜20(ddf(a)～ddf(ff))差的结果。
[0487]
具体而言，关于使用了不含聚酰胺树脂(b)、仅由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)构成的基材膜1(o)的比较例1～6和比较例13的切割芯片接合膜20，任一者的耐热性均不足，进一步基材膜1的-15℃时的td方向的5％伸长时的应力小，为12.5mpa，低于作为范围下限值的15.5mpa，因此芯片接合膜3的割断性和切割胶带10的扩张性大幅劣化，可知对拾取性的恶化带来的影响大。另外，关于比较例1和比较例4的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物中的当量比(nco/oh)分别为0.47、0.33，超过了作为范围上限值的0.20，因此粘着剂层2变硬，-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜3的剪切粘接力小，可看到芯片接合膜3的浮起，由于其影响，导致拾取性大幅劣化。另一方面，关于比较例3的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物中的当量比(nco/oh)为0.01，低于作为范围下限值的0.02，因此粘着剂层2的凝聚力变小，uv照射后的低角度粘着力大，拾取性大幅劣化。另外，进一步，关于比较例2的切割芯片接合膜20，由于粘着剂组合物中的交联反应后的残留羟基
浓度为1.21mmol/g，超过了范围的上限值，并且，粘着剂组合物的活性能量射线反应性碳-碳双键浓度为0.80mmol/g，低于范围的下限值，因此uv照射后的低角度粘着力变大，拾取性大幅劣化。另外，进一步，关于比较例5的切割芯片接合膜20，由于粘着剂组合物中的交联反应后的残留羟基浓度为0.95mmol/g，超过了范围的上限值，粘着剂组合物的活性能量射线反应性碳-碳双键浓度为0.58mmol/g，大幅低于范围的下限值，并且粘着剂组合物的丙烯酸系粘着性聚合物的酸值也产生较大影响，导致uv照射后的低角度粘着力变大，拾取性大幅劣化。关于比较例6的切割芯片接合膜20，粘着剂组合物中的丙烯酸系粘着性聚合物的主链的玻璃化转变温度为40℃，超过了范围的上限值，因此粘着剂层2变硬，-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜3的剪切粘接力小，可看到芯片接合膜3的浮起，由于其影响，导致拾取性大幅劣化。
[0488]
另外，关于具备包含分别与比较例1～6相同的粘着剂组合物的粘着剂层2的比较例7～12的切割芯片接合膜20，芯片接合膜3的浮起和拾取性的评价结果也与上述相同。
[0489]
另外，关于基材膜1不含聚酰胺树脂(b)、仅由包含乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物的树脂(a)构成的落在本发明范围外的比较例13、以及基材膜1整体中的由离聚物构成的树脂(a)与聚酰胺树脂(b)的质量比率(a)：(b)为97：3、聚酰胺树脂(b)的含有比率小、落在本发明范围外的比较例14的切割芯片接合膜20，耐热性不足，进一步基材膜1的在-15℃的td方向的5％伸长时的应力小，分别为12.5mpa、15.0mpa，不满足作为范围下限值的15.5mpa，因此芯片接合膜3的割断性和切割胶带10的扩张性变得不足，其结果是，拾取性大幅劣化。另外，进一步，关于基材膜1整体中的由离聚物构成的树脂(a)与聚酰胺树脂(b)的质量比率(a)：(b)为70：30、聚酰胺树脂(b)的含有比率大、落在本发明范围外的比较例15的切割芯片接合膜20，虽然耐热性良好，但由于基材膜1的刚性的影响，导致uv照射后的低角度粘着力变大，拾取性大幅劣化。
[0490]
另外，关于作为以往的切割芯片接合膜而例示的比较例16的切割芯片接合膜20(ddf(vv))，由于pp/eva/pp的3层构成的基材膜1的在-15℃的5％伸长时的应力在md方向上为10.8mpa、在td方向上为10.3mpa，是极小的，不满足作为范围下限值的15.5mpa，因此芯片接合膜3的割断性和切割胶带10的扩张性变得不足，并且由于粘着剂组合物中的当量比(nco/oh)为0.47，超过了作为范围上限值的0.20，因此粘着剂层2变硬，-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜3的剪切粘接力小，可看到芯片接合膜3的浮起，由于它们的影响，导致拾取性大幅劣化。另外，进一步，关于作为以往的切割芯片接合膜而例示的比较例16的切割芯片接合膜20(ddf(ww))，由于pvc单层构成的基材膜1的在-15℃的5％伸长时的应力在md方向上为45.6mpa、在td方向上为42.8mpa，是极大的，超过了作为范围上限值的28.5mpa，因此切割胶带10的扩张性变得不足，并且由于粘着剂组合物中的当量比(nco/oh)为0.47，超过了作为范围上限值的0.20，因此粘着剂层2变硬，-30℃时的uv照射前粘着剂层2对于芯片接合膜3的剪切粘接力小，可看到芯片接合膜3的浮起，由于它们的影响，导致拾取性大幅劣化。