显示设备及其制造方法与流程

显示设备及其制造方法
1.本技术要求于2020年12月9日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0171448号韩国专利申请的优先权和权益，所述韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.一个或更多个实施例的方面涉及一种显示设备以及一种制造该显示设备的方法，更具体地，涉及一种包括具有减少的缺陷的垫(pad，或被称为“焊盘”)单元的显示设备以及一种制造该显示设备的方法。


背景技术：

3.在各种显示设备之中，有机发光显示设备由于具有宽视角、高对比度和快响应时间而被视为下一代显示设备。
4.通常，有机发光显示设备包括形成在基底上的薄膜晶体管和有机发光二极管(oled)，并且oled自身发光(例如，是自发光的)。有机发光显示设备可以用作用于小型产品(例如，以移动电话为例)的显示器，或者可以用作用于大型产品(例如，以电视机为例)的显示器。
5.在该背景技术部分中公开的以上信息是为了增强对本公开的背景的理解，因此，它可以包含不构成现有技术的信息。


技术实现要素：

6.在对比显示设备和制造对比显示设备的方法中，在制造工艺中形成垫单元之后的后续工艺期间，包括在垫单元中的布线的一部分可能被损坏(例如，可能断开)，从而导致缺陷。
7.本公开的一个或更多个实施例涉及一种包括具有减少的缺陷的垫单元(例如，垫端子)的显示设备以及一种制造显示设备的方法。然而，本公开不限于以上方面和特征。
8.另外的方面和特征将在下面的描述中被部分地阐述，并且部分地通过描述将是明显的，或者可以通过实践本公开的一个或更多个给出的实施例而获知。
9.根据本公开的一个或更多个实施例，一种显示设备包括：基底，包括显示区域和外围区域；以及垫单元，在外围区域处，垫单元包括：第一导电层；第二导电层，在第一导电层上，并具有第一开口；第三导电层，在第二导电层上，并具有与第一开口叠置的第二开口，第二开口具有比第一开口的在第二导电层的顶表面处的面积小的面积；有机保护层，填充第一开口，并具有与第二开口叠置的第三开口；以及附加金属层，覆盖第一导电层的通过第一开口暴露的顶表面、第二开口的内表面、第三开口的内表面以及第三导电层的顶表面的一部分。
10.在实施例中，第二开口的内表面可以比第一开口的内表面朝向第二开口的中心突出得远。
11.在实施例中，垫单元还可以包括在有机保护层与第二导电层之间的延迟膜。
12.在实施例中，延迟膜可以包括硫和第二导电层中包括的金属的组合。
13.在实施例中，第二导电层可以包括铜，并且延迟膜可以包括硫化铜。
14.在实施例中，第一导电层、第二导电层和第三导电层可以在一个方向上延伸。
15.在实施例中，第一导电层的外边缘、第二导电层的外边缘和第三导电层的外边缘可以彼此对准。
16.在实施例中，显示设备还可以包括在显示区域处的多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管中的每个包括源电极和漏电极。源电极和漏电极中的每个可以包括包含与第一导电层的材料相同的材料的第一层、包含与第二导电层的材料相同的材料的第二层以及包含与第三导电层的材料相同的材料的第三层。
17.在实施例中，第一导电层可以包括钛，第二导电层可以包括铜，并且第三导电层可以包括氧化铟锡(ito)。
18.在实施例中，在第二开口的内表面与第三开口的内表面之间可以不存在台阶部分。
19.在实施例中，显示设备还可以包括：像素电极，在显示区域处；以及上绝缘层，在像素电极上，并且具有使像素电极的中心部分暴露的像素开口以及与第一开口叠置的第四开口。
20.在实施例中，有机保护层可以包括与上绝缘层的材料相同的材料。
21.在实施例中，附加金属层可以将第二导电层的位于第一开口的一侧处的部分电连接到第二导电层的位于第一开口的另一侧处的部分。
22.在实施例中，附加金属层可以包括银或钨。
23.根据本公开的一个或更多个实施例，一种制造显示设备的方法包括：在基底的显示区域处形成多个薄膜晶体管；在基底的外围区域处形成垫单元，垫单元包括第一导电层、第二导电层和第三导电层；遍及所述多个薄膜晶体管形成像素电极材料层；通过使像素电极材料层图案化来形成像素电极，以形成在第二导电层的一部分中的第一开口以及在第三导电层的一部分中的与第一开口叠置的第二开口；在垫单元之上形成有机材料层以填充第一开口；在像素电极上形成上绝缘层，上绝缘层具有使像素电极的中心部分暴露的像素开口以及与第一开口叠置的第四开口；通过使有机材料层图案化来形成填充第一开口的有机保护层，有机保护层具有与第一开口叠置的第三开口；以及形成附加金属层，附加金属层覆盖第一导电层的通过第一开口暴露的顶表面、第二开口的内表面、第三开口的内表面以及第三导电层的顶表面的一部分。
24.在实施例中，所述方法还可以包括通过有机保护层和第二导电层的彼此反应而在有机保护层与第二导电层之间的接触部分处形成延迟膜。
25.在实施例中，延迟膜可以包括硫和第二导电层中包括的金属的组合。
26.在实施例中，第二导电层可以包括铜，并且延迟膜可以包括硫化铜。
27.在实施例中，所述多个薄膜晶体管中的每个可以包括源电极和漏电极，并且源电极和漏电极中的每个可以包括包含与第一导电层的材料相同的材料的第一层、包含与第二导电层的材料相同的材料的第二层以及包含与第三导电层的材料相同的材料的第三层。
28.在实施例中，第一导电层可以包括钛，第二导电层可以包括铜，并且第三导电层可以包括氧化铟锡(ito)。
29.在实施例中，在第二开口的内表面与第三开口的内表面之间可以不存在台阶部分。
30.在实施例中，附加金属层可以将第二导电层的位于第一开口的一侧处的部分电连接到第二导电层的位于第一开口的另一侧处的部分。
31.在实施例中，附加金属层可以包括银或钨。
32.根据详细描述、附图和权利要求及其等同物，本公开的其它方面和特征将变得更加明显。
33.可以通过使用系统、方法、计算机程序或它们的组合来实现本公开的以上和其它实施例。
附图说明
34.根据以下参照附图对说明性、非限制性示例实施例的详细描述，将更清楚地理解本公开的以上和其它方面及特征，在附图中：
35.图1是示出根据实施例的显示设备的一部分的平面图；
36.图2是示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图；
37.图3是示出根据实施例的显示设备中的发光二极管和连接到发光二极管的像素电路的等效电路图；
38.图4是示出图1的垫区域的一部分的放大平面图；
39.图5是示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图；
40.图6是示出图5的部分a的放大剖视图；
41.图7a是示出其中垫单元的一部分被损坏的状态的平面图；
42.图7b是示出其中图7a的垫单元的损坏部分延伸的状态的平面图；
43.图8是示出根据实施例的垫单元的一部分的平面图；
44.图9是沿着图8的线i-i'截取的垫单元的剖视图；
45.图10是示出根据实施例的垫单元的一部分的剖视图；以及
46.图11至图17是顺序地示出根据实施例的制造显示设备的方法的各种工艺的剖视图。
具体实施方式
47.在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，在附图中，同样的附图标记始终指同样的元件。然而，本公开可以以各种不同的形式实施，并且不应被解释为仅限于这里所示的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得本公开将是彻底的和完整的，并将向本领域技术人员充分地传达本公开的方面和特征。因此，可以不描述对于本领域普通技术人员而言为了完全理解本公开的方面和特征不是必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则在整个附图和书面描述中，同样的附图标记表示同样的元件，因此，可以不重复其描述。
48.当可以不同地实施某个实施例时，具体的工艺顺序可以与所描述的顺序不同。例如，可以同时或基本同时执行两个连续描述的工艺，或者可以以与所描述的顺序相反的顺序执行两个连续描述的工艺。
49.在附图中，为了清楚，可以夸大和/或简化元件、层和区域的相对尺寸。为了易于解
释，这里可以使用诸如“在
……
之下”、“在
……
下面”、“下”、“在
……
下方”、“在
……
上方”、“上”等的空间相对术语来描述如附图中所示的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意图包括装置在使用或操作中除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下面”或“之下”或“下方”的元件随后将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例术语“在
……
下面”和“在
……
下方”可以包括上方和下方两种方位。装置可以被另外定位(例如，旋转90度或者在其它方位处)，并且应该相应地解释这里使用的空间相对描述语。
50.在附图中，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更宽泛的含义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直或基本垂直，或者可以表示彼此不垂直的彼此不同的方向。
51.将理解的是，尽管这里可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该被这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，下面描述的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
52.将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，它可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个居间元件或层。类似地，当层、区域或元件被称为“电连接”到另一层、区域或元件时，它可以直接电连接到所述另一层、区域或元件，或者可以间接电连接到所述另一层、区域或元件，并且一个或更多个居间层、区域或元件位于其间。另外，还将理解的是，当元件或层被称为“在”两个元件或层“之间”时，它可以是所述两个元件或层之间的唯一元件或层，或者还可以存在一个或更多个居间元件或层。
53.这里使用的术语是为了描述具体实施例的目的，而不意图限制本公开。如这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，术语“包括”、“包含”、“具有”及其变型当用在本说明书中时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，表述“a和/或b”表示a、b或者a和b。诸如
“……
中的至少一个(种/者)”的表述当在一列元件(要素)之后时，修饰整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。例如，表述“a、b或c中的至少一个(种/者)”和“a、b和c中的至少一个(种/者)”表示仅a、仅b、仅c、a和b两者、a和c两者、b和c两者、a、b和c中的全部或其变型。
54.如这里使用的，术语“基本(基本上)”、“约(大约)”和类似术语用作近似术语而不用作程度术语，并意图解释将由本领域普通技术人员认识到的测量值或计算值的固有偏差。此外，当描述本公开的实施例时，“可以(可)”的使用指“本公开的一个或更多个实施例”。如这里使用的，术语“使用”及其变型可以被认为分别与术语“利用”及其变型同义。此外，术语“示例性”意图指示例或说明。
55.除非另外定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用
词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相关领域和/或本说明书的上下文中的含义一致的含义，而不应该以理想化或过于正式的含义来进行解释，除非这里明确地如此定义。
56.图1是根据实施例的显示设备的一部分的平面图。图2是根据实施例的显示设备的一部分的剖视图。
57.如图1中所示，根据实施例的显示设备1可以包括其中发射光的显示区域da和其中不发射光的外围区域pa。显示设备1的基底100(例如，见图5)可以包括与显示区域da对应的一部分和与外围区域pa对应的一部分。
58.多个像素px可以位于显示区域da处(例如，位于显示区域da中或位于显示区域da上)。像素px中的每个可以包括连接到对应的扫描线和对应的数据线的像素电路pc以及电连接到像素电路pc的发光二极管。尽管图1中所示的显示设备1的显示区域da具有四边形形状，但是本公开不限于此，并且显示区域da可以具有任何合适的形状，例如，以圆形形状、椭圆形形状、多边形形状等为例。
59.外围区域pa是像素px不位于其中的非显示区域。外围区域pa可以围绕显示区域da的至少一部分(例如，在显示区域da的至少一部分的外围周围)。例如，外围区域pa可以完全围绕显示区域da(例如，在显示区域da的外围周围)。用于将电信号施加到显示区域da的各种布线可以位于外围区域pa处(例如，位于外围区域pa中或位于外围区域pa上)。此外，用于控制施加到显示区域da中的电信号的电路单元(例如，驱动器或驱动电路)的一部分可以位于外围区域pa处(例如，位于外围区域pa中或位于外围区域pa上)。
60.外围区域pa可以包括在其一部分处(例如，在其一部分中或在其一部分上)的垫区域pda。多个垫单元(例如，垫端子)400可以位于垫区域pda处(例如，位于垫区域pda中或位于垫区域pda上)。多个垫单元400可以分别电连接到印刷电路板的垫以接收通过印刷电路板输入的信号。多个垫单元400可以被暴露而不被绝缘层覆盖，并且可以电连接到印刷电路板等。
61.在下文中，为了方便，更详细地描述根据实施例的显示设备1作为有机发光显示设备。然而，本公开不限于此。换言之，显示设备1可以是任何合适的显示设备，例如，以无机发光显示器或量子点发光显示器为例。例如，包括在显示设备1中的显示器件的发射层可以包括有机材料或无机材料。显示设备1可以包括量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
62.在实施例中，显示设备1可以包括堆叠在一起作为堆叠单元的滤色器单元(例如，滤色器层)cu和显示单元(例如，显示层或显示面板)du。显示单元du可以包括多个发光二极管，并且发光二极管中的每个可以电连接到对应的像素电路pc。发光二极管和像素电路pc可以位于显示区域da处(例如，位于显示区域da中或位于显示区域da上)。
63.在实施例中，如图2中所示，发光二极管可以是包括有机发射层的有机发光二极管oled。在另一实施例中，发光二极管可以是包括无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含基于无机半导体的材料的pn结二极管。当在正向方向上向pn结二极管施加电压时，可以注入空穴和电子，通过空穴和电子的复合产生的能量可以转换为光能，以发射期望的颜色(例如，预定或特定颜色)的光。无机发光二极管可以具有几微米至几百微米的宽度。在另一实施例中，发光二极管可以包括量子点作为发射层。为了便于描述，在下文中，
可以更详细地描述发光二极管作为有机发光二极管oled。
64.如图2中所示，显示区域da可以通过使用有机发光二极管oled的蓝光lb来提供图像(例如，预定或特定图像)。在实施例中，当穿过滤色器单元cu时，由有机发光二极管oled发射的蓝光lb可以被转换为红光lr和绿光lg，或者可以作为蓝光lb透射通过滤色器单元cu而不被转换。显示设备1可以通过使用被滤色器单元cu转换或未被滤色器单元cu转换的光(例如，通过使用红光lr、绿光lg和蓝光lb)来提供图像。
65.外围区域pa是像素px不位于其中的非显示区域。多个垫单元400可以位于外围区域pa处(例如，位于外围区域pa中或位于外围区域pa上)。垫单元400可以位于外围区域pa处(例如，位于外围区域pa中或位于外围区域pa上)以彼此间隔开。垫单元400可以电连接到印刷电路板或集成电路装置。垫单元400可以设置在显示单元du处(例如，设置在显示单元du中或设置在显示单元du上)。
66.图3是示出根据实施例的显示设备中的发光二极管和连接到发光二极管的像素电路的等效电路图。
67.参照图3，根据实施例的显示设备可以包括有机发光二极管oled作为发光二极管。有机发光二极管oled可以电连接到包括多个薄膜晶体管和电容器的像素电路pc。
68.像素电路pc可以包括第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2、第三薄膜晶体管t3和存储电容器cst。
69.第一薄膜晶体管t1、第二薄膜晶体管t2和第三薄膜晶体管t3中的每个可以是包括由氧化物半导体形成的半导体层的氧化物半导体薄膜晶体管，或者可以是包括由多晶硅形成的半导体层的硅半导体薄膜晶体管。根据薄膜晶体管的类型，第一电极可以是源电极和漏电极中的一个，并且第二电极可以是源电极和漏电极中的另一剩余的电极。
70.第一薄膜晶体管t1可以是驱动薄膜晶体管。第一薄膜晶体管t1的第一电极可以连接到供应驱动电源电压elvdd的驱动电压线vdl，并且第一薄膜晶体管t1的第二电极可以连接到有机发光二极管oled的像素电极。第一薄膜晶体管t1的栅电极可以连接到第一节点n1。第一薄膜晶体管t1可以响应于第一节点n1的电压来控制从驱动电压线vdl流过有机发光二极管oled的电流量。
71.第二薄膜晶体管t2可以是开关薄膜晶体管。第二薄膜晶体管t2的第一电极可以连接到数据线dl，并且第二薄膜晶体管t2的第二电极可以连接到第一节点n1。第二薄膜晶体管t2的栅电极可以连接到扫描线sl。当扫描信号施加到扫描线sl时，第二薄膜晶体管t2可以导通，以将数据线dl电连接到第一节点n1。
72.第三薄膜晶体管t3可以是初始化薄膜晶体管和/或感测薄膜晶体管。第三薄膜晶体管t3的第一电极可以连接到第二节点n2，并且第三薄膜晶体管t3的第二电极可以连接到初始化感测线isl。第三薄膜晶体管t3的栅电极可以连接到控制线cl。
73.第三薄膜晶体管t3可以当控制信号施加到控制线cl时导通，以将初始化感测线isl电连接到第二节点n2。在一些实施例中，第三薄膜晶体管t3可以根据通过控制线cl接收的信号而导通，以通过使用来自初始化感测线isl的初始化电压而使有机发光二极管oled的像素电极初始化。在一些实施例中，第三薄膜晶体管t3可以当控制信号施加到控制线cl时导通，以感测有机发光二极管oled的特性信息。第三薄膜晶体管t3可以用作初始化薄膜晶体管和感测薄膜晶体管两者，或者可以用作初始化薄膜晶体管和感测薄膜晶体管中的一
个。在一些实施例中，当第三薄膜晶体管t3用作初始化薄膜晶体管时，初始化感测线isl可以被称为初始化电压线，并且当第三薄膜晶体管t3用作感测薄膜晶体管时，初始化感测线isl可以被称为感测线。第三薄膜晶体管t3的初始化操作和感测操作可以单独地执行，或者可以并发地(例如，同时)执行。换言之，第三薄膜晶体管t3可以是初始化薄膜晶体管和/或感测薄膜晶体管。
74.存储电容器cst可以连接在第一节点n1与第二节点n2之间。例如，存储电容器cst的第一电极可以连接到第一薄膜晶体管t1的栅电极，并且存储电容器cst的第二电极可以连接到有机发光二极管oled的像素电极。公共电源电压elvss可以供应到有机发光二极管oled的对电极530(见图5)。
75.尽管像素电路pc在图3中被示出为包括三个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是本公开不限于此，并且在其它实施例中，薄膜晶体管的数量和/或存储电容器的数量可以根据像素电路pc的设计进行各种修改。
76.图4是示出图1的垫区域pda的一部分的放大平面图。
77.参照图4，多个垫单元400可以位于垫区域pda处(例如，位于垫区域pda中或位于垫区域pda上)。垫单元400可以在一个方向上延伸。在实施例中，垫单元400的一端可以电连接到垫电极，并且垫单元400的另一端可以电连接到位于显示区域处(例如，位于显示区域中或位于显示区域上)的信号线。因此，垫单元400可以将垫电极电连接到位于显示区域处(例如，位于显示区域中或位于显示区域上)的信号线(例如，以数据线(或扫描线)为例)。
78.图5是示出根据实施例的显示设备的一部分的剖视图。图6是示出图5的部分a的放大剖视图。
79.如图5中所示，根据实施例的显示设备可以包括基底100、位于显示区域da处(例如，位于显示区域da中或位于显示区域da上)的有机发光二极管oled、电连接到有机发光二极管oled的薄膜晶体管以及位于外围区域pa处(例如，位于外围区域pa中或位于外围区域pa上)的垫单元400。
80.基底100可以包括玻璃、金属或聚合物树脂。当基底100是柔性的或可弯曲的时，基底100可以包括聚合物树脂，例如，以聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素为例。然而，本公开不限于此，并且可以进行各种合适的修改。例如，基底100可以具有多层结构，所述多层结构包括均包含聚合物树脂的两个或更多个层以及在所述两个或更多个层之间包含无机材料(例如，氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)的阻挡层。
81.在显示区域da处(例如，在显示区域da中或在显示区域da上)，薄膜晶体管可以位于基底100上，并且电连接到薄膜晶体管的有机发光二极管oled可以位于薄膜晶体管上。当薄膜晶体管和有机发光二极管oled彼此电连接时，薄膜晶体管和有机发光二极管oled的像素电极510可以彼此连接。
82.薄膜晶体管可以包括半导体层221、与半导体层221的沟道区叠置的栅电极222以及分别连接到半导体层221的源区和漏区的源电极430和漏电极440。此外，存储电容器可以包括第一电极310和第二电极420。
83.薄膜晶体管的半导体层221可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括氧化铟镓锌(igzo)、氧化锌锡(zto)或氧化锌铟(zio)。在另一实施例中，半导体层221可以包括
多晶硅、非晶硅或有机半导体。
84.薄膜晶体管的栅电极222可以与半导体层221的沟道区叠置，并且栅极绝缘层223位于薄膜晶体管的栅电极222与半导体层221的沟道区之间。栅极绝缘层223和栅电极222可以通过使用同一掩模工艺形成，并且可以具有彼此相同或基本相同的平面形状。栅电极222可以包括包含钼(mo)、铝(al)、铜(cu)或钛(ti)的导电材料，并且可以具有包含上述材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。在一些实施例中，栅电极222可以具有多层结构，所述多层结构包括包含上述金属元素中的一种或更多种的金属层以及在金属层上的透明导电氧化物层(例如，以ito为例)。此外，栅极绝缘层223可以包括无机材料，例如，以氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅为例。
85.存储电容器的第一电极310和栅电极222可以通过使用同一工艺形成，并且可以包括彼此相同的材料。包括与栅极绝缘层223的材料相同的材料的绝缘层312可以位于第一电极310下方(例如，之下)。因为可以通过使用同一掩模工艺来形成第一电极310和位于第一电极310下方(例如，之下)的绝缘层312，所以绝缘层312和第一电极310可以具有彼此相同或基本相同的平面形状。
86.薄膜晶体管的源电极430和漏电极440以及/或者存储电容器的第二电极420可以在用于形成垫单元400的图案化工艺中一起形成。因此，薄膜晶体管的源电极430和漏电极440以及存储电容器的第二电极420可以具有与垫单元400的多层结构相同的多层结构。
87.薄膜晶体管可以包括位于半导体层221下方(例如，之下)的下电极210，并且下电极210可以电连接到源电极430和漏电极440中的一个。在实施例中，如图5中所示，下电极210可以电连接到源电极430，并且下电极210可以是下源电极210。
88.下电极210可以包括铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)、钼(mo)和铜(cu)中的至少一种。在一些实施例中，下电极210可以具有多层结构，所述多层结构包括包含上述金属元素中的一种或更多种的金属层以及在金属层上的透明导电氧化物层(例如，以ito为例)。下电极210可以改善薄膜晶体管的特性。
89.第一绝缘层il1可以位于基底100与具有上述结构的薄膜晶体管之间。第二绝缘层il2可以位于第一绝缘层il1上，并且第三绝缘层il3可以位于第二绝缘层il2上。第一绝缘层il1可以使基底100的顶表面平坦化或基本平坦化，或者可以防止或最小化来自基底100等的杂质渗透到薄膜晶体管的半导体层221中。第一绝缘层il1可以覆盖下电极210的顶表面，并且可以位于下电极210与半导体层221之间。第二绝缘层il2可以覆盖栅电极222和第一电极310中的每个的顶表面，并且可以位于源电极430、漏电极440、第二电极420和垫单元400下方(例如，之下)。第三绝缘层il3可以覆盖源电极430、漏电极440、第二电极420和垫单元400中的每个的顶表面的至少一部分，并且可以位于像素电极510下方(例如，之下)。第一绝缘层il1、第二绝缘层il2和第三绝缘层il3中的每个可以包括无机材料，例如，以氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅为例。
90.第四绝缘层il4可以位于第三绝缘层il3上。第四绝缘层il4可以是平坦化绝缘层，并且可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括通用聚合物(例如，聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟化聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或它们
的共混物。
91.薄膜晶体管可以电连接到位于第四绝缘层il4上的像素电极510。在实施例中，如图5中所示，像素电极510可以通过形成在第四绝缘层il4中的接触孔连接到薄膜晶体管的源电极430或漏电极440。
92.像素电极510可以包括透明导电氧化物，例如，以氧化铟锡(ito)、氧化铟锌(izo)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(igo)或氧化铝锌(azo)为例。在另一实施例中，像素电极510可以包括反射膜，所述反射膜包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)或它们的混合物。在另一实施例中，像素电极510还可以包括在反射膜之上/下方的由ito、izo、zno或in2o3形成的膜。例如，像素电极510可以具有其中ito层、银(ag)层和ito层彼此堆叠的三层结构。
93.上绝缘层uil可以位于第四绝缘层il4上。上绝缘层uil可以具有分别与每个像素对应的像素开口以及分别与每个垫单元400对应的第四开口op4。上绝缘层uil的像素开口可以是通过其使像素电极510的中心部分暴露的开口，并且上绝缘层uil可以通过像素开口来限定像素。此外，上绝缘层uil可以增加像素电极510的边缘与对电极530之间的距离，从而防止或基本防止在像素电极510的边缘处发生电弧等。上绝缘层uil可以包括有机材料，例如，以聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)为例。
94.中间层520包括与像素电极510叠置的发射层522。中间层520可以包括位于发射层522下方(例如，之下)的第一功能层521和/或位于发射层522之上的第二功能层523。
95.第一功能层521可以具有单层结构或多层结构。例如，当第一功能层521由高分子量材料形成时，第一功能层521可以包括具有单层结构的空穴传输层(htl)，并且可以由聚-(3,4)-乙撑-二氧噻吩(pedot)或聚苯胺(pani)形成。当第一功能层521由低分子量材料形成时，第一功能层521可以包括空穴注入层(hil)和空穴传输层(htl)。
96.发射层522可以包括高分子量有机材料或低分子量有机材料，以发射合适颜色(例如，预定或特定颜色)的光。第二功能层523可以包括电子传输层(etl)和/或电子注入层(eil)。如图5中所示，尽管发射层522包括被图案化以分别对应于每个像素电极510的层，但是本公开不限于此，并且发射层522可以根据期望或需要包括遍及多个像素电极510的一体的层。
97.对电极530可以由具有低逸出功的导电材料形成。例如，对电极530可以包括透明或半透明层，所述透明或半透明层包括银(ag)、镁(mg)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)或它们的合金。作为另一示例，对电极530还可以包括在包含上述材料中的一种或更多种的透明或半透明层上的由ito、izo、zno或in2o3形成的层。
98.因为具有包括像素电极510、中间层520和对电极530的多层结构的有机发光二极管oled可能被来自外部的湿气和/或氧损坏(例如，可能容易地被来自外部的湿气和/或氧损坏)，所以有机发光二极管oled可以被封装层600覆盖和保护。封装层600可以包括至少一个无机封装层和至少一个有机封装层。在实施例中，封装层600可以包括顺序地堆叠的第一无机封装层610、有机封装层620和第二无机封装层630。
99.第一无机封装层610和第二无机封装层630中的每个可以包括至少一种无机绝缘材料。无机绝缘材料可以包括氧化铝、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和/或氮氧化
硅。有机封装层620可以包括聚合物类材料。聚合物类材料的示例可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺和/或聚乙烯。丙烯酸树脂的示例可以包括聚甲基丙烯酸甲酯和/或聚丙烯酸。
100.垫单元400可以在外围区域pa处(例如，在外围区域pa中或在外围区域pa上)位于基底100上。第三绝缘层il3、第四绝缘层il4和上绝缘层uil可以彼此叠置，并且可以具有通过其使垫单元400的顶表面暴露的开口。垫单元400的顶表面可以通过所述开口暴露于外部。印刷电路板或集成电路装置可以电连接到垫单元400的被暴露的顶表面。
101.垫单元400可以包括位于基底100的外围区域pa处(例如，位于基底100的外围区域pa中或位于基底100的外围区域pa上)的第一导电层401、位于第一导电层401上的第二导电层403以及位于第二导电层403上的第三导电层405。换言之，垫单元400可以位于外围区域pa处(例如，位于外围区域pa中或位于外围区域pa上)，并且可以包括顺序地堆叠的第一导电层401、第二导电层403和第三导电层405。如以上参照图4所描述的，第一导电层401、第二导电层403和第三导电层405可以在一个方向上延伸。此外，第一导电层401、第二导电层403和第三导电层405可以在一个工艺中被图案化，以具有彼此相同或基本相同的图案。在这种情况下，第一导电层401的外边缘、第二导电层403的外边缘和第三导电层405的外边缘可以彼此对准。
102.垫单元400可以在一个工艺中与薄膜晶体管的源电极430和漏电极440以及/或者与存储电容器的第二电极420并发地(例如，同时)被图案化。因此，垫单元400、源电极430、漏电极440和/或第二电极420可以具有彼此相同或基本相同的层结构，并且可以包括彼此相同的材料。
103.在实施例中，源电极430、漏电极440和第二电极420中的每个可以包括包含与第一导电层401的材料相同的材料的第一层、位于第一层上并且包含与第二导电层403的材料相同的材料的第二层以及位于第二层上并且包含与第三导电层405的材料相同的材料的第三层。更详细地，如图5中所示，第二电极420的第一层421、第二层423和第三层425、源电极430的第一层431、第二层433和第三层435以及漏电极440的第一层、第二层和第三层可以分别包括与垫单元400的第一导电层401、第二导电层403和第三导电层405的材料相同的材料。例如，薄膜晶体管的源电极430的第一层431和垫单元400的第一导电层401可以包括彼此相同的材料，源电极430的第二层433和垫单元400的第二导电层403可以包括彼此相同的材料，并且源电极430的第三层435和垫单元400的第三导电层405可以包括彼此相同的材料。
104.考虑到其合适的导电性等，垫单元400的第二导电层403可以包括铜(cu)、铝(al)、铂(pt)、钯(pd)、银(ag)、镁(mg)、金(au)、镍(ni)、钕(nd)、铱(ir)、铬(cr)、锂(li)、钙(ca)和/或钼(mo)。第二导电层403可以具有包括上述材料中的一种或更多种的单层结构或多层结构。例如，第二导电层403可以包括铜(cu)，在实施例中，第二导电层403可以是由铜形成的单层。
105.垫单元400的第一导电层401可以位于第二导电层403的底表面上，并且可以改善垫单元400与在垫单元400下方(例如，之下)的层(例如，第二绝缘层il2)之间的粘合力。第一导电层401可以包括与第二导电层403的材料不同的材料。例如，考虑到期望的导电性和粘合力，第一导电层401可以包括诸如钛(ti)的金属，在实施例中，第一导电层401可以是由钛形成的单层。在另一实施例中，第一导电层401可以包括透明导电氧化物，例如，以氧化铟
锌(izo)、氧化镓锌(gzo)和/或氧化锌铟(zio)为例，并且透明导电氧化物可以是非晶的或结晶的。
106.垫单元400的第三导电层405可以位于第二导电层403的顶表面上。第三导电层405可以防止或基本防止在制造显示设备的工艺中包括的蚀刻工艺等中对第二导电层403的损坏。例如，为了防止或基本防止第二导电层403被在显示设备的发光二极管的像素电极510的蚀刻工艺中使用的蚀刻剂损坏，第三导电层405可以位于第二导电层403上。
107.第三导电层405可以包括用于保护第二导电层403的导电材料，例如，以透明导电氧化物(tco)为例。在一些实施例中，第三导电层405可以包括非晶透明导电氧化物。非晶透明导电氧化物可以包括部分结晶的非晶透明导电氧化物。在实施例中，第三导电层405可以包括氧化铟锡(ito)。
108.图7a是示出其中垫单元的一部分被损坏的状态的平面图。图7b是示出其中图7a的垫单元的损坏部分延伸的状态的平面图。
109.第三导电层405可以通过溅射工艺形成。通过溅射工艺形成的第三导电层405可能具有一些针孔(pinhole，或被称为小孔、针状孔)。此外，当在制造显示设备的工艺期间执行热处理时，第三导电层405可能根据包括在第三导电层405中的材料通过热处理而结晶以具有一些针孔。氧化铟锡(ito)可以通过可以包括在制造显示设备的工艺中的热处理而结晶。结晶的ito可能由于结晶而具有一些针孔，并且针孔会充当蚀刻剂可以穿过其的路径，所述蚀刻剂是在发光二极管中包括的像素电极的蚀刻工艺中使用的。因此，第二导电层403会被损坏。
110.例如，如图7a中所示，第二导电层403的一部分会被损坏以具有开口，因此，第一导电层401的顶表面的一部分会被暴露。此外，如图7b中所示，第二导电层403的损坏部分会逐渐延伸到相邻区域。当第二导电层403的损坏部分延伸时，第二导电层403会部分地断开。如此，第二导电层403的损坏部分会导致缺陷，使得垫单元400的一部分会无法将位于显示区域处(例如，位于显示区域中或位于显示区域上)的布线正常地连接到对应的垫电极。
111.根据本公开的一个或更多个实施例的垫单元400可以具有其中可以减少这样的缺陷的结构。将参照图8至图17更详细地描述用于减少垫单元400的缺陷的结构。在图8至图17中，与上述一个或更多个实施例的元件和层相同或基本相同的元件和层由相同的附图标记表示，因此，在下文中，可以不重复其冗余描述。
112.图8是示出根据实施例的垫单元400的一部分的平面图。图9是沿着图8的线i-i'截取的垫单元400的剖视图。作为参考，图9是示出具有损坏部分的垫单元400的剖视图，不具有损坏部分的垫单元400可以与图5的垫单元400相同或基本相同。换言之，在垫单元400之中，下面参照图8至图10更详细地描述的垫单元400的结构可以可选择性地应用于垫单元400中的具有损坏部分的垫单元400，并且可以不应用于垫单元400中的不具有损坏部分的垫单元400。
113.参照图8和图9，根据实施例的垫单元400可以包括第一导电层401、第二导电层403和第三导电层405、有机保护层407和附加金属层409。
114.垫单元400之中的具有损坏部分的垫单元400的第二导电层403可以具有第一开口op1，并且第三导电层405可以具有与第一开口op1叠置的第二开口op2。第一开口op1可以在第二导电层403被损坏时产生，并且可以是可以通过其使在第二导电层403下方(例如，之
下)的第一导电层401暴露的部分。第二开口op2可以在第三导电层405被损坏时产生，并且可以是可以通过其使在第三导电层405下方(例如，之下)的第二导电层403暴露的部分。例如，第三导电层405的第二开口op2可以是在工艺期间产生的针孔。第二导电层403的第一开口op1可以是第二导电层403的通过所述针孔被暴露的损坏部分。例如，在显示设备的发光二极管中包括的像素电极的蚀刻工艺中使用的蚀刻剂可以通过第三导电层405的第二开口op2到达第二导电层403，以在第二导电层403中形成第一开口op1。
115.在实施例中，第二开口op2的在第三导电层405的顶表面上的面积可以小于第二导电层403的第一开口op1的在第二导电层403的顶表面上的面积。换言之，第三导电层405的第二开口op2的内表面可以比第二导电层403的第一开口op1的内表面朝向第二开口op2的中心突出得多。“第一开口op1的内表面”可以指从第二导电层403的顶表面的边缘延伸到第二导电层403的底表面的边缘的表面，第二导电层403的顶表面的所述边缘在朝向第一开口op1的中心的方向上形成(即，靠近第一开口op1的中心形成)，“第二开口op2的内表面”可以指从第三导电层405的顶表面的边缘到第三导电层405的底表面的边缘的表面，第三导电层405的顶表面的所述边缘在朝向第二开口op2的中心的方向上形成。因此，可以在第三导电层405与第一导电层401之间形成空间(例如，特定空间)。有机保护层407可以填充所述空间。
116.有机保护层407可以填充第二导电层403的第一开口op1的至少一部分。换言之，有机保护层407可以填充第二导电层403的损坏部分的至少一部分。有机保护层407可以防止或基本防止第二导电层403的损坏部分延伸。更详细地，有机保护层407可以防止或基本防止第二导电层403直接暴露于外部，并且因此，可以防止或基本防止第二导电层403的损坏部分在后续工艺期间在与外部氧和/或湿气反应时延伸。
117.在实施例中，可以在形成上绝缘层uil的工艺中与上绝缘层uil一起形成有机保护层407。换言之，有机保护层407可以在形成上绝缘层uil的工艺中形成，可以在形成像素电极510(见图5)的工艺之后执行形成上绝缘层uil的工艺。在这种情况下，有机保护层407可以防止或基本防止在使像素电极510图案化的工艺中可能发生的对垫单元400的损坏的扩展。此外，有机保护层407可以包括与上绝缘层uil的材料相同的材料。例如，有机保护层407可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺或六甲基二硅氧烷(hmdso)。
118.在实施例中，有机保护层407可以具有与第二导电层403的第一开口op1和第三导电层405的第二开口op2叠置的第三开口op3。有机保护层407的第三开口op3可以使第一导电层401的顶表面的在有机保护层407下方(例如，之下)的部分暴露。有机保护层407的第三开口op3的内表面可以与第三导电层405的第二开口op2的内表面连续。换言之，在有机保护层407的第三开口op3的内表面与第三导电层405的第二开口op2的内表面之间可以不存在台阶部分。“第二开口op2的内表面”可以指从第三导电层405的顶表面的边缘延伸到第三导电层405的底表面的边缘的表面，第三导电层405的顶表面的所述边缘在朝向第二开口op2的中心的方向上形成，“第三开口op3的内表面”可以指从有机保护层407的顶表面的边缘延伸到有机保护层407的底表面的边缘的表面，有机保护层407的顶表面的所述边缘在朝向第三开口op3的中心的方向上形成。“第四开口op4的内表面”可以指从上绝缘层uil的顶表面的边缘延伸到上绝缘层uil的底表面的边缘的表面，上绝缘层uil的顶表面的所述边缘在朝向第四开口op4的中心的方向上形成。
119.第三导电层405可以覆盖第二导电层403的顶表面和有机保护层407的顶表面。此外，位于第三导电层405之上的第三绝缘层il3、第四绝缘层il4和上绝缘层uil可以分别具有与第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3叠置的开口。例如，上绝缘层uil可以具有与第一开口op1、第二开口op2和第三开口op3叠置的第四开口op4。因此，垫单元400的顶表面的至少一部分可以暴露于外部，并且可以电连接到印刷电路板。
120.由于垫单元400的一部分可能被损坏以在第三导电层405中形成第二开口op2并且在第二导电层403中形成第一开口op1，因此第三导电层405和第二导电层403可能部分地断开。在这种情况下，在垫单元400的损坏部分中，可能发生垫电极与位于显示区域处(例如，位于显示区域中或位于显示区域上)的信号线彼此不正常连接的缺陷。此外，如图9中所示，即使当第一导电层401未被损坏并且仅第二导电层403和第三导电层405被损坏时，垫单元400的性能也可能由于导电层之间的导电性差异而降低。例如，当第一导电层401包括钛并且第二导电层403包括铜时，钛的电导率可以是铜的电导率的3.1％。因此，即使当仅第二导电层403断开时，垫单元400的性能也可能降低(例如，可能大大降低)。
121.根据一个或更多个实施例，垫单元400还可以包括附加金属层409。附加金属层409可以位于垫单元400的损坏部分上，并且可以将损坏部分的一侧和另一侧彼此电连接。例如，附加金属层409可以将第二导电层403的位于第一开口op1的一侧上的部分电连接到第二导电层403的位于第一开口op1的另一侧上的部分。
122.在实施例中，附加金属层409可以覆盖第一导电层401的通过第一开口op1暴露的顶表面、第二开口op2的内表面、第三开口op3的内表面和第三导电层405的顶表面的一部分。更详细地，如图8和图9中所示，附加金属层409可以一体地形成以完全覆盖第一导电层401的通过第一开口op1暴露的顶表面、第三开口op3的内表面和第二开口op2的内表面，并且在第三导电层405的顶表面上覆盖第二开口op2的边缘部分的至少一部分。附加金属层409的平面形状不限于图8中所示的形状，并且可以根据垫单元400的损坏部分的形状(例如，根据第一开口op1的形状或第二开口op2的形状)进行各种修改。
123.附加金属层409可以包括银(ag)或钨(w)。
124.图10是示出根据实施例的垫单元400的一部分的剖视图。
125.作为参考，当与图9相比时，图10的不同之处可以在于垫单元400还可以包括延迟膜408。因此，在下文中，可以更详细地主要描述图9和图10的实施例之间的差异，并且可以不重复其冗余描述。
126.延迟膜408可以位于有机保护层407与第二导电层403之间。更详细地，延迟膜408可以位于有机保护层407与第二导电层403之间以围绕有机保护层407(例如，在有机保护层407的外围周围)。延迟膜408可以防止或基本防止第二导电层403的损坏部分延伸。更详细地，延迟膜408可以更有效地使包括在第二导电层403中的金属材料的腐蚀延迟。例如，第二导电层403的损坏部分首先可以通过延迟膜408与外部隔绝，并且其次可以通过有机保护层407与外部隔绝。
127.在实施例中，当包括在第二导电层403中的金属在有机保护层407与第二导电层403之间的接触表面处(例如，在有机保护层407与第二导电层403之间的接触表面中或在有机保护层407与第二导电层403之间的接触表面上)与有机保护层407反应时，延迟膜408可以形成为有机保护层407的组件。更详细地，包括在有机保护层407中的硫组分和包括在第
二导电层403中的金属可以彼此反应以形成延迟膜408。在这种情况下，延迟膜408可以包括硫组分和第二导电层403中包括的金属的组合。例如，当第二导电层403包括铜时，延迟膜408可以包括当硫(s)与铜反应时形成的硫化铜。在这种情况下，硫化铜可以是由铜离子和硫离子组成的硫化合物，但是本公开不限于此。硫化铜的各种示例可以包括硫化铜(i)(cuprous sulfide，硫化亚铜)和硫化铜(ii)(cupric sulfide，硫化铜)。
128.图11至图17是顺序地示出根据实施例的制造显示设备的方法的各种工艺的剖视图。作为参考，在图13至图17中示出了垫单元400之中的具有损坏部分的垫单元400。根据实施例，不具有损坏部分的垫单元400可以不经受对图13至图17中所示的垫单元400所执行的工艺。换言之，可以例如选择性仅对垫单元400之中的具有损坏部分的垫单元400执行对图13至图17中所示的垫单元400所执行的工艺。
129.如图11中所示，形成位于基底100的显示区域da处(例如，位于基底100的显示区域da中或位于基底100的显示区域da上)的薄膜晶体管和存储电容器以及位于基底100的外围区域pa处(例如，位于基底100的外围区域pa中或位于基底100的外围区域pa上)的垫单元400。垫单元400可以包括位于基底100之上的第一导电层401、位于第一导电层401上的第二导电层403以及位于第二导电层403上的第三导电层405。
130.可以在同一工艺中并发地(例如，同时)形成垫单元400、薄膜晶体管的源电极430和漏电极440以及存储电容器的第二电极420。更详细地，可以在基底100的整个表面上顺序地形成包括第一导电层401的材料的层、包括第二导电层403的材料的层和包括第三导电层405的材料的层，并且可以使包括第一导电层401的材料的层、包括第二导电层403的材料的层和包括第三导电层405的材料的层图案化以形成垫单元400、薄膜晶体管的源电极430和漏电极440以及存储电容器的第二电极420。因此，包括在垫单元400中的第一导电层401、第二导电层403和第三导电层405的边缘可以彼此对准。此外，包括在薄膜晶体管的源电极430和漏电极440中的第一层至第三层的边缘可以彼此对准，并且包括在存储电容器的第二电极420中的第一层421至第三层425的边缘可以彼此对准。
131.如图12和图13中所示，在薄膜晶体管上形成像素电极材料层510m，并且可以使像素电极材料层510m图案化以形成像素电极510。
132.如上所述，在执行使像素电极材料层510m图案化的工艺时，垫单元400的一部分可能被损坏。更详细地，垫单元400的第二导电层403的一部分可能被蚀刻剂(所述蚀刻剂被提供以使像素电极材料层510m图案化)损坏，使得可以形成在第二导电层403中的第一开口op1。蚀刻剂可以通过第三导电层405的第二开口op2到达第二导电层403，并且第二开口op2可以在使像素电极材料层510m图案化的工艺之前形成。
133.如图14中所示，遍及整个基底100形成有机材料层uilm。有机材料层uilm覆盖在基底100的显示区域da处(例如，在基底100的显示区域da中或在基底100的显示区域da上)的像素电极510。此外，有机材料层uilm填充在基底100的外围区域pa处(例如，在基底100的外围区域pa中或在基底100的外围区域pa上)的垫单元400之中的具有损坏部分的垫单元400中的第一开口op1和第二开口op2。
134.有机材料层uilm可以是在后续工艺中被图案化为上绝缘层uil(见图15)和有机保护层407(见图15)的层。因此，上绝缘层uil和有机保护层407可以在同一工艺中并发地(例如，同时)被图案化，并且可以包括彼此相同的材料。
135.如图15中所示，使有机材料层uilm图案化以形成上绝缘层uil，上绝缘层uil具有使像素电极510的中心部分暴露的像素开口以及与第一开口op1叠置的第四开口op4。
136.在实施例中，可以在使有机材料层uilm图案化的工艺中并发地(例如，同时)使填充第一开口op1的有机材料层uilm的一部分图案化。更详细地，可以在有机保护层407中形成与第一开口op1和第二开口op2叠置的第三开口op3。例如，在使有机材料层uilm图案化的工艺中，可以去除有机材料层uilm的填充第一开口op1并且未被第三导电层405覆盖的部分。因此，有机保护层407的第三开口op3的内表面可以与第三导电层405的第二开口op2的内表面连续。换言之，在有机保护层407的第三开口op3的内表面和第三导电层405的第二开口op2的内表面之间可以不存在台阶部分。
137.如图16中所示，在垫单元400之中的具有损坏部分的垫单元400上形成附加金属层409。附加金属层409可以连续地覆盖第一导电层401的通过第一开口op1暴露的顶表面、第二开口op2的内表面、第三开口op3的内表面和第三导电层405的顶表面的一部分。
138.在实施例中，可以通过使用化学气相沉积(cvd)或溅射来形成金属材料层，然后使金属材料层图案化以使金属材料层仅位于垫单元400的损坏部分处(例如，位于垫单元400的损坏部分中或位于垫单元400的损坏部分上)来形成附加金属层409。例如，使金属材料层图案化为附加金属层409的工艺可以是使用具有与附加金属层409对应的图案的掩模的光刻工艺。然而，本公开不限于此，并且可以通过使用各种合适的方法来形成附加金属层409。
139.如图17中所示，可以在基底100的显示区域da处(例如，在基底100的显示区域da中或在基底100的显示区域da上)形成中间层520、对电极530和封装层600。
140.在有机保护层407与第二导电层403之间的接触部分处(例如，在有机保护层407与第二导电层403之间的接触部分中或在有机保护层407与第二导电层403之间的接触部分上)，有机保护层407和第二导电层403可以彼此反应以在有机保护层407与第二导电层403之间形成延迟膜408(例如，见图10)。期间形成延迟膜408的时间没有特别限制，延迟膜408的形成可以在有机材料层uilm中包括的有机材料与第二导电层403彼此接触之后的制造工艺中的任何时间完成。更详细地，在有机材料层uilm填充第一开口op1之后，有机材料层uilm中包括的组分和第二导电层403中包括的金属可以在有机材料层uilm与第二导电层403之间的接触部分处(例如，在有机材料层uilm与第二导电层403之间的接触部分中或在有机材料层uilm与第二导电层403之间的接触部分上)开始彼此反应，并且当完成有机材料层uilm的固化时，可以完成延迟膜408的形成。
141.根据本公开的一个或更多个实施例，可以提供一种包括具有减少的缺陷的垫单元(例如，垫端子)的显示设备以及一种制造显示设备的方法。然而，本公开不限于这样的方面和特征。
142.尽管已经描述了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解的是，在不脱离本公开的精神和范围的情况下，在示例实施例中各种修改是可能的。将理解的是，除非另有说明，否则每个实施例内的特征或方面的描述通常应该被认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。因此，如对于本领域普通技术人员而言将明显的是，除非另有具体说明，否则结合特定实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，应理解的是，前述内容是各种示例实施例的说明，并且不应该被解释为限于这里公开的具体示例实施例，并且对公开的示例实施例的各
种修改以及其它示例实施例意图包括在如所附权利要求及其等同物中限定的本公开的精神和范围内。