光致抗蚀剂膜的干式室清洁的制作方法

技术特征：
1.一种清洁处理室的方法，所述方法包括：在处理室中提供半导体衬底，在所述半导体衬底的衬底层上具有干式沉积的含金属抗蚀剂膜；以及将蚀刻气体引入所述处理室中，其中在所述处理室的一或更多个表面上形成第一厚度的干式沉积的含金属抗蚀剂材料，其中所述蚀刻气体去除所述第一厚度的所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料。2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：通过在所述处理室的所述一或更多个表面上形成第二厚度的所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料来调节所述处理室的所述一或更多个表面。3.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在引入所述蚀刻气体后清扫所述处理室，以从所述处理室去除残留蚀刻气体。4.根据权利要求3所述的方法，其中清扫所述处理室包括使惰性气体和/或反应性气体流入所述处理室，其中所述处理室被加热至介于约20℃与约140℃之间的升高的温度，其中所述处理室被抽排至介于约0.1托与约6托之间的室压强。5.根据权利要求3所述的方法，其中清扫所述处理室包括使所述处理室的所述一或更多个表面暴露于基于远程等离子体的处理，以去除所述残留蚀刻气体，其中所述基于远程等离子体的处理包括基于氟的化学物质。6.根据权利要求3所述的方法，其中清扫所述处理室包括使所述处理室的所述一或更多个表面暴露于臭氧和/或氧气流，以去除所述残留蚀刻气体。7.根据权利要求1所述的方法，其还包括：在引入所述蚀刻气体之前，加热所述处理室的所述一或更多个表面至升高的温度，其中所述升高的温度介于约20℃与约140℃之间。8.根据权利要求7所述的方法，其中所述升高的温度介于约80℃与约120℃之间。9.根据权利要求7所述的方法，其中所述蚀刻气体包括卤化氢、氢气和卤素气体、三氯化硼、或其组合。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述卤化氢包括hcl。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻气体包括选自由溴化氢(hbr)、氯化氢(hcl)、碘化氢(hi)、三氯化硼(bcl3)、亚硫酰氯(socl2)、氯(cl2)、溴(br2)、碘(i2)、三溴化硼(bbr3)、氢(h2)、三氯化磷(pcl3)、甲烷(ch4)、甲醇(ch3oh)、氨(nh3)、甲酸(ch2o2)、三氟化氮(nf3)、氟化氢(hf)及其组合所组成的群组的气体的远程等离子体。12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一厚度的所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料的去除在未暴露于等离子体的情况下发生。13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其还包括：抽排所述处理室至介于约0.1托与约6托之间的室压强；加热所述处理室的所述一或更多个表面至介于约20℃与约140℃之间的升高的温度；以及在引入所述蚀刻气体之前，将虚拟晶片引入所述处理室中。14.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中提供所述半导体衬底包括：在所述处理室中，在所述衬底层上形成所述干式沉积的含金属抗蚀剂膜。
15.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中提供所述半导体衬底包括在所述处理室中烘烤所述干式沉积的含金属抗蚀剂膜。16.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中提供所述半导体衬底包括在所述处理室中干式显影所述干式沉积的含金属抗蚀剂膜。17.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述处理室的所述一或更多个表面包括所述处理室的室壁。18.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其还包括：将所述处理室的所述一或更多个表面暴露于氧化气体或氧化等离子体，以去除残留碳或其他污染物。19.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述蚀刻气体通过喷头或一或更多个单独的室入口引入，以与所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料反应，并且形成挥发性产物。20.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料是有机-金属氧化物或含有机-金属薄膜。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料包括有机锡氧化物。22.一种用于沉积抗蚀剂的装置，所述装置包括：处理室，其具有衬底支撑件；真空管线，其耦合至所述处理室；蚀刻气体管线，其耦合至所述处理室；以及控制器，其配置有用于清洁所述处理室的指令，所述指令包括代码，所述代码用于：在所述处理室中，在半导体衬底的衬底层上气相沉积含金属抗蚀剂膜；以及通过使蚀刻气体流入所述处理室中来清洁所述处理室，其中所述蚀刻气体去除在所述处理室的一或更多个表面上形成的第一厚度的干式沉积的含金属抗蚀剂材料。23.根据权利要求22所述的装置，其还包括：一或更多个加热器，其耦合至所述处理室的所述一或更多个表面，其中所述控制器进一步配置有包含代码的指令，所述代码用于：将所述处理室的所述一或更多个表面加热至升高的温度，其中所述升高的温度介于约20℃与约140℃之间。24.根据权利要求22所述的装置，其中所述控制器进一步配置有包含代码的指令，所述代码用于：通过在所述处理室的所述一或更多个表面上形成第二厚度的所述干式沉积的含金属抗蚀剂材料来调节所述处理室的所述一或更多个表面。25.根据权利要求22所述的装置，其中所述控制器进一步配置有包含代码的指令，所述代码用于：在引入所述蚀刻气体后清扫所述处理室，以从所述处理室去除残留蚀刻气体。26.根据权利要求22所述的装置，其中所述蚀刻气体包括卤化氢、氢气和卤素气体、三氯化硼、或其组合。27.根据权利要求22所述的装置，其还包括耦合至所述处理室的远程等离子体源，其中所述远程等离子体源配置成产生选自由溴化氢(hbr)、氯化氢(hcl)、碘化氢(hi)、三氯化硼
(bcl3)、亚硫酰氯(socl2)、氯(cl2)、溴(br2)、碘(i2)、三溴化硼(bbr3)、氢(h2)、三氯化磷(pcl3)、甲烷(ch4)、甲醇(ch3oh)、氨(nh3)、甲酸(ch2o2)、三氟化氮(nf3)、氟化氢(hf)及其组合所组成的群组的气体的远程等离子体。28.根据权利要求22-27中任一项所述的装置，其还包括：喷头，其耦合至所述处理室，其中所述喷头被设置在所述衬底支撑件上方，且所述蚀刻气体管线被设置在所述处理室的壁中和/或所述衬底支撑件下方，其中所述蚀刻气体通过所述蚀刻气体管线输送，而用于气相沉积所述含金属抗蚀剂膜的前体通过所述喷头输送。

技术总结
含金属光致抗蚀剂膜可使用干式沉积技术沉积在半导体衬底上。在沉积、斜面和背侧清洁、烘烤、显影或蚀刻操作期间，非预期的含金属光致抗蚀剂材料可能形成在处理室的内表面上。原位干式室清洁可通过暴露于蚀刻气体来执行，以去除非预期的含金属光致抗蚀剂材料。干式室清洁可以在升高的温度且未激励等离子体下执行。在一些实施方案中，干式室清洁可包括抽排/清扫及调节操作。扫及调节操作。扫及调节操作。


技术研发人员：丹尼尔
受保护的技术使用者：朗姆研究公司
技术研发日：2020.06.25
技术公布日：2022/6/14