1.本发明涉及等离子体处理装置。
背景技术：
：：2.随着多媒体的发展，显示装置其重要性正在增大。对应于此，正在使用如有机发光显示装置(organiclightemittingdisplay，oled)、液晶显示装置(liquidcrystaldisplay，lcd)等这样的各种种类的显示装置。这种显示装置以各种移动型电子设备(例如，智能电话、智能手表、平板pc等便携式电子设备等)为中心其适用例变得多样化。3.为了制造如上所述的显示装置，可以执行利用了等离子体的沉积工序、蚀刻工序或灰化工序等。例如，在显示装置的制造工序中，为了去除构成显示装置的层叠结构的一部分，可以适用利用了等离子体的蚀刻工序。技术实现要素：4.本发明想要解决的课题在于，提供一种最小化等离子体向外部的泄漏的同时具有提高了的喷射均匀度的等离子体处理装置。5.本发明的课题并不限于以上所提及的课题，通过以下的记载，本领域技术人员应当可以理解未提及的其他技术课题。6.用于解决所述的课题的一实施例涉及的等离子体处理装置包括：喷嘴，包括在一方向上延伸的主体部、与所述主体部的端部连接的倾斜部和设置在所述倾斜部的端部的喷出部；以及引导部，包围所述倾斜部和所述喷出部，并且沿着所述主体部的延伸方向延伸。7.可以是，所述引导部包围所述主体部，在包围所述主体部的区域中，所述引导部的至少一部分的内侧面与所述主体部的外表面直接接触。8.可以是，所述引导部包括贯通所述引导部的侧壁的多个引导孔。9.可以是，所述引导部包括：引导紧固部，与所述喷嘴结合；以及引导倾斜部，从所述引导紧固部延伸。10.可以是，所述引导倾斜部越是朝向所述引导部的延伸方向内径变得越窄，并且所述多个引导孔配置在所述引导紧固部上。11.可以是，所述等离子体处理装置还包括：过滤部件，配置在所述引导部的内部，并且具有网格结构。12.可以是，所述等离子体处理装置还包括：第一电极，配置在所述喷嘴的内部，并且朝向所述主体部的延伸方向延伸；以及第二电极，在所述喷嘴的内部配置在所述倾斜部的内侧面上，所述第一电极和所述第二电极彼此被间隔开。13.可以是，所述等离子体处理装置还包括：第三电极，与所述引导部一体化地配置所述第三电极，施加到所述第三电极的电压大于0v且小于施加到所述第一电极的电压。14.用于解决所述的课题的其他实施例涉及的等离子体处理装置包括：等离子体喷嘴，喷射等离子体；以及引导部，引导从所述等离子体喷嘴喷射的等离子体的移动，所述引导部包围所述等离子体喷嘴的至少一部分，并且所述引导部比所述等离子体喷嘴的端部更向外侧延伸。15.可以是，所述等离子体处理装置还包括：第一电极，配置在所述等离子体喷嘴的内部并且在一方向上延伸；第二电极，配置在所述等离子体喷嘴的内侧面上；以及第三电极，配置在所述引导部的内侧面上，所述第一电极和所述第二电极彼此被间隔开，并且施加到所述第三电极的电压大于0v且小于施加到所述第一电极的电压。16.其他实施例的具体事项包括于详细说明以及附图中。17.(发明效果)18.根据一实施例涉及的等离子体处理装置，可以最小化从等离子体处理装置喷射的等离子体的外部泄漏的同时提高喷射均匀度。19.各实施例涉及的效果并不限于以上例示的内容，在本说明书内包括更多的效果。附图说明20.图1是一实施例涉及的显示装置的平面配置图。21.图2是沿着图1的ii-ii′截取的剖视图。22.图3是图2的q区域的放大图。23.图4是一实施例涉及的等离子体处理装置的立体图。24.图5是一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。25.图6是图5的r区域的放大图。26.图7是在一实施例涉及的等离子体处理装置中表示等离子体的动向的示意图。27.图8是测量了利用一实施例涉及的等离子体处理装置处理的基板的厚度的结果图表。28.图9是测量了利用比较实施例涉及的等离子体处理装置处理的基板的厚度的结果图表。29.图10是其他实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。30.图11是其他实施例涉及的引导部的立体图。31.图12是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。32.图13是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。33.图14是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。34.图15是一实施例涉及的过滤部件的平面图。35.图16是其他实施例涉及的过滤部件的平面图。36.图17是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。37.图18是图17的喷出辅助部件的立体图。38.图19是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。39.图20是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。40.图21是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。41.(符号说明)42.1：等离子体处理装置；100：喷嘴；200：第一电极；300：第二电极；400：引导部；500：第一电源供给部；600：气体供给部；700：过滤部件；800：喷出辅助部件；900：第三电极。具体实施方式43.参照与附图一起详细后述的各实施例，本发明的优点、特征以及达成这些优点和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以以互相不同的形态实现，各实施例仅仅使本发明的公开变得完整，并且是为了向本领域技术人员完整地告知发明的范畴而提供的，应仅由权利要求书的范畴定义本发明。44.元件(elements)或者层位于其他元件或者层上(on)的情况不仅包括直接位于其他元件上的情况，还包括其间存在其他层或其他元件的情况。在整个说明书中，同一符号指代同一构成要素。45.虽然为了叙述各构成要素而使用第一、第二等，但是各构成要素当然不限于这些用语。这些用语仅用作使一个构成要素区别于其他构成要素的目的。因此，在本发明的技术思想内，以下提及的第一构成要素当然可以是第二构成要素。46.以下，参照附图，说明具体的各实施例。47.图1是一实施例涉及的显示装置的平面配置图。48.显示装置dd是显示动态图像或静态图像的装置，显示装置除了如移动电话、智能电话、平板pc(personalcomputer)及智能手表、手表电话、移动通信终端机、电子手册、电子书、pmp(portablemultimediaplayer)、导航仪、umpc(ultramobilepc)等便携式电子设备外，还可以被用作电视机、笔记本电脑、显示屏、广告板、物联网等各种产品的显示画面。49.参照图1，显示装置dd可以包括显示图像的显示面板dp、配置在显示面板dp的下部的下部面板bp、与显示面板dp连接的第一电路基板cof、配置在第一电路基板cof上的驱动集成电路ic以及与第一电路基板cof连接且附着于下部面板bp的下表面的第二电路基板fpcb。50.显示面板dp例如可适用有机发光显示面板。在以下的实施例中，作为显示面板dp例示适用有机发光显示面板的情况，但是并不限于此，也可以适用液晶显示器(lcd)、量子点显示器(qddisplay)、微型led(microled)等其他种类的显示面板。51.显示面板dp包括显示图像的显示区域da以及配置在显示区域da的周边的非显示区域nda。显示区域da在平面上可以是角部垂直的矩形形状或角部圆的矩形形状。显示区域da可以具有在第一方向dr1上延伸的短边以及在第二方向dr2上延伸的长边。但是，显示区域da的平面形状并不限于矩形，可以具有圆形、椭圆形或其他各种形状。非显示区域nda可以与显示区域da的两个短边及两个长边相邻地配置。在该情况下，非显示区域nda可以包围显示区域da的所有边来构成显示区域da边框。但是，并不限于此，非显示区域nda也可以仅与显示区域da的两个短边或两个长边相邻地配置。52.非显示区域nda可以包括配置在显示面板dp的第二方向dr2的另一侧的面板焊盘区域p_pa。显示面板dp可以包括至少一个面板焊盘(参照图2的“p_pe”)，面板焊盘p_pe可以配置在面板焊盘区域p_pa。53.在显示面板dp的面板焊盘区域p_pa上可以配置第一电路基板cof。54.第一电路基板cof可以包括附着于面板焊盘区域p_pa的第一电路区域ca1、附着有后述的第二电路基板fpcb的第二电路区域ca2以及配置在第一电路区域ca1与第二电路区域ca2之间的第三电路区域ca3。第一电路区域ca1可以在厚度方向上与面板焊盘区域p_pa重叠。第二电路区域ca2可以在厚度方向上与后述的第二电路基板fpcb的电路焊盘区域c_pa重叠。55.第一电路基板cof可以包括引导端子(参照图2的“le1”、“le2”)。如后述那样，引导端子可以包括配置在第一电路区域ca1的第一引导端子le1以及配置在第二电路区域ca2的第二引导端子le2。56.在第一电路基板cof的一面上可以配置驱动集成电路ic。驱动集成电路ic可以由数据驱动芯片实现，可以适用通过第一电路基板cof附着于显示面板dp的覆晶薄膜(chiponfilm，cof)方式。但是，并不限于此，驱动集成电路ic也可以通过cop(chiponplastic)或cog(chiponglass)方式附着于塑料基板或玻璃基板。57.在第一电路基板cof的第二电路区域ca2上可以配置第二电路基板fpcb。在图中示出了第二电路基板fpcb配置在第一电路基板cof的一面上的情况，但是并不限于此，也可以配置在第一电路基板cof的另一面上。58.第二电路基板fpcb可以包括附着于第一电路基板cof的第二电路区域ca2的电路焊盘区域c_pa。第二电路基板fpcb可以包括配置在电路焊盘区域c_pa的电路焊盘c_pe(参照图2)。59.以下，说明显示面板dp的构成。60.图2是沿着图1的ii-ii′截取的剖视图。图3是图2的q区域的放大图。图2表示图1的一像素区域以及面板焊盘区域的截面形状。61.参照图2和图3，显示面板dp可以包括基底基板sub、多个导电层、使多个导电层绝缘的多个绝缘层以及发光层el等。62.基底基板sub可以支承配置于上部的各种元件。基底基板sub可以是包括柔性玻璃、石英等物质的刚性基板，但是并不限于此，基底基板sub可以是包括部分柔性物质的半柔性基板或柔性基板。63.在基底基板sub上可以配置缓冲层bl。缓冲层bl可以防止水分和氧从外部渗透到显示面板dp的内部。此外，缓冲层bl可以使基底基板sub的表面平坦化。缓冲层bl作为一实施例可以包括氮化硅(sinx)膜、氧化硅(sio2)膜和氮氧化硅(sioxny)膜中的任一种。64.在缓冲层bl上可以配置半导体层act。半导体层act构成薄膜晶体管的沟道。半导体层act可以配置在显示区域da的各像素中，根据情况也可以配置在非显示区域nda中。65.半导体层act可以包括在厚度方向上与后述的上部的栅电极ge1重叠的沟道区域actc以及分别配置在沟道区域actc的一侧及另一侧的第一源极/漏极区域acta和第二源极/漏极区域actb。在第一源极/漏极区域acta和第二源极/漏极区域actb可以包括多个载流子离子，从而与沟道区域actc相比导电性大且电阻低。半导体层act可以由多晶硅、单晶硅或非晶硅(amorphoussilicon)等构成。66.在半导体层act上可以配置第一绝缘层il1。可以经由基底基板sub的整个面配置第一绝缘层il1。第一绝缘层il1可以是栅极绝缘膜。67.在第一绝缘层il1上可以配置第一导电层cl1。第一导电层cl1可以包括薄膜晶体管的栅电极ge1、第一维持电极ste1以及面板焊盘p_pe。第一导电层cl1可以包括金属物质。68.在第一导电层cl1上可以配置第二绝缘层il2。第二绝缘层il2可以使第一导电层cl1和第二导电层cl2绝缘。69.另一方面，在面板焊盘区域p_pa中，包括第二绝缘层il2的配置在第一导电层cl1的上部的各结构可以被省略或去除。由此，所述的被省略或去除的各结构可以使配置在面板焊盘区域p_pa的面板焊盘p_pe露出。70.在第二绝缘层il2上可以配置第二导电层cl2。第二导电层cl2可以包括第二维持电极ste2。第二导电层cl2可以包括金属物质。第一维持电极ste1和第二维持电极ste2可以在其间夹着第二绝缘层il2而形成维持电容器。71.在第二导电层cl2上可以配置第三绝缘层il3。第三绝缘层il3可以使第二导电层cl2和第三导电层cl3绝缘。72.在第三绝缘层il3上可以配置第三导电层cl3。第三导电层cl3可以包括源电极sd1、漏电极sd2以及电源电压电极sd3。源电极sd1可以通过贯通第一绝缘层il1至第三绝缘层il3的接触孔而与第一源极/漏极区域acta电连接。漏电极sd2可以通过贯通第一绝缘层il1至第三绝缘层il3的接触孔而与第二源极/漏极区域actb电连接。73.在第三导电层cl3上可以配置第一过孔层via1。第一过孔层via1可以包括有机绝缘物质。74.在第一过孔层via1上可以配置第四导电层cl4。第四导电层cl4可以包括数据线dl、连接电极ce以及电源电压线elvdd。75.数据线dl可以通过贯通第一过孔层via1的接触孔而与薄膜晶体管的源电极sd1电连接。连接电极ce可以通过贯通第一过孔层via1的接触孔而与薄膜晶体管的漏电极sd2电连接。电源电压线elvdd可以通过贯通第一过孔层via1的接触孔而与电源电压电极sd3电连接。76.在第四导电层cl4上配置第二过孔层via2。第二过孔层via2可以包括有机绝缘物质。77.在第二过孔层via2上配置像素电极pxe。像素电极pxe可以通过贯通第二过孔层via2的接触孔而与连接电极ce电连接。78.在像素电极pxe上可以配置像素定义膜pdl。像素定义膜pdl可以包括使像素电极pxe露出的开口部。像素定义膜pdl可以由有机绝缘物质或无机绝缘物质构成。79.在像素定义膜pdl的开口部内的像素电极pxe的上表面可以配置发光层el。在发光层el和像素定义膜pdl上配置公共电极cme。可以经由多个像素配置公共电极cme。像素电极pxe、发光层el和公共电极cme可以构成发光元件emd。80.在公共电极cme上配置薄膜封装层tfe。薄膜封装层tfe可以覆盖发光元件emd。薄膜封装层tfe可以是交替地层叠了无机膜和有机膜的层叠膜。例如，薄膜封装层tfe可以包括依次层叠的第一无机膜tfe1、有机膜tfe2以及第二无机膜tfe3。81.在薄膜封装层tfe的端部，第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3可以彼此相接，从而有机膜tfe2被第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3密封。82.在一实施例中，第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3分别可以通过形成第一无机物质层tfel1和第二无机物质层tfel3之后蚀刻一部分的方式形成。在一实施例中，作为蚀刻第一无机物质层tfel1和第二无机物质层tfel3的一方法，可以利用使用了等离子体p的蚀刻。可以从等离子体处理装置1喷射等离子体p，在此，等离子体处理装置1可以是在大气压下生成等离子体p的大气压等离子体装置。83.具体而言，第一无机膜tfe1可以按照如下方式形成，即，形成第一无机物质层tfel1之后，利用一实施例涉及的等离子体处理装置1，使等离子体p喷射到第一无机物质层tfel1的蚀刻对象区域来去除第一蚀刻物tfe1r。此外，第二无机膜tfe3可以按照如下方式形成，即，形成第二无机物质层tfel3之后，利用一实施例涉及的等离子体处理装置1，使等离子体p喷射到第二无机物质层tfel3的蚀刻对象区域来去除第二蚀刻物tfe3r。84.通过利用一实施例涉及的等离子体处理装置1的蚀刻形成的第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3分别可以包括倾斜的蚀刻面tfe1a、tfe3a。具体而言，第一无机膜tfe1可以包括配置在一侧端部且相对于像素定义膜pdl的上表面以第一倾斜角a1倾斜的第一蚀刻面tfe1a。第二无机膜tfe3可以包括配置在一侧端部且相对于与第一无机膜tfe1的边界面以第二倾斜角a2倾斜的第二蚀刻面tfe3a。第一倾斜角a1和第二倾斜角a2可以实质上相同，但是并不限于此，根据等离子体p的喷射形态，也可以是第一倾斜角a1具有比第二倾斜角a2大的值或者第二倾斜角a2具有比第一倾斜角a1大的值。85.第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3可以包括根据使用于蚀刻的等离子体p的按区域的喷射均匀度而具有更小值的倾斜角b1、b2的蚀刻面tfe1b、tfe3b。对此内容将参照图8和图9来后述。86.第一电路基板cof可以被配置成，一端附着于面板焊盘区域p_pa，且被弯曲成包围基底基板sub的一侧面，从而第一电路基板cof的另一端与下部面板bp的下表面重叠。第一电路基板cof的另一端可以与第二电路基板fpcb连接。第二电路基板fpcb可以附着于下部面板bp的下表面。87.第一电路基板cof可以包括附着于显示面板dp的面板焊盘区域p_pa的第一引导端子le1、附着于第二电路基板fpcb的电路焊盘区域c_pa的第二引导端子le2、连接第一引导端子le1和驱动集成电路ic的第一引导布线l1以及连接第二引导端子le2和驱动集成电路ic的第二引导布线l2。88.第一引导端子le1和面板焊盘p_pe可以通过配置在其间的第一各向异性导电膜acf1而彼此被附着。第二引导端子le2和电路焊盘c_pe可以通过配置在其间的第二各向异性导电膜acf2而彼此被附着。89.图4是一实施例涉及的等离子体处理装置的立体图。图5是一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。图6是图5的r区域的放大图。90.参照图4至图6，一实施例涉及的等离子体处理装置1可以包括喷嘴100、贯通喷嘴100的第一电极200、配置在喷嘴100的内侧面上的第二电极300、连接到喷嘴100的下侧端部的引导部400、向第一电极200供给电源的第一电源供给部500以及向喷嘴100的内部供给气体的气体供给部600。在等离子体处理装置1中，喷嘴100、第一电极200、第二电极300、第一电源供给部500和气体供给部600可以构成等离子体提供部。91.在喷嘴100的内部，可以生成等离子体p来将其喷射到下侧。喷嘴100可以包括在一方向上延伸的主体部110、与主体部110的下端部连接且越是朝向下侧宽度越小的倾斜部120以及配置在主体部110的侧面且与后述的气体供给部600连接的气体流入部130。92.主体部110可以通过后述的第一电极200被贯通。具体而言，第一电极200可以垂直地贯通主体部110的上端部而被插入。主体部110可以具有第一宽度w1的平均内径。主体部110的内径可以按区域大致恒定。虽然未图示，但是在主体部110的下端部的外表面上可以形成外螺纹而与后述的引导部400形成螺纹连接。93.倾斜部120可以从主体部110的下端部向下侧延伸。倾斜部120的平均内径可以小于作为主体部110的平均内径的第一宽度w1。倾斜部120的内径可以越是朝向下侧相同或越小。在倾斜部120的内侧面上可以配置后述的第二电极300。等离子体p可以在倾斜部120的内侧空间中生成。在倾斜部120的下侧端部可以配置第一喷出部ol1。所生成的等离子体p可以通过第一喷出部ol1被排出。第一喷出部ol1可以具有比第一宽度w1小的第二宽度w2。94.气体流入部130可以配置在主体部110的侧面的上端。气体流入部130可以是从气体供给部600提供的气体进入喷嘴100的内部空间的通道。95.第一电极200可以垂直地贯通喷嘴100的主体部110的上端部而被插入。第一电极200可以贯通喷嘴100的中央。第一电极200可以在喷嘴100的长度方向上延伸。第一电极200的下端部可以被倾斜部120包围。第一电极200可以与后述的第一电源供给部500连接。第一电源供给部500可以向第一电极200供给电源。可以与喷嘴100的主体部110和倾斜部120间隔开来配置第一电极200。96.第一电极200可以包括配置在下侧端部的第一电极尖200a。第一电极尖200a可以具有朝向下侧尖锐的形状。第一电极尖200a可以配置在第一喷出部ol1的内侧。第一电极尖200a可以被倾斜部120包围。可以与倾斜部120间隔开来配置第一电极尖200a。第一电极尖200a的侧面可以大致平行于相邻的倾斜部120的内侧面。97.在倾斜部120的内侧面上可以配置第二电极300。但是，并不限于此，第二电极300也可以配置在主体部110的内侧面上。可以与第一电极200间隔开来配置第二电极300。第二电极300可以是接地电极。向第一电极200可以通过后述的第一电源供给部500施加预定的电压。因此，在第一电极200与第二电极300之间可以产生电弧放电。第二电极300可以通过在第二电极300与第一电极200之间产生的电弧放电来激励通过相应区域的气体，从而形成等离子体p。98.第二电极300可以被配置成与第一电极尖200a间隔开第一距离d1。第一距离d1可以被设定成实现强到能够形成等离子体p的程度的电弧放电。例如，第一距离d1可以是1mm至5mm。99.在喷嘴100的下侧可以连接引导部400。引导部400可以控制从喷嘴100喷射的等离子体p的喷射路径。引导部400可以具有内部空的圆柱形状。引导部400可以在与喷嘴100的长度方向相同的方向上延伸。引导部400可以包括向下侧开口的第二喷出部ol2。引导部400可以被配置成部分地包围喷嘴100的主体部110和倾斜部120。在引导部400包围喷嘴100的区域中，引导部400的至少一部分的内侧面可以与喷嘴100的主体部110的外表面直接接触。引导部400和喷嘴100可以形成螺纹连接而彼此被紧固连接，对此将后述。100.从喷嘴100喷射的等离子体p可以沿着引导部400向下侧移动的同时被限制向外侧的扩散，从而提高等离子体p的喷射均匀度。此外，引导部400可以阻断等离子体p与外部空气的接触来防止游离形态的等离子体p消失的情况。提高了喷射均匀度的等离子体p可以通过第二喷出部ol2被喷射到外部。对此的详细说明将参照图7至图9来后述。101.在引导部400的内侧面可以形成内螺纹。因此，可以与形成在主体部110的外表面的外螺纹一起形成螺纹连接而彼此被紧固连接。102.引导部400可以由相对于等离子体p的高温和高压具有出色的耐久性的物质构成。例如，引导部400可以由石英或陶瓷材质构成，但是并不限于此。103.第一电源供给部500可以配置在喷嘴100的外部。第一电源供给部500可以向第一电极200供给电源。第一电源供给部500例如可以是dc电源装置或rf电源装置。104.气体供给部600可以配置在喷嘴100的外部。在气体供给部600与气体流入部130之间可以配置气体供给线610。气体供给部600和气体流入部130可以通过气体供给线610被连接。气体供给部600可以向喷嘴100内供给气体。所述气体可以经由气体供给线610和气体流入部130而被供给至喷嘴100的内部。供给至喷嘴100的内部的气体可以通过在第一电极200与第二电极300之间产生的电弧放电而被激励，从而变化成等离子体p的状态。105.所述气体可以是在蚀刻工序中使用的气体。例如，所述气体可以包括h2、o2、n2o、ar、he、n2和h2o中的至少一种，但是并不限于此，所述气体可以包括含有cl2、bcl3、ccl4和hcl的氯系气体或含有cxhyfz、cxfy、nf3和sf6的氟系气体。106.图7是在一实施例涉及的等离子体处理装置中表示等离子体的动向的示意图。107.参照图7，一实施例涉及的等离子体处理装置1可以产生等离子体p并将其喷射。具体而言，等离子体p可以在喷嘴100中生成并通过第一喷出部ol1喷射到引导部400，喷射到引导部400的等离子体p可以经由引导部400且通过第二喷出部ol2被喷射到外部。108.以下，说明引导部400的内部中的等离子体p的动向。109.喷嘴100的第一喷出部ol1可以具有第二宽度w2的平均内径，并且引导部400的平均内径可以具有比第二宽度w2大的第三宽度w3。引导部400中央部与包围所述中央部的周边部相比，被喷射的等离子体p的密度可以更高。110.因此，在喷嘴100的内部产生的等离子体p可以通过第一喷出部ol1朝向下侧被喷射，但是越是朝向下侧，在与喷射方向垂直的所有方向上进行扩散。即，等离子体p可以是越朝向下侧越朝向引导部400的周边部扩散。如上所述，等离子体p可以通过在引导部400的内部中朝向与喷射方向垂直的周边部的扩散而提高喷射均匀度。111.沿着引导部400的长度方向被喷射且朝向周边部扩散的等离子体p可以被引导部400限制朝向引导部400的外侧的扩散。因此，等离子体p在引导部400的内侧面被反射而再次朝向引导部400的中央部行进，从而可以与喷射到下侧的等离子体p混合。经过了引导部400的等离子体p可以通过配置在引导部400的下端部且向下侧开口的第二喷出部ol2而被喷射到下侧。通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p的喷射量可以实质上等于通过第一喷出部ol1喷射的等离子体p的喷射量。等离子体p通过在引导部400的内侧面被反射并再次朝向引导部400的中央部行进而被混合的过程，可以防止等离子体p泄漏到引导部400的外部的情况。112.图8是测量了利用一实施例涉及的等离子体处理装置处理的基板的厚度的结果图表。图9是测量了利用比较实施例涉及的等离子体处理装置处理的基板的厚度的结果图表。图8是关于利用包括引导部的一实施例涉及的等离子体处理装置执行了蚀刻工序的基板的图表，图9是关于作为比较实施例利用不包括引导部的等离子体处理装置执行了蚀刻工序的基板的图表。113.结合图3，参照图8和图9，针对包括具有约的厚度的蚀刻对象膜的基板，利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1和不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1来分别执行了蚀刻工序。114.首先，参照图8的利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行了蚀刻工序的结果，执行了蚀刻工序的基板可以包括第一均匀蚀刻区域ua1以及第一不均匀蚀刻区域nua1。第一均匀蚀刻区域ua1可以意味着在完成了蚀刻工序的基板中，在基板的厚度方向上通过足够量的等离子体p完成蚀刻而残留的蚀刻对象膜的厚度约在以下的区域，第一不均匀蚀刻区域nua1可以意味着通过不足量的等离子体p完成不完全的蚀刻而残留的蚀刻对象膜的厚度具有约至的范围的区域。115.第一不均匀蚀刻区域nua1可以被配置成在第一均匀蚀刻区域ua1的外侧包围第一均匀蚀刻区域ua1。第一不均匀蚀刻区域nua1可以具有比第一均匀蚀刻区域ua1小的宽度。在一实施例中，第一均匀蚀刻区域ua1具有约13mm的宽度，第一不均匀蚀刻区域nua1具有约3.8mm至4mm的宽度。116.其次，参照图9的利用不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1执行了蚀刻工序的结果，执行了蚀刻工序的基板可以包括第二均匀蚀刻区域ua2以及第二不均匀蚀刻区域nua2。对于第二均匀蚀刻区域ua2和第二不均匀蚀刻区域nua2的说明除了后述的内容外与对于上述的第一均匀蚀刻区域ua1和第一不均匀蚀刻区域nua1的说明实质上相同，因此省略进一步的说明。117.第二不均匀蚀刻区域nua2可以被配置成在第二均匀蚀刻区域ua2的外侧包围第二均匀蚀刻区域ua2。第二不均匀蚀刻区域nua2可以具有比第二均匀蚀刻区域ua2大的宽度。在一实施例中，第二均匀蚀刻区域ua2具有约1.3mm的宽度，第二不均匀蚀刻区域nua2具有约4.6mm至5.3mm的宽度。118.第二均匀蚀刻区域ua2可以具有比第一均匀蚀刻区域ua1小的宽度。第一均匀蚀刻区域ua1可以具有第二均匀蚀刻区域ua2的约10倍的宽度。第二不均匀蚀刻区域nua2可以具有比第一不均匀蚀刻区域nua1大的宽度。此外，第二不均匀蚀刻区域nua2的偏差可以大于第一不均匀蚀刻区域nua1的偏差。119.即，在利用不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下，相比利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况，可以是被完全蚀刻的区域的宽度减少，被部分蚀刻的区域的宽度增加。120.再次参照图3，在利用比较实施例涉及的等离子体处理装置1形成第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3的情况下，可能会形成具有比第一倾斜角a1及第二倾斜角a2还小的值的第三倾斜角b1及第四倾斜角b2的蚀刻面tfe1b、tfe3b。121.具体而言，在利用不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下，第一无机膜tfe1可以包括配置在一侧端部且相对于像素定义膜pdl的上表面以第三倾斜角b1倾斜的第三蚀刻面tfe1b。第二无机膜tfe3可以包括配置在一侧端部且相对于与第一无机膜tfe1的边界面以第四倾斜角b2倾斜的第四蚀刻面tfe3b。第三倾斜角b1和第四倾斜角b2可以实质上相同，但是并不限于此，根据等离子体p的喷射形态，也可以是第三倾斜角b1具有比第四倾斜角b2大的值或者第四倾斜角b2具有比第三倾斜角b1大的值。122.第三倾斜角b1可以具有比在利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下出现的第一倾斜角a1小的值。第四倾斜角b2可以具有比在利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下出现的第二倾斜角a2小的值。123.在基板的蚀刻工序中，可以认为均匀蚀刻区域ua1、ua2越大且不均匀蚀刻区域nua1、nua2越小，实现了越精密的蚀刻工序。因此，在利用一实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下，可以提高对于由此制造的显示装置dd等的元件的可靠度。即，利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行的蚀刻工序相比使用了不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1的情况，可以对蚀刻工序具有高的可靠性。124.一实施例涉及的等离子体处理装置1可以包括引导部400而防止等离子体p向外部的泄漏的同时，混合等离子体p来提高喷射均匀度。此外，一实施例涉及的等离子体处理装置1可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，利用一实施例涉及的等离子体处理装置1可以制造出具有高的可靠度的显示装置dd。125.以下，说明等离子体处理装置1的其他实施例。在对于后述的其他实施例涉及的等离子体处理装置1的说明中，省略与一实施例涉及的等离子体处理装置1重复的说明，并主要说明差异点。126.图10是其他实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。图11是其他实施例涉及的引导部的立体图。127.参照图10和图11，本实施例涉及的等离子体处理装置1_1的引导部400_1与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，包括引导孔400h_1。128.引导孔400h_1是多个，可以配置在引导部400_1的外表面上。引导孔400h_1可以在空间上连接引导部400_1的等离子体p_1移动的内部空间和引导部400_1的外部。因此，经过引导部400_1的内部的等离子体p_1可以通过引导孔400h_1向外部有部分泄漏。129.在本实施例中，多个引导孔400h_1可以被排列成沿着引导部400_1的外表面包围引导部400_1。引导孔400h_1可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间的区域中。130.在其他实施例中，多个引导孔400h_1可以不均匀地分布在引导部400_1的外表面上。在又一实施例中，多个引导孔400h_1可以具有从第二喷出部ol2沿着引导部400_1的长度方向延伸的形状，并且可以被排列成沿着引导部400_1的外表面包围引导部400_1。在又一实施例中，引导孔400h_1可以在包围引导部400_1的方向上约开口80％以上。131.在本实施例中，通过喷嘴100的第一喷出部ol1，等离子体p_1可以向下侧被喷射。通过第一喷出部ol1喷射到下侧的等离子体p_1可以是越朝向下侧，在与喷射方向垂直的所有方向上进行扩散。等离子体p_1可以是越朝向下侧，越朝向引导部400_1的内侧面扩散。此时，因引导孔400h_1，可以促进等离子体p_1朝向引导部400_1的内侧面的扩散。132.具体而言，引导部400_1的内部空间的压力可以因由气体供给部600供给的气体的压力而处于高压状态，而引导部400_1的外部是大气压状态，因此可以处于相对的低压状态。即，在引导部400_1的内外部间可以产生压力差异。因此，在引导部400_1的内部空间向下侧移动的等离子体p_1的一部分可以通过引导孔400h_1而泄漏。但是，通过引导孔400h_1泄漏的等离子体p_1的量相比通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p_1的量可以是少量。133.通过由引导部400_1的内外部的压力差引起的等离子体p_1的移动，从引导部400_1的中央部向周边部移动的等离子体p_1的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_1的混合。134.本实施例涉及的等离子体处理装置1_1可以通过包括引导孔400h_1的引导部400_1最小化等离子体p_1向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。此外，通过引导部400_1的内外部的压力差以及引导孔400h_1，可以促进在引导部400_1的内部移动的等离子体p_1朝向周边部的扩散，由此可以辅助等离子体p_1的混合。135.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_1可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_1制造具有高的可靠度的显示装置dd。136.图12是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。137.本实施例涉及的等离子体处理装置1_2可以包括与一实施例涉及的等离子体处理装置1不同的形状的引导部400_2。具体而言，与参照图10和图11上述的实施例所涉及的等离子体处理装置1_1的差异点在于，本实施例的引导部400_2包括与喷嘴100紧固连接的引导紧固部410_2、从引导紧固部410_2向下侧延伸的引导倾斜部420_2以及从引导倾斜部420_2向下侧延伸的引导部扩展部430_2。138.在本实施例涉及的引导部400_2中，引导紧固部410_2的平均内径可以具有第一引导部宽度w31_2，引导倾斜部420_2的平均内径可以具有比第一引导部宽度w31_2大的第二引导部宽度w32_2，并且引导部扩展部430_2的平均内径可以具有比第二引导部宽度w32_2大的第三引导部宽度w33_2。引导倾斜部420_2可以是越朝向下侧内径越宽。即，引导倾斜部420_2可以是从引导紧固部410_2越朝向引导部扩展部430_2，宽度越宽。在此，引导部400_2的第三宽度w3_2可以包括第一引导部宽度w31_2、第二引导部宽度w32_2以及第三引导部宽度w33_2这三个部分。139.在本实施例中，引导孔400h_2可以配置在引导倾斜部420_2上。引导孔400h_2可以在与引导倾斜部420_2垂直的方向上被开口。140.在本实施例中，可以通过喷嘴100的第一喷出部ol1，向下侧喷射等离子体p_2。通过第一喷出部ol1喷射到下侧的等离子体p_2可以是越朝向下侧，在与喷射方向垂直的所有方向上进行扩散。等离子体p_2可以是越朝向下侧，越朝向引导部400_2的内侧面进行扩散。此时，因引导孔400h_2，可以促进等离子体p_2的扩散。141.如上所述，在引导部400_2的内部空间向下侧移动的等离子体p_2的一部分可以通过引导孔400h_2而泄漏。但是，通过引导孔400h_2泄漏的等离子体p_2的量相比通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p_2的量可以是少量。142.通过因引导部400_2的内外部的压力差引起的等离子体p_2的移动，可以促进从引导部400_2的中央部向周边部移动的等离子体p_2的扩散。143.如上所述，经过引导倾斜部420_2的等离子体p_2通过引导孔400h_2而一部分泄漏到外部，但此时等离子体p_2与引导部400_2的内径的扩展一起，同时实现基于引导孔400h_2的扩散的促进，从而等离子体p_2可以表现出进一步得到了提高的喷射均匀度。144.本实施例涉及的等离子体处理装置1_2可以通过包括引导孔400h_2的引导部400_2最小化等离子体p_2向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。通过引导部400_2的内外部的压力差以及引导孔400h_2，在引导部400_2的内部移动的等离子体p_2向周边部的扩散得到促进，从而可以辅助等离子体p_2的混合。145.不仅如此，引导孔400h_2可以配置在引导倾斜部420_2上，从而进一步促进从引导部400_2的中央部朝向周边部的等离子体p_2的扩散。由此，可以进一步提高通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p_2的喷射均匀度。146.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_2可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_2制造出具有高的可靠度的显示装置dd。147.图13是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。148.参照图13，本实施例涉及的等离子体处理装置1_3可以包括与一实施例涉及的等离子体处理装置1不同的形状的引导部400_3。具体而言，本实施例的引导部400_3与参照图10和图11上述的实施例涉及的等离子体处理装置1_1的差异点在于，包括与喷嘴100紧固连接的引导紧固部410_3以及从引导紧固部410_3向下侧延伸的引导倾斜部420_3。在引导倾斜部420_3的下侧端部可以配置第二喷出部ol2。149.在本实施例涉及的引导部400_3中，引导紧固部410_3的平均内径可以具有第一引导部宽度w31_3，并且引导倾斜部420_3的平均内径可以具有比第一引导部宽度w31_3小的第二引导部宽度w32_3。引导倾斜部420_3的第二引导部宽度w32_3可以是越朝向下侧，内径越小。即，引导倾斜部420_3的第二引导部宽度w32_3可以是从引导紧固部410_3越朝向第二喷出部ol2，宽度越小。在此，引导部400_3的第三宽度w3_3可以包括第一引导部宽度w31_3和第二引导部宽度w32_3这两个部分。150.在本实施例中，引导孔400h_3可以配置在引导紧固部410_3上。引导孔400h_3可以在与引导紧固部410_3垂直的方向上被开口。151.在本实施例中，可以通过喷嘴100的第一喷出部ol1，向下侧喷射等离子体p_3。通过第一喷出部ol1喷射到下侧的等离子体p_3可以是越朝向下侧，在与喷射方向垂直的所有方向上进行扩散。等离子体p_3可以是越朝向下侧，越朝向引导部400_3的内侧面进行扩散。此时，通过引导孔400h_3，可以促进等离子体p_3的扩散。152.如上所述，在引导部400_3的内部空间向下侧移动的等离子体p_3的一部分可以通过引导孔400h_3泄漏。但是，通过引导孔400h_3泄漏的等离子体p_3的量相比通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p_3的量可以是少量。153.通过由引导部400_3的内外部的压力差引起的等离子体p_3的移动，可以促进从引导部400_3的中央部向周边部移动的等离子体p_3的扩散。154.如上所述，经过引导紧固部410_3的等离子体p_3通过引导孔400h_3有部分向外部泄漏，但此时等离子体p_3通过引导孔400h_3其扩散得到了促进，可以提高等离子体p_3的喷射均匀度。然后，等离子体p_3在经过内径逐渐变小的引导倾斜部420_3的同时朝向引导部400_3的中央部被引导，从而可以提高等离子体p_3的喷射密度。即，本实施例涉及的引导部400_3可以提高等离子体p_3的喷射均匀度以及喷射密度。155.本实施例涉及的等离子体处理装置1_3可以通过包括引导孔400h_3的引导部400_3最小化等离子体p_3向外部的泄漏的同时，可以提高喷射均匀度。通过引导部400_3的内外部的压力差以及引导孔400h_3，在引导部400_3的内部移动的等离子体p_3向周边部的扩散得到了促进，从而可以辅助等离子体p_3的混合。156.不仅如此，即便因引导孔400h_3产生了等离子体p_3的部分损失，但由于通过引导倾斜部420_3将等离子体p_3引导至引导部400_3的中央部，因此可以提高等离子体p_3的喷射密度。157.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_3可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_3可以制造出具有高的可靠度的显示装置dd。158.图14是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。图15是一实施例涉及的过滤部件的平面图。图16是其他实施例涉及的过滤部件的平面图。159.参照图14至图16，本实施例涉及的等离子体处理装置1_4与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括配置在引导部400的内部的过滤部件700。过滤部件700在引导部400的内部按区域控制等离子体p_4的通过量，从而可以提高等离子体p_4的喷射均匀度。具体而言，过滤部件700可以将等离子体p_4从引导部400的中央部引导至周边部。160.在本实施例中，过滤部件700可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间。过滤部件700的位置可以根据等离子体p_4的压力、温度、过滤部件700的材料等而以各种方式设定。161.一实施例涉及的过滤部件700可以包括配置在平面图上具有圆形形状的网格区域ma的网格结构710以及在网格区域ma的外侧包围网格结构710来配置的支承部730。网格区域ma可以在平面图上具有圆形形状，该圆形形状具有第一过滤器长度r1的半径。162.通过网格区域ma的等离子体p_4的一部分可以因网形状的网格结构710而行进受阻或者被折射，从而从引导部400的中央部向周边部扩散。163.其他实施例涉及的过滤部件700_1可以包括配置在中央部的第一网格区域ma1_1的第一网格结构710_1、配置在包围第一网格区域ma1_1配置的第二网格区域ma2_1的第二网格结构720_1、配置在第一网格结构710_1与第二网格结构720_1之间且构成第一网格结构710_1的边框的第一支承部730_1以及构成第二网格结构720_1的边框的第二支承部740_1。在平面图上，在第一网格结构710_1中被开口的区域的面积可以小于在第二网格结构720_1中被开口的区域的面积。164.在平面图上，第一网格区域ma1_1可以具有具备第一过滤器长度r1_1的半径的圆形形状，第二网格区域ma2_1可以具有具备第二过滤器长度r2_1的宽度的圆环(donut)形状。第一过滤器长度r1_1和第二过滤器长度r2_1可以具有实质上相同的值，但是并不限于此，也可以是根据等离子体p_4的按区域的分布，第一过滤器长度r1_1具有比第二过滤器长度r2_1大的值或者具有比第二过滤器长度r2_1小的值。165.朝向第一网格区域ma1_1喷射的等离子体p_4的一部分可能无法通过第一网格结构710_1而扩散到第二网格区域ma2_1，并经由第二网格结构720_1通过过滤部件700_1。166.在本实施例中，通过过滤部件700/700_1之后的等离子体p_4与通过过滤部件700/700_1之前的等离子体p_4相比可表现出提高了的喷射均匀度。此外，通过过滤部件700/700_1，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_4的扩散得到了促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_4的混合。167.本实施例涉及的等离子体处理装置1_4可以通过引导部400最小化等离子体p_4向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。168.不仅如此，通过按区域具有不同的开口面积的过滤部件700_1，将等离子体p_4引导至引导部400的周边部，从而可以进一步提高等离子体p_4的喷射均匀度。169.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_4可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_4可以制造出具有高的可靠度的显示装置dd。170.图17是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。图18是图17的喷出辅助部件的立体图。171.本实施例涉及的等离子体处理装置1_5与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括配置在引导部400的内部的喷出辅助部件800。喷出辅助部件800可以在引导部400的内部控制等离子体p_5的移动路径。具体而言，喷出辅助部件800可以将等离子体p_5的移动方向从引导部400的中央部引导至周边部。172.喷出辅助部件800可以配置在喷嘴100的倾斜部120的下端部。即，喷出辅助部件800可以与第一喷出部ol1相邻地配置。在本实施例中，喷出辅助部件800可以具有朝向作为引导部400的延伸方向的下侧凸出的形状。由此，经过了喷出辅助部件800的等离子体p_5可以在与喷射方向垂直的所有方向上发散着被喷射。173.喷出辅助部件800可以包括支承部810以及支承部810的内侧的朝向下侧凸出的形状的网格结构820。网格结构820可以在平面图上具有半径为第一喷出辅助长度l1的圆形形状，并且在凸出的长度方向上具有第二喷出辅助长度l2的长度。网格结构820可以具有第一喷出辅助长度l1和第二喷出辅助长度l2相同的半球形状，但是并不限于此。174.即，喷出辅助部件800可以进行引导，使得更多量的等离子体p_5从引导部400的中央部向周边部进行扩散。通过上述的过程，在本实施例中，通过了喷出辅助部件800的等离子体p_5可以表现出提高了的喷射均匀度。此外，通过喷出辅助部件800，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_5的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_5的混合。175.本实施例涉及的等离子体处理装置1_5可以通过引导部400最小化等离子体p_5向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。176.不仅如此，通过具有向下侧凸出的形状的网格结构的喷出辅助部件800，将等离子体p_5引导至引导部400的周边部，从而可以进一步提高等离子体p_5的喷射均匀度。177.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_5可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_5制造出具有高的可靠度的显示装置dd。178.图19是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。179.参照图19，本实施例涉及的等离子体处理装置1_6与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括配置在引导部400的内侧面上的第三电极900。通过向第三电极900施加电源，可以控制引导部400的内部的等离子体p_6的移动。具体而言，第三电极900可以在引导部400的内部将等离子体p_6从引导部400的中央部引导至周边部。180.第三电极900可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间。第三电极900的位置可以根据等离子体p_6的温度、压力、物质等条件而以各种方式设定。181.本实施例涉及的等离子体处理装置1_6还可以包括与第三电极900连接而向第三电极900供给电源的第二电源供给部910。第二电源供给部910可以向第三电极900供给0v以上的电压。182.如上所述，引导部400可以包括石英或陶瓷等电介质物质而起到电介质体的功能。因此，在具有高电位的等离子体p_6与具有相对低电位的引导部400之间，因相互间的电位差，等离子体p_6的密度可能会形成低的护层(sheath)区域。183.若向第三电极900施加0v以上的电压，则与等离子体p_6的电位的电位差减小，从而引导部400的内部的护层(sheath)区域的宽度减小，等离子体p_6可以被引导至第三电极900侧。即，若向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900施加0v以上的电压，则护层(sheath)区域减小，引导部400的内部的等离子体p_6可以从引导部400的中央部被引导至周边部。通过被施加0v以上的电压的第三电极900，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_6的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_6的混合。由此，可以提高等离子体p_6的喷射均匀度。184.但是，为了减小护层(sheath)区域而供给至第三电极900的电压可以具有比第一电源供给部500向第一电极200供给的电压低的电位。185.本实施例涉及的等离子体处理装置1_6可以通过引导部400最小化等离子体p_6向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。186.不仅如此，可以向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900施加0v以上的电压，从而减小引导部400的内部的护层(sheath)区域。由此，可以将等离子体p_6从引导部400的中央部引导至周边部，从而进一步提高等离子体p_6的喷射均匀度。187.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_6可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_6制造出具有高的可靠度的显示装置dd。188.图20是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。189.参照图20，本实施例涉及的等离子体处理装置1_7与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括与引导部400一体化的第三电极900_7。在本实施例中，可以贯通引导部400的侧壁来配置第三电极900_7。可以配置成，第三电极900_7的一面朝向引导部400的内部，并且另一面朝向引导部400的外部。190.第三电极900_7的一面可以朝向引导部400的内部露出，并且另一面可以朝向引导部400的外部露出。但是，并不限于此，第三电极900_7可以被配置成插入到引导部400的侧壁的内部。191.通过向第三电极900_7施加电源，可以控制引导部400的内部的等离子体p_7的移动。具体而言，第三电极900_7可以在引导部400的内部将等离子体p_7从引导部400的中央部引导至周边部。192.第三电极900_7可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间。第三电极900_7的位置可以根据等离子体p_7的温度、压力、物质等条件而以各种方式设定。193.本实施例涉及的等离子体处理装置1_7还可以包括与第三电极900_7连接而向第三电极900_7供给电源的第二电源供给部910。第二电源供给部910可以向第三电极900_7供给0v以上的电压。194.如上所述，引导部400可以包括石英或陶瓷等电介质物质而起到电介质体的功能。因此，在具有高电位的等离子体p_7与具有相对低电位的引导部400之间，因相互间的电位差，可能会形成等离子体p_7的密度低的护层(sheath)区域。195.若向第三电极900_7施加0v以上的电压，则与等离子体p_7的电位的电位差减小，从而引导部400的内部的护层(sheath)区域的宽度减小，等离子体p_7可以被引导至第三电极900_7侧。即，若向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900_7施加0v以上的电压，则护层(sheath)区域减小，引导部400的内部的等离子体p_7可以从引导部400的中央部被引导至周边部。通过被施加0v以上的电压的第三电极900_7，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_7的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_7的混合。由此，可以提高等离子体p_7的喷射均匀度。196.但是，为了减小护层(sheath)区域而供给至第三电极900_7的电压可以具有比第一电源供给部500向第一电极200供给的电压低的电位。197.本实施例涉及的等离子体处理装置1_7可以通过引导部400最小化等离子体p_7向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。198.不仅如此，通过向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900_7施加0v以上的电压，可以减小引导部400的内部的护层(sheath)区域。由此，可以将等离子体p_7从引导部400的中央部引导至周边部，从而进一步提高等离子体p_7的喷射均匀度。199.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_7可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_7制造具有高的可靠度的显示装置dd。200.图21是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。201.参照图21，本实施例涉及的等离子体处理装置1_8与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括配置在引导部400的外表面上的第三电极900_8。第三电极900_8被配置成包围整个引导部400，但是并不限于此，第三电极900_8可以在引导部400的外表面上配置在部分外表面上。202.通过向第三电极900_8施加电源，可以控制引导部400的内部的等离子体p_8的移动。具体而言，第三电极900_8可以在引导部400的内部将等离子体p_8从引导部400的中央部引导至周边部。203.第三电极900_8可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间。第三电极900_8的位置可以根据等离子体p_8的温度、压力、物质等条件而以各种方式设定。204.本实施例涉及的等离子体处理装置1_8还可以包括与第三电极900_8连接而向第三电极900_8供给电源的第二电源供给部910。第二电源供给部910可以向第三电极900_8供给0v以上的电压。205.如上所述，引导部400可以包括石英或陶瓷等电介质物质而起到电介质体的功能。因此，在具有高电位的等离子体p_8与具有相对低电位的引导部400之间，因相互间的电位差，可能会形成等离子体p_8的密度低的护层(sheath)区域。206.若向第三电极900_8施加0v以上的电压，则与等离子体p_8的电位的电位差减小，从而引导部400的内部的护层(sheath)区域的宽度变小，等离子体p_8可以被引导至第三电极900_8侧。即，若向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900_8施加0v以上的电压，则护层(sheath)区域减小，引导部400的内部的等离子体p_8可以从引导部400的中央部被引导至周边部。通过被施加0v以上的电压的第三电极900_8，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_8的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_8的混合。由此，可以提高等离子体p_8的喷射均匀度。207.但是，为了减小护层(sheath)区域而供给至第三电极900_8的电压可以具有比第一电源供给部500向第一电极200供给的电压低的电位。208.本实施例涉及的等离子体处理装置1_8可以通过引导部400最小化等离子体p_8向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。209.不仅如此，通过向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900_8施加0v以上的电压，从而可以减小引导部400的内部的护层(sheath)区域。由此，可以将等离子体p_8从引导部400的中央部引导至周边部，从而进一步提高等离子体p_8的喷射均匀度。210.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_8可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_8制造具有高的可靠度的显示装置dd。211.以上，参照附图说明了本发明的各实施例，但是本领域技术人员应当能够理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下可以以其他具体形态实施。因此，应当理解以上所记载的各实施例在所有方面都是例示性的，并不是限定性的。当前第1页12当前第1页12
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：：2.随着多媒体的发展，显示装置其重要性正在增大。对应于此，正在使用如有机发光显示装置(organiclightemittingdisplay，oled)、液晶显示装置(liquidcrystaldisplay，lcd)等这样的各种种类的显示装置。这种显示装置以各种移动型电子设备(例如，智能电话、智能手表、平板pc等便携式电子设备等)为中心其适用例变得多样化。3.为了制造如上所述的显示装置，可以执行利用了等离子体的沉积工序、蚀刻工序或灰化工序等。例如，在显示装置的制造工序中，为了去除构成显示装置的层叠结构的一部分，可以适用利用了等离子体的蚀刻工序。技术实现要素：4.本发明想要解决的课题在于，提供一种最小化等离子体向外部的泄漏的同时具有提高了的喷射均匀度的等离子体处理装置。5.本发明的课题并不限于以上所提及的课题，通过以下的记载，本领域技术人员应当可以理解未提及的其他技术课题。6.用于解决所述的课题的一实施例涉及的等离子体处理装置包括：喷嘴，包括在一方向上延伸的主体部、与所述主体部的端部连接的倾斜部和设置在所述倾斜部的端部的喷出部；以及引导部，包围所述倾斜部和所述喷出部，并且沿着所述主体部的延伸方向延伸。7.可以是，所述引导部包围所述主体部，在包围所述主体部的区域中，所述引导部的至少一部分的内侧面与所述主体部的外表面直接接触。8.可以是，所述引导部包括贯通所述引导部的侧壁的多个引导孔。9.可以是，所述引导部包括：引导紧固部，与所述喷嘴结合；以及引导倾斜部，从所述引导紧固部延伸。10.可以是，所述引导倾斜部越是朝向所述引导部的延伸方向内径变得越窄，并且所述多个引导孔配置在所述引导紧固部上。11.可以是，所述等离子体处理装置还包括：过滤部件，配置在所述引导部的内部，并且具有网格结构。12.可以是，所述等离子体处理装置还包括：第一电极，配置在所述喷嘴的内部，并且朝向所述主体部的延伸方向延伸；以及第二电极，在所述喷嘴的内部配置在所述倾斜部的内侧面上，所述第一电极和所述第二电极彼此被间隔开。13.可以是，所述等离子体处理装置还包括：第三电极，与所述引导部一体化地配置所述第三电极，施加到所述第三电极的电压大于0v且小于施加到所述第一电极的电压。14.用于解决所述的课题的其他实施例涉及的等离子体处理装置包括：等离子体喷嘴，喷射等离子体；以及引导部，引导从所述等离子体喷嘴喷射的等离子体的移动，所述引导部包围所述等离子体喷嘴的至少一部分，并且所述引导部比所述等离子体喷嘴的端部更向外侧延伸。15.可以是，所述等离子体处理装置还包括：第一电极，配置在所述等离子体喷嘴的内部并且在一方向上延伸；第二电极，配置在所述等离子体喷嘴的内侧面上；以及第三电极，配置在所述引导部的内侧面上，所述第一电极和所述第二电极彼此被间隔开，并且施加到所述第三电极的电压大于0v且小于施加到所述第一电极的电压。16.其他实施例的具体事项包括于详细说明以及附图中。17.(发明效果)18.根据一实施例涉及的等离子体处理装置，可以最小化从等离子体处理装置喷射的等离子体的外部泄漏的同时提高喷射均匀度。19.各实施例涉及的效果并不限于以上例示的内容，在本说明书内包括更多的效果。附图说明20.图1是一实施例涉及的显示装置的平面配置图。21.图2是沿着图1的ii-ii′截取的剖视图。22.图3是图2的q区域的放大图。23.图4是一实施例涉及的等离子体处理装置的立体图。24.图5是一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。25.图6是图5的r区域的放大图。26.图7是在一实施例涉及的等离子体处理装置中表示等离子体的动向的示意图。27.图8是测量了利用一实施例涉及的等离子体处理装置处理的基板的厚度的结果图表。28.图9是测量了利用比较实施例涉及的等离子体处理装置处理的基板的厚度的结果图表。29.图10是其他实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。30.图11是其他实施例涉及的引导部的立体图。31.图12是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。32.图13是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。33.图14是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。34.图15是一实施例涉及的过滤部件的平面图。35.图16是其他实施例涉及的过滤部件的平面图。36.图17是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。37.图18是图17的喷出辅助部件的立体图。38.图19是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。39.图20是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。40.图21是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。41.(符号说明)42.1：等离子体处理装置；100：喷嘴；200：第一电极；300：第二电极；400：引导部；500：第一电源供给部；600：气体供给部；700：过滤部件；800：喷出辅助部件；900：第三电极。具体实施方式43.参照与附图一起详细后述的各实施例，本发明的优点、特征以及达成这些优点和特征的方法会变得明确。但是，本发明并不限于以下公开的各实施例，可以以互相不同的形态实现，各实施例仅仅使本发明的公开变得完整，并且是为了向本领域技术人员完整地告知发明的范畴而提供的，应仅由权利要求书的范畴定义本发明。44.元件(elements)或者层位于其他元件或者层上(on)的情况不仅包括直接位于其他元件上的情况，还包括其间存在其他层或其他元件的情况。在整个说明书中，同一符号指代同一构成要素。45.虽然为了叙述各构成要素而使用第一、第二等，但是各构成要素当然不限于这些用语。这些用语仅用作使一个构成要素区别于其他构成要素的目的。因此，在本发明的技术思想内，以下提及的第一构成要素当然可以是第二构成要素。46.以下，参照附图，说明具体的各实施例。47.图1是一实施例涉及的显示装置的平面配置图。48.显示装置dd是显示动态图像或静态图像的装置，显示装置除了如移动电话、智能电话、平板pc(personalcomputer)及智能手表、手表电话、移动通信终端机、电子手册、电子书、pmp(portablemultimediaplayer)、导航仪、umpc(ultramobilepc)等便携式电子设备外，还可以被用作电视机、笔记本电脑、显示屏、广告板、物联网等各种产品的显示画面。49.参照图1，显示装置dd可以包括显示图像的显示面板dp、配置在显示面板dp的下部的下部面板bp、与显示面板dp连接的第一电路基板cof、配置在第一电路基板cof上的驱动集成电路ic以及与第一电路基板cof连接且附着于下部面板bp的下表面的第二电路基板fpcb。50.显示面板dp例如可适用有机发光显示面板。在以下的实施例中，作为显示面板dp例示适用有机发光显示面板的情况，但是并不限于此，也可以适用液晶显示器(lcd)、量子点显示器(qddisplay)、微型led(microled)等其他种类的显示面板。51.显示面板dp包括显示图像的显示区域da以及配置在显示区域da的周边的非显示区域nda。显示区域da在平面上可以是角部垂直的矩形形状或角部圆的矩形形状。显示区域da可以具有在第一方向dr1上延伸的短边以及在第二方向dr2上延伸的长边。但是，显示区域da的平面形状并不限于矩形，可以具有圆形、椭圆形或其他各种形状。非显示区域nda可以与显示区域da的两个短边及两个长边相邻地配置。在该情况下，非显示区域nda可以包围显示区域da的所有边来构成显示区域da边框。但是，并不限于此，非显示区域nda也可以仅与显示区域da的两个短边或两个长边相邻地配置。52.非显示区域nda可以包括配置在显示面板dp的第二方向dr2的另一侧的面板焊盘区域p_pa。显示面板dp可以包括至少一个面板焊盘(参照图2的“p_pe”)，面板焊盘p_pe可以配置在面板焊盘区域p_pa。53.在显示面板dp的面板焊盘区域p_pa上可以配置第一电路基板cof。54.第一电路基板cof可以包括附着于面板焊盘区域p_pa的第一电路区域ca1、附着有后述的第二电路基板fpcb的第二电路区域ca2以及配置在第一电路区域ca1与第二电路区域ca2之间的第三电路区域ca3。第一电路区域ca1可以在厚度方向上与面板焊盘区域p_pa重叠。第二电路区域ca2可以在厚度方向上与后述的第二电路基板fpcb的电路焊盘区域c_pa重叠。55.第一电路基板cof可以包括引导端子(参照图2的“le1”、“le2”)。如后述那样，引导端子可以包括配置在第一电路区域ca1的第一引导端子le1以及配置在第二电路区域ca2的第二引导端子le2。56.在第一电路基板cof的一面上可以配置驱动集成电路ic。驱动集成电路ic可以由数据驱动芯片实现，可以适用通过第一电路基板cof附着于显示面板dp的覆晶薄膜(chiponfilm，cof)方式。但是，并不限于此，驱动集成电路ic也可以通过cop(chiponplastic)或cog(chiponglass)方式附着于塑料基板或玻璃基板。57.在第一电路基板cof的第二电路区域ca2上可以配置第二电路基板fpcb。在图中示出了第二电路基板fpcb配置在第一电路基板cof的一面上的情况，但是并不限于此，也可以配置在第一电路基板cof的另一面上。58.第二电路基板fpcb可以包括附着于第一电路基板cof的第二电路区域ca2的电路焊盘区域c_pa。第二电路基板fpcb可以包括配置在电路焊盘区域c_pa的电路焊盘c_pe(参照图2)。59.以下，说明显示面板dp的构成。60.图2是沿着图1的ii-ii′截取的剖视图。图3是图2的q区域的放大图。图2表示图1的一像素区域以及面板焊盘区域的截面形状。61.参照图2和图3，显示面板dp可以包括基底基板sub、多个导电层、使多个导电层绝缘的多个绝缘层以及发光层el等。62.基底基板sub可以支承配置于上部的各种元件。基底基板sub可以是包括柔性玻璃、石英等物质的刚性基板，但是并不限于此，基底基板sub可以是包括部分柔性物质的半柔性基板或柔性基板。63.在基底基板sub上可以配置缓冲层bl。缓冲层bl可以防止水分和氧从外部渗透到显示面板dp的内部。此外，缓冲层bl可以使基底基板sub的表面平坦化。缓冲层bl作为一实施例可以包括氮化硅(sinx)膜、氧化硅(sio2)膜和氮氧化硅(sioxny)膜中的任一种。64.在缓冲层bl上可以配置半导体层act。半导体层act构成薄膜晶体管的沟道。半导体层act可以配置在显示区域da的各像素中，根据情况也可以配置在非显示区域nda中。65.半导体层act可以包括在厚度方向上与后述的上部的栅电极ge1重叠的沟道区域actc以及分别配置在沟道区域actc的一侧及另一侧的第一源极/漏极区域acta和第二源极/漏极区域actb。在第一源极/漏极区域acta和第二源极/漏极区域actb可以包括多个载流子离子，从而与沟道区域actc相比导电性大且电阻低。半导体层act可以由多晶硅、单晶硅或非晶硅(amorphoussilicon)等构成。66.在半导体层act上可以配置第一绝缘层il1。可以经由基底基板sub的整个面配置第一绝缘层il1。第一绝缘层il1可以是栅极绝缘膜。67.在第一绝缘层il1上可以配置第一导电层cl1。第一导电层cl1可以包括薄膜晶体管的栅电极ge1、第一维持电极ste1以及面板焊盘p_pe。第一导电层cl1可以包括金属物质。68.在第一导电层cl1上可以配置第二绝缘层il2。第二绝缘层il2可以使第一导电层cl1和第二导电层cl2绝缘。69.另一方面，在面板焊盘区域p_pa中，包括第二绝缘层il2的配置在第一导电层cl1的上部的各结构可以被省略或去除。由此，所述的被省略或去除的各结构可以使配置在面板焊盘区域p_pa的面板焊盘p_pe露出。70.在第二绝缘层il2上可以配置第二导电层cl2。第二导电层cl2可以包括第二维持电极ste2。第二导电层cl2可以包括金属物质。第一维持电极ste1和第二维持电极ste2可以在其间夹着第二绝缘层il2而形成维持电容器。71.在第二导电层cl2上可以配置第三绝缘层il3。第三绝缘层il3可以使第二导电层cl2和第三导电层cl3绝缘。72.在第三绝缘层il3上可以配置第三导电层cl3。第三导电层cl3可以包括源电极sd1、漏电极sd2以及电源电压电极sd3。源电极sd1可以通过贯通第一绝缘层il1至第三绝缘层il3的接触孔而与第一源极/漏极区域acta电连接。漏电极sd2可以通过贯通第一绝缘层il1至第三绝缘层il3的接触孔而与第二源极/漏极区域actb电连接。73.在第三导电层cl3上可以配置第一过孔层via1。第一过孔层via1可以包括有机绝缘物质。74.在第一过孔层via1上可以配置第四导电层cl4。第四导电层cl4可以包括数据线dl、连接电极ce以及电源电压线elvdd。75.数据线dl可以通过贯通第一过孔层via1的接触孔而与薄膜晶体管的源电极sd1电连接。连接电极ce可以通过贯通第一过孔层via1的接触孔而与薄膜晶体管的漏电极sd2电连接。电源电压线elvdd可以通过贯通第一过孔层via1的接触孔而与电源电压电极sd3电连接。76.在第四导电层cl4上配置第二过孔层via2。第二过孔层via2可以包括有机绝缘物质。77.在第二过孔层via2上配置像素电极pxe。像素电极pxe可以通过贯通第二过孔层via2的接触孔而与连接电极ce电连接。78.在像素电极pxe上可以配置像素定义膜pdl。像素定义膜pdl可以包括使像素电极pxe露出的开口部。像素定义膜pdl可以由有机绝缘物质或无机绝缘物质构成。79.在像素定义膜pdl的开口部内的像素电极pxe的上表面可以配置发光层el。在发光层el和像素定义膜pdl上配置公共电极cme。可以经由多个像素配置公共电极cme。像素电极pxe、发光层el和公共电极cme可以构成发光元件emd。80.在公共电极cme上配置薄膜封装层tfe。薄膜封装层tfe可以覆盖发光元件emd。薄膜封装层tfe可以是交替地层叠了无机膜和有机膜的层叠膜。例如，薄膜封装层tfe可以包括依次层叠的第一无机膜tfe1、有机膜tfe2以及第二无机膜tfe3。81.在薄膜封装层tfe的端部，第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3可以彼此相接，从而有机膜tfe2被第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3密封。82.在一实施例中，第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3分别可以通过形成第一无机物质层tfel1和第二无机物质层tfel3之后蚀刻一部分的方式形成。在一实施例中，作为蚀刻第一无机物质层tfel1和第二无机物质层tfel3的一方法，可以利用使用了等离子体p的蚀刻。可以从等离子体处理装置1喷射等离子体p，在此，等离子体处理装置1可以是在大气压下生成等离子体p的大气压等离子体装置。83.具体而言，第一无机膜tfe1可以按照如下方式形成，即，形成第一无机物质层tfel1之后，利用一实施例涉及的等离子体处理装置1，使等离子体p喷射到第一无机物质层tfel1的蚀刻对象区域来去除第一蚀刻物tfe1r。此外，第二无机膜tfe3可以按照如下方式形成，即，形成第二无机物质层tfel3之后，利用一实施例涉及的等离子体处理装置1，使等离子体p喷射到第二无机物质层tfel3的蚀刻对象区域来去除第二蚀刻物tfe3r。84.通过利用一实施例涉及的等离子体处理装置1的蚀刻形成的第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3分别可以包括倾斜的蚀刻面tfe1a、tfe3a。具体而言，第一无机膜tfe1可以包括配置在一侧端部且相对于像素定义膜pdl的上表面以第一倾斜角a1倾斜的第一蚀刻面tfe1a。第二无机膜tfe3可以包括配置在一侧端部且相对于与第一无机膜tfe1的边界面以第二倾斜角a2倾斜的第二蚀刻面tfe3a。第一倾斜角a1和第二倾斜角a2可以实质上相同，但是并不限于此，根据等离子体p的喷射形态，也可以是第一倾斜角a1具有比第二倾斜角a2大的值或者第二倾斜角a2具有比第一倾斜角a1大的值。85.第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3可以包括根据使用于蚀刻的等离子体p的按区域的喷射均匀度而具有更小值的倾斜角b1、b2的蚀刻面tfe1b、tfe3b。对此内容将参照图8和图9来后述。86.第一电路基板cof可以被配置成，一端附着于面板焊盘区域p_pa，且被弯曲成包围基底基板sub的一侧面，从而第一电路基板cof的另一端与下部面板bp的下表面重叠。第一电路基板cof的另一端可以与第二电路基板fpcb连接。第二电路基板fpcb可以附着于下部面板bp的下表面。87.第一电路基板cof可以包括附着于显示面板dp的面板焊盘区域p_pa的第一引导端子le1、附着于第二电路基板fpcb的电路焊盘区域c_pa的第二引导端子le2、连接第一引导端子le1和驱动集成电路ic的第一引导布线l1以及连接第二引导端子le2和驱动集成电路ic的第二引导布线l2。88.第一引导端子le1和面板焊盘p_pe可以通过配置在其间的第一各向异性导电膜acf1而彼此被附着。第二引导端子le2和电路焊盘c_pe可以通过配置在其间的第二各向异性导电膜acf2而彼此被附着。89.图4是一实施例涉及的等离子体处理装置的立体图。图5是一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。图6是图5的r区域的放大图。90.参照图4至图6，一实施例涉及的等离子体处理装置1可以包括喷嘴100、贯通喷嘴100的第一电极200、配置在喷嘴100的内侧面上的第二电极300、连接到喷嘴100的下侧端部的引导部400、向第一电极200供给电源的第一电源供给部500以及向喷嘴100的内部供给气体的气体供给部600。在等离子体处理装置1中，喷嘴100、第一电极200、第二电极300、第一电源供给部500和气体供给部600可以构成等离子体提供部。91.在喷嘴100的内部，可以生成等离子体p来将其喷射到下侧。喷嘴100可以包括在一方向上延伸的主体部110、与主体部110的下端部连接且越是朝向下侧宽度越小的倾斜部120以及配置在主体部110的侧面且与后述的气体供给部600连接的气体流入部130。92.主体部110可以通过后述的第一电极200被贯通。具体而言，第一电极200可以垂直地贯通主体部110的上端部而被插入。主体部110可以具有第一宽度w1的平均内径。主体部110的内径可以按区域大致恒定。虽然未图示，但是在主体部110的下端部的外表面上可以形成外螺纹而与后述的引导部400形成螺纹连接。93.倾斜部120可以从主体部110的下端部向下侧延伸。倾斜部120的平均内径可以小于作为主体部110的平均内径的第一宽度w1。倾斜部120的内径可以越是朝向下侧相同或越小。在倾斜部120的内侧面上可以配置后述的第二电极300。等离子体p可以在倾斜部120的内侧空间中生成。在倾斜部120的下侧端部可以配置第一喷出部ol1。所生成的等离子体p可以通过第一喷出部ol1被排出。第一喷出部ol1可以具有比第一宽度w1小的第二宽度w2。94.气体流入部130可以配置在主体部110的侧面的上端。气体流入部130可以是从气体供给部600提供的气体进入喷嘴100的内部空间的通道。95.第一电极200可以垂直地贯通喷嘴100的主体部110的上端部而被插入。第一电极200可以贯通喷嘴100的中央。第一电极200可以在喷嘴100的长度方向上延伸。第一电极200的下端部可以被倾斜部120包围。第一电极200可以与后述的第一电源供给部500连接。第一电源供给部500可以向第一电极200供给电源。可以与喷嘴100的主体部110和倾斜部120间隔开来配置第一电极200。96.第一电极200可以包括配置在下侧端部的第一电极尖200a。第一电极尖200a可以具有朝向下侧尖锐的形状。第一电极尖200a可以配置在第一喷出部ol1的内侧。第一电极尖200a可以被倾斜部120包围。可以与倾斜部120间隔开来配置第一电极尖200a。第一电极尖200a的侧面可以大致平行于相邻的倾斜部120的内侧面。97.在倾斜部120的内侧面上可以配置第二电极300。但是，并不限于此，第二电极300也可以配置在主体部110的内侧面上。可以与第一电极200间隔开来配置第二电极300。第二电极300可以是接地电极。向第一电极200可以通过后述的第一电源供给部500施加预定的电压。因此，在第一电极200与第二电极300之间可以产生电弧放电。第二电极300可以通过在第二电极300与第一电极200之间产生的电弧放电来激励通过相应区域的气体，从而形成等离子体p。98.第二电极300可以被配置成与第一电极尖200a间隔开第一距离d1。第一距离d1可以被设定成实现强到能够形成等离子体p的程度的电弧放电。例如，第一距离d1可以是1mm至5mm。99.在喷嘴100的下侧可以连接引导部400。引导部400可以控制从喷嘴100喷射的等离子体p的喷射路径。引导部400可以具有内部空的圆柱形状。引导部400可以在与喷嘴100的长度方向相同的方向上延伸。引导部400可以包括向下侧开口的第二喷出部ol2。引导部400可以被配置成部分地包围喷嘴100的主体部110和倾斜部120。在引导部400包围喷嘴100的区域中，引导部400的至少一部分的内侧面可以与喷嘴100的主体部110的外表面直接接触。引导部400和喷嘴100可以形成螺纹连接而彼此被紧固连接，对此将后述。100.从喷嘴100喷射的等离子体p可以沿着引导部400向下侧移动的同时被限制向外侧的扩散，从而提高等离子体p的喷射均匀度。此外，引导部400可以阻断等离子体p与外部空气的接触来防止游离形态的等离子体p消失的情况。提高了喷射均匀度的等离子体p可以通过第二喷出部ol2被喷射到外部。对此的详细说明将参照图7至图9来后述。101.在引导部400的内侧面可以形成内螺纹。因此，可以与形成在主体部110的外表面的外螺纹一起形成螺纹连接而彼此被紧固连接。102.引导部400可以由相对于等离子体p的高温和高压具有出色的耐久性的物质构成。例如，引导部400可以由石英或陶瓷材质构成，但是并不限于此。103.第一电源供给部500可以配置在喷嘴100的外部。第一电源供给部500可以向第一电极200供给电源。第一电源供给部500例如可以是dc电源装置或rf电源装置。104.气体供给部600可以配置在喷嘴100的外部。在气体供给部600与气体流入部130之间可以配置气体供给线610。气体供给部600和气体流入部130可以通过气体供给线610被连接。气体供给部600可以向喷嘴100内供给气体。所述气体可以经由气体供给线610和气体流入部130而被供给至喷嘴100的内部。供给至喷嘴100的内部的气体可以通过在第一电极200与第二电极300之间产生的电弧放电而被激励，从而变化成等离子体p的状态。105.所述气体可以是在蚀刻工序中使用的气体。例如，所述气体可以包括h2、o2、n2o、ar、he、n2和h2o中的至少一种，但是并不限于此，所述气体可以包括含有cl2、bcl3、ccl4和hcl的氯系气体或含有cxhyfz、cxfy、nf3和sf6的氟系气体。106.图7是在一实施例涉及的等离子体处理装置中表示等离子体的动向的示意图。107.参照图7，一实施例涉及的等离子体处理装置1可以产生等离子体p并将其喷射。具体而言，等离子体p可以在喷嘴100中生成并通过第一喷出部ol1喷射到引导部400，喷射到引导部400的等离子体p可以经由引导部400且通过第二喷出部ol2被喷射到外部。108.以下，说明引导部400的内部中的等离子体p的动向。109.喷嘴100的第一喷出部ol1可以具有第二宽度w2的平均内径，并且引导部400的平均内径可以具有比第二宽度w2大的第三宽度w3。引导部400中央部与包围所述中央部的周边部相比，被喷射的等离子体p的密度可以更高。110.因此，在喷嘴100的内部产生的等离子体p可以通过第一喷出部ol1朝向下侧被喷射，但是越是朝向下侧，在与喷射方向垂直的所有方向上进行扩散。即，等离子体p可以是越朝向下侧越朝向引导部400的周边部扩散。如上所述，等离子体p可以通过在引导部400的内部中朝向与喷射方向垂直的周边部的扩散而提高喷射均匀度。111.沿着引导部400的长度方向被喷射且朝向周边部扩散的等离子体p可以被引导部400限制朝向引导部400的外侧的扩散。因此，等离子体p在引导部400的内侧面被反射而再次朝向引导部400的中央部行进，从而可以与喷射到下侧的等离子体p混合。经过了引导部400的等离子体p可以通过配置在引导部400的下端部且向下侧开口的第二喷出部ol2而被喷射到下侧。通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p的喷射量可以实质上等于通过第一喷出部ol1喷射的等离子体p的喷射量。等离子体p通过在引导部400的内侧面被反射并再次朝向引导部400的中央部行进而被混合的过程，可以防止等离子体p泄漏到引导部400的外部的情况。112.图8是测量了利用一实施例涉及的等离子体处理装置处理的基板的厚度的结果图表。图9是测量了利用比较实施例涉及的等离子体处理装置处理的基板的厚度的结果图表。图8是关于利用包括引导部的一实施例涉及的等离子体处理装置执行了蚀刻工序的基板的图表，图9是关于作为比较实施例利用不包括引导部的等离子体处理装置执行了蚀刻工序的基板的图表。113.结合图3，参照图8和图9，针对包括具有约的厚度的蚀刻对象膜的基板，利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1和不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1来分别执行了蚀刻工序。114.首先，参照图8的利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行了蚀刻工序的结果，执行了蚀刻工序的基板可以包括第一均匀蚀刻区域ua1以及第一不均匀蚀刻区域nua1。第一均匀蚀刻区域ua1可以意味着在完成了蚀刻工序的基板中，在基板的厚度方向上通过足够量的等离子体p完成蚀刻而残留的蚀刻对象膜的厚度约在以下的区域，第一不均匀蚀刻区域nua1可以意味着通过不足量的等离子体p完成不完全的蚀刻而残留的蚀刻对象膜的厚度具有约至的范围的区域。115.第一不均匀蚀刻区域nua1可以被配置成在第一均匀蚀刻区域ua1的外侧包围第一均匀蚀刻区域ua1。第一不均匀蚀刻区域nua1可以具有比第一均匀蚀刻区域ua1小的宽度。在一实施例中，第一均匀蚀刻区域ua1具有约13mm的宽度，第一不均匀蚀刻区域nua1具有约3.8mm至4mm的宽度。116.其次，参照图9的利用不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1执行了蚀刻工序的结果，执行了蚀刻工序的基板可以包括第二均匀蚀刻区域ua2以及第二不均匀蚀刻区域nua2。对于第二均匀蚀刻区域ua2和第二不均匀蚀刻区域nua2的说明除了后述的内容外与对于上述的第一均匀蚀刻区域ua1和第一不均匀蚀刻区域nua1的说明实质上相同，因此省略进一步的说明。117.第二不均匀蚀刻区域nua2可以被配置成在第二均匀蚀刻区域ua2的外侧包围第二均匀蚀刻区域ua2。第二不均匀蚀刻区域nua2可以具有比第二均匀蚀刻区域ua2大的宽度。在一实施例中，第二均匀蚀刻区域ua2具有约1.3mm的宽度，第二不均匀蚀刻区域nua2具有约4.6mm至5.3mm的宽度。118.第二均匀蚀刻区域ua2可以具有比第一均匀蚀刻区域ua1小的宽度。第一均匀蚀刻区域ua1可以具有第二均匀蚀刻区域ua2的约10倍的宽度。第二不均匀蚀刻区域nua2可以具有比第一不均匀蚀刻区域nua1大的宽度。此外，第二不均匀蚀刻区域nua2的偏差可以大于第一不均匀蚀刻区域nua1的偏差。119.即，在利用不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下，相比利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况，可以是被完全蚀刻的区域的宽度减少，被部分蚀刻的区域的宽度增加。120.再次参照图3，在利用比较实施例涉及的等离子体处理装置1形成第一无机膜tfe1和第二无机膜tfe3的情况下，可能会形成具有比第一倾斜角a1及第二倾斜角a2还小的值的第三倾斜角b1及第四倾斜角b2的蚀刻面tfe1b、tfe3b。121.具体而言，在利用不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下，第一无机膜tfe1可以包括配置在一侧端部且相对于像素定义膜pdl的上表面以第三倾斜角b1倾斜的第三蚀刻面tfe1b。第二无机膜tfe3可以包括配置在一侧端部且相对于与第一无机膜tfe1的边界面以第四倾斜角b2倾斜的第四蚀刻面tfe3b。第三倾斜角b1和第四倾斜角b2可以实质上相同，但是并不限于此，根据等离子体p的喷射形态，也可以是第三倾斜角b1具有比第四倾斜角b2大的值或者第四倾斜角b2具有比第三倾斜角b1大的值。122.第三倾斜角b1可以具有比在利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下出现的第一倾斜角a1小的值。第四倾斜角b2可以具有比在利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下出现的第二倾斜角a2小的值。123.在基板的蚀刻工序中，可以认为均匀蚀刻区域ua1、ua2越大且不均匀蚀刻区域nua1、nua2越小，实现了越精密的蚀刻工序。因此，在利用一实施例涉及的等离子体处理装置1执行蚀刻工序的情况下，可以提高对于由此制造的显示装置dd等的元件的可靠度。即，利用包括引导部400的一实施例涉及的等离子体处理装置1执行的蚀刻工序相比使用了不包括引导部400的比较实施例涉及的等离子体处理装置1的情况，可以对蚀刻工序具有高的可靠性。124.一实施例涉及的等离子体处理装置1可以包括引导部400而防止等离子体p向外部的泄漏的同时，混合等离子体p来提高喷射均匀度。此外，一实施例涉及的等离子体处理装置1可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，利用一实施例涉及的等离子体处理装置1可以制造出具有高的可靠度的显示装置dd。125.以下，说明等离子体处理装置1的其他实施例。在对于后述的其他实施例涉及的等离子体处理装置1的说明中，省略与一实施例涉及的等离子体处理装置1重复的说明，并主要说明差异点。126.图10是其他实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。图11是其他实施例涉及的引导部的立体图。127.参照图10和图11，本实施例涉及的等离子体处理装置1_1的引导部400_1与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，包括引导孔400h_1。128.引导孔400h_1是多个，可以配置在引导部400_1的外表面上。引导孔400h_1可以在空间上连接引导部400_1的等离子体p_1移动的内部空间和引导部400_1的外部。因此，经过引导部400_1的内部的等离子体p_1可以通过引导孔400h_1向外部有部分泄漏。129.在本实施例中，多个引导孔400h_1可以被排列成沿着引导部400_1的外表面包围引导部400_1。引导孔400h_1可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间的区域中。130.在其他实施例中，多个引导孔400h_1可以不均匀地分布在引导部400_1的外表面上。在又一实施例中，多个引导孔400h_1可以具有从第二喷出部ol2沿着引导部400_1的长度方向延伸的形状，并且可以被排列成沿着引导部400_1的外表面包围引导部400_1。在又一实施例中，引导孔400h_1可以在包围引导部400_1的方向上约开口80％以上。131.在本实施例中，通过喷嘴100的第一喷出部ol1，等离子体p_1可以向下侧被喷射。通过第一喷出部ol1喷射到下侧的等离子体p_1可以是越朝向下侧，在与喷射方向垂直的所有方向上进行扩散。等离子体p_1可以是越朝向下侧，越朝向引导部400_1的内侧面扩散。此时，因引导孔400h_1，可以促进等离子体p_1朝向引导部400_1的内侧面的扩散。132.具体而言，引导部400_1的内部空间的压力可以因由气体供给部600供给的气体的压力而处于高压状态，而引导部400_1的外部是大气压状态，因此可以处于相对的低压状态。即，在引导部400_1的内外部间可以产生压力差异。因此，在引导部400_1的内部空间向下侧移动的等离子体p_1的一部分可以通过引导孔400h_1而泄漏。但是，通过引导孔400h_1泄漏的等离子体p_1的量相比通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p_1的量可以是少量。133.通过由引导部400_1的内外部的压力差引起的等离子体p_1的移动，从引导部400_1的中央部向周边部移动的等离子体p_1的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_1的混合。134.本实施例涉及的等离子体处理装置1_1可以通过包括引导孔400h_1的引导部400_1最小化等离子体p_1向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。此外，通过引导部400_1的内外部的压力差以及引导孔400h_1，可以促进在引导部400_1的内部移动的等离子体p_1朝向周边部的扩散，由此可以辅助等离子体p_1的混合。135.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_1可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_1制造具有高的可靠度的显示装置dd。136.图12是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。137.本实施例涉及的等离子体处理装置1_2可以包括与一实施例涉及的等离子体处理装置1不同的形状的引导部400_2。具体而言，与参照图10和图11上述的实施例所涉及的等离子体处理装置1_1的差异点在于，本实施例的引导部400_2包括与喷嘴100紧固连接的引导紧固部410_2、从引导紧固部410_2向下侧延伸的引导倾斜部420_2以及从引导倾斜部420_2向下侧延伸的引导部扩展部430_2。138.在本实施例涉及的引导部400_2中，引导紧固部410_2的平均内径可以具有第一引导部宽度w31_2，引导倾斜部420_2的平均内径可以具有比第一引导部宽度w31_2大的第二引导部宽度w32_2，并且引导部扩展部430_2的平均内径可以具有比第二引导部宽度w32_2大的第三引导部宽度w33_2。引导倾斜部420_2可以是越朝向下侧内径越宽。即，引导倾斜部420_2可以是从引导紧固部410_2越朝向引导部扩展部430_2，宽度越宽。在此，引导部400_2的第三宽度w3_2可以包括第一引导部宽度w31_2、第二引导部宽度w32_2以及第三引导部宽度w33_2这三个部分。139.在本实施例中，引导孔400h_2可以配置在引导倾斜部420_2上。引导孔400h_2可以在与引导倾斜部420_2垂直的方向上被开口。140.在本实施例中，可以通过喷嘴100的第一喷出部ol1，向下侧喷射等离子体p_2。通过第一喷出部ol1喷射到下侧的等离子体p_2可以是越朝向下侧，在与喷射方向垂直的所有方向上进行扩散。等离子体p_2可以是越朝向下侧，越朝向引导部400_2的内侧面进行扩散。此时，因引导孔400h_2，可以促进等离子体p_2的扩散。141.如上所述，在引导部400_2的内部空间向下侧移动的等离子体p_2的一部分可以通过引导孔400h_2而泄漏。但是，通过引导孔400h_2泄漏的等离子体p_2的量相比通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p_2的量可以是少量。142.通过因引导部400_2的内外部的压力差引起的等离子体p_2的移动，可以促进从引导部400_2的中央部向周边部移动的等离子体p_2的扩散。143.如上所述，经过引导倾斜部420_2的等离子体p_2通过引导孔400h_2而一部分泄漏到外部，但此时等离子体p_2与引导部400_2的内径的扩展一起，同时实现基于引导孔400h_2的扩散的促进，从而等离子体p_2可以表现出进一步得到了提高的喷射均匀度。144.本实施例涉及的等离子体处理装置1_2可以通过包括引导孔400h_2的引导部400_2最小化等离子体p_2向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。通过引导部400_2的内外部的压力差以及引导孔400h_2，在引导部400_2的内部移动的等离子体p_2向周边部的扩散得到促进，从而可以辅助等离子体p_2的混合。145.不仅如此，引导孔400h_2可以配置在引导倾斜部420_2上，从而进一步促进从引导部400_2的中央部朝向周边部的等离子体p_2的扩散。由此，可以进一步提高通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p_2的喷射均匀度。146.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_2可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_2制造出具有高的可靠度的显示装置dd。147.图13是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。148.参照图13，本实施例涉及的等离子体处理装置1_3可以包括与一实施例涉及的等离子体处理装置1不同的形状的引导部400_3。具体而言，本实施例的引导部400_3与参照图10和图11上述的实施例涉及的等离子体处理装置1_1的差异点在于，包括与喷嘴100紧固连接的引导紧固部410_3以及从引导紧固部410_3向下侧延伸的引导倾斜部420_3。在引导倾斜部420_3的下侧端部可以配置第二喷出部ol2。149.在本实施例涉及的引导部400_3中，引导紧固部410_3的平均内径可以具有第一引导部宽度w31_3，并且引导倾斜部420_3的平均内径可以具有比第一引导部宽度w31_3小的第二引导部宽度w32_3。引导倾斜部420_3的第二引导部宽度w32_3可以是越朝向下侧，内径越小。即，引导倾斜部420_3的第二引导部宽度w32_3可以是从引导紧固部410_3越朝向第二喷出部ol2，宽度越小。在此，引导部400_3的第三宽度w3_3可以包括第一引导部宽度w31_3和第二引导部宽度w32_3这两个部分。150.在本实施例中，引导孔400h_3可以配置在引导紧固部410_3上。引导孔400h_3可以在与引导紧固部410_3垂直的方向上被开口。151.在本实施例中，可以通过喷嘴100的第一喷出部ol1，向下侧喷射等离子体p_3。通过第一喷出部ol1喷射到下侧的等离子体p_3可以是越朝向下侧，在与喷射方向垂直的所有方向上进行扩散。等离子体p_3可以是越朝向下侧，越朝向引导部400_3的内侧面进行扩散。此时，通过引导孔400h_3，可以促进等离子体p_3的扩散。152.如上所述，在引导部400_3的内部空间向下侧移动的等离子体p_3的一部分可以通过引导孔400h_3泄漏。但是，通过引导孔400h_3泄漏的等离子体p_3的量相比通过第二喷出部ol2喷射的等离子体p_3的量可以是少量。153.通过由引导部400_3的内外部的压力差引起的等离子体p_3的移动，可以促进从引导部400_3的中央部向周边部移动的等离子体p_3的扩散。154.如上所述，经过引导紧固部410_3的等离子体p_3通过引导孔400h_3有部分向外部泄漏，但此时等离子体p_3通过引导孔400h_3其扩散得到了促进，可以提高等离子体p_3的喷射均匀度。然后，等离子体p_3在经过内径逐渐变小的引导倾斜部420_3的同时朝向引导部400_3的中央部被引导，从而可以提高等离子体p_3的喷射密度。即，本实施例涉及的引导部400_3可以提高等离子体p_3的喷射均匀度以及喷射密度。155.本实施例涉及的等离子体处理装置1_3可以通过包括引导孔400h_3的引导部400_3最小化等离子体p_3向外部的泄漏的同时，可以提高喷射均匀度。通过引导部400_3的内外部的压力差以及引导孔400h_3，在引导部400_3的内部移动的等离子体p_3向周边部的扩散得到了促进，从而可以辅助等离子体p_3的混合。156.不仅如此，即便因引导孔400h_3产生了等离子体p_3的部分损失，但由于通过引导倾斜部420_3将等离子体p_3引导至引导部400_3的中央部，因此可以提高等离子体p_3的喷射密度。157.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_3可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_3可以制造出具有高的可靠度的显示装置dd。158.图14是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。图15是一实施例涉及的过滤部件的平面图。图16是其他实施例涉及的过滤部件的平面图。159.参照图14至图16，本实施例涉及的等离子体处理装置1_4与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括配置在引导部400的内部的过滤部件700。过滤部件700在引导部400的内部按区域控制等离子体p_4的通过量，从而可以提高等离子体p_4的喷射均匀度。具体而言，过滤部件700可以将等离子体p_4从引导部400的中央部引导至周边部。160.在本实施例中，过滤部件700可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间。过滤部件700的位置可以根据等离子体p_4的压力、温度、过滤部件700的材料等而以各种方式设定。161.一实施例涉及的过滤部件700可以包括配置在平面图上具有圆形形状的网格区域ma的网格结构710以及在网格区域ma的外侧包围网格结构710来配置的支承部730。网格区域ma可以在平面图上具有圆形形状，该圆形形状具有第一过滤器长度r1的半径。162.通过网格区域ma的等离子体p_4的一部分可以因网形状的网格结构710而行进受阻或者被折射，从而从引导部400的中央部向周边部扩散。163.其他实施例涉及的过滤部件700_1可以包括配置在中央部的第一网格区域ma1_1的第一网格结构710_1、配置在包围第一网格区域ma1_1配置的第二网格区域ma2_1的第二网格结构720_1、配置在第一网格结构710_1与第二网格结构720_1之间且构成第一网格结构710_1的边框的第一支承部730_1以及构成第二网格结构720_1的边框的第二支承部740_1。在平面图上，在第一网格结构710_1中被开口的区域的面积可以小于在第二网格结构720_1中被开口的区域的面积。164.在平面图上，第一网格区域ma1_1可以具有具备第一过滤器长度r1_1的半径的圆形形状，第二网格区域ma2_1可以具有具备第二过滤器长度r2_1的宽度的圆环(donut)形状。第一过滤器长度r1_1和第二过滤器长度r2_1可以具有实质上相同的值，但是并不限于此，也可以是根据等离子体p_4的按区域的分布，第一过滤器长度r1_1具有比第二过滤器长度r2_1大的值或者具有比第二过滤器长度r2_1小的值。165.朝向第一网格区域ma1_1喷射的等离子体p_4的一部分可能无法通过第一网格结构710_1而扩散到第二网格区域ma2_1，并经由第二网格结构720_1通过过滤部件700_1。166.在本实施例中，通过过滤部件700/700_1之后的等离子体p_4与通过过滤部件700/700_1之前的等离子体p_4相比可表现出提高了的喷射均匀度。此外，通过过滤部件700/700_1，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_4的扩散得到了促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_4的混合。167.本实施例涉及的等离子体处理装置1_4可以通过引导部400最小化等离子体p_4向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。168.不仅如此，通过按区域具有不同的开口面积的过滤部件700_1，将等离子体p_4引导至引导部400的周边部，从而可以进一步提高等离子体p_4的喷射均匀度。169.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_4可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_4可以制造出具有高的可靠度的显示装置dd。170.图17是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。图18是图17的喷出辅助部件的立体图。171.本实施例涉及的等离子体处理装置1_5与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括配置在引导部400的内部的喷出辅助部件800。喷出辅助部件800可以在引导部400的内部控制等离子体p_5的移动路径。具体而言，喷出辅助部件800可以将等离子体p_5的移动方向从引导部400的中央部引导至周边部。172.喷出辅助部件800可以配置在喷嘴100的倾斜部120的下端部。即，喷出辅助部件800可以与第一喷出部ol1相邻地配置。在本实施例中，喷出辅助部件800可以具有朝向作为引导部400的延伸方向的下侧凸出的形状。由此，经过了喷出辅助部件800的等离子体p_5可以在与喷射方向垂直的所有方向上发散着被喷射。173.喷出辅助部件800可以包括支承部810以及支承部810的内侧的朝向下侧凸出的形状的网格结构820。网格结构820可以在平面图上具有半径为第一喷出辅助长度l1的圆形形状，并且在凸出的长度方向上具有第二喷出辅助长度l2的长度。网格结构820可以具有第一喷出辅助长度l1和第二喷出辅助长度l2相同的半球形状，但是并不限于此。174.即，喷出辅助部件800可以进行引导，使得更多量的等离子体p_5从引导部400的中央部向周边部进行扩散。通过上述的过程，在本实施例中，通过了喷出辅助部件800的等离子体p_5可以表现出提高了的喷射均匀度。此外，通过喷出辅助部件800，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_5的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_5的混合。175.本实施例涉及的等离子体处理装置1_5可以通过引导部400最小化等离子体p_5向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。176.不仅如此，通过具有向下侧凸出的形状的网格结构的喷出辅助部件800，将等离子体p_5引导至引导部400的周边部，从而可以进一步提高等离子体p_5的喷射均匀度。177.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_5可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_5制造出具有高的可靠度的显示装置dd。178.图19是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。179.参照图19，本实施例涉及的等离子体处理装置1_6与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括配置在引导部400的内侧面上的第三电极900。通过向第三电极900施加电源，可以控制引导部400的内部的等离子体p_6的移动。具体而言，第三电极900可以在引导部400的内部将等离子体p_6从引导部400的中央部引导至周边部。180.第三电极900可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间。第三电极900的位置可以根据等离子体p_6的温度、压力、物质等条件而以各种方式设定。181.本实施例涉及的等离子体处理装置1_6还可以包括与第三电极900连接而向第三电极900供给电源的第二电源供给部910。第二电源供给部910可以向第三电极900供给0v以上的电压。182.如上所述，引导部400可以包括石英或陶瓷等电介质物质而起到电介质体的功能。因此，在具有高电位的等离子体p_6与具有相对低电位的引导部400之间，因相互间的电位差，等离子体p_6的密度可能会形成低的护层(sheath)区域。183.若向第三电极900施加0v以上的电压，则与等离子体p_6的电位的电位差减小，从而引导部400的内部的护层(sheath)区域的宽度减小，等离子体p_6可以被引导至第三电极900侧。即，若向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900施加0v以上的电压，则护层(sheath)区域减小，引导部400的内部的等离子体p_6可以从引导部400的中央部被引导至周边部。通过被施加0v以上的电压的第三电极900，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_6的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_6的混合。由此，可以提高等离子体p_6的喷射均匀度。184.但是，为了减小护层(sheath)区域而供给至第三电极900的电压可以具有比第一电源供给部500向第一电极200供给的电压低的电位。185.本实施例涉及的等离子体处理装置1_6可以通过引导部400最小化等离子体p_6向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。186.不仅如此，可以向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900施加0v以上的电压，从而减小引导部400的内部的护层(sheath)区域。由此，可以将等离子体p_6从引导部400的中央部引导至周边部，从而进一步提高等离子体p_6的喷射均匀度。187.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_6可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_6制造出具有高的可靠度的显示装置dd。188.图20是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。189.参照图20，本实施例涉及的等离子体处理装置1_7与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括与引导部400一体化的第三电极900_7。在本实施例中，可以贯通引导部400的侧壁来配置第三电极900_7。可以配置成，第三电极900_7的一面朝向引导部400的内部，并且另一面朝向引导部400的外部。190.第三电极900_7的一面可以朝向引导部400的内部露出，并且另一面可以朝向引导部400的外部露出。但是，并不限于此，第三电极900_7可以被配置成插入到引导部400的侧壁的内部。191.通过向第三电极900_7施加电源，可以控制引导部400的内部的等离子体p_7的移动。具体而言，第三电极900_7可以在引导部400的内部将等离子体p_7从引导部400的中央部引导至周边部。192.第三电极900_7可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间。第三电极900_7的位置可以根据等离子体p_7的温度、压力、物质等条件而以各种方式设定。193.本实施例涉及的等离子体处理装置1_7还可以包括与第三电极900_7连接而向第三电极900_7供给电源的第二电源供给部910。第二电源供给部910可以向第三电极900_7供给0v以上的电压。194.如上所述，引导部400可以包括石英或陶瓷等电介质物质而起到电介质体的功能。因此，在具有高电位的等离子体p_7与具有相对低电位的引导部400之间，因相互间的电位差，可能会形成等离子体p_7的密度低的护层(sheath)区域。195.若向第三电极900_7施加0v以上的电压，则与等离子体p_7的电位的电位差减小，从而引导部400的内部的护层(sheath)区域的宽度减小，等离子体p_7可以被引导至第三电极900_7侧。即，若向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900_7施加0v以上的电压，则护层(sheath)区域减小，引导部400的内部的等离子体p_7可以从引导部400的中央部被引导至周边部。通过被施加0v以上的电压的第三电极900_7，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_7的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_7的混合。由此，可以提高等离子体p_7的喷射均匀度。196.但是，为了减小护层(sheath)区域而供给至第三电极900_7的电压可以具有比第一电源供给部500向第一电极200供给的电压低的电位。197.本实施例涉及的等离子体处理装置1_7可以通过引导部400最小化等离子体p_7向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。198.不仅如此，通过向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900_7施加0v以上的电压，可以减小引导部400的内部的护层(sheath)区域。由此，可以将等离子体p_7从引导部400的中央部引导至周边部，从而进一步提高等离子体p_7的喷射均匀度。199.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_7可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_7制造具有高的可靠度的显示装置dd。200.图21是又一实施例涉及的等离子体处理装置的示意性剖视图。201.参照图21，本实施例涉及的等离子体处理装置1_8与一实施例涉及的等离子体处理装置1的差异点在于，还包括配置在引导部400的外表面上的第三电极900_8。第三电极900_8被配置成包围整个引导部400，但是并不限于此，第三电极900_8可以在引导部400的外表面上配置在部分外表面上。202.通过向第三电极900_8施加电源，可以控制引导部400的内部的等离子体p_8的移动。具体而言，第三电极900_8可以在引导部400的内部将等离子体p_8从引导部400的中央部引导至周边部。203.第三电极900_8可以配置在第一喷出部ol1与第二喷出部ol2之间。第三电极900_8的位置可以根据等离子体p_8的温度、压力、物质等条件而以各种方式设定。204.本实施例涉及的等离子体处理装置1_8还可以包括与第三电极900_8连接而向第三电极900_8供给电源的第二电源供给部910。第二电源供给部910可以向第三电极900_8供给0v以上的电压。205.如上所述，引导部400可以包括石英或陶瓷等电介质物质而起到电介质体的功能。因此，在具有高电位的等离子体p_8与具有相对低电位的引导部400之间，因相互间的电位差，可能会形成等离子体p_8的密度低的护层(sheath)区域。206.若向第三电极900_8施加0v以上的电压，则与等离子体p_8的电位的电位差减小，从而引导部400的内部的护层(sheath)区域的宽度变小，等离子体p_8可以被引导至第三电极900_8侧。即，若向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900_8施加0v以上的电压，则护层(sheath)区域减小，引导部400的内部的等离子体p_8可以从引导部400的中央部被引导至周边部。通过被施加0v以上的电压的第三电极900_8，从引导部400的中央部向周边部移动的等离子体p_8的扩散得到促进，从而可以顺畅地实现等离子体p_8的混合。由此，可以提高等离子体p_8的喷射均匀度。207.但是，为了减小护层(sheath)区域而供给至第三电极900_8的电压可以具有比第一电源供给部500向第一电极200供给的电压低的电位。208.本实施例涉及的等离子体处理装置1_8可以通过引导部400最小化等离子体p_8向外部的泄漏的同时，提高喷射均匀度。209.不仅如此，通过向配置在引导部400的内侧面上的第三电极900_8施加0v以上的电压，从而可以减小引导部400的内部的护层(sheath)区域。由此，可以将等离子体p_8从引导部400的中央部引导至周边部，从而进一步提高等离子体p_8的喷射均匀度。210.此外，本实施例涉及的等离子体处理装置1_8可以通过提高了的喷射均匀度对蚀刻工序表现出高的精密度。因此，可以利用本实施例涉及的等离子体处理装置1_8制造具有高的可靠度的显示装置dd。211.以上，参照附图说明了本发明的各实施例，但是本领域技术人员应当能够理解在不变更本发明的技术思想或必要特征的情况下可以以其他具体形态实施。因此，应当理解以上所记载的各实施例在所有方面都是例示性的，并不是限定性的。当前第1页12当前第1页12
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