切割胶带和切割芯片接合膜的制作方法

技术特征：
1.一种切割胶带，其为具备基材膜、以及在该基材膜上的含有活性能量射线固化性粘着剂组合物的粘着剂层的切割胶带，其特征在于，(1)所述基材膜包含由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂(a)、以及聚酰胺树脂(b)，所述基材膜由该基材膜整体中的所述树脂(a)与所述树脂(b)的质量比率(a)：(b)为72：28～95：5范围的树脂组合物构成，即使在将基材膜沿md方向即基材膜制膜时的流动方向和td方向即相对于md方向垂直的方向中的任一方向拉伸的情况下，在-15℃的5％伸长时的应力也为15.5mpa以上28.5mpa以下的范围，(2)所述活性能量射线固化性粘着剂组合物包含具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物、光聚合引发剂、以及与所述羟基发生交联反应的多异氰酸酯系交联剂，所述丙烯酸系粘着性聚合物的主链的玻璃化转变温度tg为-65℃以上-50℃以下的范围，羟基值为12.0mgkoh/g以上55.0mgkoh/g以下的范围，所述活性能量射线固化性粘着剂组合物中，所述多异氰酸酯系交联剂所具有的异氰酸酯基nco与所述丙烯酸系粘着性聚合物所具有的羟基oh的当量比即nco/oh为0.02以上0.20以下的范围，交联反应后的残留羟基浓度相对于每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物为0.18mmol以上0.90mmol以下的范围，活性能量射线反应性碳-碳双键浓度相对于每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物为0.85mmol以上1.60mmol以下的范围。2.根据权利要求1所述的切割胶带，所述活性能量射线反应性碳-碳双键浓度相对于每1g活性能量射线固化性粘着剂组合物为1.02mmol以上1.51mmol以下的范围。3.根据权利要求1或2所述的切割胶带，所述丙烯酸系粘着性聚合物的重均分子量mw为20万以上60万以下的范围。4.根据权利要求1～3中任一项所述的切割胶带，所述丙烯酸系粘着性聚合物的酸值为0mgkoh/g以上9.0mgkoh/g以下的范围。5.一种切割芯片接合膜，在权利要求1～4中任一项所述的切割胶带的粘着剂层上可剥离地设置芯片接合膜而成。6.根据权利要求5所述的切割芯片接合膜，所述切割胶带的粘着剂层对于所述芯片接合膜的23℃时的紫外线照射后低角度粘着力在剥离角度30
°
、剥离速度600mm/分钟时为0.95n/25mm以下，所述切割胶带的粘着剂层对于所述芯片接合膜的-30℃时的紫外线照射前剪切粘接力在拉伸速度1,000mm/分钟时为100.0n/100mm2以上。7.根据权利要求5或6所述的切割芯片接合膜，所述芯片接合膜包含含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、环氧树脂和酚醛树脂作为树脂成分。8.根据权利要求5～7中任一项所述的切割芯片接合膜，所述芯片接合膜为引线埋入型芯片接合膜。9.根据权利要求8所述的切割芯片接合膜，所述引线埋入型芯片接合膜中，将作为树脂成分的所述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、所述环氧树脂和所述酚醛树脂的合
计量设为基准100质量份时，(a)以树脂成分总量成为100质量份的方式调整为以17质量份以上51质量份以下的范围包含所述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物，以30质量份以上64质量份以下的范围包含所述环氧树脂，以19质量份以上53质量份以下的范围包含所述酚醛树脂，(b)相对于所述环氧树脂和所述酚醛树脂的合计量100质量份，以0.01质量份以上0.07质量份以下的范围包含固化促进剂，(c)相对于所述含有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯共聚物、所述环氧树脂和所述酚醛树脂的合计量100质量份，以10质量份以上80质量份以下的范围包含无机填料。

技术总结
本发明的课题为提供一种切割胶带和切割芯片接合膜，该切割芯片接合膜在低温下的半导体晶片制造工序中抑制芯片接合膜从粘着胶带浮起，确保充分的切口宽度，可剥离地设有表现良好拾取性的切割胶带和芯片接合膜。解决方法为一种切割胶带，其由基材膜和粘着剂层构成，前述基材膜包含由乙烯-不饱和羧酸系共聚物的离聚物构成的树脂和聚酰胺树脂，前述粘着剂层由粘着剂组合物构成，前述粘着剂组合物包含具有活性能量射线反应性碳-碳双键和羟基的丙烯酸系粘着性聚合物、光聚合引发剂、以及与前述羟基发生交联反应的多异氰酸酯系交联剂。羟基发生交联反应的多异氰酸酯系交联剂。羟基发生交联反应的多异氰酸酯系交联剂。


技术研发人员：角田俊之 古川慧 佐藤浩和 田中理惠 增田晃良
受保护的技术使用者：麦克赛尔株式会社
技术研发日：2021.12.13
技术公布日：2022/6/16