用于产生层堆叠物的方法和用于制造图案化层堆叠物的方法与流程

1.本公开内容涉及一种产生层堆叠物的方法，并且进一步涉及一种图案化的层堆叠物的制造方法。更特定地，本公开内容涉及一种从产生的层堆叠物制造图案化层堆叠物的方法。


背景技术：

2.在许多应用中，期望在基板上(例如，在玻璃基板上)沉积薄层。常规地，在涂覆设备的不同腔室中涂覆基板。对于一些应用，使用气相沉积技术在真空中涂覆基板。已知用于在基板上沉积材料的若干方法。例如，可通过物理气相沉积(pvd)工艺、化学气相沉积(cvd)工艺或等离子体增强化学气相沉积(pecvd)工艺等来涂覆基板。通常，该工艺是在要涂覆的基板所在的处理设备或处理腔室中执行的。
3.一种用于在基板上形成层的方法是溅射，该方法已经在多种多样的制造领域中(例如，在tft制造中)发展为有价值的方法。在溅射期间，通过用等离子体的高能粒子(例如，惰性或反应气体的激励离子)轰击溅射靶来将原子从该溅射靶的材料逐出。逐出的原子可沉积在基板上，使得可在基板上形成溅射材料层。
4.已知的溅射沉积源包括电源布置，电源布置具有用于产生电能并将电能供应到溅射沉积源的一个或多个电极(例如，阴极)的电源。所述能量沉降在阴极之间的气体中来点燃和维持等离子体，并且等离子体离子和等离子体电子的运动可由可布置在阴极后面的磁体组件控制。阴极可包括用于通过等离子体的溅射提供涂覆材料的相应的靶。
5.薄膜晶体管的制造可能涉及在一个基板上沉积各种层。为了提供不同的层的相应的功能结构，这些层经受修整工艺。这些工艺可包括蚀刻沉积层以分别露出沉积在蚀刻层下方的层的功能结构。
6.蚀刻沉积层是有挑战性的，因为可能出现影响蚀刻工艺的准确度和效率的各种副作用。鉴于这种情况，需要制造薄膜晶体管的改善的方法。


技术实现要素：

7.鉴于以上内容，提供了一种制造图案化层堆叠物的方法。所述方法包括沉积层堆叠物，其中沉积层堆叠物包括：在包括惰性气体和氢的处理气体气氛中在基板上沉积第一透明导电氧化物层；在所述第一透明导电氧化物层上沉积金属层；以及在所述金属层上沉积第二透明导电氧化物层。所述方法进一步包括一步湿法蚀刻所述层堆叠物以制造图案化的层堆叠物。
8.根据本公开内容的一方面，提供了一种蚀刻层堆叠物的方法。所述层堆叠物包括第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层以及在两者间的金属层。所述方法进一步包括提供形成在基板上的所述层堆叠物，所述第一透明导电氧化物层在包括惰性气体和氢的处理气体气氛中形成；以及一步湿法蚀刻所述层堆叠物。
9.根据本公开内容的另一方面，提供了一种在基板上产生层堆叠物的方法。所述方
法包括：在包括惰性气体和氢的处理气体气氛中在所述基板上沉积第一透明导电氧化物层；在所述第一透明导电氧化物层上沉积金属层；以及在所述金属层上沉积第二透明导电氧化物层以获得所述层堆叠物。
10.根据本公开内容的另一方面，提供了一种电子器件。所述电子器件包括根据本文描述的实施方式制造的图案化的层堆叠物。
11.实施方式还涉及用于进行所公开的方法的设备并且包括用于执行每个描述的方法方面的设备部分。这些方法方面可借助于硬件部件、由适当软件编程的计算机、这两者的任何组合或以任何其他方式执行。此外，根据本公开内容的实施方式还涉及用于操作所描述的设备的方法。它包括了用于进行所述设备的每一功能的方法方面。
附图说明
12.为了可详细地理解本公开内容的上述特征，可参考实施方式来得到以上简要地概述的本公开内容的更特别的描述。附图涉及本公开内容的实施方式并且描述如下：
13.图1示出了根据本文描述的实施方式的方法的流程图；
14.图2示出了根据本文描述的实施方式的方法的流程图；
15.图3示出了根据本文描述的实施方式的用于示出蚀刻速率的图；
16.图4示出了根据本文描述的实施方式的用于示出蚀刻效果的图；并且
17.图5示出了根据本文描述的实施方式的方法的流程图。
具体实施方式
18.现将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示出于各图中。在以下对附图的描述内，相同的附图标记是指相同的部件。一般来讲，仅描述了相对于各别实施方式的差异。每个示例是作为对本公开内容的解释而提供的，并且不意指对本公开内容的限制。另外，被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可在其他实施方式上或结合任何其他实施方式使用，以产生又一个实施方式。说明书旨在包括此类修改和变化。
19.在薄膜晶体管(tft)制造的修整工艺中，关键尺寸损失或cd损失是有挑战性的副作用。在制造期间，将若干层沉积到基板上并进行蚀刻以暴露选择的结构。然而，层的蚀刻需要是高度特定的以避免材料的非特定性去除，例如，以避免在蚀刻结构处的底切导致cd损失，并且由此确保结构的高度准确的尺寸。尤其是在具有不同的材料的多层沉积中，由于不同的材料特性(例如，层的结晶度)，蚀刻工艺是有挑战性的。例如，多层结构的不同的材料可以是在被蚀刻时包括不同的行为的陶瓷和金属。因此，必须将不同的蚀刻溶液施加到多层结构以用于不同的层的后续蚀刻，或者必须在一步蚀刻程序中延长蚀刻时间以减少不同的材料的蚀刻速率的差异，即，在一步蚀刻解决方案中提供改善的选择性比是有益的。特别地，在这方面，结合金属层蚀刻透明导电氧化物(tco)层可能是困难的。
20.本公开内容的实施方式示出了对制造例如包括tco-金属-tco层的薄膜晶体管的有益效果，特别是用于蚀刻此类层和用于提供改善的选择性比以及用于提供用本文提供的方法制造的改善的器件。
21.在以下对附图的描述内，相同的附图标记是指相同或类似的部件。一般来讲，仅描
述了相对于各别实施方式的差异。除非另有指明，否则一个实施方式中的部分或方面的描述也适用于另一个实施方式中的对应的部分或方面。
22.在本公开内容中，表达“处理气体气氛”可被理解为在用于沉积层的设备的处理腔室内部、特别是在真空处理腔室部内的气氛。“处理气体气氛”可具有由在处理腔室内部的容积指定的体积。
23.在本公开内容中，缩写“h
2”代表氢、特别是气态氢。此外，缩写“h2o”代表呈任何聚集相的水，即，该缩写可代表固态、液态和气态水，即，水蒸汽。
24.在本公开内容中，表达“非晶结构的程度”可被理解为在固态下非晶结构与非非晶结构的比率。非非晶结构可以是结晶结构。非晶结构可以是玻璃状结构。
25.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式并且示例性地参考图1，提供了在基板上产生层堆叠物的方法100。该方法包括在包括惰性气体和氢的处理气体气氛中在基板上沉积(称为图1中的框110)第一透明导电氧化物层。
26.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，第一透明导电氧化物(tco)可以是铟氧化物层、特别是铟锡氧化物(ito)层。然而，将理解，也可使用其他透明导电氧化物，诸如铟锌氧化物(izo)等。此外，第一tco层可包括选自由以下项组成的群组的透明导电氧化物：in2o3、sno2、zno和它们的组合。还将理解，也可使用其他金属氧化物。
27.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，第一透明导电氧化物(tco)可通过沉积工艺提供。例如，可通过在沉积腔室中从tco靶溅射透明导电氧化物来提供第一tco层。特别地，第一tco层可通过dc溅射工艺提供。第一tco层可沉积在基板上。基板可以是玻璃基板、聚合物基板等。将理解，基板也可以是柔性基板，诸如箔或卷材。另外地，基板可以是大面积基板。基板可包括另外的材料层，第一tco层可沉积在该另外的材料层上。
28.在本公开内容中，术语“大面积基板”是指具有面积为0.5m2或更大、特别是1m2或更大的主要表面的基板。在一些实施方式中，大面积基板可以是第4.5代(其对应于约0.67m2的基板(0.73m
×
0.92m))、第5代(其对应于约1.4m2的基板(1.1m
×
1.3m))、第7.5代(其对应于约4.29m2的基板(1.95m
×
2.2m))、第8.5代(其对应于约5.7m2的基板(2.2m
×
2.5m))，或者甚至第10代(其对应于约8.7m2的基板(2.85m
×
3.05m))。可类似地实现甚至更高的代(诸如第11代和第12代)和对应的基板面积。另外，基板厚度可以是从0.1mm至1.8mm，特别是约0.9mm或更低，诸如0.7mm或0.5mm。
29.根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，处理气体气氛中的惰性气体含量的范围可在70摩尔％的下限、特别是73摩尔％的下限、更特别是81摩尔％的下限与87.5摩尔％的上限、特别是92.0摩尔％的上限、更特别是97.0摩尔％的上限之间。
30.根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，处理气体气氛包括氢，其可以诸如气态h2的元素形式和/或作为诸如水蒸汽的化学化合物提供。此外，氢可与惰性气体一起提供，即，作为混合物。将理解，在沉积第一透明导电氧化物层期间，也可组合地提供水蒸汽和h2。还将理解，在沉积第一tco层期间，可存在其他处理气体，例如氧(o2)。
31.还将理解，根据本文描述的实施方式的处理气体气氛的成分的含量可加起来达100％。特别地，根据可与本文描述的其他实施方式组合的一些实施方式，化学化合物或化学元素和惰性气体的含量可加起来多达处理气体气氛的100％。惰性气体可选自由以下项
组成的群组：氦、氖、氩、氪、氙或氡。特别地，惰性气体可以是氩(ar)。
32.根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，处理气体气氛中的水蒸汽的含量的范围可在0.2摩尔％的下限、更特别是1摩尔％的下限、甚至更特别是2.0摩尔％的下限、甚至更特别是4摩尔％的下限与6摩尔％的上限、特别是8摩尔％的上限、更特别是10.0摩尔％的上限之间。例如，通过在其中处理气体气氛中的水蒸汽的含量已经从在本文所描述的下限和上限之间的范围中选择的处理气体气氛中溅射透明导电氧化物层，可调整氧化物层的非晶结构的程度。特别地，通过增加处理气体气氛中的水蒸汽的含量，可增加氧化物层中的非晶结构的程度。
33.根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，处理气体气氛中的h2的含量的范围可在1摩尔％的下限、更特别是5摩尔％的下限、甚至更特别是6.1摩尔％的下限与10摩尔％的上限、特别是15.0摩尔％的上限、更特别是20.0摩尔％的上限、甚至更特别是22摩尔％的上限之间。甚至更特别地，处理气体气氛中的h2含量的上限可以是9摩尔％。通过在其中处理气体气氛中的h2的含量已经从在本文所描述的下限和上限之间的范围中选择的处理气体气氛中从含铟氧化物靶溅射透明导电氧化物层，可调整氧化物层的非晶结构的程度。特别地，通过增加处理气体气氛中的h2的含量，可增加氧化物层中的非晶结构的程度。
34.因此，通过在具有本文所描述的氢含量的处理气体气氛中溅射tco层、特别是ito层，可抑制结晶tco相的形成。有鉴于此，在溅射的氧化物层的后续图案化(例如，通过湿法化学蚀刻)的情况中，可实现氧化物层上结晶ito残余物的减少。特别地，包括氢的处理气体气氛提高了ito的蚀刻速率，使得可通过仅提供一种蚀刻溶液来同时地蚀刻ito层和金属层(即，银层)。因此，可提高用于tft显示器制造的图案化氧化物层的品质。
35.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式并且示例性地参考图1中的框120，该方法进一步包括在第一透明导电氧化物层上沉积(称为框120)金属层。金属层可包括贵金属，诸如银(ag)等。金属层可沉积在第一透明氧化物层上。例如，金属层可溅射在第一tco层上。有利地，金属层可提高层堆叠物的机械性质，例如，可增加层堆叠物的结晶度。金属层可通过使用溅射工艺来沉积。
36.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式并且示例性地参考图1中的框130，该方法进一步包括在金属层上沉积(称为框130)第二透明导电氧化物(tco)层。第二tco层可基本上类似于第一tco层。第二tco层可包括与第一tco层类似的材料。特别地，第二tco层可以是ito层。第二tco层可在与第一tco层类似的处理气体气氛中沉积。然而，第二tco层也可在与在沉积第一tco层期间的处理气体气氛不同的处理气体气氛中沉积。例如，第二tco层可在不含氢的处理气体气氛中沉积。将理解，氢的提供不限于第一tco层的沉积。实际上，在沉积第一tco层或沉积第二tco层时，氢可存在于处理气体气氛中，或者在沉积第一tco层和沉积第二tco层时，氢可存在于处理气体气氛中。
37.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层可包括铟锡氧化物，并且金属层可包括银。因此，可提供包括ito-ag-ito结构的多层。有利地，多层可包括有益效果(诸如有效地抑制在可见范围内的反射)，并且可包括相对于单一ito层更好的电导性。
38.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，沉积第一透明导电氧化物层和沉积第二透明导电氧化物层可包括在靶与基板之间存在直流电的情况下从靶溅射
第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层。
39.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，第一tco层和第二tco层可从tco靶溅射。特别地，靶可包括ito靶。例如，第一tco层可沉积、即溅射在基板上。然后，金属层可沉积、例如溅射在第一tco层上。随后，第二tco层可沉积、即溅射在金属层上。因此，方法100可提供包括第一tco层、金属层和第二tco层的层堆叠物。特别地，层堆叠物可依次包括第一ito层、银层和第二ito层。
40.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，沉积第一tco层和第二tco层可包括将tco dc溅射(包括磁控管源)到基板上。沉积可在真空环境中(即，在真空处理腔室中)执行。此外，金属层可在第二真空环境中(即，在第二真空腔室中)沉积。可连接真空腔室，即，可在没有真空中断的情况下执行包括第一tco层和/或第二tco层的基板的传送。换句话说，可连续地沉积tco-金属-tco层堆叠物。
41.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，第一tco层和第二tco层(例如，第一ito层和第二ito层)可沉积到在与之间的厚度，特别是至的厚度，更特别是的厚度。金属层(例如，银层)可沉积到在与之间的厚度，更特别是到的厚度，甚至更特别是与之间的厚度。
42.示例性地参考图2a，根据本文的实施方式提供了用于蚀刻层堆叠物的方法200。该方法包括提供(称为图2a中的框230)形成在基板上的层堆叠物。如根据本文的实施方式所述，层堆叠物包括第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层以及在两者间的金属层。
43.该方法还包括一步湿法蚀刻(称为图2a中的框240)层堆叠物。贯穿本公开内容使用的术语“一步湿法蚀刻”可被理解为湿法化学蚀刻，其中用于选择性蚀刻的蚀刻溶液被提供到多层对象。特别地，可将一种单一蚀刻溶液提供到多层对象或层堆叠物，其中层堆叠物的单一层的材料可彼此不同。蚀刻溶液的含量可提供特定特性以蚀刻一种特定材料，即，多层对象的一个特定层，但也可能够蚀刻多层对象的其他层。换句话说，一步湿法蚀刻意指提供适合于蚀刻不同的材料层的蚀刻溶液，但是优先地用于包括在多层对象或层堆叠物中的材料层中的一者。
44.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，一步湿法蚀刻层堆叠物可包括向层堆叠物提供单一蚀刻溶液，特别是用于蚀刻层堆叠物的多个层，更特别是用于随后蚀刻层堆叠物的多个层。单一蚀刻溶液可以是贵金属蚀刻溶液。术语“单一”可被理解为可仅提供一种蚀刻溶液来蚀刻若干(不同)层。特别地，可提供银蚀刻溶液来蚀刻层堆叠物。
45.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，蚀刻溶液可以是银蚀刻溶液，即，特别地用于蚀刻银层的溶液。蚀刻溶液例如可以是包括磷酸的溶液。蚀刻溶液还可包括硝酸、乙酸等。将理解，也可使用其他蚀刻溶液，例如用于其他材料(即，其他金属)的蚀刻溶液，特别是用于其他贵金属的蚀刻溶液。还将理解，蚀刻溶液可包括不同组合和/或浓度的如上所述的成分。
46.根据可与本文描述的其他实施方式组合的实施方式，层堆叠物可被覆盖有包括图案的掩模。该图案可包括对应于层堆叠物的要被蚀刻以提供蚀刻结构的区域的开口。可将
蚀刻溶液提供到覆盖有掩模的层堆叠物，例如，可将包括掩模的层堆叠物浸入蚀刻溶液中，或者可将蚀刻溶液喷射到层堆叠物上。将理解，可应用任何其他蚀刻技术来蚀刻层堆叠物。
47.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，可将第一tco层和第二tco层以及金属层一起蚀刻，即，可仅提供一种蚀刻溶液来同时蚀刻第一ito层、第二ito层和ag层。
48.有利地，一步湿法蚀刻是时间高效的，因为仅向包括不同的材料的层堆叠物提供一种溶液。然而，为了提供层堆叠物的高选择性蚀刻，适配蚀刻工艺以使得可提供要蚀刻的不同材料的匹配的蚀刻速率是有益的。因此，可确保层堆叠物的不同层的同时蚀刻。
49.另外，有利地，已经发现在沉积tco层期间处理气体气氛的一定含量的h2、特别是含量＞5％摩尔的h2的存在表现出对tco层的蚀刻速率的有益效果。因此，可提高tco层的蚀刻速率。另外，由于与在没有h2或存在较低含量的h2的处理气体气氛中沉积的tco层相比，金属层在金属蚀刻溶液中的蚀刻速率更高，因此提高的tco蚀刻速率使tco和金属的蚀刻速率差异更小。换句话说，在沉积第一tco层和/或第二tco层期间处理气体气氛中的高h2含量的存在使第一tco层和第二tco层的蚀刻速率与金属层的蚀刻速率在tco和金属层的组合一步湿法蚀刻中相匹配。
50.例如，第一ito层在》5摩尔％h2、特别是9摩尔％h2的处理气体气氛中沉积。随后，将银层沉积到第一ito层上，接着在与第一ito层类似的处理气体气氛或不同的处理气体气氛下沉积第二ito层。然后，可使用银蚀刻溶液对ito-ag-ito层进行一步湿法蚀刻。如以上所说明，在沉积第一ito层和第二ito层中的至少一者期间的高h2含量有益于在一步湿法蚀刻期间提供ito和ag的匹配的蚀刻速率。这对于在蚀刻ito-ag-ito层堆叠物期间防止cd损失可能是尤其有利的。
51.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，与在常规的湿法蚀刻工艺中实现的选择性比相比，在第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层与金属层之间(即，在第一ito层和第二ito层与ag层之间)的一步湿法蚀刻的选择性比可提高。例如，ito的蚀刻速率与银的蚀刻速率的选择性比可在20.0％与30.0％之间、更特别是在21.0％与25.0％之间、甚至更特别是在22.4％与24.9％之间。本文所使用的术语“选择性比”可被理解为透明导电氧化物(即，ito)与金属(即，ag)的蚀刻速率的比率。换句话说，选择性比可以是不同的材料的蚀刻速率的趋同(convergence)的度量。
52.图3是用于示出处理气体气氛条件对第一tco层和第二tco层以及在两者间的金属层的蚀刻速率的影响的图。作为示例，tco层包括ito，并且金属层包括银。在沉积ito层期间的示例性处理条件是0.3pa的处理压力和4.3kw的dc功率。
53.图3示出了以(埃)/秒为单位的蚀刻速率，即每秒的蚀刻距离。测试的样品条件包括分别从含ito靶溅射第一层和第二层和从ag靶溅射位于第一ito层和第二ito层之间的金属层。溅射条件在ar和氧、仅ar、ar和低h2含量、ar和中等h2含量以及ar和高h2含量的处理气体气氛间变化。高h2含量在处理气体气氛中包括9摩尔％h2。
54.如图3所示，两种不同的蚀刻溶液或蚀刻剂用于蚀刻ito-ag-ito层。当在ito层的沉积期间施加高h2含量的处理气体气氛时，可提供在两种蚀刻溶液中ito的类似的蚀刻速率。与处理气体气氛中仅存在ar时的蚀刻速率相比，处理气体气氛中h2的存在提高了在两种蚀刻溶液中的蚀刻速率。因此，处理气体气氛中氢含量的存在可使ito的蚀刻速率提高，
而与使用的蚀刻溶液无关。此外，在存在氢的情况下，特别是在存在9摩尔％的氢的情况下，ito蚀刻速率和ag蚀刻速率的选择性比可从在tco沉积期间不存在氢的情况下的8.3％(蚀刻剂1)和8.4％(蚀刻剂2)分别提高到22.4％(蚀刻剂1)和24.9％(蚀刻剂2)。
55.另外，图4示出了在沉积tco层(即，ito层)期间在不存在或存在氢的情况下tco-金属-tco层、特别是ito-ag-ito层的一步蚀刻结果的图。用两种不同的银蚀刻溶液蚀刻ito-ag-ito层。线形图指示蚀刻时间，而条形图指示在蚀刻期间在蚀刻的结构处发生的在单侧处的底切(undercut)的距离。
56.如以上所说明，在蚀刻期间形成底切是不利的，因为底切导致蚀刻的结构的关键尺寸损失。从图4中的图可看出，当在沉积tco层(即，ito层)时在处理气体气氛中施加高氢含量(即，氢含量＞5摩尔％、特别是9摩尔％氢)时，蚀刻时间减少，同时在蚀刻的结构的顶部和底部处的底切形成也减少。例如，使用9摩尔％h2可实现适量蚀刻时间减少5秒。此外，从图4可清楚的是，无论使用何种蚀刻溶液，都可实现这种有益效果。
57.有利地，通过提供其中第一tco层和/或第二tco层在包括高氢含量的气体气氛的存在下沉积的层堆叠物，tco和金属的蚀刻速率可匹配，即，可实现tco和金属的相当的(comparable)蚀刻速率，并且可减少底切形成，使得一步湿法蚀刻得到改善。更详细地，ito-ag-ito层可包括在一步湿法蚀刻时略微不同的ito和ag的蚀刻速率，并且由此，可减少或避免在蚀刻期间的底切形成。例如，cd损失可减少46％。总之，在沉积ito层期间包括高氢含量的气体气氛的存在带来更省时和更准确的蚀刻工艺。这也可带来更有成本效果的制造工艺。
58.示例性地参考图5，提供了制造图案化的层堆叠物的方法500。该方法包括沉积层堆叠物(称为图5中的框550)和一步湿法蚀刻(称为图5中的框560)层堆叠物以制造图案化的层堆叠物。根据本文描述的任何实施方式，沉积层堆叠物包括在包括惰性气体和氢的处理气体气氛中在基板上沉积(称为图5中的框552)第一透明导电氧化物层。
59.另外，沉积层堆叠物包括根据本文描述的任何实施方式在第一透明导电氧化物层上沉积(称为图5中的框554)金属层，并且沉积层堆叠物包括在金属层上沉积(称为图5中的框556)第二透明导电氧化物层。
60.根据可与本文中的任何实施方式组合的实施方式，制造图案化层堆叠物可包括在包括ar和9摩尔％h2的处理气体气氛中沉积第一ito层，在第一ito层上沉积ag层，并且将第二ito层沉积到ag层上。
61.有利地，通过提供其中第一tco层和/或第二tco层(即，ito层)在包括高氢含量的气体气氛的存在下沉积的图案化层堆叠物，层堆叠物的薄层电阻和在550nm处的反射率可与在不含h2的处理气体气氛中沉积的tco-金属-tco层相当。因此，根据本文的实施方式的方法提供了改善的图案化特性，同时维持图案化层堆叠物的高品质。
62.在本公开内容中，表达“薄层电阻”可被理解为通过根据本文描述的实施方式的方法制造的层或层堆叠物的电阻。特别地，“薄层电阻”可指层或层堆叠物被视为二维实体的情况。可理解，表达“薄层电阻”暗指电流是沿层的平面(即，电流不垂直于层)。另外，薄层电阻可指均匀层厚度的电阻率的情况。
63.另外，有利地，甚至大面积基板也可用根据本文描述的任何实施方式的方法来制造。与更小基板相比，大面积基板要求过度蚀刻，即，过量的蚀刻时间。由于层堆叠物的不同
层的蚀刻速率相当，tco层的蚀刻速率增加，并且总体蚀刻时间减少，并且甚至大面积基板可以降低的cd损失(即，提高的准确度和效率)制造。
64.根据可与本文描述的任何其他实施方式组合的实施方式，提供了电子器件。通过根据本文描述的实施方式的制造图案化层堆叠物的方法制造的图案化层堆叠物可用于电子器件中、特别是用于光电器件中。例如，图案化层堆叠物可以是薄膜晶体管中的反射阳极。因此，通过提供具有根据本文描述的实施方式的层的电子器件，可提高电子器件的品质。特别地，本领域技术人员将理解，根据本文描述的实施方式的制造用于显示器制造的多个薄膜晶体管的层的方法允许在制造期间调谐tft显示性质，特别是针对高品质和低成本进行调谐。
65.鉴于以上内容，将理解，与现有技术相比，本公开内容的实施方式有益地提供了制造图案化层堆叠物的方法，该方法在制造的时间效率和准确度方面有所改善，特别是在高品质显示器制造领域中如此。另外，与常规的蚀刻方法相比，本文描述的实施方式有益地提供了蚀刻层堆叠物的更高效的方法，特别是在一步湿法蚀刻方面如此。
66.虽然前述内容针对的是本公开内容的实施方式，但是在不脱离本公开内容的基本范围的情况下，可设想本公开内容的其他和进一步实施方式，并且本公开内容的范围由所附权利要求书确定。