1.本发明涉及半导体装置制造用片、半导体装置制造用片的制造方法及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法。本技术基于2020年3月27日于日本提出申请的日本特愿2020-058734号主张优先权，将其内容援用于此。
背景技术：
：：2.在制造半导体装置时，会使用具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的一个例子，例如可列举出如下方法。3.首先，在半导体晶圆的背面贴附切割固晶片(dicingdiebondingsheet)。作为切割固晶片，例如可列举出具备支撑片和设置在所述支撑片的面上的膜状粘合剂的切割固晶片。支撑片可用作切割片。作为支撑片，存在多种结构不同的支撑片，例如具备基材和设置在所述基材的面上的粘着剂层的支撑片；仅由基材构成的支撑片等。对于具备粘着剂层的支撑片，其粘着剂层侧的最外侧表面为设置膜状粘合剂的面。切割固晶片通过其中的膜状粘合剂贴附于半导体晶圆的背面。4.接着，通过刀片切割，将支撑片上的半导体晶圆与膜状粘合剂一同切断。半导体晶圆的“切断”也被称为“分割”，由此半导体晶圆被单颗化(singulation)为目标的半导体芯片。膜状粘合剂沿着半导体芯片的外周被切断。由此，可得到具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片，且同时可得到多个这些带膜状粘合剂的半导体芯片以整齐排列的状态保持在支撑片上的带膜状粘合剂的半导体芯片组。5.然后，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上拉离从而对其进行拾取。当使用具备固化性的粘着剂层的支撑片时，此时通过预先使粘着剂层固化而降低粘着性，可更加易于拾取。由此，能够得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。6.作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的另一个例子，例如可列举出如下方法。首先，在半导体晶圆的电路形成面上贴附背磨胶带(有时也称作“表面保护胶带”)。然后，在半导体晶圆的内部，设定预定分割的部位，以该部位所包含的区域为焦点，并以激光聚集在该焦点的方式照射激光，由此在半导体晶圆的内部形成改质层。然后，使用研磨机(grinder)，对半导体晶圆的背面进行研磨，从而将半导体晶圆的厚度调节至目标值。通过利用此时施加于半导体晶圆的研磨时的力，在形成改质层的部位分割半导体晶圆(单颗化)，制作多个半导体芯片。这种伴有改质层的形成的半导体晶圆的分割方法被称作隐形切割(stealthdicing)(注册商标)，其与通过对半导体晶圆照射激光从而一边切削照射部位的半导体晶圆一边自半导体晶圆的表面切断半导体晶圆的激光切割在本质上完全不同。7.然后，在固定于背磨胶带上的所有的半导体芯片的进行了上述研磨的背面(换而言之研磨面)上贴附一片固晶片。作为固晶片，可列举出与上述切割固晶片相同的片材。如上所述，固晶片有时可以设计成与切割固晶片具有相同的结构，只是不会在切割半导体晶片时使用。固晶片也可以通过固晶片中的膜状粘合剂贴附在半导体芯片的背面。8.接着，从半导体芯片上去除背磨胶带后，将固晶片一边冷却一边沿平行于其表面(例如膜状粘合剂对半导体芯片的贴附面)的方向拉伸，进行所谓的扩展(冷扩展)，由此沿着半导体芯片的外周切断膜状粘合剂。由此，可得到具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。9.接着，以与上述采用刀片切割的情况相同的方式，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上拉离从而对其进行拾取，由此可得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。10.切割固晶片以及固晶片均可用于制造带膜状粘合剂的半导体芯片，且最终可制造目标的半导体装置。在本说明书中，将切割固晶片及固晶片统称为“半导体装置制造用片”。11.作为半导体装置制造用片，例如公开了一种具有基材层(相当于所述支撑片)与粘合剂层(相当于所述膜状粘合剂)以直接接触的方式层叠而成的构成的切割固晶胶带(相当于所述切割固晶片)(参照专利文献1)。对于该切割固晶胶带，由于基材层及粘合剂层在-15℃下的90度剥离力被调节至特定范围，因此能够通过扩展以良好的精度将粘合剂层分断。并且，由于基材层及粘合剂层在23℃下的90度剥离力被调节至特定范围，因此在使用该切割固晶胶带时，能够毫无困难地拾取带粘合剂层的半导体芯片(相当于所述带膜状粘合剂的半导体芯片)，且能够在直至拾取为止的过程中，抑制半导体晶圆及半导体芯片从粘合剂层上剥离。12.此外，固晶片等有时会以连续贴合在长条的剥离膜上并卷绕成卷状的方式而提供。现有技术文献专利文献13.专利文献1：日本特开2018-56289号公报。技术实现要素：本发明要解决的技术问题14.然而，专利文献1中公开的切割固晶胶带虽然适合应用于stealthdicing(注册商标)，但是其并不适合应用于刀片切割。若使用该切割固晶胶带进行刀片切割，则容易产生来自基材层的须状切削屑(在该领域有时也称作“似须物(whisker)”等)，分割半导体晶圆时的分割适性差。15.此外，所述粘着粘合剂层(相当于所述膜状粘合剂)有时会按照作为使用对象的半导体晶圆等的形状预先经过冲孔加工。此外，基材层(相当于中间层)也可同样地经过冲孔加工。冲孔加工后的多余部分(未贴附于半导体晶圆等的周缘部)被去除，因此，这些冲孔加工而成的部分比周围部分层叠得更高。然而，此时存在以下问题：由这种各层叠部分的层厚差异带来的段差容易导致在半导体装置制造用片以卷绕成卷状的方式而提供时各个段差的位置错开并重叠，进而产生卷绕痕迹(有时称为“卷痕”)。16.本发明的目的在于提供一种半导体晶圆的分割适性优异并能够抑制卷绕痕迹的产生的半导体装置制造用片。解决技术问题的技术手段17.(1)一种半导体装置制造用片，其具备包括贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的部分的标签部和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部，所述标签部及所述外周部具备基材、粘着剂层、中间层和膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及剥离膜而构成，在所述标签部与所述外周部之间设置有未层叠所述中间层及所述膜状粘合剂的沟槽，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。(2)根据上述(1)所述的半导体装置制造用片，其中，所述标签部的所述半导体装置制造用片的厚度的最大值与所述外周部的所述半导体装置制造用片的厚度的最大值之差为3μm以下。(3)根据上述(1)或(2)所述的半导体装置制造用片，其中，所述标签部的膜状粘合剂在平行于对所述半导体晶圆或半导体芯片的贴附面的方向上的宽度的最大值为150～160mm、200～210mm或300～310mm。(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述标签部的中间层的厚度为15μm以上80μm以下。(5)根据上述(1)～(4)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，在所述中间层中，所述非硅类树脂的含量相对于所述中间层的总质量的比例为50质量％以上。(6)根据上述(1)～(5)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，通过x射线光电子能谱法对所述中间层的所述膜状粘合剂侧的面进行分析时，硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例为1～20％。(7)根据上述(1)～(6)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述非硅类树脂含有乙烯乙酸乙烯酯共聚物。(8)根据上述(1)～(7)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层含有作为非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物和硅氧烷类化合物，在所述中间层中，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，在所述中间层中，所述硅氧烷类化合物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为0.01～10质量％。(9)根据上述(1)～(8)中任一项所述的半导体装置制造用片，其使用于通过将所述半导体装置制造用片在低于常温的温度下沿平行于所述半导体装置制造用片平面的方向进行扩展从而切断所述膜状粘合剂的冷扩展。(10)根据上述(1)～(9)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述半导体装置制造用片为在长条状的所述剥离膜上具备所述标签部及所述外周部，并以所述标签部及所述外周部作为内侧卷绕而成的卷体。(11)根据上述(1)～(10)中任一项所述的半导体装置制造用片的制造方法，其包括：将具备所述基材及所述粘着剂层的第一中间层叠体和具备所述中间层及所述膜状粘合剂的第二中间层叠体进行贴合的层叠工序；及对所述第二中间层叠体的部分所述膜状粘合剂进行冲孔加工后将其去除，形成所述标签部、所述沟槽及所述外周部的加工工序。(12)一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其具有：在上述(1)～(10)中任一项所述的半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂的一侧层叠半导体晶圆或半导体芯片，从而得到层叠体的工序；及将所述膜状粘合剂或所述半导体晶圆与所述膜状粘合剂沿所述半导体芯片的外周进行切断，得到带膜状粘合剂的半导体芯片的工序。发明效果18.根据本方案，可提供一种半导体晶圆的分割适性优异并能够抑制卷绕痕迹的产生的半导体装置制造用片。附图说明19.图1是示意性示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的剖面图。图2是本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的俯视图。图3a是示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。图3b是示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。图3c是示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。图3d是示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。图4是示意性示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的卷体的剖面图。图5a是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个例子的剖面图。图5b是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个例子的剖面图。图5c是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个例子的剖面图。图6a是用于示意性说明半导体芯片的制造方法的一个例子的剖面图。图6b是用于示意性说明半导体芯片的制造方法的一个例子的剖面图。图6c是用于示意性说明半导体芯片的制造方法的一个例子的剖面图。图7a是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个例子的剖面图。图7b是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个例子的剖面图。图7c是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个例子的剖面图。具体实施方式20.◇半导体装置制造用片本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片具备包括贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的部分的标签部和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部，所述标签部及所述外周部具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及剥离膜而构成，在所述标签部与所述外周部之间设置有未层叠所述中间层及所述膜状粘合剂的沟槽，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。21.由于本实施方案的半导体装置制造用片具备所述外周部，即便在半导体装置制造用片被卷绕成卷状并作为卷体而提供时，也能够抑制卷绕痕迹的产生。22.在以往的半导体装置制造用片中，尽管在比标签部更靠近外侧的位置具有结构，但该结构是仅由基材及粘着剂层构成的结构。而由于本实施方案的半导体装置制造用片中具备具有与标签部相同的层结构的外周部，即便在冲孔加工而成的标签部比周围部分(沟槽)层叠得更高的情况下，由标签部与沟槽的总厚度的差异带来的段差也难以影响到卷绕而重叠的部分，可抑制卷绕痕迹的产生。卷绕痕迹可以通过解开卷体的卷绕并以肉眼观察膜状粘合剂等中所述段差的重叠部分而进行确认。卷绕痕迹的确认优选在容易产生卷绕痕迹的卷体的芯部附近进行。23.关于上述外周部的位置，“比所述标签部更靠近外侧”是指在平行于所述标签部的膜状粘合剂表面的方向上的位置。关于上述沟槽的位置，“所述标签部与所述外周部之间”是指在平行于所述标签部的膜状粘合剂表面的方向上的位置。24.由于所述半导体装置制造用片具备所述中间层，在将本实施方案的半导体装置制造用片用作切割固晶片并进行刀片切割时，能够易于避免刀片到达至基材，能够抑制来自基材的须状切削屑(别名：似须物(whisker)，以下，不仅限于来自基材的切削屑，将其简称为“切削屑”)的产生。并且，通过使被刀片切断的所述中间层的主要成分为重均分子量为100000以下的非硅类树脂，尤其是通过使该重均分子量为100000以下，还能够抑制来自中间层的所述切削屑的产生。25.由于本实施方案的半导体装置制造用片具备所述中间层，在将本实施方案的半导体装置制造用片用作固晶片并进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割(stealthdicing(注册商标))时，能够通过继续将半导体装置制造用片沿与其表面(例如，膜状粘合剂的贴附于半导体芯片的贴附面)平行的方向进行拉伸，即进行所谓的扩展，在目标位置以良好的精度切断膜状粘合剂，并抑制切断不良。认为这是由于通过具备中间层能够将扩展的应力高效利用到芯片间距扩张中。26.如此，本实施方案的半导体装置制造用片在进行刀片切割时能够抑制来自基材及中间层的切削屑的产生，且在进行所述扩展时能够抑制膜状粘合剂的切断不良，具有抑制在分割半导体晶圆时发生不良情况的特性，半导体晶圆的分割适性优异。27.在本说明书中，只要没有特别说明，则“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(gpc)法测定的聚苯乙烯换算值。28.在后文中会对本实施方案的半导体装置制造用片的使用方法进行详细说明。29.以下，参照附图，对本实施方案的半导体装置制造用片详细地进行说明。另外，为了易于理解实施方案的特征，出于方便，有时会将以下说明中使用的图中的重要部分放大显示，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。30.图1为示意性示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的剖面图，图2为图1所示的半导体装置制造用片的俯视图。图1是图2的a-a’剖面图。另外，在图2之后的图中，对于与已进行了说明的图中所示的构成要素相同的构成要素，标记与该已进行了说明的图相同的附图标记，并省略其详细说明。31.此处所示的半导体装置制造用片101具备包括贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的部分的标签部30和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部32。32.标签部30及外周部32具备基材11、粘着剂层12、中间层13、膜状粘合剂14。基材11上依次层叠有粘着剂层12、中间层13、所述膜状粘合剂14及剥离膜15。即，标签部30及外周部32的区域是在半导体装置制造用片101中基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14沿厚度方向层叠而成的部分。33.关于标签部30及外周部32，共通的各层的厚度及组成等构成可以彼此相同，也可以彼此不同。从降低由标签部30与沟槽34的总厚度的差异带来的段差的影响而有效抑制卷绕痕迹的产生的角度出发，标签部30及外周部32中的基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14的厚度及组成优选彼此相同。34.标签部30优选具有当贴附有半导体晶圆或半导体芯片时半导体晶圆或半导体芯片不会从标签部伸出的形状及尺寸。优选贴附于标签部的半导体晶圆或半导体芯片的俯视形状的外周位置均位于比标签部的膜状粘合剂的俯视形状的外周位置更靠近内侧的位置。关于该尺寸，以下记载构成标签部的中间层及膜状粘合剂的宽度的优选值。35.在标签部30与外周部32之间设置有未层叠中间层13及膜状粘合剂14的沟槽34。然而，剥离膜15横跨标签部30、外周部32及沟槽34部分而层叠，起到连接标签部30与外周部32的作用。由于沟槽34上未层叠中间层13及膜状粘合剂14，沟槽34部分的半导体装置制造用片101的总厚度比标签部30及外周部32部分的半导体装置制造用片101的总厚度薄。由于在标签部30的周围形成有沟槽34，使得包括对标签部贴附半导体晶圆或半导体芯片在内的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造变得容易。36.如上所述，从利用外周部32降低由标签部30与沟槽34的总厚度的差异带来的段差的影响而有效抑制卷绕痕迹的产生的角度出发，优选使标签部的厚度与外周部的厚度之差小。标签部30的半导体装置制造用片101的厚度h30的最大值与外周部32的半导体装置制造用片101的厚度h32的最大值之差优选为3μm以下，更优选为2μm以下，进一步优选为1μm以下。在图1中，h30与h32的厚度值相同。37.同样，从有效抑制卷绕痕迹的产生的角度出发，优选使标签部30与外周部32之间的沟槽34的宽度小。沟槽34的宽度w34的最小值优选为50mm以下，更优选为0.5～50mm，进一步优选为1～40mm。上述沟槽的宽度的最小值是指以最短距离连接标签部的轮廓线上的任意点与外周部的轮廓线上的任意点的直线的长度。38.在半导体装置制造用片101的标签部30及外周部32中，在基材11的一个面(在本说明书中，有时称为“第一面”)11a上设置粘着剂层12。在粘着剂层12的与设置有基材11的一侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称为“第一面”)12a上设置中间层13。在中间层13的与设置有粘着剂层12的一侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称为“第一面”)13a上设置有膜状粘合剂14。在膜状粘合剂14的第一面14a上设置有剥离膜15。如此，半导体装置制造用片101通过基材11、粘着剂层12、中间层13、膜状粘合剂14及剥离膜15沿它们的厚度方向依次层叠而构成。39.半导体装置制造用片101以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，将半导体装置制造用片101中的标签部30的至少一部分的膜状粘合剂14的第一面14a贴附于半导体晶圆、半导体芯片、或者未被完全分割的半导体晶圆(省略图示)的背面。40.在本说明书中，不论在半导体晶圆及半导体芯片中的哪一种情况下，均将其形成有电路的一侧的面称为“电路形成面”，将与电路形成面为相反侧的面称为“背面”。41.在本说明书中，有时将具有基材及粘着剂层沿它们的厚度方向层叠、且未层叠中间层的构成的层叠物称为“支撑片”。在图1中，标记附图标记1来表示支撑片。此外，将具有基材、粘着剂层及中间层沿它们的厚度方向依次层叠的构成的层叠物称为“层叠片”。图1中标记附图标记10来表示层叠片。所述支撑片与中间层的层叠物包含在所述层叠片中。42.自标签部30的中间层13及膜状粘合剂14的上方向下俯视标签部30的中间层13及膜状粘合剂14时，标签部30的中间层13及膜状粘合剂14的平面形状均为圆形，中间层13的直径与膜状粘合剂14的直径相同。并且，在半导体装置制造用片101的标签部30中，中间层13及膜状粘合剂14以两者中心保持一致的方式而配置，换言之，以中间层13及膜状粘合剂14的外周的位置在它们的径向上均保持一致的方式而配置。43.标签部30的中间层13的第一面13a与膜状粘合剂14的第一面14a的面积均比粘着剂层12的第一面12a小。并且，中间层13的宽度w13的最大值(即直径)与膜状粘合剂14的宽度w14的最大值(即直径)均比粘着剂层12的宽度的最大值与基材11的宽度的最大值小。因此，在半导体装置制造用片101中，粘着剂层12的第一面12a的一部分未被中间层13及膜状粘合剂14覆盖。剥离膜15与粘着剂层12的第一面12a中的这种未层叠中间层13及膜状粘合剂14的区域直接接触并层叠于其之上，在去除了剥离膜15的状态下，该区域露出(以下，在本说明书中，有时将该区域称为“非层叠区域”)。另外，在具备剥离膜15的半导体装置制造用片101中，可如此处所示地在粘着剂层12的未被中间层13及膜状粘合剂14覆盖的区域上存在未层叠剥离膜15的区域，也可以不存在未层叠剥离膜15的区域。44.处于膜状粘合剂14未被切断且通过膜状粘合剂14而贴附在上述半导体晶圆或半导体芯片等上的状态的半导体装置制造用片101，能够通过将其中的粘着剂层12中的所述非层叠区域的一部分贴附在用于固定半导体晶圆的环形框架等夹具上从而对其进行固定。因此，无需在半导体装置制造用片101上另外设置用于将半导体装置制造用片101固定于所述夹具的夹具用粘合剂层。并且，由于不需要设置夹具用粘合剂层，能够以低成本高效地制造半导体装置制造用片101。45.半导体装置制造用片101虽然如上所述通过不具备夹具用粘合剂层而实现有益效果，但也可以具备夹具用粘合剂层。此时，夹具用粘合剂层设置于构成半导体装置制造用片101的任意层的表面的周缘部附近的区域。作为这样的区域，可列举出粘着剂层12的第一面12a上的所述非层叠区域等。46.夹具用粘合剂层可以为公知的夹具用粘合剂层，例如可以为含有粘合剂成分的单层结构，也可以为在作为芯材的片材的两个面上层叠有含有粘合剂成分的层而成的多层结构。47.此外，以后述方式将半导体装置制造用片101沿与其表面(例如，粘着剂层12的第一面12a)平行的方向拉伸，即进行所谓的扩展时，由于在粘着剂层12的第一面12a上存在所述非层叠区域，可易于扩展半导体装置制造用片101。并且，不仅可易于切断膜状粘合剂14，有时也可抑制中间层13及膜状粘合剂14从粘着剂层12上剥离。48.标签部30的支撑片1的粘着剂层12的第一面12a和基材11的第一面11a的面积均比剥离膜15的第一面15a的面积小。并且，粘着剂层12的宽度的最大值(即直径)和基材11的最大值(即直径)均比剥离膜15的宽度的最大值小。因而，在半导体装置制造用片101中，剥离膜15的一部分未被粘着剂层12及基材11覆盖。49.自标签部30的粘着剂层12及基材11的上方向下俯视标签部30的粘着剂层12及基材11时，粘着剂层12及基材11的平面形状均为圆形，且粘着剂层12及基材11的直径相同。并且，在半导体装置制造用片101的标签部30中，粘着剂层12及基材11以两者中心保持一致的方式而配置，换言之，以粘着剂层12及基材11的外周位置在它们的径向上均保持一致的方式而配置。50.图2是图1所示的半导体装置制造用片的俯视图。半导体装置制造用片101具备标签部30和设置于比标签部30更靠近外侧的至少一部分上的外周部32。圆形的支撑片1和构成标签部30的圆形的中间层13及膜状粘合剂14以同心圆状而层叠。在标签部30的周围形成有沟槽34。沟槽34包括层叠有剥离膜15和支撑片1的部分及未层叠支撑片1而露出剥离膜15的部分。51.在半导体装置制造用片101中，中间层13含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。52.本实施方案的半导体装置制造用片并不限定于图1及图2所示的半导体装置制造用片，可以在不损害本发明的效果的范围内，对图1及图2所示的半导体装置制造用片的部分构成进行变更、删除或追加。53.例如，本实施方案的半导体装置制造用片也可以具备不属于基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂、剥离膜及夹具用粘合剂层中的任意层的其他层。然而，本实施方案的半导体装置制造用片优选如图1所示，以粘着剂层与基材直接接触的状态具备粘着剂层，以中间层与粘着剂层直接接触的状态具备中间层，以膜状粘合剂与中间层直接接触的状态具备膜状粘合剂，以剥离膜与膜状粘合剂直接接触的状态具备剥离膜。54.例如，在本实施方案的半导体装置制造用片中，标签部的中间层及膜状粘合剂的平面形状可以为除圆形以外的形状，中间层及膜状粘合剂的平面形状可彼此相同，也可彼此不同。此外，优选标签部中中间层的第一面的面积与膜状粘合剂的第一面的面积均小于比它们更靠近基材侧的层的面(例如，粘着剂层的第一面)的面积，中间层的第一面的面积与膜状粘合剂的第一面的面积可彼此相同，也可彼此不同。并且，中间层及膜状粘合剂的外周的位置可以在它们的径向上均一致，也可以不一致。优选中间层的俯视形状的外周位置和膜状粘合剂的俯视形状的外周位置均相较于比它们靠近基材侧的层的至少一个面的俯视形状的外周靠近内侧。例如，优选中间层的俯视形状的外周位置和膜状粘合剂的俯视形状的外周位置均相较于支撑片的俯视形状的外周位置靠近内侧。接着，对构成本实施方案的半导体装置制造用片的各个层更详细地进行说明。55.○基材所述基材为片状或膜状。所述基材的构成材料优选为各种树脂，具体而言，例如可列举出聚乙烯(低密度聚乙烯(ldpe)、线性低密度聚乙烯(lldpe)、高密度聚乙烯(hdpe)等)、聚丙烯(pp)、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺(pi)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、除乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、上述树脂中的任一种树脂的氢化物、改质物、交联物或共聚物等。56.另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的术语也相同，例如，“(甲基)丙烯酸酯”为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的概念，“(甲基)丙烯酰基”为包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”的概念。57.构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。58.基材可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。基材由多个层构成的情况下，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，只要不损害本发明的效果，则对这些多个层的组合没有特别限定。在本说明书中，不仅限于基材，“多个层可彼此相同，也可彼此不同”是指“可以所有层相同，也可以所有层均不同，还可以仅一部分层相同”，进一步，“多个层彼此不同”是指“各个层的构成材料及厚度中的至少一者彼此不同”。59.基材的厚度可根据目的进行适当选择，优选为50～300μm，更优选为60～150μm。通过使基材的厚度为所述下限值以上，基材的结构更加稳定。通过使基材的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时、及半导体装置制造用片的所述扩展时，可更易于将膜状粘合剂切断。此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的合计厚度。在本说明书中，除非另有说明，则“厚度”为在随机选出的五个位置上测定的厚度的平均值，其可以按照jisk7130并使用恒压测厚仪而测得。60.为了提高基材与设置于其之上的粘着剂层等其他层的密合性，可以对基材的表面实施基于喷砂处理、溶剂处理、压花加工处理等的凹凸化处理；电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧/紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。此外，基材的表面还可以经过底涂处理(primertreatment)。此外，基材也可以具有：抗静电涂层；叠合固晶片并进行保存时，防止基材与其他片材粘合、或者防止基材与吸附工作台(suctiontable)粘合的层等。61.基材除了含有所述树脂等主要构成材料以外，还可含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。62.只要在不损害本发明的效果的范围内，则对基材的光学特性没有特别限定。基材例如可以为使激光或能量射线透射的基材。63.基材可利用公知的方法制造。例如，含有树脂的(以树脂为构成材料的)基材可通过将所述树脂或含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。64.○粘着剂层所述粘着剂层为片状或膜状，并含有粘着剂。粘着剂层可使用含有所述粘着剂的粘着剂组合物而形成。例如，将粘着剂组合物涂布在欲形成粘着剂层的对象面上，并根据所需对其进行干燥，由此能够在目标部位形成粘着剂层。65.利用公知的方法进行粘着剂组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、吻涂机等各种涂布机的方法。66.粘着剂组合物的干燥条件没有特别限定，但在粘着剂组合物含有后述溶剂的情况下，优选使其加热干燥，此时，例如优选于70～130℃以10秒～5分钟的条件使其干燥。67.作为所述粘着剂，例如可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂(urethaneresin)、橡胶类树脂、有机硅树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等粘着性树脂，优选丙烯酸树脂。68.另外，在本说明书中，“粘着性树脂”包含具有粘着性的树脂与具有粘合性的树脂。例如，所述粘着性树脂不仅包括树脂本身具有粘着性的树脂，还包括通过与添加剂等其他成分的同时使用而表现出粘着性的树脂、或者由于热或水等诱因(trigger)的存在而表现出粘合性的树脂等。69.粘着剂层可以为固化性及非固化性中的任意一种，例如可以为能量射线固化性及非能量射线固化性中的任意一种。固化性的粘着剂层能够易于调节其固化前及固化后的物性。70.在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线。作为能量射线的实例，可列举出紫外线、放射线、电子束等。例如，作为紫外线，可通过使用高压汞灯、熔融灯(fusionlamp)、氙灯、黑光灯或led灯等作为紫外线源而进行照射。对于电子束，能够照射利用电子束加速器等而产生的电子束。此外，在本说明书中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。71.粘着剂层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。72.粘着剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。其中，“粘着剂层的厚度”是指粘着剂层整体的厚度，例如由多个层构成的粘着剂层的厚度是指构成粘着剂层的所有层的合计厚度。73.基材和粘着剂层可以为相同形状，优选基材和粘着剂层以两者的俯视形状的外周保持一致的方式而层叠。74.只要粘着剂层的光学特性在不损害本发明的效果的范围内，则对其没有特别限定。例如，粘着剂层可以为使能量射线透射的粘着剂层。接着，对所述粘着剂组合物进行说明。下述粘着剂组合物可以以含量(质量％)的合计不超出100质量％的方式含有例如下述一种以上成分。75.《《粘着剂组合物》》当粘着剂层为能量射线固化性时，作为含有能量射线固化性粘着剂的粘着剂组合物、即能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出：含有非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(i-1a)”)与能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(i-1)；含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(i-2a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(i-2a)”)的粘着剂组合物(i-2)；含有所述粘着性树脂(i-2a)与能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(i-3)等。76.《粘着剂组合物(i-1)》如上所述，所述粘着剂组合物(i-1)含有非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)与能量射线固化性化合物。77.[粘着性树脂(i-1a)]优选所述粘着性树脂(i-1a)为丙烯酸树脂。作为所述丙烯酸树脂，例如可列举出至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸聚合物。所述丙烯酸树脂所具有的结构单元可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0078]粘着剂组合物(i-1)所含有的粘着性树脂(i-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0079]在粘着剂组合物(i-1)中，粘着性树脂(i-1a)的含量相对于粘着剂组合物(i-1)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。[0080][能量射线固化性化合物]作为粘着剂组合物(i-1)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、并且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物。作为能量射线固化性化合物中的单体，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯等。作为能量射线固化性化合物中的低聚物，例如可列举出上文中例示的单体聚合而成的低聚物等。就分子量较大、不易使粘着剂层的储能模量降低这一点而言，优选能量射线固化性化合物为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。[0081]粘着剂组合物(i-1)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0082]在所述粘着剂组合物(i-1)中，所述能量射线固化性化合物的含量相对于粘着剂组合物(i-1)的总质量的比例优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。[0083][交联剂]将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外、还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(i-1a)时，优选粘着剂组合物(i-1)进一步含有交联剂。[0084]所述交联剂例如通过与所述官能团反应从而使粘着性树脂(i-1a)彼此交联。作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯类交联剂(具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂(具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷酸三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)；异氰脲酸酯类交联剂(具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。从提高粘着剂的内聚力从而提高粘着剂层的粘着力这一点、及易于获得等的点出发，优选交联剂为异氰酸酯类交联剂。[0085]粘着剂组合物(i-1)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0086]使用交联剂时，在所述粘着剂组合物(i-1)中，相对于粘着性树脂(i-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。[0087][光聚合引发剂]粘着剂组合物(i-1)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等较低能量的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(i-1)也能够充分地进行固化反应。[0088]作为所述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。此外，作为所述光聚合引发剂，例如还可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。[0089]粘着剂组合物(i-1)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0090]使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(i-1)中，相对于所述能量射线固化性化合物的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。[0091][其他添加剂]粘着剂组合物(i-1)也可在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。作为所述其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充材料(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、敏化剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。[0092]另外，反应延迟剂是指，用于抑制例如因混入粘着剂组合物(i-1)中的催化剂的作用而在保存中的粘着剂组合物(i-1)中进行非目的性的交联反应的成分。作为反应延迟剂，例如可列举出利用与催化剂相应的螯合物形成螯合物配位化合物(chelatecomplex)的反应延迟剂，更具体而言，可列举出一分子中具有两个以上羰基(-c(＝o)-)的反应延迟剂。[0093]粘着剂组合物(i-1)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0094]粘着剂组合物(i-1)的其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。[0095][溶剂]粘着剂组合物(i-1)可以含有溶剂。通过含有溶剂，粘着剂组合物(i-1)对涂布对象面的涂布适性升高。[0096]所述溶剂优选为有机溶剂。[0097]《粘着剂组合物(i-2)》如上所述，所述粘着剂组合物(i-2)含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(i-2a)。[0098][粘着性树脂(i-2a)]所述粘着性树脂(i-2a)例如可通过使具有能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与粘着性树脂(i-1a)中的官能团进行反应而得到。[0099]所述含不饱和基团化合物为除了具有所述能量射线聚合性不饱和基团以外，还进一步具有能够通过与粘着性树脂(i-1a)中的官能团反应而与粘着性树脂(i-1a)键合的基团的化合物。作为所述能量射线聚合性不饱和基团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)等，优选(甲基)丙烯酰基。作为可与粘着性树脂(i-1a)中的官能团键合的基团，例如可列举出能够与羟基或氨基键合的异氰酸酯基及缩水甘油基、以及能够与羧基或环氧基键合的羟基及氨基等。[0100]作为所述含不饱和基团化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。[0101]粘着剂组合物(i-2)所含有的粘着性树脂(i-2a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0102]在粘着剂组合物(i-2)中，粘着性树脂(i-2a)的含量相当于粘着剂组合物(i-2)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为10～90质量％。[0103][交联剂]例如，将与粘着性树脂(i-1a)中相同的、具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(i-2a)时，粘着剂组合物(i-2)可进一步含有交联剂。[0104]作为粘着剂组合物(i-2)中的所述交联剂，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的交联剂相同的交联剂。粘着剂组合物(i-2)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0105]使用交联剂时，在所述粘着剂组合物(i-2)中，相对于粘着性树脂(i-2a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。[0106][光聚合引发剂]粘着剂组合物(i-2)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等较低能量的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(i-2)也能够充分地进行固化反应。[0107]作为粘着剂组合物(i-2)中的所述光聚合引发剂，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。粘着剂组合物(i-2)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0108]使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(i-2)中，相对于粘着性树脂(i-2a)的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。[0109][其他添加剂、溶剂]粘着剂组合物(i-2)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。此外，出于与粘着剂组合物(i-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(i-2)也可以含有溶剂。作为粘着剂组合物(i-2)中的所述其他添加剂及溶剂，分别可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的其他添加剂及溶剂相同的其他添加剂及溶剂。粘着剂组合物(i-2)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。粘着剂组合物(i-2)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。[0110]《粘着剂组合物(i-3)》如上所述，所述粘着剂组合物(i-3)含有所述粘着性树脂(i-2a)及能量射线固化性化合物。[0111]在粘着剂组合物(i-3)中，粘着性树脂(i-2a)的含量相对于粘着剂组合物(i-3)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。[0112][能量射线固化性化合物]作为粘着剂组合物(i-3)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、并且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物，可列举出与粘着剂组合物(i-1)所含有的能量射线固化性化合物相同的能量射线固化性化合物。粘着剂组合物(i-3)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0113]在所述粘着剂组合物(i-3)中，相对于粘着性树脂(i-2a)的含量100质量份，所述能量射线固化性化合物的含量优选为0.01～300质量份，更优选为0.03～200质量份，特别优选为0.05～100质量份。[0114][光聚合引发剂]粘着剂组合物(i-3)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等较低能量的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(i-3)也能够充分地进行固化反应。[0115]作为粘着剂组合物(i-3)中的所述光聚合引发剂，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。粘着剂组合物(i-3)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0116]使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(i-3)中，相对于粘着性树脂(i-2a)及所述能量射线固化性化合物的总含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。[0117][其他添加剂、溶剂]粘着剂组合物(i-3)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。此外，出于与粘着剂组合物(i-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(i-3)也可以含有溶剂。作为粘着剂组合物(i-3)中的所述其他添加剂及溶剂，分别可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的其他添加剂及溶剂相同的其他添加剂及溶剂。粘着剂组合物(i-3)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。粘着剂组合物(i-3)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。[0118]《除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物》至此，主要对粘着剂组合物(i-1)、粘着剂组合物(i-2)及粘着剂组合物(i-3)进行了说明，但作为它们的所含成分而进行了说明的成分同样也可用于除这三种粘着剂组合物以外的所有的粘着剂组合物(在本说明书中，称为“除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物”)中。[0119]作为除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物，除了能量射线固化性的粘着剂组合物以外，还可列举出非能量射线固化性的粘着剂组合物。作为非能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、橡胶类树脂、有机硅树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)的粘着剂组合物(i-4)，优选含有丙烯酸树脂的非能量射线固化性的粘着剂组合物。[0120]优选除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物含有一种或两种以上的交联剂，可以将其含量设定为与上述的粘着剂组合物(i-1)等相同。[0121]《粘着剂组合物(i-4)》作为优选的粘着剂组合物(i-4)，例如可列举出含有所述粘着性树脂(i-1a)与交联剂的粘着剂组合物。[0122][粘着性树脂(i-1a)]作为粘着剂组合物(i-4)中的粘着性树脂(i-1a)，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的粘着性树脂(i-1a)相同的粘着性树脂。粘着剂组合物(i-4)所含有的粘着性树脂(i-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0123]在粘着剂组合物(i-4)中，粘着性树脂(i-1a)的含量相对于粘着剂组合物(i-4)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。[0124][交联剂]将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(i-1a)时，优选粘着剂组合物(i-4)进一步含有交联剂。[0125]作为粘着剂组合物(i-4)中的所述交联剂，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的交联剂相同的交联剂。粘着剂组合物(i-4)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0126]在所述粘着剂组合物(i-4)中，相对于粘着性树脂(i-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～25质量份，特别优选为0.1～10质量份。[0127][其他添加剂、溶剂]粘着剂组合物(i-4)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。此外，出于与粘着剂组合物(i-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(i-4)也可以含有溶剂。作为粘着剂组合物(i-4)中的所述其他添加剂及溶剂，可分别列举出与粘着剂组合物(i-1)中的其他添加剂及溶剂相同的添加剂及溶剂。粘着剂组合物(i-4)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。粘着剂组合物(i-4)的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。[0128]《《粘着剂组合物的制备方法》》粘着剂组合物(i-1)～(i-3)、或粘着剂组合物(i-4)等除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物，可通过掺合所述粘着剂与根据需要的除所述粘着剂以外的成分等用于构成粘着剂组合物的各成分而得到。掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可同时添加两种以上的成分。使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。进行掺合时，混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合器进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。只要各掺合成分不劣化，则添加并混合各成分时的温度及时间没有特别限定，进行适当调节即可，但优选温度为15～30℃。[0129]○中间层、中间层形成用组合物所述中间层为片状或膜状，并含有所述非硅类树脂作为主要成分。中间层可以为仅含有非硅类树脂的层(由非硅类树脂构成的层)，也可以为含有非硅类树脂与除非硅类树脂以外的成分的层。[0130]中间层例如可使用含有所述非硅类树脂的中间层形成用组合物而形成。例如，中间层可通过在欲形成中间层的对象面上涂布所述中间层形成用组合物并根据需要进行干燥而形成。[0131]所述非硅类树脂的重均分子量为100000以下。从进一步提高所述半导体装置制造用片的上述半导体晶圆的分割适性这一点出发，所述非硅类树脂的重均分子量例如可以为80000以下、60000以下及40000以下中的任一范围。[0132]所述非硅类树脂的重均分子量的下限值没有特别限定，例如重均分子量为5000以上的所述非硅类树脂更易于获得。[0133]所述非硅类树脂的重均分子量可在任意组合上述下限值与任意上限值而设定的范围内进行适当调节。例如，在一个实施方案中，所述重均分子量例如可以为5000～100000、5000～80000、5000～60000及5000～40000中的任一范围。[0134]在本实施方案中，“中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分”是指，“以能够充分发挥因中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂而产生的效果的程度的量，含有所述非硅类树脂”。从上述角度出发，在中间层中，所述非硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述非硅类树脂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为50质量％以上，更优选为80质量％以上，进一步优选为90质量％以上，例如可以为95质量％以上、97质量％以上、及99质量％以上中的任一范围。另一方面，所述比例为100质量％以下。[0135]重均分子量为100000以下的所述非硅类树脂只要为不具有硅原子作为构成原子的、重均分子量为100000以下的树脂成分，则没有特别限定。所述非硅类树脂例如可以为具有极性基团的极性树脂、及不具有极性基团的非极性树脂中的任一种。例如，从在所述中间层形成用组合物中的溶解性高、所述中间层形成用组合物的涂布适性更高这几点出发，所述非硅类树脂优选为极性树脂。[0136]在本说明书中，只要没有特别说明，则“非硅类树脂”是指上述重均分子量为100000以下的非硅类树脂。[0137]所述非硅类树脂例如可以为作为1种单体的聚合物(换言之，仅具有1种结构单元)的均聚物，也可以为作为2种以上的单体的聚合物(换言之，具有2种以上的结构单元)的共聚物。[0138]作为所述极性基团，例如，可列举出羰基氧基(-c(＝o)-o-)、氧基羰基(-o-c(＝o)-)等。[0139]所述极性树脂可以仅具有具有极性基团的结构单元，也可以具有具有极性基团的结构单元与不具有极性基团的结构单元这两者。[0140]作为具有所述极性基团的结构单元，例如，可列举出衍生自乙酸乙烯酯的结构单元等。作为不具有所述极性基团的结构单元，例如，可列举出衍生自乙烯的结构单元等。这里所称的“衍生”是指所述单体发生了聚合所必需的结构变化。[0141]在所述极性树脂中，具有极性基团的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例优选为5～70质量％，例如也可以为7.5～55质量％、10～40质量％及10～30质量％中的任一范围。换言之，在所述极性树脂中，不具有极性基团的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例优选为30～95质量％，例如也可以为45～92.5质量％、60～90质量％及70～90质量％中的任一范围。通过使具有极性基团的结构单元的质量的比例为所述下限值以上，所述极性树脂更显著地具有具有极性基团的这一特性。通过使具有极性基团的结构单元的质量的比例为所述上限值以下，所述极性树脂更适度地具有不具有极性基团的这一特性。[0142]作为所述极性树脂，例如可列举出乙烯乙酸乙烯酯共聚物等。乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层中含有的所述非硅类树脂的总质量的比例例如可以为50～100质量％，也可以为80～100质量％，还可以为90～100质量％。其中，作为优选的所述极性树脂，例如，可列举出在乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例(在本说明书中，有时称为“衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量”)为40质量％以下的极性树脂、该比例为30质量％以下的极性树脂、该比例为10～40质量％的极性树脂、该比例为10～30质量％的极性树脂。换言之，作为优选的所述极性树脂，例如，可列举出在乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙烯的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例为60质量％以上的极性树脂、该比例为70质量％以上的极性树脂、该比例为70～90质量％的极性树脂、该比例为60～90质量％的极性树脂。通过使衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量的比例为所述上限值以下，使得即使在切断膜状粘合剂时从中间层产生切削屑，所产生的切削屑的粘着力也会适度降低，能够通过清洗等方法从芯片上轻易地去除切削屑。[0143]作为所述非极性树脂，例如，可列举出低密度聚乙烯(ldpe)、线性低密度聚乙烯(lldpe)、茂金属催化剂线性低密度聚乙烯(茂金属lldpe)、中密度聚乙烯(mdpe)、高密度聚乙烯(hdpe)等聚乙烯(pe)；聚丙烯(pp)等。[0144]中间层形成用组合物及中间层所含有的所述非硅类树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。例如，中间层形成用组合物及中间层可以含有1种或2种以上的作为极性树脂的非硅类树脂，且不含有作为非极性树脂的非硅类树脂，也可以含有1种或2种以上的作为非极性树脂的非硅类树脂，且不含有作为极性树脂的非硅类树脂，还可以同时含有1种或2种以上的作为极性树脂的非硅类树脂及1种或2种以上的作为非极性树脂的非硅类树脂。中间层形成用组合物及中间层优选至少含有作为极性树脂的非硅类树脂。[0145]在中间层形成用组合物及中间层中，作为极性树脂的所述非硅类树脂的含量相对于所述非硅类树脂的总含量的比例优选为50质量％以上，优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上，例如可以为95质量％以上、97质量％以上及99质量％以上中的任一范围。通过使所述比例为所述下限值以上，可更显著地得到使用所述极性树脂所带来的效果。另一方面，所述比例为100质量％以下。[0146]即，在中间层形成用组合物及中间层中，作为非极性树脂的所述非硅类树脂的含量相对于所述非硅类树脂的总含量的比例优选为20质量％以下，更优选为10质量％以下，例如，可以为5质量％以下、3质量％以下及1质量％以下中的任一范围。另一方面，所述比例为0质量％以上。[0147]从中间层形成用组合物的操作性良好这一点出发，中间层形成用组合物优选除了所述非硅类树脂以外，还含有溶剂，也可以含有不属于所述非硅类树脂与溶剂中的任一种成分的成分(在本说明书中，有时称为“添加剂”)。中间层可以仅含有所述非硅类树脂，也可以同时含有所述非硅类树脂及所述添加剂。[0148]所述添加剂可以为树脂成分(在本说明书中，有时称为“其他树脂成分”)与非树脂成分中的任一种成分。[0149]作为所述其他树脂成分，例如可列举出重均分子量(mw)大于100000的非硅类树脂与硅类树脂。[0150]重均分子量大于100000的非硅类树脂只要满足这种条件，则没有特别限定。[0151]如下所述，含有所述硅类树脂的中间层更易于进行带膜状粘合剂的半导体芯片的拾取。[0152]所述硅类树脂只要为具有硅原子作为构成原子的树脂成分，则没有特别限定。例如，硅类树脂的重均分子量没有特别限定。[0153]作为优选的硅类树脂，例如，可列举出对粘着剂成分表现出脱模作用的树脂成分，更优选为硅氧烷类树脂(也称为具有硅氧烷键(-si-o-si-)的树脂成分、硅氧烷类化合物)。[0154]作为所述硅氧烷类树脂，例如可列举出聚二烷基硅氧烷等。所述聚二烷基硅氧烷所具有的烷基的碳数优选为1～20。作为所述聚二烷基硅氧烷，可列举出聚二甲基硅氧烷等。[0155]所述非树脂成分例如可以为有机化合物及无机化合物中的任一种成分，没有特别限定。[0156]中间层形成用组合物及中间层所含有的所述添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。例如，中间层形成用组合物及中间层可以含有1种或2种以上的树脂成分作为所述添加剂，且不含有非树脂成分，也可以含有1种或2种以上的非树脂成分作为所述添加剂，且不含有树脂成分，还可以同时含有1种或2种以上的树脂成分及1种或2种以上的非树脂成分作为所述添加剂。[0157]当中间层形成用组合物及中间层含有所述添加剂时，在中间层中，所述非硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述非硅类树脂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为90～99.99质量％，例如，可以为90～97.5质量％、90～95质量％及90～92.5质量％中的任一范围，可以为92.5～99.99质量％、95～99.99质量％及97.5～99.99质量％中的任一范围，可以为92.5～97.5质量％。当中间层形成用组合物及中间层含有所述添加剂时，在中间层中，所述添加剂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述添加剂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为0.01～10质量％，例如，可以为2.5～10质量％、5～10质量％、及7.5～10质量％中的任一范围，可以为0.01～7.5质量％、0.01～5质量％、及0.01～2.5质量％中的任一范围，可以为2.5～7.5质量％。[0158]中间层形成用组合物所含有的所述溶剂没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。中间层形成用组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0159]从能够将中间层形成用组合物中的所含成分更均匀地混合这一点出发，中间层形成用组合物所含有的溶剂优选为四氢呋喃等。[0160]中间层形成用组合物的溶剂的含量没有特别限定，例如根据除溶剂以外的成分的种类进行适当选择即可。[0161]如下所述，从能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片这一点出发，作为优选的中间层，例如，可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(所述非硅类树脂)的含量相对于中间层的总质量的比例在上述任一个数值范围内，并且中间层中的所述硅氧烷类化合物(所述添加剂)的含量相对于中间层的总质量的比例在上述任一个数值范围内的中间层。作为这种中间层，例如可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，并且中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％的中间层。然而，这只是中间层的一个优选例。[0162]作为更优选的中间层，例如可列举出如下的中间层：所述中间层含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且在所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例(换言之，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量)为10～40质量％，并且在所述中间层中，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，且在所述中间层中，所述硅氧烷类化合物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为0.01～10质量％。然而，这只是中间层的更优选的一个例子。[0163]对于半导体装置制造用片，利用x射线光电子能谱法(x-rayphotoelectronspectroscopy，在本说明书中，有时称为“xps”)对中间层的膜状粘合剂侧的面(例如，在图1中为中间层13的第一面13a)进行分析时，硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例(在本说明书中，有时简称为“硅浓度的比例”)，以元素的摩尔基准计，优选为1～20％。如下所述，通过使用具备这种中间层的半导体装置制造用片，能够易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。[0164]所述硅浓度的比例能够利用下述公式进行计算。[基于xps分析的硅浓度的测定值(atomic％)]/{[基于xps分析的碳浓度的测定值(atomic％)] [基于xps分析的氧浓度的测定值(atomic％)] [基于xps分析的氮浓度的测定值(atomic％)] [基于xps分析的硅浓度的测定值(atomic％)]}×100[0165]对于xps分析，能够使用x射线光电子能谱分析装置(例如，由ulvac,inc.制造的“quantrasxm”)，以x射线照射角度为45°、x射线光束直径为输出为4.5w的条件，对中间层的膜状粘合剂侧的表面进行xps分析。[0166]从上述效果更显著这一点出发，所述硅浓度的比例以元素的摩尔基准计，例如可以为4～20％、8～20％及12～20％中的任一范围，可以为1～16％、1～12％及1～8％中的任一范围，可以为4～16％及8～12％中的任一范围。[0167]以上述方式进行xps分析时，在中间层的所述面(xps的分析对象面)中，有时可能会检测出不属于碳、氧、氮及硅中的任一种元素的其他元素。然而，即使检测出上述其他元素，通常其浓度也为微量，因此在计算所述硅浓度的比例时，只要使用碳、氧、氮及硅的浓度的测定值，就能够以高精度计算出所述硅浓度的比例。[0168]中间层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。[0169]与在上文中说明的相同，中间层的宽度的最大值优选比粘着剂层的宽度的最大值及基材的宽度的最大值小。构成标签部的中间层的宽度的最大值可考虑半导体晶圆的尺寸适当选择。例如，中间层的宽度的最大值可以为150～160mm、200～210mm或300～310mm。这3个数值范围对应于，与贴附于半导体装置制造用片的面平行的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。然而，如在上文中说明所示，在进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割后，通过扩展半导体装置制造用片而切断膜状粘合剂时，如下所述，将切割后的多个半导体芯片(半导体芯片组)总括到一起，在这些半导体芯片上贴附半导体装置制造用片。[0170]在本说明书中，除非另有说明，则“中间层的宽度”例如是指“中间层在与中间层的第一面平行的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的中间层的情况下，上述中间层的宽度的最大值是作为所述平面形状的圆的直径。这在半导体晶圆的情况下也相同。即，“半导体晶圆的宽度”是指，“半导体晶圆在与半导体晶圆的贴附于半导体装置制造用片的面平行的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的半导体晶圆的情况下，上述半导体晶圆的宽度的最大值是作为所述平面形状的圆的直径。[0171]150～160mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于150mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。同样地，200～210mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于200mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。同样地，300～310mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于300mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。即，在本实施方案中，无论半导体晶圆的宽度的最大值为150mm、200mm及300mm中的哪一个值，中间层的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值之差例如均可以为0～10mm。[0172]中间层的厚度可根据目的适当选择。中间层的厚度优选为5～150μm，更优选为5～120μm，例如可以为10～90μm及10～60μm中的任一范围，也可以为30～120μm及60～120μm中的任一范围。此外，作为另一侧面，所述标签部的中间层的厚度可以为15～80μm以下。通过使中间层的厚度为所述下限值以上，中间层的结构更加稳定。通过使所述标签部的中间层的厚度为所述下限值以上，能够抑制在扩展时发生中间层的裂纹。通过使所述标签部的中间层的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时和进行半导体装置制造用片的所述扩展时能够更加易于切断膜状粘合剂。此外，通过使所述标签部的中间层的厚度为80μm以下，可以降低带膜状粘合剂的半导体芯片发生拾取不良的可能性。此处，“中间层的厚度”是指中间层整体的厚度，例如由多个层构成的中间层的厚度是指构成中间层的所有层的合计厚度。[0173]当中间层含有所述硅类树脂时，尤其是当硅类树脂与作为主要成分的所述非硅类树脂的相容性较低时，在半导体装置制造用片中，中间层中的硅类树脂容易不均匀地存在于中间层的两面(第一面及与第一面为相反侧的面)及其附近区域。并且，这种倾向越强，则与中间层邻接的(与中间层直接接触的)膜状粘合剂越容易从中间层上剥离，如下所述，越能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。例如，将仅厚度彼此不同但组成、所述两面的面积等在除厚度以外的方面彼此相同的中间层彼此进行比较时，在这些中间层中，硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(质量％)彼此相同。然而，对于中间层的硅类树脂的含量(质量份)，厚度较厚的中间层要多于厚度较薄的中间层。因此，当硅类树脂如上所述容易不均匀地存在于中间层中时，与厚度较薄的中间层相比，厚度较厚的中间层的不均匀地存在于两面(第一面及与第一面为相反侧的面)及其附近区域的硅类树脂的量更多。因此，即使不变更所述比例，也可通过调节半导体装置制造用片中的中间层的厚度来调节带膜状粘合剂的半导体芯片的拾取适性。例如，通过增厚半导体装置制造用片中的中间层的厚度，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。[0174]中间层可以使用含有其构成材料的粘合剂组合物而形成。例如，通过在欲形成膜状粘合剂的对象面上涂布粘合剂组合物，并根据需要进行干燥，可以在目标部位上形成膜状粘合剂。[0175]中间层形成用组合物的涂布可以通过与上述粘着剂组合物的涂布相同的方法进行。[0176]中间层形成用组合物的干燥条件没有特别限定。当中间层形成用组合物含有所述溶剂时，优选进行加热干燥，此时，优选例如于60～130℃体1～6分钟的条件对其进行干燥。[0177]○膜状粘合剂所述膜状粘合剂具有固化性，优选具有热固性，优选具有压敏粘合性。同时具有热固性及压敏粘合性的膜状粘合剂可在未固化状态下通过轻轻按压而贴附在各种被粘物上。此外，膜状粘合剂也可以为能够通过加热软化而贴附在各种被粘物上的粘合剂。膜状粘合剂通过固化而最终形成耐冲击性高的固化物，该固化物即使在严苛的高温高湿度条件下也能够保持充分的粘合特性。[0178]从上方向下俯视半导体装置制造用片时，膜状粘合剂的面积(即第一面的面积)优选以接近分割前的半导体晶圆的面积的方式，设定为比基材的面积(即第一面的面积)及粘着剂层的面积(即第一面的面积)小。在这种半导体装置制造用片中，在粘着剂层的第一面的一部分存在未与中间层及膜状粘合剂接触的区域(即，所述非层叠区域)。由此，半导体装置制造用片的扩展变得更加容易，同时扩展时施加于膜状粘合剂的力不会分散，因此可更易于切断膜状粘合剂。[0179]膜状粘合剂可使用含有其构成材料的粘合剂组合物而形成。例如，可通过在欲形成膜状粘合剂的对象面上涂布粘合剂组合物，并根据需要使其干燥，从而在目标部位形成膜状粘合剂。[0180]粘合剂组合物的涂布能够利用与上述粘着剂组合物的涂布相同的方法进行。[0181]粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定。当粘合剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选于70～130℃以10秒～5分钟的条件进行干燥。[0182]膜状粘合剂可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。[0183]如上所述，膜状粘合剂的宽度的最大值优选小于粘着剂层的宽度的最大值及基材的宽度的最大值。相对于半导体晶圆的大小，构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值可与上文中说明的中间层的宽度的最大值相同。即，构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值可考虑半导体晶圆的大小进行适当选择。例如，构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值可以为150～160mm、200～210mm或300～310mm。这三个数值范围对应于，与贴附于半导体装置制造用片的面平行的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。所述标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值在所述范围内的半导体制造用片在进行扩展时膜状粘合剂不易飞散。[0184]在本说明书中，除非另有说明，则“膜状粘合剂的宽度”是指例如“膜状粘合剂在平行于膜状粘合剂的第一面的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的膜状粘合剂的情况下，上述的膜状粘合剂的宽度的最大值为所述平面形状的圆的直径。此外，除非另有说明，则“膜状粘合剂的宽度”是指“切断前(未切断)的膜状粘合剂的宽度”，而并非后述的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造过程中的、切断后的膜状粘合剂的宽度。[0185]150～160mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于150mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。同样，200～210mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于200mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。同样，300～310mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于300mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。即，在本实施方案中，无论半导体晶圆的宽度的最大值为150mm、200mm及300mm中的哪一个值，构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值之差例如均可以为0～10mm。[0186]在本实施方案中，构成标签部的中间层的宽度的最大值与膜状粘合剂的宽度的最大值均可以为上述数值范围中的任一范围。即，作为本实施方案的半导体装置制造用片的一个例子，可列举出构成标签部的中间层的宽度的最大值与构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值均为150～160mm、200～210mm或300～310mm的半导体装置制造用片。[0187]膜状粘合剂的厚度没有特别限定，但优选为1～30μm，更优选为2～20μm，特别优选为3～10μm。通过使膜状粘合剂的厚度为所述下限值以上，可得到更高的对被粘物(半导体芯片)的粘合力。通过使膜状粘合剂的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时及进行半导体装置制造用片的所述扩展时，可更易于切断膜状粘合剂。其中，“膜状粘合剂的厚度”是指膜状粘合剂整体的厚度，例如由多个层构成的膜状粘合剂的厚度是指构成膜状粘合剂的所有层的合计厚度。[0188]本实施方案中，优选所述中间层及膜状粘合剂的总厚度为15μm以上，更优选为10～180μm，进一步优选为20～150μm，特别优选为25～120μm。通过使中间层及膜状粘合剂的总厚度为所述下限值以上，可降低在冲孔加工时去除不需要的部分的过程中发生破裂的可能性。通过使中间层及膜状粘合剂的总厚度为所述上限值以下，使防止卷绕痕迹的效果趋于优异。[0189]对于中间层及膜状粘合剂，优选中间层的第一面的面积大于等于膜状粘合剂的第一面的面积，中间层及膜状粘合剂可以为彼此相同形状，优选中间层及膜状粘合剂以两者的俯视形状的外周保持一致的方式而层叠。[0190]下述粘合剂组合物可以以含量(质量％)的合计不超过100质量％的方式含有例如下述一种以上的成分。接着，对所述粘合剂组合物进行说明。[0191]《《粘合剂组合物》》作为优选的粘合剂组合物，例如可列举出含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)的粘合剂组合物。以下，对各成分进行说明。另外，以下所示的粘合剂组合物仅为优选例，本实施方案的粘合剂组合物并不限于以下所示的粘合剂组合物。[0192][聚合物成分(a)]聚合物成分(a)被视为聚合性化合物进行聚合反应而形成的成分，其为赋予膜状粘合剂造膜性、可挠性等、且提高对半导体芯片等粘合对象的粘合性(换言之，贴附性)的聚合物化合物。聚合物成分(a)具有热塑性，但不具有热固性。[0193]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的聚合物成分(a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0194]作为聚合物成分(a)，例如可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、有机硅树脂、饱和聚酯树脂等。其中，聚合物成分(a)优选为丙烯酸树脂。[0195]在粘合剂组合物中，聚合物成分(a)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的聚合物成分(a)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)优选为20～75质量％，更优选为30～65质量％。[0196][热固性成分(b)]热固性成分(b)为具有热固性、用于使膜状粘合剂热固化的成分。粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的热固性成分(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0197]作为热固性成分(b)，例如可列举出环氧类热固性树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂等。其中，热固性成分(b)优选为环氧类热固性树脂。[0198]○环氧类热固性树脂环氧类热固化性树脂由环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)构成。粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧类热固性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0199]·环氧树脂(b1)作为环氧树脂(b1)，可列举出公知的环氧树脂，例如可列举出多官能度类环氧树脂、联苯化合物、双酚a二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆(novolak)环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能度以上的环氧化合物。[0200]作为环氧树脂(b1)，也可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸树脂的相容性大于不具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸树脂的相容性。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性升高。[0201]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧树脂(b1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0202]·热固化剂(b2)热固化剂(b2)作为针对环氧树脂(b1)的固化剂而发挥作用。作为热固化剂(b2)，例如可列举出一分子中具有两个以上可与环氧基进行反应的官能团的化合物。作为所述官能团，例如可列举出酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、酸基酐化而成的基团等，优选为酚羟基、氨基或酸基酐化而成的基团等，更优选为酚羟基或氨基。[0203]作为热固化剂(b2)中的具有酚羟基的酚类固化剂，例如可列举出多官能度酚醛树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯型酚醛树脂、芳烷基型酚醛树脂等。作为热固化剂(b2)中的具有氨基的胺类固化剂，例如可列举出双氰胺(dicy)等。[0204]热固化剂(b2)可具有不饱和烃基。[0205]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的热固化剂(b2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0206]在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份，热固化剂(b2)的含量优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份，例如可以为1～100质量份、1～50质量份及1～25质量份中的任一范围。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述下限值以上，更易于进行膜状粘合剂的固化。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述上限值以下，膜状粘合剂的吸湿率降低，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。[0207]在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，热固性成分(b)的含量(例如，环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的总含量)优选为5～100质量份，更优选为5～75质量份，特别优选为5～50质量份，例如可以为5～35质量份及5～20质量份中的任一范围。通过使热固性成分(b)的所述含量在上述范围内，中间层与膜状粘合剂之间的剥离力更加稳定。[0208]为了改善膜状粘合剂的各种物性，除了含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)以外，粘合剂组合物及膜状粘合剂也可根据需要进一步含有不属于聚合物成分(a)及热固性成分(b)的其他成分。作为所述粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的其他成分中的优选成分，例如可列举出固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量射线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)、通用添加剂(i)等。[0209][固化促进剂(c)]固化促进剂(c)为用于调节粘合剂组合物的固化速度的成分。作为优选的固化促进剂(c)，例如可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(一个以上的氢原子被除氢原子以外的基团取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(一个以上的氢原子被有机基团取代的膦)；四苯基硼四苯基磷(tetraphenylphosphoniumtetraphenylborate)、三苯基膦四苯基硼酸酯(triphenylphosphinetetraphenylborate)等四苯基硼盐等。[0210]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的固化促进剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0211]使用固化促进剂(c)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于热固性成分(b)的含量100质量份，固化促进剂(c)的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(c)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用固化促进剂(c)所带来的效果。通过使固化促进剂(c)的含量为所述上限值以下，例如，抑制高极性的固化促进剂(c)在高温高湿度条件下在膜状粘合剂中移动至与被粘物的粘合界面侧而发生偏析的效果变高，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。[0212][填充材料(d)]通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，基于扩展的膜状粘合剂的切断性进一步升高。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，膜状粘合剂的热膨胀系数的调整变得容易，通过针对膜状粘合剂的贴附对象优化该热膨胀系数，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，可降低固化后的膜状粘合剂的吸湿率、或者提高散热性。[0213]填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任意一种，优选为无机填充材料。作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、红氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些无机填充材料球形化而得到的珠子(beads)；这些无机填充材料的表面改质物；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。其中，无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝。[0214]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0215]使用填充材料(d)时，在粘合剂组合物中，填充材料(d)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的填充材料(d)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)优选为5～80质量％，更优选为10～70质量％，特别优选为20～60质量％。通过使所述比例在上述范围内，可更显著地获得使用上述填充材料(d)所带来的效果。[0216][偶联剂(e)]通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，其对被粘物的粘合性及密合性升高。此外，通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，膜状粘合剂的固化物的耐水性升高且不会损害耐热性。偶联剂(e)具有可与无机化合物或有机化合物反应的官能团。[0217]偶联剂(e)优选为具有能够与聚合物成分(a)、热固性成分(b)等所具有的官能团进行反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。[0218]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0219]使用偶联剂(e)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)及热固性成分(b)的总含量100质量份，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用偶联剂(e)所带来的效果，即提高填充材料(d)在树脂中的分散性、提高膜状粘合剂与被粘物的粘合性等。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述上限值以下，可进一步抑制脱气(out-gas)的产生。[0220][交联剂(f)]当使用上述丙烯酸树脂等具有能够与其他化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的物质作为聚合物成分(a)时，粘合剂组合物及膜状粘合剂也可以含有交联剂(f)。交联剂(f)为用于使聚合物成分(a)中的所述官能团与其他化合物键合并交联的成分，通过以此方式进行交联，能够调节膜状粘合剂的初始粘合力及内聚力。[0221]作为交联剂(f)，例如可列举出有机多异氰酸酯(polyisocyanate)化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。[0222]将有机多异氰酸酯化合物用作交联剂(f)时，作为聚合物成分(a)，优选使用含羟基聚合物。当交联剂(f)具有异氰酸酯基、且聚合物成分(a)具有羟基时，通过交联剂(f)与聚合物成分(a)的反应，能够简便地将交联结构引入膜状粘合剂中。[0223]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0224]使用交联剂(f)时，在粘合剂组合物中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.3～5质量份。通过使交联剂(f)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用交联剂(f)所带来的效果。通过使交联剂(f)的所述含量为所述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。[0225][能量射线固化性树脂(g)]通过使粘合剂组合物及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)，膜状粘合剂能够通过照射能量射线而改变其特性。[0226]能量射线固化性树脂(g)为由能量射线固化性化合物得到的树脂。作为所述能量射线固化性化合物，例如可列举出分子内至少具有一个聚合性双键的化合物，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。[0227]粘合剂组合物所含有的能量射线固化性树脂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0228]使用能量射线固化性树脂(g)时，在粘合剂组合物中，能量射线固化性树脂(g)的含量相对于粘合剂组合物的总质量的比例优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。[0229][光聚合引发剂(h)]当粘合剂组合物及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)时，为了效率良好地推进能量射线固化性树脂(g)的聚合反应，可以含有光聚合引发剂(h)。[0230]作为粘合剂组合物中的光聚合引发剂(h)，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。此外，作为光聚合引发剂(h)，例如还可列举出胺等光敏剂等。[0231]粘合剂组合物所含有的光聚合引发剂(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0232]使用光聚合引发剂(h)时，在粘合剂组合物中，相对于能量射线固化性树脂(g)的含量100质量份，光聚合引发剂(h)的含量优选为0.1～20质量份，更优选为1～10质量份，特别优选为2～5质量份。[0233][通用添加剂(i)]通用添加剂(i)可以为公知的添加剂，可根据目的任意选择，没有特别限定，但作为优选的添加剂，例如可列举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、着色剂(染料、颜料)、吸杂剂(getteringagent)等。[0234]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的通用添加剂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。粘合剂组合物及膜状粘合剂的含量没有特别限定，根据目的进行适当选择即可。[0235][溶剂]粘合剂组合物优选进一步含有溶剂。含有溶剂的粘合剂组合物的操作性变得良好。所述溶剂没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。粘合剂组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0236]从能够将粘合剂组合物中的所含成分更均匀地混合这一点出发，粘合剂组合物所含有的溶剂优选为甲基乙基酮等。[0237]粘合剂组合物的溶剂的含量没有特别限定，例如根据除溶剂以外的成分的种类进行适当选择即可。[0238]《《粘合剂组合物的制备方法》》粘合剂组合物可通过掺合用于构成粘合剂组合物的各成分而得到。例如，除了掺合成分的种类不同这一点以外，能够通过与上文中说明的粘着剂组合物相同的方法制备粘合剂组合物。[0239]○剥离膜剥离膜的构成材料优选为各种树脂，可列举出在所述基材中示例的树脂，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)。[0240]剥离膜的厚度可根据目的适当选择，可以为10μm以上且200μm以下，也可以为20μm以上且150μm以下，也可以为30μm以上且80μm以下。[0241]此处，“剥离膜的厚度”是指剥离膜整体的厚度，例如由多个层构成的剥离膜的厚度是指构成剥离膜的所有层的合计厚度。[0242]除了所述树脂等主要构成材料外，剥离膜还可以含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等各种公知的各种添加剂。[0243]剥离膜的与膜状粘合剂的接合面优选为利用剥离剂进行了处理的剥离处理面。所述剥离处理面可以含有剥离剂。作为剥离剂，例如可列举出醇酸类、硅酮类、氟类、不饱和聚酯类、聚烯烃类、蜡类等，优选含有硅酮的硅酮类剥离剂。[0244]为了使用上述剥离剂进行剥离处理，可列举出以下方法：将剥离剂直接以无溶剂的状态或者经过溶剂稀释或乳化后，利用凹版涂布机、迈耶棒涂布机、气刀涂布机、辊涂机等进行涂布，并将涂布有剥离剂的膜供于常温下或加热下，或者通过电子束而使其固化的方法或通过湿法层压、干法层压、热熔层压、熔融挤出层压、共挤出加工等形成层叠体的方法。[0245]◇卷体作为本发明的半导体装置制造用片的一个实施方案，提供一种在长条状的所述剥离膜上具备所述标签部及所述外周部，并以所述标签部及所述外周部作为内侧卷绕而成的卷体。“作为内侧”是指面向卷体的中心侧(芯部侧)。[0246]图4是示意性示出本发明的一个实施方案的卷体的剖面图，其示出了解开卷绕而将其一部分展开的状态。图4包括图2的b-b’剖面图。卷体110具备标签部30及外周部(未图示)，其在剥离膜15上层叠有2个单元以上的以包括基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14的标签部30为一个单元的单元p30，并且以单元p的层叠有基材11的一侧面向卷体的中心侧(芯部侧)的方式卷绕。卷绕的方向为长条状的剥离膜15的长度方向。卷体的卷绕数没有特别限定，但优选以在所述单元p上至少重叠部分半导体装置制造用片的方式卷绕超过一圈。[0247]所述半导体装置制造用片的一个单元可以为包括用于贴附一次或贴附于一个贴附对象的膜状粘合剂的部分。在图4中，每个单元p30中包含一个圆形的膜状粘合剂14，且以规定间隔连续配置2个单元以上的单元p30。在一个卷体中，各单元p30所包含的结构彼此可以加工成彼此相同的形状。优选的形状为以同心圆状层叠有圆形的支撑片1和直径小于支撑片1的圆形的中间层13及膜状粘合剂14。。[0248]由于膜状粘合剂14容易贴附于半导体晶圆等(贴附对象)，具有附着性，因此适宜通过形成膜状粘合剂14被剥离膜15和支撑片1夹持的结构而以卷状进行保存。卷体也适合制成半导体装置制造用片的流通形态。[0249]卷体例如可以通过将长条状的剥离膜、基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂按照对应的位置关系进行层叠而制造。[0250]◇半导体装置制造用片的制造方法所述半导体装置制造用片能够通过以使上述各个层成为对应位置关系的方式层叠上述各个层而制造。各个层的形成方法与在上文中说明的相同。[0251]例如，所述半导体装置制造用片可通过下述方式制造：分别预先准备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，并将它们以基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的顺序进行贴合并层叠。然而，这只是半导体装置制造用片的制造方法的一个例子。[0252]所述半导体装置制造用片例如还可通过下述方式制造：预先制作用于构成半导体装置制造用片的将多个层进行层叠而构成的2种以上的中间层叠体，将这些中间层叠体彼此贴合。中间层叠体的构成可适当地任意选择。例如，可预先制造具有基材及粘着剂层层叠而成的构成的第一中间层叠体(相当于所述支撑片)、以及具有中间层及膜状粘合剂层叠而成的构成的第二中间层叠体，将第一中间层叠体中的粘着剂层与第二中间层叠体中的中间层贴合，由此制造半导体装置制造用片。然而，这也只是半导体装置制造用片的制造方法的一个例子。[0253]作为所述半导体装置制造用片，例如在制造如图1所示的中间层的第一面的面积及膜状粘合剂的第一面的面积均比粘着剂层的第一面及基材的第一面的面积小的半导体装置制造用片时，可在上述的制造方法中的任意阶段追加将中间层及膜状粘合剂加工成目标尺寸的工序。例如，可在使用所述第二中间层叠体的制造方法中，通过追加进行将第二中间层叠体中的中间层及膜状粘合剂加工成目标尺寸的工序，制造半导体装置制造用片。[0254]作为所述半导体装置制造用片，例如当制造如图1所示的基材的第一面的面积和粘着剂层的第一面的面积均小于剥离膜的第一面的面积的半导体装置制造用片时，可以在上述制造方法中的任一阶段中追加进行将基材和粘着剂层加工成目标大小的工序。[0255]在制造处于在膜状粘合剂上具备剥离膜的状态的半导体装置制造用片时，例如可以在剥离膜上制作膜状粘合剂，并维持该状态，层叠剩余的层，从而制作半导体装置制造用片；也可以在将基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂全部层叠后，在膜状粘合剂上层叠剥离膜，从而制作半导体装置制造用片。剥离膜在使用半导体装置制造用片时之前在必要阶段去除即可。[0256]具备除基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及剥离膜以外的其他层的半导体装置制造用片，可通过在上述制造方法中，在适当的时机追加形成该其他层并进行层叠的工序而进行制造。[0257]半导体装置制造用片的各个层例如可以通过冲孔加工而加工成任意形状。例如，当将中间层13及膜状粘合剂14制成圆形时，可以使用对应形状的冲孔刀片进行冲孔成圆形的加工。[0258]本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法可以包括以下工序：将具备所述基材及所述粘着剂层的第一中间层叠体与具备所述中间层及所述膜状粘合剂的第二中间层叠体进行贴合的层叠工序；及对所述第二中间层叠体的部分所述膜状粘合剂及中间层进行冲孔加工后将其去除，形成所述标签部、所述沟槽及所述外周部的加工工序。[0259]层叠工序中所使用的第二中间层叠体可以为冲孔加工而成的层叠体(例如，下述第二中间层叠体加工物)。[0260]所述加工工序可以包括下述第一加工工序及第二加工工序。本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法可以包括以下工序：针对具备所述中间层及所述膜状粘合剂的第二中间层叠体的所述中间层及所述膜状粘合剂，在对应于构成半导体装置制造用片的所述标签部的所述中间层及所述膜状粘合剂的外周的位置上形成切口部c，并去除位于以该切口部c为起点的外侧的所述膜状粘合剂及中间层的至少一部分，获得第二中间层叠体加工物的第一加工工序；将具备所述基材及所述粘着剂层的第一中间层叠体与第二中间层叠体加工物进行贴合而获得层叠物的层叠工序；及针对所述层叠物的所述基材及所述粘着剂层，在对应于自半导体装置制造用片的所述标签部延续的所述基材及所述粘着剂层的外周的位置上形成切口部c’，并去除位于以该切口部c’为起点的外侧的所述基材及所述粘着剂层的至少一部分，获得半导体装置制造用片的第二加工工序。[0261]图3是示出本实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。另外，图3所示的半导体装置制造用片由图1所示的半导体装置制造用片上下翻转而成。[0262](第一加工工序)图3a所示的第二中间层叠体102具备膜状粘合剂14及中间层13，并具有依次层叠有剥离膜15、膜状粘合剂14、中间层13及剥离膜16的结构。针对第二中间层叠体102的剥离膜16、中间层13及膜状粘合剂14，进行自层叠有剥离膜16的一侧的面形成切口部c1、c2的第一冲孔。切口部c2对应于构成半导体装置制造用片101的标签部30的中间层13及膜状粘合剂14的外周。这里的冲孔位置的切口部c1、c2彼此以同心圆状而配置。冲孔时，可以切入至剥离膜15，也可以在剥离膜15上形成切口部c1、c2。接着，去除位于以切口部c2为起点的外侧的一部分(被切口部c1、c2夹着的圆环状的部分)，获得第二中间层叠体加工物103。这里的外侧是指在平行于膜状粘合剂的表面的方向上的被切口部c2围绕的区域的外侧的位置。在第二中间层叠体加工物103上形成有对应于所去除的被切口部c1、c2夹着的部分的第一沟槽35(图3b)。[0263](层叠工序)从上述得到的第二中间层叠体加工物103上去除剥离膜16，从而使中间层13的一个面露出。此外，从具备基材11和设置于基材11的一个面上的粘着剂层12的带剥离膜的第一中间层叠体上去除剥离膜(未图示)，使粘着剂层12的一个面露出。接着，进行将第一中间层叠体104的粘着剂层12的露出面与第二中间层叠体加工物103的中间层13的露出面贴合的层叠工序。第一中间层叠体104以覆盖第二中间层叠体加工物103的中间层13及膜状粘合剂14的方式而层叠。由此，获得具备剥离膜15、膜状粘合剂14、中间层13、粘着剂层12及基材11的层叠物105(图3c)。[0264](第二加工工序)针对由此获得的层叠物105的基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14，进行自层叠有基材11的一侧的面形成切口部c3、c4的第二冲孔。切口部c3对应于半导体装置制造用片101的外周部32的外周。切口部c4对应于位于半导体装置制造用片101的沟槽34内的基材11及粘着剂层12的外周。这里的冲孔位置的切口部c4以与切口部c1、c2为同心圆状而配置。冲孔时，可以切入至剥离膜15，也可以在剥离膜15上形成切口部c3、c4。接着，去除位于以切口部c4为起点的外侧的一部分(被切口部c3、c4夹着的部分)，由此获得半导体装置制造用片101(图3d)。这里的外侧是指在平行于膜状粘合剂的表面的方向上的被切口部c4围绕的区域的外侧的位置。[0265]此处，切口部c4位于比切口部c2更靠近标签部30中膜状粘合剂14径向外侧的位置，因此粘着剂层12的第一面与基材11的第一面的面积形成得比中间层13的第一面的面积及膜状粘合剂14的第一面的面积大。[0266]另外，此时切口部c3位于比切口部c1更靠近标签部30中膜状粘合剂14径向外侧的位置，因此不仅是基材11及粘着剂层12，外侧的中间层13及膜状粘合剂14部分也会在冲孔加工后被去除。然而，在本实施方案的半导体装置制造用片的制造方法中，比切口部c1更靠近外侧的部分的冲孔不是必须的。[0267]在半导体装置制造用片101上形成对应于被切口部c3、c4夹着的部分的第二沟槽36。第二沟槽36和第一沟槽35相加而成的部分相当于半导体装置制造用片101的沟槽34。被切口部c2围绕的膜状粘合剂14的径向内侧相当于标签部30。标签部30的膜状粘合剂14的径向上的切口部c3外侧相当于外周部32。[0268]另外，在图3所示的实施方案中，尽管包括第一加工工序和第二加工工序这两次冲孔加工，但是也可以通过一次冲孔加工(例如，在未冲孔加工的第二中间层叠体与第一中间层叠体的层叠物上形成切口部c1、c2)形成标签部30、沟槽34及外周部32。[0269]本实施方案的半导体装置制造用片的制造方法在所述第一加工工序之前可以进一步包括以下的第二中间层叠体制造工序：在第一剥离膜的剥离处理面上涂布粘合剂组合物，并使其干燥而形成膜状粘合剂，在剥离膜的剥离处理面上涂布中间层形成用组合物，并使其干燥而形成中间层，将所述膜状粘合剂的露出面与所述中间层的露出面贴合，由此获得带第一剥离膜的第二中间层叠体。[0270]本实施方案的半导体装置制造用片的制造方法在所述层叠工序之前可以进一步包括以下的第一中间层叠体制造工序：在剥离膜的剥离处理面上涂布粘着剂组合物，并使其干燥而形成粘着剂层，将所述粘着剂层的露出面与基材贴合，由此获得第一中间层叠体。[0271]本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法由于包括伴有所述冲孔加工的加工工序，可以简便地形成具备与标签部相同的层结构的外周部。因此，可以简便地制造能够有效抑制卷体中的卷绕痕迹的发生的半导体装置制造用片。[0272]◇半导体装置制造用片的使用方法(带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法)所述半导体装置制造用片可在半导体装置的制造过程中，在制造带膜状粘合剂的半导体芯片时使用。作为本发明的一个实施方案的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，提供一种具有如下工序的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法：在实施方案的半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂侧层叠半导体晶圆或半导体芯片而获得层叠体的工序；及将所述膜状粘合剂、或所述半导体晶圆及所述膜状粘合剂沿所述半导体芯片的外周进行切断，获得带膜状粘合剂的半导体芯片的工序。[0273]以下，参照附图对所述半导体装置制造用片的使用方法(带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法)进行详细说明。[0274]实施方案的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法包括：在半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂的露出面上贴附半导体晶圆的背面，从而获得依次层叠所述基材、所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及所述半导体晶圆而构成的层叠物的工序；在分割所述半导体晶圆的同时切断所述膜状粘合剂，从而获得带膜状粘合剂的半导体芯片的工序；及从所述基材、所述粘着剂层及所述中间层上拉离所述带膜状粘合剂的半导体芯片而对其进行拾取的工序。[0275]图5为用于示意性说明半导体装置制造用片的使用方法的一个例子的示出标签部部分的剖面图，其示出了将半导体装置制造用片贴附于半导体晶圆后进行使用的情况。该方法中，将半导体装置制造用片用作为切割固晶片。此处，以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行说明。[0276]首先，如图5a所示，一边加热处于去除了剥离膜15的状态的半导体装置制造用片101，一边将其中的膜状粘合剂14贴附于半导体晶圆9’的背面9b’。符号9a’表示半导体晶圆9’的电路形成面。[0277]贴附半导体装置制造用片101时的加热温度没有特别限定，但从进一步提高半导体装置制造用片101的加热贴附稳定性这一点出发，优选为40～70℃。[0278]半导体装置制造用片101中的中间层13的宽度w13的最大值及膜状粘合剂14的宽度w14的最大值均与半导体晶圆9’的宽度w9’的最大值完全相同，或者虽然不同但误差轻微至几乎等同。[0279]接着，自半导体晶圆9’的电路形成面9a’侧将刀片切入(进行刀片切割)上述得到的半导体装置制造用片101与半导体晶圆9’的层叠物，由此将半导体晶圆9’分割，同时将膜状粘合剂14切断。[0280]刀片切割能够利用公知的方法进行。例如，能够在将半导体装置制造用片101中的粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于环形框架等夹具(省略图示)上后，使用刀片，进行半导体晶圆9’的分割及膜状粘合剂14的切断。[0281]如图5b所示，通过本工序，可得到具备半导体芯片9与设置在其背面9b的切断后的膜状粘合剂140的多个带膜状粘合剂的半导体芯片914。这些带膜状粘合剂的半导体芯片914处于整齐排列并固定在层叠片10中的中间层13上的状态，并构成带膜状粘合剂的半导体芯片组910。半导体芯片9的背面9b对应于半导体晶圆9’的背面9b’。此外，图5中，附图标记9a表示半导体芯片9的电路形成面，其对应于半导体晶圆9’的电路形成面9a’。[0282]在进行刀片切割时，优选：将刀片切入至半导体晶圆9’的厚度方向的整个区域从而将其分割，同时自膜状粘合剂14的第一面14a将刀片切入至半导体装置制造用片101的中间层13的中途区域，由此将膜状粘合剂14在其厚度方向的整个区域切断，且不切入至粘着剂层12。即，在进行刀片切割时，优选：自半导体晶圆9’的电路形成面9a’将刀片沿半导体装置制造用片101与半导体晶圆9’的层叠物的层叠方向至少切入至中间层13的第一面13a，且不切入至中间层13的与第一面13a为相反侧的面(即，与粘着剂层12的接触面)。[0283]在本工序中，通过上述方式能够易于避免刀片到达至基材11，由此能够抑制来自基材11的切削屑的产生。并且，通过使被刀片切断的中间层13的主要成分为重均分子量为100000以下的非硅类树脂，尤其是通过使该重均分子量为100000以下，还能够抑制来自中间层13的切削屑的产生。[0284]刀片切割的条件根据目的进行适当调节即可，没有特别限定。通常，刀片的转速优选为15000～50000rpm，刀片的移动速度优选为5～75mm/秒。[0285]如图5c所示，在进行刀片切割后，将带膜状粘合剂的半导体芯片914从层叠片10中的中间层13上拉离从而对其进行拾取。此处，示出了使用真空吸嘴(vacuumcollet)等拉离工具7，将带膜状粘合剂的半导体芯片914沿箭头p方向拉离的情况。另外，此处未对拉离工具7进行剖面显示。带膜状粘合剂的半导体芯片914可利用公知的方法而拾取。[0286]当中间层13的第一面13a中的所述硅浓度的比例为1～20％时，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。当中间层13例如含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且中间层中的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％时，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。[0287]作为至此进行了说明的所述带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的优选实施方案，例如可列举出：一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，所述制造方法中，所述半导体装置制造用片具备所述基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述制造方法具有：一边对所述半导体装置制造用片进行加热，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体晶圆的背面的工序；通过将贴附有所述膜状粘合剂的所述半导体晶圆自其电路形成面侧切入其厚度方向的整个区域而进行分割，从而制作半导体芯片，并同时将所述半导体装置制造用片在其厚度方向上自其所述膜状粘合剂侧切入至所述中间层的中途区域，将所述膜状粘合剂切断且不切入至所述粘着剂层，由此得到多个带所述膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及将所述带膜状粘合剂的半导体芯片从所述中间层上拉离从而对其进行拾取的工序(在本说明书中有时称作“制造方法1”)。[0288]另一实施方案的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法包括：在半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂的露出面上贴附多个所述半导体芯片处于整齐排列的状态的半导体芯片组的背面，从而获得依次层叠所述基材、所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及所述半导体芯片组而构成的层叠物的工序；切断所述膜状粘合剂，获得带膜状粘合剂的半导体芯片的工序；及从所述基材、所述粘着剂层及所述中间层上拉离所述带膜状粘合剂的半导体芯片而对其进行拾取的工序。[0289]图6为用于示意性说明作为半导体装置制造用片的使用对象的半导体芯片的制造方法的一个例子的剖面图，其示出了对通过进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割来制造半导体芯片的情况。图7为用于示意性说明半导体装置制造用片的使用方法的另一个例子的剖面图，其示出了将半导体装置制造用片贴附于半导体芯片后进行使用的情况。该方法中，将半导体装置制造用片用作固晶片。此处，以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行说明。[0290]首先，在使用半导体装置制造用片101之前，如图6a所示，准备半导体晶圆9’，并在其电路形成面9a’上贴附背磨胶带(有时也称为表面保护胶带)8。在图6中，附图标记w9’表示半导体晶圆9’的宽度。[0291]接着，如图6b所示，通过以聚焦于设定在半导体晶圆9’内部的焦点的方式照射激光(省略图示)，在半导体晶圆9’的内部形成改质层90’。优选自半导体晶圆9’的背面9b’侧对半导体晶圆9’照射所述激光。[0292]此时的焦点的位置为半导体晶圆9’的预定分割(切割)的位置，该位置以可由半导体晶圆9’得到目标大小、形状及个数的半导体芯片的方式进行设定。[0293]接着，使用研磨机(省略图示)研磨半导体晶圆9’的背面9b’。由此，将半导体晶圆9’的厚度调节为目标值，同时通过利用此时施加于半导体晶圆9’的研磨时的力，在形成改质层90’的部位分割半导体晶圆9’，如图6c所示，制作多个半导体芯片9。[0294]与半导体晶圆9’的其他部位不同，半导体晶圆9’的改质层90’通过照射激光而改质，其强度变弱。因此，通过对形成有改质层90’的半导体晶圆9’施加力，改质层90’上施加有力，半导体晶圆9’在该改质层90’的部位开裂，可得到多个半导体芯片9。[0295]通过上述方式，可得到作为半导体装置制造用片101的使用对象的半导体芯片9。更具体而言，通过本工序，可得到多个半导体芯片9处于整齐排列并固定在背磨胶带8上的状态的半导体芯片组901。[0296]从半导体芯片组901的上方向下俯视半导体芯片组901时，连接半导体芯片组901的最外侧的部位而形成的平面形状(在本说明书中，有时将这种平面形状简称为“半导体芯片组的平面形状”)，与以相同方式俯视半导体晶圆9’时的半导体晶圆9’的平面形状完全相同，或者两者的平面形状之间的差异轻微至可以忽视，可以说半导体芯片组901的所述平面形状与半导体晶圆9’的所述平面形状大致相同。因此，如图6c所示，半导体芯片组901的所述平面形状的宽度可视为与半导体晶圆9’的宽度w9’相同。并且，半导体芯片组901的所述平面形状的宽度的最大值可视为与半导体晶圆9’的宽度w9’的最大值相同。[0297]另外，此处虽示出了能够符合目标由半导体晶圆9’制成了半导体芯片9的情况，但根据研磨半导体晶圆9’的背面9b’时的条件，半导体晶圆9’的一部分区域有时也不会被分割为半导体芯片9。[0298]接着，使用上述得到的半导体芯片9(半导体芯片组901)，制造带膜状粘合剂的半导体芯片。首先，如图7a所示，一边加热处于去除了剥离膜15的状态的一片半导体装置制造用片101，一边将其中的膜状粘合剂14贴附于半导体芯片组901中的所有半导体芯片9的背面9b。此时的膜状粘合剂14的贴附对象也可以为未完全分割的半导体晶圆。[0299]半导体装置制造用片101中的中间层13的宽度w13的最大值与膜状粘合剂14的宽度w14的最大值均与半导体晶圆9’的宽度w9’(换言之，半导体芯片组901的宽度)的最大值完全相同，或者虽然不同但误差轻微，几乎等同。[0300]对于此时的膜状粘合剂14(半导体装置制造用片101)向半导体芯片组901的贴附，除了使用半导体芯片组901代替半导体晶圆9’这一点以外，可利用与所述制造方法1中的膜状粘合剂14(半导体装置制造用片101)向半导体晶圆9’的贴附相同的方法进行。[0301]接着，从该处于固定状态的半导体芯片组901上去除背磨胶带8。然后，如图7b所示，边冷却半导体装置制造用片101边沿与其表面(例如，粘着剂层12的第一面12a)平行的方向对其进行拉伸，由此进行扩展。此处，用箭头e1表示半导体装置制造用片101的扩展的方向。通过以此方式进行扩展，可沿半导体芯片9的外周切断膜状粘合剂14。[0302]通过本工序，可得到具备半导体芯片9与设置在其背面9b的切断后的膜状粘合剂140的多个带膜状粘合剂的半导体芯片914。这些带膜状粘合剂的半导体芯片914处于整齐排列并固定在层叠片10中的中间层13上的状态，并构成带膜状粘合剂的半导体芯片组910。此处得到的带膜状粘合剂的半导体芯片914及带膜状粘合剂的半导体芯片组910均与上文中说明的制造方法1中得到的带膜状粘合剂的半导体芯片914及带膜状粘合剂的半导体芯片组910基本相同。[0303]在如上所述在分割半导体晶圆9’时半导体晶圆9’的一部分区域未被分割为半导体芯片9的情况下，通过进行本工序，可将该区域分割为半导体芯片。[0304]所述半导体装置制造用片可以为用于冷扩展的片，所述冷扩展通过将所述半导体装置制造用片在低于常温的温度下沿平行于所述半导体装置制造用片平面的方向扩展，从而切断所述膜状粘合剂。在本说明书中，“常温”是指不特别进行冷却或加热的温度，即平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等。优选将半导体装置制造用片101的温度设为-5以上且小于23℃而对其进行扩展，更优选将半导体装置制造用片101的温度设为-5～5℃而对其进行扩展。通过将半导体装置制造用片101以上述方式冷却并进行扩展(进行冷扩展)，可更易于以高精度切断膜状粘合剂14。[0305]半导体装置制造用片101的扩展能够利用公知的方法进行。例如，可将半导体装置制造用片101中的粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于环形框架等夹具(省略图示)后，自基材11侧将半导体装置制造用片101的层叠有中间层13及膜状粘合剂14的区域整体沿自基材11向粘着剂层12的方向上推，将半导体装置制造用片101扩展。[0306]图7b中，虽然粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的所述非层叠区域与中间层13的第一面13a几乎平行，但如上所述，在通过半导体装置制造用片101的上推而进行了扩展的状态下，所述非层叠区域包括倾斜面，所述倾斜面的高度沿与上述上推方向相反的方向随着靠近粘着剂层12的外周而逐渐降低。[0307]在本工序中，通过使半导体装置制造用片101具备中间层13(换言之，通过使切断前的膜状粘合剂14设置在中间层13上)，膜状粘合剂14能够在目标位置(换言之，沿半导体芯片9的外周)以良好的精度切断，可抑制切断不良。[0308]如图7c所示，在进行扩展后，将带膜状粘合剂的半导体芯片914从层叠片10中的中间层13上拉离从而对其进行拾取。此时的拾取能够利用与上文中说明的制造方法1中的拾取相同的方法实施，拾取适性也与制造方法1中的拾取适性相同。[0309]例如，本工序中，当中间层13的第一面13a中的所述硅浓度的比例为1～20％时，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。此外，当中间层13例如含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，中间层中的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％时，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。[0310]作为至此进行了说明的所述带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的优选实施方案，例如可列举出：一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，所述制造方法中，所述半导体装置制造用片具备所述基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述制造方法具有下述工序：通过以聚焦于设定在半导体晶圆内部的焦点的方式照射激光，在所述半导体晶圆的内部形成改质层的工序；通过对形成所述改质层后的所述半导体晶圆的背面进行研磨，同时利用施加于所述半导体晶圆的研磨时的力，在形成所述改质层的部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片处于整齐排列状态的半导体芯片组的工序；一边对所述半导体装置制造用片进行加热，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体芯片组中的所有半导体芯片的背面的工序；通过一边冷却贴附于所述半导体芯片组上的所述半导体装置制造用片，一边在低于常温的温度下沿与其表面平行的方向对其进行拉伸，沿所述半导体芯片的外周切断所述膜状粘合剂，得到多个带所述膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及将所述带膜状粘合剂的半导体芯片从所述中间层上拉离从而对其进行拾取的工序(在本说明书中，有时称作“制造方法2”)。[0311]至此，制造方法1及制造方法2中的任意一种制造方法均以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行了说明，但除此以外的本实施方案的半导体装置制造用片也可同样使用。此时，也可根据需要，基于该半导体装置制造用片与半导体装置制造用片101的构成的差异，适当追加其他工序，从而使用半导体装置制造用片。[0312]不仅限于制造方法1及制造方法2的情况，在得到所述带膜状粘合剂的半导体芯片组后，可在拾取所述带膜状粘合剂的半导体芯片前，将所述层叠片沿与所述粘着剂层的所述中间层侧的面(第一面)平行的方向进行扩展，维持该状态并进一步对所述层叠片中的未载置所述带膜状粘合剂的半导体芯片(带膜状粘合剂的半导体芯片组)的周缘部进行加热。由此能够使所述周缘部收缩，同时能够使所述层叠片中相邻的半导体芯片之间的距离、即切口宽度足够宽并以较高的均匀性保持该切口宽度。进而，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。实施例[0313]以下，利用具体的实施例对本发明进行更详细的说明。但本发明不受以下所示的实施例的任何限定。[0314]《《粘合剂组合物的制备原料》》以下示出用于制备粘合剂组合物的原料。[聚合物成分(a)](a)-1：将丙烯酸甲酯(95质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(5质量份)共聚而成的丙烯酸树脂(重均分子量为800000、玻璃化转变温度为9℃)。[环氧树脂(b1)](b1)-1：加成有丙烯酰基的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(nipponkayakuco.,ltd.制造的“cna147”，环氧当量为518g/eq，数均分子量为2100，不饱和基团含量与环氧基为等量)[热固化剂(b2)](b2)-1：芳烷基型酚醛树脂(mitsuichemicals,inc.制造的“milexxlc-4l”，数均分子量为1100，软化点为63℃)[填充材料(d)](d)-1：球形二氧化硅(admatech公司制造的“ya050c-mje”，平均粒径为50nm，甲基丙烯酰基硅烷处理品)[偶联剂(e)](e)-1：硅烷偶联剂、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(shin-etsuchemicalco.,ltd.制造的“kbe-402”)[交联剂(f)](f)-1：甲苯二异氰酸酯类交联剂(tosohcorporation制造“coronatel”)[抗静电剂(g)](g)-1：还原氧化石墨烯(angstrommaterial公司制造的“n002-pdr”)[0315][实施例1]《《半导体装置制造用片的制造》》《基材的制造》使用挤出机，使低密度聚乙烯(ldpe，sumitomochemicalco.,ltd.制造的“sumikathenel705”)熔融，利用t模法将熔融物挤出，并使用冷却辊对挤出物进行双轴拉伸，由此得到ldpe制的基材(厚度为110μm)。[0316]《粘着剂层的制作》制备含有作为粘着性树脂(i-1a)的丙烯酸树脂(toyochemco.,ltd.制造的“oribainbps6367x”)(100质量份)与交联剂(toyochemco.,ltd.制造的“bxx5640”)(1质量份)的非能量射线固化性的粘着剂组合物。[0317]接着，使用通过硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的粘着剂组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于100℃加热干燥2分钟，由此制作非能量射线固化性的粘着剂层(厚度为10μm)。[0318]《中间层的制作》在常温下，使乙烯乙酸乙烯酯共聚物(eva，重均分子量为30000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)(15g)溶解于85g四氢呋喃，向由此所得到的溶液中添加硅氧烷类化合物(聚二甲基硅氧烷、bykjapankk.制造的“byk-333”，1分子中的化学式“‑si(-ch3)2-o‑”所表示的结构单元的数量为45～230)(1.5g)并进行搅拌，由此制作中间层形成用组合物。[0319]使用通过硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的中间层形成用组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于70℃加热干燥5分钟，由此制作中间层(厚度为20μm)。[0320]《膜状粘合剂的制作》制备含有聚合物成分(a)-1(100质量份)、环氧树脂(b1)-1(10质量份)、热固化剂(b2)-1(1.5质量份)、填充材料(d)-1(75质量份)、偶联剂(e)-1(0.5质量份)、交联剂(f)-1(0.5质量份)及抗静电剂(g)-1(5.6质量份)的热固性的粘合剂组合物。[0321]接着，使用通过硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的粘合剂组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于80℃加热干燥2分钟，由此制作热固性的膜状粘合剂(厚度为7μm)。[0322]《半导体装置制造用片的制造》将上述得到的粘着剂层的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面与上述得到的基材的一个表面贴合，由此制作带剥离膜的第一中间层叠体(换言之，带剥离膜的支撑片)。将上述得到的膜状粘合剂的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面与上述得到的中间层的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面贴合，由此制作带剥离膜的第二中间层叠体(剥离膜、中间层、膜状粘合剂及剥离膜的层叠物)。[0323]然后，针对该带剥离膜的第二中间层叠体，使用圆环状的切断刀片自中间层侧的剥离膜至膜状粘合剂进行冲孔加工。冲孔位置的形状为自第二中间层叠体的中心部为圆环状(圆环的内径152.5mm，外径186.75mm)。接着去除冲孔而成的圆环状的部分(中间层、膜状粘合剂及剥离膜的层叠体)。所去除的圆环状的部分相当于半导体装置制造用片的沟槽的一部分。所去除的圆环状的部分的内侧相当于半导体装置制造用片的标签部。由此，制作在膜状粘合剂侧的剥离膜上使平面形状为圆形(直径305mm)的膜状粘合剂(厚度7μm)、中间层(厚度20μm)及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成的带剥离膜的第二中间层叠体加工物。[0324]接着，从上述得到的带剥离膜的第一中间层叠体(支撑片)中去除剥离膜，使粘着剂层的一个面露出。进一步，从上述得到的带剥离膜的第二中间层叠体加工物中去除圆形的剥离膜，使中间层的一个面露出。接着，将第一中间层叠体中的粘着剂层的新产生的露出面与第二中间层叠体加工物中的中间层的新产生的露出面贴合。针对由此得到的层叠物中的基材、粘着剂层(即支撑片)、中间层及膜状粘合剂，以它们(支撑片)的平面形状为圆形(直径为370mm)、且与圆形的膜状粘合剂及中间层呈同心圆的形状的方式，用圆环状(圆环的内径为370mm)的切断刀片自基材侧进行冲孔加工。去除冲孔而成的圆环状的部分(基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的层叠体)。所去除的圆环状的部分相当于半导体装置制造用片的沟槽的一部分。圆环状的部分的外侧相当于半导体装置制造用片的外周部。由此，获得在剥离膜上使基材(厚度110μm)、粘着剂层(厚度10μm)、中间层(厚度20μm)及膜状粘合剂(厚度7μm)沿它们的厚度方向依次层叠而构成的具有标签部及外周部的半导体装置制造用片。[0325]《《半导体装置制造用片的评价》》《中间层的膜状粘合剂侧的面的硅浓度的比例的计算》在上述半导体装置制造用片的制造过程中，针对与粘着剂层进行贴合前的阶段的中间层的露出面，利用xps进行分析，测定碳(c)、氧(o)、氮(n)及硅(si)的浓度(atomic％)，并根据该测定值求出硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例(％)。xps分析使用x射线光电子能谱分析装置(ulvac,inc.制造的“quantrasxm”)，并以照射角度为45°、x射线光束直径为输出为4.5w的条件实施。将结果与其他元素的浓度的比例(％)一同示于表1中的“中间层的元素浓度的比例(％)”一栏。[0326]《进行刀片切割时抑制产生切削屑的效果的评价》[带膜状粘合剂的硅芯片组的制造]将上述得到的半导体装置制造用片中的剥离膜去除。使用以干式抛光加工对背面进行了研磨的硅晶圆(直径为300mm且厚度为75μm)，使用胶带贴合机(linteccorporation制造的“adwillrad2500”)，将上述半导体装置制造用片边加热至60℃，边通过其膜状粘合剂贴附于上述硅晶圆的背面(研磨面)。由此，得到基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及硅晶圆沿它们的厚度方向依次层叠而构成的层叠物(所述层叠片、膜状粘合剂、硅晶圆沿它们的厚度方向依次层叠而构成的层叠物)。[0327]接着，将所述层叠物中的粘着剂层的第一面中未设置中间层的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于晶圆切割用环形框架。接着，使用切割装置(discocorporation制造的“dfd6361”)进行切割，由此将硅晶圆分割，同时也将膜状粘合剂切断，得到大小为8mm×8mm的硅芯片。此时的切割通过下述方式进行：将刀片的转速设为30000rpm、并将刀片的移动速度设为30mm/秒，针对半导体装置制造用片，自硅晶圆的膜状粘合剂的贴附面将刀片切入至中间层的中途区域(即，膜状粘合剂的厚度方向的整个区域与中间层的自其膜状粘合剂侧的面至中途的区域)。作为刀片，使用discocorporation制造的“z05-sd2000-d1-90cc”。由此，得到具备硅芯片与设置在其背面的切断后的膜状粘合剂的多个带膜状粘合剂的硅芯片处于通过其中的膜状粘合剂而整齐排列并固定在所述层叠片中的中间层上的状态的带膜状粘合剂的硅芯片组。[0328][抑制切削屑产生的效果的评价]使用数字显微镜(keyencecorporation制造的“vh-z100”)，自上述得到的带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧上方对其进行观察，确认是否产生切削屑。并且，将完全没有产生切削屑的情况判定为“a”，将即使为少量但产生了切削屑的情况判定为“b”。将结果示于表1。[0329]《进行扩展时的膜状粘合剂的切断性的评价》[带膜状粘合剂的硅芯片组的制造]使用平面形状为圆形且该圆形的直径为300mm且厚度为775μm的硅晶圆，在硅晶圆的一个面上贴附背磨胶带(linteccorporation制造的“adwille-3100tn”)。接着，使用激光照射装置(discocorporation制造的“dfl73161”)，以聚焦于设定在该硅晶圆内部的焦点的方式照射激光，由此在硅晶圆的内部形成改质层。此时，所述焦点以可由该硅晶圆得到多个大小为8mm×8mm的硅芯片的方式进行设定。此外，自硅晶圆的另一个面(未贴附背磨胶带的面)侧对硅晶圆照射激光。接着，使用研磨机研磨硅晶圆的所述另一个面，由此将硅晶圆的厚度制成30μm，同时通过利用此时施加于硅晶圆的研磨时的力，在形成改质层的部位分割硅晶圆，形成多个硅芯片。由此，得到多个硅芯片处于整齐排列并固定在背磨胶带上的状态的硅芯片组。[0330]接着，使用胶带贴合机(linteccorporation制造的“adwillrad2500”)，一边将上述得到的一片半导体装置制造用片加热至60℃，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所有的所述硅芯片(硅芯片组)的所述另一个面(换言之研磨面)。接着，将该贴附于硅芯片组的半导体装置制造用片中的粘着剂层的第一面中未设置中间层的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于晶圆切割用环形框架。[0331]接着，从该处于固定状态的硅芯片组上去除背磨胶带。然后，使用全自动芯片分割机(discocorporation制造的“dds2300”)，在0℃的环境下，一边冷却半导体装置制造用片一边沿与其表面平行的方向对其进行扩展，由此将膜状粘合剂沿硅芯片的外周切断。此时，固定半导体装置制造用片的周缘部，自半导体装置制造用片的基材侧将半导体装置制造用片的层叠有中间层及膜状粘合剂的区域整体仅上推15mm的高度，由此进行扩展。由此，得到多个具备硅芯片与设置在所述硅芯片的另一个面(研磨面)的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的硅芯片处于整齐排列并固定在中间层上的状态的带膜状粘合剂的硅芯片组。[0332]接着，暂时解除上述半导体装置制造用片的扩展后，在常温下，将通过层叠基材、粘着剂层及中间层而构成的层叠物(即，所述层叠片)沿与粘着剂层的第一面平行的方向进行扩展。进一步，维持该经扩展的状态，对所述层叠片中未载置带膜状粘合剂的硅芯片的周缘部进行加热。由此，使所述周缘部收缩，同时使所述层叠片中相邻的硅芯片之间的切口宽度保持为一定值以上。[0333][膜状粘合剂的切断性的评价]在制造上述带膜状粘合剂的硅芯片组时，使用数字显微镜(keyencecorporation制造的“vh-z100”)，自上述得到的带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对其进行观察。然后，确认在假设膜状粘合剂通过半导体装置制造用片的扩展而被正常切断时，应当形成的沿一个方向延伸的多条膜状粘合剂的切断线、及沿与该方向正交的方向延伸的多条膜状粘合剂的切断线中，实际上未形成的切断线及形成不完整的切断线的条数，并按照下述评价基准，评价膜状粘合剂的切断性。将结果示于表1。(评价基准)a：实际上未形成的膜状粘合剂的切断线、及形成不完整的膜状粘合剂的切断线的合计条数为5条以下。b：实际上未形成的膜状粘合剂的切断线、及形成不完整的膜状粘合剂的切断线的合计条数为6条以上。[0334]《抑制膜状粘合剂飞散的评价》在评价上述膜状粘合剂的切断性时，自带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对带膜状粘合剂的硅芯片组进行肉眼观察。并且，确认扩展后在硅芯片的电路形成面上是否附着有飞散的切断后的膜状粘合剂，并按照下述评价基准对膜状粘合剂的飞散抑制性进行评价。将结果示于表1。(评价基准)a：观察到膜状粘合剂附着在电路形成面上的硅芯片个数为0个。b：观察到膜状粘合剂附着在电路形成面上的硅芯片个数为1个以上。[0335]《中间层的裂纹的评价》在评价上述膜状粘合剂的切断性时，使用数字显微镜(keyencecorporation制造的“vh-z100”)，自带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对带膜状粘合剂的硅芯片组进行观察。并且，确认扩展后中间层有无裂纹的产生，并按照下述评价基准对中间层的裂纹进行评价。将结果示于表1。(评价基准)a：观察到中间层的裂纹的带膜状粘合剂的硅芯片个数为0个。b：观察到中间层的裂纹的带膜状粘合剂的硅芯片个数为1个以上。[0336]《扩展后的带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性的评价》在进行上述膜状粘合剂的切断性的评价之后，接着使用带膜状粘合剂的硅芯片组与固晶装置(fasfordtechnologyco.,ltd.制造的“pu100”)，在上推高度为250μm、上推速度为5mm/s、上推时间为500ms的条件下，从所述层叠片中的中间层上拾取带膜状粘合剂的硅芯片。并且，将能够正常拾取所有带膜状粘合剂的硅芯片的情况评价为“a”，将无法正常拾取1个以上的带膜状粘合剂的硅芯片的情况评价为“b”。将结果示于表1。[0337]《中间层与膜状粘合剂之间的t型剥离强度的测定》将上述得到的半导体装置制造用片上的剥离膜去除。将由此产生的半导体装置制造用片中的膜状粘合剂的露出面的整个面贴合于具有聚对苯二甲酸乙二醇酯层的粘着胶带(linteccorporation制造的“pet50(a)plシン8lk”)的粘着面，将由此得到的层叠物裁切成50mm×100mm的大小，由此制作试验片。对于该试验片，按照jisk6854-3，将基材、粘着剂层及中间层的层叠物(即所述层叠片)、与膜状粘合剂及粘着胶带的层叠物拉离，使试验片以t字状剥离，将此时所测定的剥离力(mn/50mm)的最大值作为t型剥离强度。此时，以剥离速度为50mm/分钟、23℃、湿度50％rh的条件进行测定。将结果示于表1。[0338]《《卷体的制造》》在长条状的剥离膜(长度100m)上，以规定的位置(标签部的圆形的膜状粘合剂的中心之间的距离为378mm)成一列连续配置上述制造的半导体装置制造用片中的由基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的层叠体构成的标签部及外周部，并以使半导体装置制造用片的层叠有基材的一侧朝向芯侧的方式卷绕成卷，由此制造卷体。卷绕的方向为长条状的剥离膜的长度方向。[0339][半导体装置制造用片的卷体的卷绕痕迹产生的评价]针对上述制造的卷体中自芯部开始计数至第2～5片的半导体装置制造用片，按照下述评价基准通过肉眼确认是否在膜状粘合剂的表面产生了标签部的圆形的卷绕痕迹(由标签部的圆形膜状粘合剂及中间层的段差带来的形状痕迹)。将结果示于表1。(评价基准)a：未确认到卷绕痕迹。b：确认到卷绕痕迹。[0340][实施例2]除了减少中间层形成用组合物的涂布量从而将中间层的厚度制成3μm以代替20μm这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0341][实施例3]除了增大中间层形成用组合物的涂布量从而将中间层的厚度制成100μm以代替20μm这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0342][实施例4]除了在制备中间层形成用组合物时，不添加所述硅氧烷类化合物，并将所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的用量设为16.5g以代替15g(换言之，用相同质量的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物代替所述硅氧烷类化合物，从而仅使所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物溶解于四氢呋喃)以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。表1中的添加剂一栏中的“‑”的记载是指未使用该添加剂。[0343][实施例5]除了在对第二中间层叠体进行冲孔加工时，将冲孔位置的形状变更为自第二中间层叠体的中心部为圆环状(圆环的内径为162.5mm，外径为186.75mm)，并将所制造的膜状粘合剂及中间层的平面形状的直径由305mm变更为315mm这几点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0344][参考例1]除了在对第二中间层叠体进行冲孔加工后不仅去除圆环状的沟槽部分还去除位于该沟槽外侧的外周部而未形成外周部这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0345][比较例1]除了在制备中间层形成用组合物时，使用相同质量的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(eva，重均分子量为200000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)代替所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物这一点、及增大中间层形成用组合物的涂布量从而将中间层的厚度制成80μm以代替20μm这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0346][比较例2]除了在制备中间层形成用组合物时，使用相同质量的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(eva，重均分子量为200000、衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)代替所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0347][比较例3]除了未设置中间层以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。表1中的添加剂这一栏中记载的“‑”表示未设置中间层。[0348][0349]根据上述结果可知，在标签部的外侧设置了外周部的实施例1～5的半导体装置制造用片的卷体中抑制了卷绕痕迹的产生。[0350]进一步，实施例1～5的半导体装置制造用片在进行刀片切割时抑制了切削屑的产生，在进行扩展时抑制了膜状粘合剂的切断不良，半导体晶圆的分割适性优异。在实施例1～5的半导体装置制造用片中，半导体装置制造用片中的中间层中作为主要成分而含有的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的重均分子量为30000。另外，认为比较例2中进行扩展时的膜状粘合剂的切断性较差的原因在于，上述重均分子量大且剥离强度大(认为若剥离强度大则膜状粘合剂会追随中间层)。在这一点上，实施例1～2、实施例4～5及参考例1的剥离力则较高，推测由于上述重均分子量低因而切断性良好。[0351]相对于此，在所述重均分子量为200000的比较例1～2中，在进行刀片切割时未能抑制切削屑的产生，半导体晶圆的分割适性差。比较例3中未设置中间层，认为刀片到达至基材从而产生来自基材的切削屑。[0352]在实施例1～4的半导体装置用片中，标签部的膜状粘合剂的直径与半导体晶圆的直径之差为10mm以下(5mm)，膜状粘合剂的飞散抑制性效果良好。在实施例5中，标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值之差大于10mm(15mm)，在实施例5中，膜状粘合剂的飞散抑制性差。[0353]在中间层的厚度为15μm以上且80μm以下的实施例1及实施例3～5的半导体装置用片中抑制了中间层的裂纹的产生。[0354]实施例1、2及5的半导体装置用片的扩展后的带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性优异。[0355]在半导体装置制造用片中的中间层含有所述硅氧烷类化合物的半导体装置用片中，对于实施例1～2、5的半导体装置用片而言，中间层的基于x射线光电子能谱法的所述硅的浓度比例为1～20％，t型剥离强度为100mn/50mm以下，适度地较低，拾取性优异。在实施例1～2、4～5中，这些评价结果与上述带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性的评价结果一致。[0356]对于实施例3的半导体制造用片而言，认为虽然所述t型剥离强度为60mn/50mm以下，适度地较低，但中间层的厚度厚至100μm，因此在实施例的拾取性评价条件下具有一定厚度的中间层减缓上推力，结果导致拾取性差。[0357]另外，作为实施例3的半导体装置制造用片的所述t型剥离强度小于实施例1的半导体装置制造用片的所述t型剥离强度的原因，推测如下。硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例(质量％)在实施例1和实施例3的半导体装置制造用片中虽然是相同的。但与中间层的厚度变厚相对应地，实施例3的中间层的硅氧烷类化合物的含量(质量份)多于实施例1的中间层的硅氧烷类化合物的含量(质量份)。并且硅氧烷类化合物在中间层中容易不均匀地存在于中间层的两个面及其附近区域。因此，认为不均匀地存在于中间层的两个面及其附近区域的硅氧烷类化合物的量也同样是实施例3比实施例1多。[0358]另外，在所有分析中，对中间层的露出面进行xps分析时都未检测出氮。[0359]另外，比较例1～2的半导体装置制造用片的差异仅在于中间层的厚度，比较例1～2中的中间层与膜状粘合剂之间的t型剥离强度的关系显示出与实施例1～2相同的倾向。[0360]各实施方案中的各构成及其组合等仅为一个例子，可在不脱离本发明主旨的范围内，对构成进行添加、省略、替换及其他变更。此外，本发明不受各实施方案的限定，仅限定于权利要求(claim)的范围。工业实用性[0361]本发明可用于半导体装置的制造。附图标记说明[0362]101：半导体装置制造用片；1：支撑片；10：层叠片；11：基材；12：粘着剂层；13：中间层；13a：中间层的第一面；14：膜状粘合剂；15：剥离膜；16：剥离膜；30：标签部；32：外周部；34：沟槽；35：第一沟槽；36：第二沟槽；h30：标签部的半导体装置制造用片的厚度；h32：外周部的半导体装置制造用片的厚度；w13：中间层的宽度；w14：膜状粘合剂的宽度；w34：沟槽的宽度；102：第二中间层叠体；103：第二中间层叠体加工物；104：第一中间层叠体；105：层叠物；c1、c2、c3、c4：切口部；110：卷体；p30：单元；8：背磨胶带；9’：半导体晶圆；90’：改质层；9a’：半导体晶圆的电路形成面；9b’：半导体晶圆的背面；901：半导体芯片组；9：半导体芯片；9a：半导体芯片的电路形成面；9b：半导体芯片的背面；140：切断后的膜状粘合剂；910：带膜状粘合剂的半导体芯片组；914：带膜状粘合剂的半导体芯片；e1：扩展的方向。当前第1页12当前第1页12
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：：2.在制造半导体装置时，会使用具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的一个例子，例如可列举出如下方法。3.首先，在半导体晶圆的背面贴附切割固晶片(dicingdiebondingsheet)。作为切割固晶片，例如可列举出具备支撑片和设置在所述支撑片的面上的膜状粘合剂的切割固晶片。支撑片可用作切割片。作为支撑片，存在多种结构不同的支撑片，例如具备基材和设置在所述基材的面上的粘着剂层的支撑片；仅由基材构成的支撑片等。对于具备粘着剂层的支撑片，其粘着剂层侧的最外侧表面为设置膜状粘合剂的面。切割固晶片通过其中的膜状粘合剂贴附于半导体晶圆的背面。4.接着，通过刀片切割，将支撑片上的半导体晶圆与膜状粘合剂一同切断。半导体晶圆的“切断”也被称为“分割”，由此半导体晶圆被单颗化(singulation)为目标的半导体芯片。膜状粘合剂沿着半导体芯片的外周被切断。由此，可得到具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片，且同时可得到多个这些带膜状粘合剂的半导体芯片以整齐排列的状态保持在支撑片上的带膜状粘合剂的半导体芯片组。5.然后，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上拉离从而对其进行拾取。当使用具备固化性的粘着剂层的支撑片时，此时通过预先使粘着剂层固化而降低粘着性，可更加易于拾取。由此，能够得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。6.作为带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的另一个例子，例如可列举出如下方法。首先，在半导体晶圆的电路形成面上贴附背磨胶带(有时也称作“表面保护胶带”)。然后，在半导体晶圆的内部，设定预定分割的部位，以该部位所包含的区域为焦点，并以激光聚集在该焦点的方式照射激光，由此在半导体晶圆的内部形成改质层。然后，使用研磨机(grinder)，对半导体晶圆的背面进行研磨，从而将半导体晶圆的厚度调节至目标值。通过利用此时施加于半导体晶圆的研磨时的力，在形成改质层的部位分割半导体晶圆(单颗化)，制作多个半导体芯片。这种伴有改质层的形成的半导体晶圆的分割方法被称作隐形切割(stealthdicing)(注册商标)，其与通过对半导体晶圆照射激光从而一边切削照射部位的半导体晶圆一边自半导体晶圆的表面切断半导体晶圆的激光切割在本质上完全不同。7.然后，在固定于背磨胶带上的所有的半导体芯片的进行了上述研磨的背面(换而言之研磨面)上贴附一片固晶片。作为固晶片，可列举出与上述切割固晶片相同的片材。如上所述，固晶片有时可以设计成与切割固晶片具有相同的结构，只是不会在切割半导体晶片时使用。固晶片也可以通过固晶片中的膜状粘合剂贴附在半导体芯片的背面。8.接着，从半导体芯片上去除背磨胶带后，将固晶片一边冷却一边沿平行于其表面(例如膜状粘合剂对半导体芯片的贴附面)的方向拉伸，进行所谓的扩展(冷扩展)，由此沿着半导体芯片的外周切断膜状粘合剂。由此，可得到具备半导体芯片和设置在半导体芯片背面的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片。9.接着，以与上述采用刀片切割的情况相同的方式，将带膜状粘合剂的半导体芯片从支撑片上拉离从而对其进行拾取，由此可得到用于制造半导体装置的带膜状粘合剂的半导体芯片。10.切割固晶片以及固晶片均可用于制造带膜状粘合剂的半导体芯片，且最终可制造目标的半导体装置。在本说明书中，将切割固晶片及固晶片统称为“半导体装置制造用片”。11.作为半导体装置制造用片，例如公开了一种具有基材层(相当于所述支撑片)与粘合剂层(相当于所述膜状粘合剂)以直接接触的方式层叠而成的构成的切割固晶胶带(相当于所述切割固晶片)(参照专利文献1)。对于该切割固晶胶带，由于基材层及粘合剂层在-15℃下的90度剥离力被调节至特定范围，因此能够通过扩展以良好的精度将粘合剂层分断。并且，由于基材层及粘合剂层在23℃下的90度剥离力被调节至特定范围，因此在使用该切割固晶胶带时，能够毫无困难地拾取带粘合剂层的半导体芯片(相当于所述带膜状粘合剂的半导体芯片)，且能够在直至拾取为止的过程中，抑制半导体晶圆及半导体芯片从粘合剂层上剥离。12.此外，固晶片等有时会以连续贴合在长条的剥离膜上并卷绕成卷状的方式而提供。现有技术文献专利文献13.专利文献1：日本特开2018-56289号公报。技术实现要素：本发明要解决的技术问题14.然而，专利文献1中公开的切割固晶胶带虽然适合应用于stealthdicing(注册商标)，但是其并不适合应用于刀片切割。若使用该切割固晶胶带进行刀片切割，则容易产生来自基材层的须状切削屑(在该领域有时也称作“似须物(whisker)”等)，分割半导体晶圆时的分割适性差。15.此外，所述粘着粘合剂层(相当于所述膜状粘合剂)有时会按照作为使用对象的半导体晶圆等的形状预先经过冲孔加工。此外，基材层(相当于中间层)也可同样地经过冲孔加工。冲孔加工后的多余部分(未贴附于半导体晶圆等的周缘部)被去除，因此，这些冲孔加工而成的部分比周围部分层叠得更高。然而，此时存在以下问题：由这种各层叠部分的层厚差异带来的段差容易导致在半导体装置制造用片以卷绕成卷状的方式而提供时各个段差的位置错开并重叠，进而产生卷绕痕迹(有时称为“卷痕”)。16.本发明的目的在于提供一种半导体晶圆的分割适性优异并能够抑制卷绕痕迹的产生的半导体装置制造用片。解决技术问题的技术手段17.(1)一种半导体装置制造用片，其具备包括贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的部分的标签部和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部，所述标签部及所述外周部具备基材、粘着剂层、中间层和膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及剥离膜而构成，在所述标签部与所述外周部之间设置有未层叠所述中间层及所述膜状粘合剂的沟槽，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。(2)根据上述(1)所述的半导体装置制造用片，其中，所述标签部的所述半导体装置制造用片的厚度的最大值与所述外周部的所述半导体装置制造用片的厚度的最大值之差为3μm以下。(3)根据上述(1)或(2)所述的半导体装置制造用片，其中，所述标签部的膜状粘合剂在平行于对所述半导体晶圆或半导体芯片的贴附面的方向上的宽度的最大值为150～160mm、200～210mm或300～310mm。(4)根据上述(1)～(3)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述标签部的中间层的厚度为15μm以上80μm以下。(5)根据上述(1)～(4)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，在所述中间层中，所述非硅类树脂的含量相对于所述中间层的总质量的比例为50质量％以上。(6)根据上述(1)～(5)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，通过x射线光电子能谱法对所述中间层的所述膜状粘合剂侧的面进行分析时，硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例为1～20％。(7)根据上述(1)～(6)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述非硅类树脂含有乙烯乙酸乙烯酯共聚物。(8)根据上述(1)～(7)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述中间层含有作为非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物和硅氧烷类化合物，在所述中间层中，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，在所述中间层中，所述硅氧烷类化合物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为0.01～10质量％。(9)根据上述(1)～(8)中任一项所述的半导体装置制造用片，其使用于通过将所述半导体装置制造用片在低于常温的温度下沿平行于所述半导体装置制造用片平面的方向进行扩展从而切断所述膜状粘合剂的冷扩展。(10)根据上述(1)～(9)中任一项所述的半导体装置制造用片，其中，所述半导体装置制造用片为在长条状的所述剥离膜上具备所述标签部及所述外周部，并以所述标签部及所述外周部作为内侧卷绕而成的卷体。(11)根据上述(1)～(10)中任一项所述的半导体装置制造用片的制造方法，其包括：将具备所述基材及所述粘着剂层的第一中间层叠体和具备所述中间层及所述膜状粘合剂的第二中间层叠体进行贴合的层叠工序；及对所述第二中间层叠体的部分所述膜状粘合剂进行冲孔加工后将其去除，形成所述标签部、所述沟槽及所述外周部的加工工序。(12)一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其具有：在上述(1)～(10)中任一项所述的半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂的一侧层叠半导体晶圆或半导体芯片，从而得到层叠体的工序；及将所述膜状粘合剂或所述半导体晶圆与所述膜状粘合剂沿所述半导体芯片的外周进行切断，得到带膜状粘合剂的半导体芯片的工序。发明效果18.根据本方案，可提供一种半导体晶圆的分割适性优异并能够抑制卷绕痕迹的产生的半导体装置制造用片。附图说明19.图1是示意性示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的剖面图。图2是本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的俯视图。图3a是示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。图3b是示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。图3c是示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。图3d是示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。图4是示意性示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的卷体的剖面图。图5a是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个例子的剖面图。图5b是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个例子的剖面图。图5c是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的一个例子的剖面图。图6a是用于示意性说明半导体芯片的制造方法的一个例子的剖面图。图6b是用于示意性说明半导体芯片的制造方法的一个例子的剖面图。图6c是用于示意性说明半导体芯片的制造方法的一个例子的剖面图。图7a是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个例子的剖面图。图7b是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个例子的剖面图。图7c是用于示意性说明本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的使用方法的另一个例子的剖面图。具体实施方式20.◇半导体装置制造用片本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片具备包括贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的部分的标签部和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部，所述标签部及所述外周部具备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述半导体装置制造用片通过在所述基材上依次层叠所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及剥离膜而构成，在所述标签部与所述外周部之间设置有未层叠所述中间层及所述膜状粘合剂的沟槽，所述中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。21.由于本实施方案的半导体装置制造用片具备所述外周部，即便在半导体装置制造用片被卷绕成卷状并作为卷体而提供时，也能够抑制卷绕痕迹的产生。22.在以往的半导体装置制造用片中，尽管在比标签部更靠近外侧的位置具有结构，但该结构是仅由基材及粘着剂层构成的结构。而由于本实施方案的半导体装置制造用片中具备具有与标签部相同的层结构的外周部，即便在冲孔加工而成的标签部比周围部分(沟槽)层叠得更高的情况下，由标签部与沟槽的总厚度的差异带来的段差也难以影响到卷绕而重叠的部分，可抑制卷绕痕迹的产生。卷绕痕迹可以通过解开卷体的卷绕并以肉眼观察膜状粘合剂等中所述段差的重叠部分而进行确认。卷绕痕迹的确认优选在容易产生卷绕痕迹的卷体的芯部附近进行。23.关于上述外周部的位置，“比所述标签部更靠近外侧”是指在平行于所述标签部的膜状粘合剂表面的方向上的位置。关于上述沟槽的位置，“所述标签部与所述外周部之间”是指在平行于所述标签部的膜状粘合剂表面的方向上的位置。24.由于所述半导体装置制造用片具备所述中间层，在将本实施方案的半导体装置制造用片用作切割固晶片并进行刀片切割时，能够易于避免刀片到达至基材，能够抑制来自基材的须状切削屑(别名：似须物(whisker)，以下，不仅限于来自基材的切削屑，将其简称为“切削屑”)的产生。并且，通过使被刀片切断的所述中间层的主要成分为重均分子量为100000以下的非硅类树脂，尤其是通过使该重均分子量为100000以下，还能够抑制来自中间层的所述切削屑的产生。25.由于本实施方案的半导体装置制造用片具备所述中间层，在将本实施方案的半导体装置制造用片用作固晶片并进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割(stealthdicing(注册商标))时，能够通过继续将半导体装置制造用片沿与其表面(例如，膜状粘合剂的贴附于半导体芯片的贴附面)平行的方向进行拉伸，即进行所谓的扩展，在目标位置以良好的精度切断膜状粘合剂，并抑制切断不良。认为这是由于通过具备中间层能够将扩展的应力高效利用到芯片间距扩张中。26.如此，本实施方案的半导体装置制造用片在进行刀片切割时能够抑制来自基材及中间层的切削屑的产生，且在进行所述扩展时能够抑制膜状粘合剂的切断不良，具有抑制在分割半导体晶圆时发生不良情况的特性，半导体晶圆的分割适性优异。27.在本说明书中，只要没有特别说明，则“重均分子量”是指通过凝胶渗透色谱(gpc)法测定的聚苯乙烯换算值。28.在后文中会对本实施方案的半导体装置制造用片的使用方法进行详细说明。29.以下，参照附图，对本实施方案的半导体装置制造用片详细地进行说明。另外，为了易于理解实施方案的特征，出于方便，有时会将以下说明中使用的图中的重要部分放大显示，各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。30.图1为示意性示出本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的剖面图，图2为图1所示的半导体装置制造用片的俯视图。图1是图2的a-a’剖面图。另外，在图2之后的图中，对于与已进行了说明的图中所示的构成要素相同的构成要素，标记与该已进行了说明的图相同的附图标记，并省略其详细说明。31.此处所示的半导体装置制造用片101具备包括贴附于半导体晶圆或半导体芯片上的部分的标签部30和设置于比所述标签部更靠近外侧的至少一部分上的外周部32。32.标签部30及外周部32具备基材11、粘着剂层12、中间层13、膜状粘合剂14。基材11上依次层叠有粘着剂层12、中间层13、所述膜状粘合剂14及剥离膜15。即，标签部30及外周部32的区域是在半导体装置制造用片101中基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14沿厚度方向层叠而成的部分。33.关于标签部30及外周部32，共通的各层的厚度及组成等构成可以彼此相同，也可以彼此不同。从降低由标签部30与沟槽34的总厚度的差异带来的段差的影响而有效抑制卷绕痕迹的产生的角度出发，标签部30及外周部32中的基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14的厚度及组成优选彼此相同。34.标签部30优选具有当贴附有半导体晶圆或半导体芯片时半导体晶圆或半导体芯片不会从标签部伸出的形状及尺寸。优选贴附于标签部的半导体晶圆或半导体芯片的俯视形状的外周位置均位于比标签部的膜状粘合剂的俯视形状的外周位置更靠近内侧的位置。关于该尺寸，以下记载构成标签部的中间层及膜状粘合剂的宽度的优选值。35.在标签部30与外周部32之间设置有未层叠中间层13及膜状粘合剂14的沟槽34。然而，剥离膜15横跨标签部30、外周部32及沟槽34部分而层叠，起到连接标签部30与外周部32的作用。由于沟槽34上未层叠中间层13及膜状粘合剂14，沟槽34部分的半导体装置制造用片101的总厚度比标签部30及外周部32部分的半导体装置制造用片101的总厚度薄。由于在标签部30的周围形成有沟槽34，使得包括对标签部贴附半导体晶圆或半导体芯片在内的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造变得容易。36.如上所述，从利用外周部32降低由标签部30与沟槽34的总厚度的差异带来的段差的影响而有效抑制卷绕痕迹的产生的角度出发，优选使标签部的厚度与外周部的厚度之差小。标签部30的半导体装置制造用片101的厚度h30的最大值与外周部32的半导体装置制造用片101的厚度h32的最大值之差优选为3μm以下，更优选为2μm以下，进一步优选为1μm以下。在图1中，h30与h32的厚度值相同。37.同样，从有效抑制卷绕痕迹的产生的角度出发，优选使标签部30与外周部32之间的沟槽34的宽度小。沟槽34的宽度w34的最小值优选为50mm以下，更优选为0.5～50mm，进一步优选为1～40mm。上述沟槽的宽度的最小值是指以最短距离连接标签部的轮廓线上的任意点与外周部的轮廓线上的任意点的直线的长度。38.在半导体装置制造用片101的标签部30及外周部32中，在基材11的一个面(在本说明书中，有时称为“第一面”)11a上设置粘着剂层12。在粘着剂层12的与设置有基材11的一侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称为“第一面”)12a上设置中间层13。在中间层13的与设置有粘着剂层12的一侧为相反侧的面(在本说明书中，有时称为“第一面”)13a上设置有膜状粘合剂14。在膜状粘合剂14的第一面14a上设置有剥离膜15。如此，半导体装置制造用片101通过基材11、粘着剂层12、中间层13、膜状粘合剂14及剥离膜15沿它们的厚度方向依次层叠而构成。39.半导体装置制造用片101以下述方式进行使用：在去除了剥离膜15的状态下，将半导体装置制造用片101中的标签部30的至少一部分的膜状粘合剂14的第一面14a贴附于半导体晶圆、半导体芯片、或者未被完全分割的半导体晶圆(省略图示)的背面。40.在本说明书中，不论在半导体晶圆及半导体芯片中的哪一种情况下，均将其形成有电路的一侧的面称为“电路形成面”，将与电路形成面为相反侧的面称为“背面”。41.在本说明书中，有时将具有基材及粘着剂层沿它们的厚度方向层叠、且未层叠中间层的构成的层叠物称为“支撑片”。在图1中，标记附图标记1来表示支撑片。此外，将具有基材、粘着剂层及中间层沿它们的厚度方向依次层叠的构成的层叠物称为“层叠片”。图1中标记附图标记10来表示层叠片。所述支撑片与中间层的层叠物包含在所述层叠片中。42.自标签部30的中间层13及膜状粘合剂14的上方向下俯视标签部30的中间层13及膜状粘合剂14时，标签部30的中间层13及膜状粘合剂14的平面形状均为圆形，中间层13的直径与膜状粘合剂14的直径相同。并且，在半导体装置制造用片101的标签部30中，中间层13及膜状粘合剂14以两者中心保持一致的方式而配置，换言之，以中间层13及膜状粘合剂14的外周的位置在它们的径向上均保持一致的方式而配置。43.标签部30的中间层13的第一面13a与膜状粘合剂14的第一面14a的面积均比粘着剂层12的第一面12a小。并且，中间层13的宽度w13的最大值(即直径)与膜状粘合剂14的宽度w14的最大值(即直径)均比粘着剂层12的宽度的最大值与基材11的宽度的最大值小。因此，在半导体装置制造用片101中，粘着剂层12的第一面12a的一部分未被中间层13及膜状粘合剂14覆盖。剥离膜15与粘着剂层12的第一面12a中的这种未层叠中间层13及膜状粘合剂14的区域直接接触并层叠于其之上，在去除了剥离膜15的状态下，该区域露出(以下，在本说明书中，有时将该区域称为“非层叠区域”)。另外，在具备剥离膜15的半导体装置制造用片101中，可如此处所示地在粘着剂层12的未被中间层13及膜状粘合剂14覆盖的区域上存在未层叠剥离膜15的区域，也可以不存在未层叠剥离膜15的区域。44.处于膜状粘合剂14未被切断且通过膜状粘合剂14而贴附在上述半导体晶圆或半导体芯片等上的状态的半导体装置制造用片101，能够通过将其中的粘着剂层12中的所述非层叠区域的一部分贴附在用于固定半导体晶圆的环形框架等夹具上从而对其进行固定。因此，无需在半导体装置制造用片101上另外设置用于将半导体装置制造用片101固定于所述夹具的夹具用粘合剂层。并且，由于不需要设置夹具用粘合剂层，能够以低成本高效地制造半导体装置制造用片101。45.半导体装置制造用片101虽然如上所述通过不具备夹具用粘合剂层而实现有益效果，但也可以具备夹具用粘合剂层。此时，夹具用粘合剂层设置于构成半导体装置制造用片101的任意层的表面的周缘部附近的区域。作为这样的区域，可列举出粘着剂层12的第一面12a上的所述非层叠区域等。46.夹具用粘合剂层可以为公知的夹具用粘合剂层，例如可以为含有粘合剂成分的单层结构，也可以为在作为芯材的片材的两个面上层叠有含有粘合剂成分的层而成的多层结构。47.此外，以后述方式将半导体装置制造用片101沿与其表面(例如，粘着剂层12的第一面12a)平行的方向拉伸，即进行所谓的扩展时，由于在粘着剂层12的第一面12a上存在所述非层叠区域，可易于扩展半导体装置制造用片101。并且，不仅可易于切断膜状粘合剂14，有时也可抑制中间层13及膜状粘合剂14从粘着剂层12上剥离。48.标签部30的支撑片1的粘着剂层12的第一面12a和基材11的第一面11a的面积均比剥离膜15的第一面15a的面积小。并且，粘着剂层12的宽度的最大值(即直径)和基材11的最大值(即直径)均比剥离膜15的宽度的最大值小。因而，在半导体装置制造用片101中，剥离膜15的一部分未被粘着剂层12及基材11覆盖。49.自标签部30的粘着剂层12及基材11的上方向下俯视标签部30的粘着剂层12及基材11时，粘着剂层12及基材11的平面形状均为圆形，且粘着剂层12及基材11的直径相同。并且，在半导体装置制造用片101的标签部30中，粘着剂层12及基材11以两者中心保持一致的方式而配置，换言之，以粘着剂层12及基材11的外周位置在它们的径向上均保持一致的方式而配置。50.图2是图1所示的半导体装置制造用片的俯视图。半导体装置制造用片101具备标签部30和设置于比标签部30更靠近外侧的至少一部分上的外周部32。圆形的支撑片1和构成标签部30的圆形的中间层13及膜状粘合剂14以同心圆状而层叠。在标签部30的周围形成有沟槽34。沟槽34包括层叠有剥离膜15和支撑片1的部分及未层叠支撑片1而露出剥离膜15的部分。51.在半导体装置制造用片101中，中间层13含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分。52.本实施方案的半导体装置制造用片并不限定于图1及图2所示的半导体装置制造用片，可以在不损害本发明的效果的范围内，对图1及图2所示的半导体装置制造用片的部分构成进行变更、删除或追加。53.例如，本实施方案的半导体装置制造用片也可以具备不属于基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂、剥离膜及夹具用粘合剂层中的任意层的其他层。然而，本实施方案的半导体装置制造用片优选如图1所示，以粘着剂层与基材直接接触的状态具备粘着剂层，以中间层与粘着剂层直接接触的状态具备中间层，以膜状粘合剂与中间层直接接触的状态具备膜状粘合剂，以剥离膜与膜状粘合剂直接接触的状态具备剥离膜。54.例如，在本实施方案的半导体装置制造用片中，标签部的中间层及膜状粘合剂的平面形状可以为除圆形以外的形状，中间层及膜状粘合剂的平面形状可彼此相同，也可彼此不同。此外，优选标签部中中间层的第一面的面积与膜状粘合剂的第一面的面积均小于比它们更靠近基材侧的层的面(例如，粘着剂层的第一面)的面积，中间层的第一面的面积与膜状粘合剂的第一面的面积可彼此相同，也可彼此不同。并且，中间层及膜状粘合剂的外周的位置可以在它们的径向上均一致，也可以不一致。优选中间层的俯视形状的外周位置和膜状粘合剂的俯视形状的外周位置均相较于比它们靠近基材侧的层的至少一个面的俯视形状的外周靠近内侧。例如，优选中间层的俯视形状的外周位置和膜状粘合剂的俯视形状的外周位置均相较于支撑片的俯视形状的外周位置靠近内侧。接着，对构成本实施方案的半导体装置制造用片的各个层更详细地进行说明。55.○基材所述基材为片状或膜状。所述基材的构成材料优选为各种树脂，具体而言，例如可列举出聚乙烯(低密度聚乙烯(ldpe)、线性低密度聚乙烯(lldpe)、高密度聚乙烯(hdpe)等)、聚丙烯(pp)、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、苯乙烯-乙烯丁烯-苯乙烯嵌段共聚物、聚氯乙烯、氯乙烯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)、聚氨酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚酰亚胺(pi)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、除乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物及乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物以外的乙烯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、氟树脂、上述树脂中的任一种树脂的氢化物、改质物、交联物或共聚物等。56.另外，在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。与(甲基)丙烯酸类似的术语也相同，例如，“(甲基)丙烯酸酯”为包含“丙烯酸酯”及“甲基丙烯酸酯”的概念，“(甲基)丙烯酰基”为包含“丙烯酰基”及“甲基丙烯酰基”的概念。57.构成基材的树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。58.基材可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成。基材由多个层构成的情况下，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，只要不损害本发明的效果，则对这些多个层的组合没有特别限定。在本说明书中，不仅限于基材，“多个层可彼此相同，也可彼此不同”是指“可以所有层相同，也可以所有层均不同，还可以仅一部分层相同”，进一步，“多个层彼此不同”是指“各个层的构成材料及厚度中的至少一者彼此不同”。59.基材的厚度可根据目的进行适当选择，优选为50～300μm，更优选为60～150μm。通过使基材的厚度为所述下限值以上，基材的结构更加稳定。通过使基材的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时、及半导体装置制造用片的所述扩展时，可更易于将膜状粘合剂切断。此处，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如，由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的所有层的合计厚度。在本说明书中，除非另有说明，则“厚度”为在随机选出的五个位置上测定的厚度的平均值，其可以按照jisk7130并使用恒压测厚仪而测得。60.为了提高基材与设置于其之上的粘着剂层等其他层的密合性，可以对基材的表面实施基于喷砂处理、溶剂处理、压花加工处理等的凹凸化处理；电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧/紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等。此外，基材的表面还可以经过底涂处理(primertreatment)。此外，基材也可以具有：抗静电涂层；叠合固晶片并进行保存时，防止基材与其他片材粘合、或者防止基材与吸附工作台(suctiontable)粘合的层等。61.基材除了含有所述树脂等主要构成材料以外，还可含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。62.只要在不损害本发明的效果的范围内，则对基材的光学特性没有特别限定。基材例如可以为使激光或能量射线透射的基材。63.基材可利用公知的方法制造。例如，含有树脂的(以树脂为构成材料的)基材可通过将所述树脂或含有所述树脂的树脂组合物成型而制造。64.○粘着剂层所述粘着剂层为片状或膜状，并含有粘着剂。粘着剂层可使用含有所述粘着剂的粘着剂组合物而形成。例如，将粘着剂组合物涂布在欲形成粘着剂层的对象面上，并根据所需对其进行干燥，由此能够在目标部位形成粘着剂层。65.利用公知的方法进行粘着剂组合物的涂布即可，例如可列举出使用气刀涂布机、刮板涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、吻涂机等各种涂布机的方法。66.粘着剂组合物的干燥条件没有特别限定，但在粘着剂组合物含有后述溶剂的情况下，优选使其加热干燥，此时，例如优选于70～130℃以10秒～5分钟的条件使其干燥。67.作为所述粘着剂，例如可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂(urethaneresin)、橡胶类树脂、有机硅树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等粘着性树脂，优选丙烯酸树脂。68.另外，在本说明书中，“粘着性树脂”包含具有粘着性的树脂与具有粘合性的树脂。例如，所述粘着性树脂不仅包括树脂本身具有粘着性的树脂，还包括通过与添加剂等其他成分的同时使用而表现出粘着性的树脂、或者由于热或水等诱因(trigger)的存在而表现出粘合性的树脂等。69.粘着剂层可以为固化性及非固化性中的任意一种，例如可以为能量射线固化性及非能量射线固化性中的任意一种。固化性的粘着剂层能够易于调节其固化前及固化后的物性。70.在本说明书中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线。作为能量射线的实例，可列举出紫外线、放射线、电子束等。例如，作为紫外线，可通过使用高压汞灯、熔融灯(fusionlamp)、氙灯、黑光灯或led灯等作为紫外线源而进行照射。对于电子束，能够照射利用电子束加速器等而产生的电子束。此外，在本说明书中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而进行固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不进行固化的性质。71.粘着剂层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。72.粘着剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。其中，“粘着剂层的厚度”是指粘着剂层整体的厚度，例如由多个层构成的粘着剂层的厚度是指构成粘着剂层的所有层的合计厚度。73.基材和粘着剂层可以为相同形状，优选基材和粘着剂层以两者的俯视形状的外周保持一致的方式而层叠。74.只要粘着剂层的光学特性在不损害本发明的效果的范围内，则对其没有特别限定。例如，粘着剂层可以为使能量射线透射的粘着剂层。接着，对所述粘着剂组合物进行说明。下述粘着剂组合物可以以含量(质量％)的合计不超出100质量％的方式含有例如下述一种以上成分。75.《《粘着剂组合物》》当粘着剂层为能量射线固化性时，作为含有能量射线固化性粘着剂的粘着剂组合物、即能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出：含有非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(i-1a)”)与能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(i-1)；含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(i-2a)(以下，有时缩写为“粘着性树脂(i-2a)”)的粘着剂组合物(i-2)；含有所述粘着性树脂(i-2a)与能量射线固化性化合物的粘着剂组合物(i-3)等。76.《粘着剂组合物(i-1)》如上所述，所述粘着剂组合物(i-1)含有非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)与能量射线固化性化合物。77.[粘着性树脂(i-1a)]优选所述粘着性树脂(i-1a)为丙烯酸树脂。作为所述丙烯酸树脂，例如可列举出至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸聚合物。所述丙烯酸树脂所具有的结构单元可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0078]粘着剂组合物(i-1)所含有的粘着性树脂(i-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0079]在粘着剂组合物(i-1)中，粘着性树脂(i-1a)的含量相对于粘着剂组合物(i-1)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。[0080][能量射线固化性化合物]作为粘着剂组合物(i-1)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、并且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物。作为能量射线固化性化合物中的单体，例如可列举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯等。作为能量射线固化性化合物中的低聚物，例如可列举出上文中例示的单体聚合而成的低聚物等。就分子量较大、不易使粘着剂层的储能模量降低这一点而言，优选能量射线固化性化合物为氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。[0081]粘着剂组合物(i-1)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0082]在所述粘着剂组合物(i-1)中，所述能量射线固化性化合物的含量相对于粘着剂组合物(i-1)的总质量的比例优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。[0083][交联剂]将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外、还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(i-1a)时，优选粘着剂组合物(i-1)进一步含有交联剂。[0084]所述交联剂例如通过与所述官能团反应从而使粘着性树脂(i-1a)彼此交联。作为交联剂，例如可列举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯类交联剂(具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂(具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷酸三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)；异氰脲酸酯类交联剂(具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。从提高粘着剂的内聚力从而提高粘着剂层的粘着力这一点、及易于获得等的点出发，优选交联剂为异氰酸酯类交联剂。[0085]粘着剂组合物(i-1)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0086]使用交联剂时，在所述粘着剂组合物(i-1)中，相对于粘着性树脂(i-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。[0087][光聚合引发剂]粘着剂组合物(i-1)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等较低能量的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(i-1)也能够充分地进行固化反应。[0088]作为所述光聚合引发剂，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。此外，作为所述光聚合引发剂，例如还可使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。[0089]粘着剂组合物(i-1)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0090]使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(i-1)中，相对于所述能量射线固化性化合物的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。[0091][其他添加剂]粘着剂组合物(i-1)也可在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。作为所述其他添加剂，例如可列举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充材料(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、敏化剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。[0092]另外，反应延迟剂是指，用于抑制例如因混入粘着剂组合物(i-1)中的催化剂的作用而在保存中的粘着剂组合物(i-1)中进行非目的性的交联反应的成分。作为反应延迟剂，例如可列举出利用与催化剂相应的螯合物形成螯合物配位化合物(chelatecomplex)的反应延迟剂，更具体而言，可列举出一分子中具有两个以上羰基(-c(＝o)-)的反应延迟剂。[0093]粘着剂组合物(i-1)所含有的其他添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0094]粘着剂组合物(i-1)的其他添加剂的含量没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。[0095][溶剂]粘着剂组合物(i-1)可以含有溶剂。通过含有溶剂，粘着剂组合物(i-1)对涂布对象面的涂布适性升高。[0096]所述溶剂优选为有机溶剂。[0097]《粘着剂组合物(i-2)》如上所述，所述粘着剂组合物(i-2)含有在非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)的侧链导入有不饱和基团的能量射线固化性的粘着性树脂(i-2a)。[0098][粘着性树脂(i-2a)]所述粘着性树脂(i-2a)例如可通过使具有能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团化合物与粘着性树脂(i-1a)中的官能团进行反应而得到。[0099]所述含不饱和基团化合物为除了具有所述能量射线聚合性不饱和基团以外，还进一步具有能够通过与粘着性树脂(i-1a)中的官能团反应而与粘着性树脂(i-1a)键合的基团的化合物。作为所述能量射线聚合性不饱和基团，例如可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基(次乙基)、烯丙基(2-丙烯基)等，优选(甲基)丙烯酰基。作为可与粘着性树脂(i-1a)中的官能团键合的基团，例如可列举出能够与羟基或氨基键合的异氰酸酯基及缩水甘油基、以及能够与羧基或环氧基键合的羟基及氨基等。[0100]作为所述含不饱和基团化合物，例如可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。[0101]粘着剂组合物(i-2)所含有的粘着性树脂(i-2a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0102]在粘着剂组合物(i-2)中，粘着性树脂(i-2a)的含量相当于粘着剂组合物(i-2)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为10～90质量％。[0103][交联剂]例如，将与粘着性树脂(i-1a)中相同的、具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(i-2a)时，粘着剂组合物(i-2)可进一步含有交联剂。[0104]作为粘着剂组合物(i-2)中的所述交联剂，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的交联剂相同的交联剂。粘着剂组合物(i-2)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0105]使用交联剂时，在所述粘着剂组合物(i-2)中，相对于粘着性树脂(i-2a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。[0106][光聚合引发剂]粘着剂组合物(i-2)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等较低能量的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(i-2)也能够充分地进行固化反应。[0107]作为粘着剂组合物(i-2)中的所述光聚合引发剂，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。粘着剂组合物(i-2)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0108]使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(i-2)中，相对于粘着性树脂(i-2a)的含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。[0109][其他添加剂、溶剂]粘着剂组合物(i-2)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。此外，出于与粘着剂组合物(i-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(i-2)也可以含有溶剂。作为粘着剂组合物(i-2)中的所述其他添加剂及溶剂，分别可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的其他添加剂及溶剂相同的其他添加剂及溶剂。粘着剂组合物(i-2)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。粘着剂组合物(i-2)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。[0110]《粘着剂组合物(i-3)》如上所述，所述粘着剂组合物(i-3)含有所述粘着性树脂(i-2a)及能量射线固化性化合物。[0111]在粘着剂组合物(i-3)中，粘着性树脂(i-2a)的含量相对于粘着剂组合物(i-3)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。[0112][能量射线固化性化合物]作为粘着剂组合物(i-3)所含有的所述能量射线固化性化合物，可列举出具有能量射线聚合性不饱和基团、并且可通过能量射线的照射而固化的单体或低聚物，可列举出与粘着剂组合物(i-1)所含有的能量射线固化性化合物相同的能量射线固化性化合物。粘着剂组合物(i-3)所含有的所述能量射线固化性化合物可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0113]在所述粘着剂组合物(i-3)中，相对于粘着性树脂(i-2a)的含量100质量份，所述能量射线固化性化合物的含量优选为0.01～300质量份，更优选为0.03～200质量份，特别优选为0.05～100质量份。[0114][光聚合引发剂]粘着剂组合物(i-3)也可以进一步含有光聚合引发剂。即使照射紫外线等较低能量的能量射线，含有光聚合引发剂的粘着剂组合物(i-3)也能够充分地进行固化反应。[0115]作为粘着剂组合物(i-3)中的所述光聚合引发剂，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。粘着剂组合物(i-3)所含有的光聚合引发剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0116]使用光聚合引发剂时，在粘着剂组合物(i-3)中，相对于粘着性树脂(i-2a)及所述能量射线固化性化合物的总含量100质量份，光聚合引发剂的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。[0117][其他添加剂、溶剂]粘着剂组合物(i-3)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。此外，出于与粘着剂组合物(i-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(i-3)也可以含有溶剂。作为粘着剂组合物(i-3)中的所述其他添加剂及溶剂，分别可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的其他添加剂及溶剂相同的其他添加剂及溶剂。粘着剂组合物(i-3)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。粘着剂组合物(i-3)中的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。[0118]《除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物》至此，主要对粘着剂组合物(i-1)、粘着剂组合物(i-2)及粘着剂组合物(i-3)进行了说明，但作为它们的所含成分而进行了说明的成分同样也可用于除这三种粘着剂组合物以外的所有的粘着剂组合物(在本说明书中，称为“除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物”)中。[0119]作为除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物，除了能量射线固化性的粘着剂组合物以外，还可列举出非能量射线固化性的粘着剂组合物。作为非能量射线固化性的粘着剂组合物，例如可列举出含有丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、橡胶类树脂、有机硅树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等非能量射线固化性的粘着性树脂(i-1a)的粘着剂组合物(i-4)，优选含有丙烯酸树脂的非能量射线固化性的粘着剂组合物。[0120]优选除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物含有一种或两种以上的交联剂，可以将其含量设定为与上述的粘着剂组合物(i-1)等相同。[0121]《粘着剂组合物(i-4)》作为优选的粘着剂组合物(i-4)，例如可列举出含有所述粘着性树脂(i-1a)与交联剂的粘着剂组合物。[0122][粘着性树脂(i-1a)]作为粘着剂组合物(i-4)中的粘着性树脂(i-1a)，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的粘着性树脂(i-1a)相同的粘着性树脂。粘着剂组合物(i-4)所含有的粘着性树脂(i-1a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0123]在粘着剂组合物(i-4)中，粘着性树脂(i-1a)的含量相对于粘着剂组合物(i-4)的总质量的比例优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。[0124][交联剂]将除了具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外，还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的所述丙烯酸聚合物用作粘着性树脂(i-1a)时，优选粘着剂组合物(i-4)进一步含有交联剂。[0125]作为粘着剂组合物(i-4)中的所述交联剂，可列举出与粘着剂组合物(i-1)中的交联剂相同的交联剂。粘着剂组合物(i-4)所含有的交联剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0126]在所述粘着剂组合物(i-4)中，相对于粘着性树脂(i-1a)的含量100质量份，交联剂的含量优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～25质量份，特别优选为0.1～10质量份。[0127][其他添加剂、溶剂]粘着剂组合物(i-4)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述任何成分的其他添加剂。此外，出于与粘着剂组合物(i-1)的情况相同的目的，粘着剂组合物(i-4)也可以含有溶剂。作为粘着剂组合物(i-4)中的所述其他添加剂及溶剂，可分别列举出与粘着剂组合物(i-1)中的其他添加剂及溶剂相同的添加剂及溶剂。粘着剂组合物(i-4)所含有的其他添加剂及溶剂分别可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。粘着剂组合物(i-4)的其他添加剂及溶剂的含量分别没有特别限定，根据其种类进行适当选择即可。[0128]《《粘着剂组合物的制备方法》》粘着剂组合物(i-1)～(i-3)、或粘着剂组合物(i-4)等除粘着剂组合物(i-1)～(i-3)以外的粘着剂组合物，可通过掺合所述粘着剂与根据需要的除所述粘着剂以外的成分等用于构成粘着剂组合物的各成分而得到。掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可同时添加两种以上的成分。使用溶剂时，可通过将溶剂与除溶剂以外的任意掺合成分混合而预先稀释该掺合成分从而进行使用，也可不预先稀释除溶剂以外的任意掺合成分、而是通过将溶剂与这些掺合成分混合从而进行使用。进行掺合时，混合各成分的方法没有特别限定，从下述公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合器进行混合的方法；施加超声波而进行混合的方法等。只要各掺合成分不劣化，则添加并混合各成分时的温度及时间没有特别限定，进行适当调节即可，但优选温度为15～30℃。[0129]○中间层、中间层形成用组合物所述中间层为片状或膜状，并含有所述非硅类树脂作为主要成分。中间层可以为仅含有非硅类树脂的层(由非硅类树脂构成的层)，也可以为含有非硅类树脂与除非硅类树脂以外的成分的层。[0130]中间层例如可使用含有所述非硅类树脂的中间层形成用组合物而形成。例如，中间层可通过在欲形成中间层的对象面上涂布所述中间层形成用组合物并根据需要进行干燥而形成。[0131]所述非硅类树脂的重均分子量为100000以下。从进一步提高所述半导体装置制造用片的上述半导体晶圆的分割适性这一点出发，所述非硅类树脂的重均分子量例如可以为80000以下、60000以下及40000以下中的任一范围。[0132]所述非硅类树脂的重均分子量的下限值没有特别限定，例如重均分子量为5000以上的所述非硅类树脂更易于获得。[0133]所述非硅类树脂的重均分子量可在任意组合上述下限值与任意上限值而设定的范围内进行适当调节。例如，在一个实施方案中，所述重均分子量例如可以为5000～100000、5000～80000、5000～60000及5000～40000中的任一范围。[0134]在本实施方案中，“中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂作为主要成分”是指，“以能够充分发挥因中间层含有重均分子量为100000以下的非硅类树脂而产生的效果的程度的量，含有所述非硅类树脂”。从上述角度出发，在中间层中，所述非硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述非硅类树脂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为50质量％以上，更优选为80质量％以上，进一步优选为90质量％以上，例如可以为95质量％以上、97质量％以上、及99质量％以上中的任一范围。另一方面，所述比例为100质量％以下。[0135]重均分子量为100000以下的所述非硅类树脂只要为不具有硅原子作为构成原子的、重均分子量为100000以下的树脂成分，则没有特别限定。所述非硅类树脂例如可以为具有极性基团的极性树脂、及不具有极性基团的非极性树脂中的任一种。例如，从在所述中间层形成用组合物中的溶解性高、所述中间层形成用组合物的涂布适性更高这几点出发，所述非硅类树脂优选为极性树脂。[0136]在本说明书中，只要没有特别说明，则“非硅类树脂”是指上述重均分子量为100000以下的非硅类树脂。[0137]所述非硅类树脂例如可以为作为1种单体的聚合物(换言之，仅具有1种结构单元)的均聚物，也可以为作为2种以上的单体的聚合物(换言之，具有2种以上的结构单元)的共聚物。[0138]作为所述极性基团，例如，可列举出羰基氧基(-c(＝o)-o-)、氧基羰基(-o-c(＝o)-)等。[0139]所述极性树脂可以仅具有具有极性基团的结构单元，也可以具有具有极性基团的结构单元与不具有极性基团的结构单元这两者。[0140]作为具有所述极性基团的结构单元，例如，可列举出衍生自乙酸乙烯酯的结构单元等。作为不具有所述极性基团的结构单元，例如，可列举出衍生自乙烯的结构单元等。这里所称的“衍生”是指所述单体发生了聚合所必需的结构变化。[0141]在所述极性树脂中，具有极性基团的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例优选为5～70质量％，例如也可以为7.5～55质量％、10～40质量％及10～30质量％中的任一范围。换言之，在所述极性树脂中，不具有极性基团的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例优选为30～95质量％，例如也可以为45～92.5质量％、60～90质量％及70～90质量％中的任一范围。通过使具有极性基团的结构单元的质量的比例为所述下限值以上，所述极性树脂更显著地具有具有极性基团的这一特性。通过使具有极性基团的结构单元的质量的比例为所述上限值以下，所述极性树脂更适度地具有不具有极性基团的这一特性。[0142]作为所述极性树脂，例如可列举出乙烯乙酸乙烯酯共聚物等。乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层中含有的所述非硅类树脂的总质量的比例例如可以为50～100质量％，也可以为80～100质量％，还可以为90～100质量％。其中，作为优选的所述极性树脂，例如，可列举出在乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例(在本说明书中，有时称为“衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量”)为40质量％以下的极性树脂、该比例为30质量％以下的极性树脂、该比例为10～40质量％的极性树脂、该比例为10～30质量％的极性树脂。换言之，作为优选的所述极性树脂，例如，可列举出在乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙烯的结构单元的质量相对于所有的结构单元的合计质量的比例为60质量％以上的极性树脂、该比例为70质量％以上的极性树脂、该比例为70～90质量％的极性树脂、该比例为60～90质量％的极性树脂。通过使衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量的比例为所述上限值以下，使得即使在切断膜状粘合剂时从中间层产生切削屑，所产生的切削屑的粘着力也会适度降低，能够通过清洗等方法从芯片上轻易地去除切削屑。[0143]作为所述非极性树脂，例如，可列举出低密度聚乙烯(ldpe)、线性低密度聚乙烯(lldpe)、茂金属催化剂线性低密度聚乙烯(茂金属lldpe)、中密度聚乙烯(mdpe)、高密度聚乙烯(hdpe)等聚乙烯(pe)；聚丙烯(pp)等。[0144]中间层形成用组合物及中间层所含有的所述非硅类树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。例如，中间层形成用组合物及中间层可以含有1种或2种以上的作为极性树脂的非硅类树脂，且不含有作为非极性树脂的非硅类树脂，也可以含有1种或2种以上的作为非极性树脂的非硅类树脂，且不含有作为极性树脂的非硅类树脂，还可以同时含有1种或2种以上的作为极性树脂的非硅类树脂及1种或2种以上的作为非极性树脂的非硅类树脂。中间层形成用组合物及中间层优选至少含有作为极性树脂的非硅类树脂。[0145]在中间层形成用组合物及中间层中，作为极性树脂的所述非硅类树脂的含量相对于所述非硅类树脂的总含量的比例优选为50质量％以上，优选为80质量％以上，更优选为90质量％以上，例如可以为95质量％以上、97质量％以上及99质量％以上中的任一范围。通过使所述比例为所述下限值以上，可更显著地得到使用所述极性树脂所带来的效果。另一方面，所述比例为100质量％以下。[0146]即，在中间层形成用组合物及中间层中，作为非极性树脂的所述非硅类树脂的含量相对于所述非硅类树脂的总含量的比例优选为20质量％以下，更优选为10质量％以下，例如，可以为5质量％以下、3质量％以下及1质量％以下中的任一范围。另一方面，所述比例为0质量％以上。[0147]从中间层形成用组合物的操作性良好这一点出发，中间层形成用组合物优选除了所述非硅类树脂以外，还含有溶剂，也可以含有不属于所述非硅类树脂与溶剂中的任一种成分的成分(在本说明书中，有时称为“添加剂”)。中间层可以仅含有所述非硅类树脂，也可以同时含有所述非硅类树脂及所述添加剂。[0148]所述添加剂可以为树脂成分(在本说明书中，有时称为“其他树脂成分”)与非树脂成分中的任一种成分。[0149]作为所述其他树脂成分，例如可列举出重均分子量(mw)大于100000的非硅类树脂与硅类树脂。[0150]重均分子量大于100000的非硅类树脂只要满足这种条件，则没有特别限定。[0151]如下所述，含有所述硅类树脂的中间层更易于进行带膜状粘合剂的半导体芯片的拾取。[0152]所述硅类树脂只要为具有硅原子作为构成原子的树脂成分，则没有特别限定。例如，硅类树脂的重均分子量没有特别限定。[0153]作为优选的硅类树脂，例如，可列举出对粘着剂成分表现出脱模作用的树脂成分，更优选为硅氧烷类树脂(也称为具有硅氧烷键(-si-o-si-)的树脂成分、硅氧烷类化合物)。[0154]作为所述硅氧烷类树脂，例如可列举出聚二烷基硅氧烷等。所述聚二烷基硅氧烷所具有的烷基的碳数优选为1～20。作为所述聚二烷基硅氧烷，可列举出聚二甲基硅氧烷等。[0155]所述非树脂成分例如可以为有机化合物及无机化合物中的任一种成分，没有特别限定。[0156]中间层形成用组合物及中间层所含有的所述添加剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。例如，中间层形成用组合物及中间层可以含有1种或2种以上的树脂成分作为所述添加剂，且不含有非树脂成分，也可以含有1种或2种以上的非树脂成分作为所述添加剂，且不含有树脂成分，还可以同时含有1种或2种以上的树脂成分及1种或2种以上的非树脂成分作为所述添加剂。[0157]当中间层形成用组合物及中间层含有所述添加剂时，在中间层中，所述非硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述非硅类树脂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为90～99.99质量％，例如，可以为90～97.5质量％、90～95质量％及90～92.5质量％中的任一范围，可以为92.5～99.99质量％、95～99.99质量％及97.5～99.99质量％中的任一范围，可以为92.5～97.5质量％。当中间层形成用组合物及中间层含有所述添加剂时，在中间层中，所述添加剂的含量相对于中间层的总质量的比例(换言之，在中间层形成用组合物中，所述添加剂的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例)优选为0.01～10质量％，例如，可以为2.5～10质量％、5～10质量％、及7.5～10质量％中的任一范围，可以为0.01～7.5质量％、0.01～5质量％、及0.01～2.5质量％中的任一范围，可以为2.5～7.5质量％。[0158]中间层形成用组合物所含有的所述溶剂没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。中间层形成用组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0159]从能够将中间层形成用组合物中的所含成分更均匀地混合这一点出发，中间层形成用组合物所含有的溶剂优选为四氢呋喃等。[0160]中间层形成用组合物的溶剂的含量没有特别限定，例如根据除溶剂以外的成分的种类进行适当选择即可。[0161]如下所述，从能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片这一点出发，作为优选的中间层，例如，可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物(所述非硅类树脂)的含量相对于中间层的总质量的比例在上述任一个数值范围内，并且中间层中的所述硅氧烷类化合物(所述添加剂)的含量相对于中间层的总质量的比例在上述任一个数值范围内的中间层。作为这种中间层，例如可列举出如下的中间层：含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且中间层中的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，并且中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％的中间层。然而，这只是中间层的一个优选例。[0162]作为更优选的中间层，例如可列举出如下的中间层：所述中间层含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且在所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物中，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的质量相对于所有结构单元的合计质量的比例(换言之，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量)为10～40质量％，并且在所述中间层中，所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，且在所述中间层中，所述硅氧烷类化合物的含量相对于所述中间层的总质量的比例为0.01～10质量％。然而，这只是中间层的更优选的一个例子。[0163]对于半导体装置制造用片，利用x射线光电子能谱法(x-rayphotoelectronspectroscopy，在本说明书中，有时称为“xps”)对中间层的膜状粘合剂侧的面(例如，在图1中为中间层13的第一面13a)进行分析时，硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例(在本说明书中，有时简称为“硅浓度的比例”)，以元素的摩尔基准计，优选为1～20％。如下所述，通过使用具备这种中间层的半导体装置制造用片，能够易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。[0164]所述硅浓度的比例能够利用下述公式进行计算。[基于xps分析的硅浓度的测定值(atomic％)]/{[基于xps分析的碳浓度的测定值(atomic％)] [基于xps分析的氧浓度的测定值(atomic％)] [基于xps分析的氮浓度的测定值(atomic％)] [基于xps分析的硅浓度的测定值(atomic％)]}×100[0165]对于xps分析，能够使用x射线光电子能谱分析装置(例如，由ulvac,inc.制造的“quantrasxm”)，以x射线照射角度为45°、x射线光束直径为输出为4.5w的条件，对中间层的膜状粘合剂侧的表面进行xps分析。[0166]从上述效果更显著这一点出发，所述硅浓度的比例以元素的摩尔基准计，例如可以为4～20％、8～20％及12～20％中的任一范围，可以为1～16％、1～12％及1～8％中的任一范围，可以为4～16％及8～12％中的任一范围。[0167]以上述方式进行xps分析时，在中间层的所述面(xps的分析对象面)中，有时可能会检测出不属于碳、氧、氮及硅中的任一种元素的其他元素。然而，即使检测出上述其他元素，通常其浓度也为微量，因此在计算所述硅浓度的比例时，只要使用碳、氧、氮及硅的浓度的测定值，就能够以高精度计算出所述硅浓度的比例。[0168]中间层可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。[0169]与在上文中说明的相同，中间层的宽度的最大值优选比粘着剂层的宽度的最大值及基材的宽度的最大值小。构成标签部的中间层的宽度的最大值可考虑半导体晶圆的尺寸适当选择。例如，中间层的宽度的最大值可以为150～160mm、200～210mm或300～310mm。这3个数值范围对应于，与贴附于半导体装置制造用片的面平行的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。然而，如在上文中说明所示，在进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割后，通过扩展半导体装置制造用片而切断膜状粘合剂时，如下所述，将切割后的多个半导体芯片(半导体芯片组)总括到一起，在这些半导体芯片上贴附半导体装置制造用片。[0170]在本说明书中，除非另有说明，则“中间层的宽度”例如是指“中间层在与中间层的第一面平行的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的中间层的情况下，上述中间层的宽度的最大值是作为所述平面形状的圆的直径。这在半导体晶圆的情况下也相同。即，“半导体晶圆的宽度”是指，“半导体晶圆在与半导体晶圆的贴附于半导体装置制造用片的面平行的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的半导体晶圆的情况下，上述半导体晶圆的宽度的最大值是作为所述平面形状的圆的直径。[0171]150～160mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于150mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。同样地，200～210mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于200mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。同样地，300～310mm这一中间层的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于300mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。即，在本实施方案中，无论半导体晶圆的宽度的最大值为150mm、200mm及300mm中的哪一个值，中间层的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值之差例如均可以为0～10mm。[0172]中间层的厚度可根据目的适当选择。中间层的厚度优选为5～150μm，更优选为5～120μm，例如可以为10～90μm及10～60μm中的任一范围，也可以为30～120μm及60～120μm中的任一范围。此外，作为另一侧面，所述标签部的中间层的厚度可以为15～80μm以下。通过使中间层的厚度为所述下限值以上，中间层的结构更加稳定。通过使所述标签部的中间层的厚度为所述下限值以上，能够抑制在扩展时发生中间层的裂纹。通过使所述标签部的中间层的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时和进行半导体装置制造用片的所述扩展时能够更加易于切断膜状粘合剂。此外，通过使所述标签部的中间层的厚度为80μm以下，可以降低带膜状粘合剂的半导体芯片发生拾取不良的可能性。此处，“中间层的厚度”是指中间层整体的厚度，例如由多个层构成的中间层的厚度是指构成中间层的所有层的合计厚度。[0173]当中间层含有所述硅类树脂时，尤其是当硅类树脂与作为主要成分的所述非硅类树脂的相容性较低时，在半导体装置制造用片中，中间层中的硅类树脂容易不均匀地存在于中间层的两面(第一面及与第一面为相反侧的面)及其附近区域。并且，这种倾向越强，则与中间层邻接的(与中间层直接接触的)膜状粘合剂越容易从中间层上剥离，如下所述，越能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。例如，将仅厚度彼此不同但组成、所述两面的面积等在除厚度以外的方面彼此相同的中间层彼此进行比较时，在这些中间层中，硅类树脂的含量相对于中间层的总质量的比例(质量％)彼此相同。然而，对于中间层的硅类树脂的含量(质量份)，厚度较厚的中间层要多于厚度较薄的中间层。因此，当硅类树脂如上所述容易不均匀地存在于中间层中时，与厚度较薄的中间层相比，厚度较厚的中间层的不均匀地存在于两面(第一面及与第一面为相反侧的面)及其附近区域的硅类树脂的量更多。因此，即使不变更所述比例，也可通过调节半导体装置制造用片中的中间层的厚度来调节带膜状粘合剂的半导体芯片的拾取适性。例如，通过增厚半导体装置制造用片中的中间层的厚度，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。[0174]中间层可以使用含有其构成材料的粘合剂组合物而形成。例如，通过在欲形成膜状粘合剂的对象面上涂布粘合剂组合物，并根据需要进行干燥，可以在目标部位上形成膜状粘合剂。[0175]中间层形成用组合物的涂布可以通过与上述粘着剂组合物的涂布相同的方法进行。[0176]中间层形成用组合物的干燥条件没有特别限定。当中间层形成用组合物含有所述溶剂时，优选进行加热干燥，此时，优选例如于60～130℃体1～6分钟的条件对其进行干燥。[0177]○膜状粘合剂所述膜状粘合剂具有固化性，优选具有热固性，优选具有压敏粘合性。同时具有热固性及压敏粘合性的膜状粘合剂可在未固化状态下通过轻轻按压而贴附在各种被粘物上。此外，膜状粘合剂也可以为能够通过加热软化而贴附在各种被粘物上的粘合剂。膜状粘合剂通过固化而最终形成耐冲击性高的固化物，该固化物即使在严苛的高温高湿度条件下也能够保持充分的粘合特性。[0178]从上方向下俯视半导体装置制造用片时，膜状粘合剂的面积(即第一面的面积)优选以接近分割前的半导体晶圆的面积的方式，设定为比基材的面积(即第一面的面积)及粘着剂层的面积(即第一面的面积)小。在这种半导体装置制造用片中，在粘着剂层的第一面的一部分存在未与中间层及膜状粘合剂接触的区域(即，所述非层叠区域)。由此，半导体装置制造用片的扩展变得更加容易，同时扩展时施加于膜状粘合剂的力不会分散，因此可更易于切断膜状粘合剂。[0179]膜状粘合剂可使用含有其构成材料的粘合剂组合物而形成。例如，可通过在欲形成膜状粘合剂的对象面上涂布粘合剂组合物，并根据需要使其干燥，从而在目标部位形成膜状粘合剂。[0180]粘合剂组合物的涂布能够利用与上述粘着剂组合物的涂布相同的方法进行。[0181]粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定。当粘合剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，例如优选于70～130℃以10秒～5分钟的条件进行干燥。[0182]膜状粘合剂可以由一层(单层)构成，也可以由两层以上的多个层构成，由多个层构成时，这些多个层可彼此相同，也可彼此不同，这些多个层的组合没有特别限定。[0183]如上所述，膜状粘合剂的宽度的最大值优选小于粘着剂层的宽度的最大值及基材的宽度的最大值。相对于半导体晶圆的大小，构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值可与上文中说明的中间层的宽度的最大值相同。即，构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值可考虑半导体晶圆的大小进行适当选择。例如，构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值可以为150～160mm、200～210mm或300～310mm。这三个数值范围对应于，与贴附于半导体装置制造用片的面平行的方向上的宽度的最大值为150mm、200mm或300mm的半导体晶圆。所述标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值在所述范围内的半导体制造用片在进行扩展时膜状粘合剂不易飞散。[0184]在本说明书中，除非另有说明，则“膜状粘合剂的宽度”是指例如“膜状粘合剂在平行于膜状粘合剂的第一面的方向上的宽度”。例如，在为平面形状为圆形的膜状粘合剂的情况下，上述的膜状粘合剂的宽度的最大值为所述平面形状的圆的直径。此外，除非另有说明，则“膜状粘合剂的宽度”是指“切断前(未切断)的膜状粘合剂的宽度”，而并非后述的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造过程中的、切断后的膜状粘合剂的宽度。[0185]150～160mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于150mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。同样，200～210mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于200mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。同样，300～310mm这一膜状粘合剂的宽度的最大值是指，等于或在不超过10mm的范围内大于300mm这一半导体晶圆的宽度的最大值。即，在本实施方案中，无论半导体晶圆的宽度的最大值为150mm、200mm及300mm中的哪一个值，构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值之差例如均可以为0～10mm。[0186]在本实施方案中，构成标签部的中间层的宽度的最大值与膜状粘合剂的宽度的最大值均可以为上述数值范围中的任一范围。即，作为本实施方案的半导体装置制造用片的一个例子，可列举出构成标签部的中间层的宽度的最大值与构成标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值均为150～160mm、200～210mm或300～310mm的半导体装置制造用片。[0187]膜状粘合剂的厚度没有特别限定，但优选为1～30μm，更优选为2～20μm，特别优选为3～10μm。通过使膜状粘合剂的厚度为所述下限值以上，可得到更高的对被粘物(半导体芯片)的粘合力。通过使膜状粘合剂的厚度为所述上限值以下，在进行刀片切割时及进行半导体装置制造用片的所述扩展时，可更易于切断膜状粘合剂。其中，“膜状粘合剂的厚度”是指膜状粘合剂整体的厚度，例如由多个层构成的膜状粘合剂的厚度是指构成膜状粘合剂的所有层的合计厚度。[0188]本实施方案中，优选所述中间层及膜状粘合剂的总厚度为15μm以上，更优选为10～180μm，进一步优选为20～150μm，特别优选为25～120μm。通过使中间层及膜状粘合剂的总厚度为所述下限值以上，可降低在冲孔加工时去除不需要的部分的过程中发生破裂的可能性。通过使中间层及膜状粘合剂的总厚度为所述上限值以下，使防止卷绕痕迹的效果趋于优异。[0189]对于中间层及膜状粘合剂，优选中间层的第一面的面积大于等于膜状粘合剂的第一面的面积，中间层及膜状粘合剂可以为彼此相同形状，优选中间层及膜状粘合剂以两者的俯视形状的外周保持一致的方式而层叠。[0190]下述粘合剂组合物可以以含量(质量％)的合计不超过100质量％的方式含有例如下述一种以上的成分。接着，对所述粘合剂组合物进行说明。[0191]《《粘合剂组合物》》作为优选的粘合剂组合物，例如可列举出含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)的粘合剂组合物。以下，对各成分进行说明。另外，以下所示的粘合剂组合物仅为优选例，本实施方案的粘合剂组合物并不限于以下所示的粘合剂组合物。[0192][聚合物成分(a)]聚合物成分(a)被视为聚合性化合物进行聚合反应而形成的成分，其为赋予膜状粘合剂造膜性、可挠性等、且提高对半导体芯片等粘合对象的粘合性(换言之，贴附性)的聚合物化合物。聚合物成分(a)具有热塑性，但不具有热固性。[0193]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的聚合物成分(a)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0194]作为聚合物成分(a)，例如可列举出丙烯酸树脂、氨基甲酸酯树脂、苯氧基树脂、有机硅树脂、饱和聚酯树脂等。其中，聚合物成分(a)优选为丙烯酸树脂。[0195]在粘合剂组合物中，聚合物成分(a)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的聚合物成分(a)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)优选为20～75质量％，更优选为30～65质量％。[0196][热固性成分(b)]热固性成分(b)为具有热固性、用于使膜状粘合剂热固化的成分。粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的热固性成分(b)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0197]作为热固性成分(b)，例如可列举出环氧类热固性树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂等。其中，热固性成分(b)优选为环氧类热固性树脂。[0198]○环氧类热固性树脂环氧类热固化性树脂由环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)构成。粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧类热固性树脂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0199]·环氧树脂(b1)作为环氧树脂(b1)，可列举出公知的环氧树脂，例如可列举出多官能度类环氧树脂、联苯化合物、双酚a二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆(novolak)环氧树脂、双环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚a型环氧树脂、双酚f型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能度以上的环氧化合物。[0200]作为环氧树脂(b1)，也可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸树脂的相容性大于不具有不饱和烃基的环氧树脂与丙烯酸树脂的相容性。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性升高。[0201]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的环氧树脂(b1)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0202]·热固化剂(b2)热固化剂(b2)作为针对环氧树脂(b1)的固化剂而发挥作用。作为热固化剂(b2)，例如可列举出一分子中具有两个以上可与环氧基进行反应的官能团的化合物。作为所述官能团，例如可列举出酚羟基、醇羟基、氨基、羧基、酸基酐化而成的基团等，优选为酚羟基、氨基或酸基酐化而成的基团等，更优选为酚羟基或氨基。[0203]作为热固化剂(b2)中的具有酚羟基的酚类固化剂，例如可列举出多官能度酚醛树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚醛树脂、双环戊二烯型酚醛树脂、芳烷基型酚醛树脂等。作为热固化剂(b2)中的具有氨基的胺类固化剂，例如可列举出双氰胺(dicy)等。[0204]热固化剂(b2)可具有不饱和烃基。[0205]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的热固化剂(b2)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0206]在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于环氧树脂(b1)的含量100质量份，热固化剂(b2)的含量优选为0.1～500质量份，更优选为1～200质量份，例如可以为1～100质量份、1～50质量份及1～25质量份中的任一范围。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述下限值以上，更易于进行膜状粘合剂的固化。通过使热固化剂(b2)的所述含量为所述上限值以下，膜状粘合剂的吸湿率降低，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。[0207]在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，热固性成分(b)的含量(例如，环氧树脂(b1)及热固化剂(b2)的总含量)优选为5～100质量份，更优选为5～75质量份，特别优选为5～50质量份，例如可以为5～35质量份及5～20质量份中的任一范围。通过使热固性成分(b)的所述含量在上述范围内，中间层与膜状粘合剂之间的剥离力更加稳定。[0208]为了改善膜状粘合剂的各种物性，除了含有聚合物成分(a)及热固性成分(b)以外，粘合剂组合物及膜状粘合剂也可根据需要进一步含有不属于聚合物成分(a)及热固性成分(b)的其他成分。作为所述粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的其他成分中的优选成分，例如可列举出固化促进剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、能量射线固化性树脂(g)、光聚合引发剂(h)、通用添加剂(i)等。[0209][固化促进剂(c)]固化促进剂(c)为用于调节粘合剂组合物的固化速度的成分。作为优选的固化促进剂(c)，例如可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲基氨基乙醇、三(二甲氨基甲基)苯酚等叔胺；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑等咪唑类(一个以上的氢原子被除氢原子以外的基团取代的咪唑)；三丁基膦、二苯基膦、三苯基膦等有机膦类(一个以上的氢原子被有机基团取代的膦)；四苯基硼四苯基磷(tetraphenylphosphoniumtetraphenylborate)、三苯基膦四苯基硼酸酯(triphenylphosphinetetraphenylborate)等四苯基硼盐等。[0210]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的固化促进剂(c)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0211]使用固化促进剂(c)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于热固性成分(b)的含量100质量份，固化促进剂(c)的含量优选为0.01～10质量份，更优选为0.1～5质量份。通过使固化促进剂(c)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用固化促进剂(c)所带来的效果。通过使固化促进剂(c)的含量为所述上限值以下，例如，抑制高极性的固化促进剂(c)在高温高湿度条件下在膜状粘合剂中移动至与被粘物的粘合界面侧而发生偏析的效果变高，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。[0212][填充材料(d)]通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，基于扩展的膜状粘合剂的切断性进一步升高。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，膜状粘合剂的热膨胀系数的调整变得容易，通过针对膜状粘合剂的贴附对象优化该热膨胀系数，使用膜状粘合剂而得到的封装的可靠性进一步升高。此外，通过使膜状粘合剂含有填充材料(d)，可降低固化后的膜状粘合剂的吸湿率、或者提高散热性。[0213]填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任意一种，优选为无机填充材料。作为优选的无机填充材料，例如可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、红氧化铁、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些无机填充材料球形化而得到的珠子(beads)；这些无机填充材料的表面改质物；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。其中，无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝。[0214]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的填充材料(d)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0215]使用填充材料(d)时，在粘合剂组合物中，填充材料(d)的含量相对于除溶剂以外的所有成分的总含量的比例(即，膜状粘合剂中的填充材料(d)的含量相对于膜状粘合剂的总质量的比例)优选为5～80质量％，更优选为10～70质量％，特别优选为20～60质量％。通过使所述比例在上述范围内，可更显著地获得使用上述填充材料(d)所带来的效果。[0216][偶联剂(e)]通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，其对被粘物的粘合性及密合性升高。此外，通过使膜状粘合剂含有偶联剂(e)，膜状粘合剂的固化物的耐水性升高且不会损害耐热性。偶联剂(e)具有可与无机化合物或有机化合物反应的官能团。[0217]偶联剂(e)优选为具有能够与聚合物成分(a)、热固性成分(b)等所具有的官能团进行反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。[0218]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的偶联剂(e)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0219]使用偶联剂(e)时，在粘合剂组合物及膜状粘合剂中，相对于聚合物成分(a)及热固性成分(b)的总含量100质量份，偶联剂(e)的含量优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用偶联剂(e)所带来的效果，即提高填充材料(d)在树脂中的分散性、提高膜状粘合剂与被粘物的粘合性等。通过使偶联剂(e)的所述含量为所述上限值以下，可进一步抑制脱气(out-gas)的产生。[0220][交联剂(f)]当使用上述丙烯酸树脂等具有能够与其他化合物键合的乙烯基、(甲基)丙烯酰基、氨基、羟基、羧基、异氰酸酯基等官能团的物质作为聚合物成分(a)时，粘合剂组合物及膜状粘合剂也可以含有交联剂(f)。交联剂(f)为用于使聚合物成分(a)中的所述官能团与其他化合物键合并交联的成分，通过以此方式进行交联，能够调节膜状粘合剂的初始粘合力及内聚力。[0221]作为交联剂(f)，例如可列举出有机多异氰酸酯(polyisocyanate)化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。[0222]将有机多异氰酸酯化合物用作交联剂(f)时，作为聚合物成分(a)，优选使用含羟基聚合物。当交联剂(f)具有异氰酸酯基、且聚合物成分(a)具有羟基时，通过交联剂(f)与聚合物成分(a)的反应，能够简便地将交联结构引入膜状粘合剂中。[0223]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的交联剂(f)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0224]使用交联剂(f)时，在粘合剂组合物中，相对于聚合物成分(a)的含量100质量份，交联剂(f)的含量优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.3～5质量份。通过使交联剂(f)的所述含量为所述下限值以上，可更显著地获得使用交联剂(f)所带来的效果。通过使交联剂(f)的所述含量为所述上限值以下，可抑制交联剂(f)的过量使用。[0225][能量射线固化性树脂(g)]通过使粘合剂组合物及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)，膜状粘合剂能够通过照射能量射线而改变其特性。[0226]能量射线固化性树脂(g)为由能量射线固化性化合物得到的树脂。作为所述能量射线固化性化合物，例如可列举出分子内至少具有一个聚合性双键的化合物，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。[0227]粘合剂组合物所含有的能量射线固化性树脂(g)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0228]使用能量射线固化性树脂(g)时，在粘合剂组合物中，能量射线固化性树脂(g)的含量相对于粘合剂组合物的总质量的比例优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。[0229][光聚合引发剂(h)]当粘合剂组合物及膜状粘合剂含有能量射线固化性树脂(g)时，为了效率良好地推进能量射线固化性树脂(g)的聚合反应，可以含有光聚合引发剂(h)。[0230]作为粘合剂组合物中的光聚合引发剂(h)，例如可列举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基膦氧化物化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；丁二酮等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；1-氯蒽醌、2-氯蒽醌等醌化合物等。此外，作为光聚合引发剂(h)，例如还可列举出胺等光敏剂等。[0231]粘合剂组合物所含有的光聚合引发剂(h)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0232]使用光聚合引发剂(h)时，在粘合剂组合物中，相对于能量射线固化性树脂(g)的含量100质量份，光聚合引发剂(h)的含量优选为0.1～20质量份，更优选为1～10质量份，特别优选为2～5质量份。[0233][通用添加剂(i)]通用添加剂(i)可以为公知的添加剂，可根据目的任意选择，没有特别限定，但作为优选的添加剂，例如可列举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、着色剂(染料、颜料)、吸杂剂(getteringagent)等。[0234]粘合剂组合物及膜状粘合剂所含有的通用添加剂(i)可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。粘合剂组合物及膜状粘合剂的含量没有特别限定，根据目的进行适当选择即可。[0235][溶剂]粘合剂组合物优选进一步含有溶剂。含有溶剂的粘合剂组合物的操作性变得良好。所述溶剂没有特别限定，但作为优选的溶剂，例如可列举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、n-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。粘合剂组合物所含有的溶剂可以仅为一种，也可以为两种以上，为两种以上时，它们的组合及比率可以任意选择。[0236]从能够将粘合剂组合物中的所含成分更均匀地混合这一点出发，粘合剂组合物所含有的溶剂优选为甲基乙基酮等。[0237]粘合剂组合物的溶剂的含量没有特别限定，例如根据除溶剂以外的成分的种类进行适当选择即可。[0238]《《粘合剂组合物的制备方法》》粘合剂组合物可通过掺合用于构成粘合剂组合物的各成分而得到。例如，除了掺合成分的种类不同这一点以外，能够通过与上文中说明的粘着剂组合物相同的方法制备粘合剂组合物。[0239]○剥离膜剥离膜的构成材料优选为各种树脂，可列举出在所述基材中示例的树脂，优选聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)。[0240]剥离膜的厚度可根据目的适当选择，可以为10μm以上且200μm以下，也可以为20μm以上且150μm以下，也可以为30μm以上且80μm以下。[0241]此处，“剥离膜的厚度”是指剥离膜整体的厚度，例如由多个层构成的剥离膜的厚度是指构成剥离膜的所有层的合计厚度。[0242]除了所述树脂等主要构成材料外，剥离膜还可以含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等各种公知的各种添加剂。[0243]剥离膜的与膜状粘合剂的接合面优选为利用剥离剂进行了处理的剥离处理面。所述剥离处理面可以含有剥离剂。作为剥离剂，例如可列举出醇酸类、硅酮类、氟类、不饱和聚酯类、聚烯烃类、蜡类等，优选含有硅酮的硅酮类剥离剂。[0244]为了使用上述剥离剂进行剥离处理，可列举出以下方法：将剥离剂直接以无溶剂的状态或者经过溶剂稀释或乳化后，利用凹版涂布机、迈耶棒涂布机、气刀涂布机、辊涂机等进行涂布，并将涂布有剥离剂的膜供于常温下或加热下，或者通过电子束而使其固化的方法或通过湿法层压、干法层压、热熔层压、熔融挤出层压、共挤出加工等形成层叠体的方法。[0245]◇卷体作为本发明的半导体装置制造用片的一个实施方案，提供一种在长条状的所述剥离膜上具备所述标签部及所述外周部，并以所述标签部及所述外周部作为内侧卷绕而成的卷体。“作为内侧”是指面向卷体的中心侧(芯部侧)。[0246]图4是示意性示出本发明的一个实施方案的卷体的剖面图，其示出了解开卷绕而将其一部分展开的状态。图4包括图2的b-b’剖面图。卷体110具备标签部30及外周部(未图示)，其在剥离膜15上层叠有2个单元以上的以包括基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14的标签部30为一个单元的单元p30，并且以单元p的层叠有基材11的一侧面向卷体的中心侧(芯部侧)的方式卷绕。卷绕的方向为长条状的剥离膜15的长度方向。卷体的卷绕数没有特别限定，但优选以在所述单元p上至少重叠部分半导体装置制造用片的方式卷绕超过一圈。[0247]所述半导体装置制造用片的一个单元可以为包括用于贴附一次或贴附于一个贴附对象的膜状粘合剂的部分。在图4中，每个单元p30中包含一个圆形的膜状粘合剂14，且以规定间隔连续配置2个单元以上的单元p30。在一个卷体中，各单元p30所包含的结构彼此可以加工成彼此相同的形状。优选的形状为以同心圆状层叠有圆形的支撑片1和直径小于支撑片1的圆形的中间层13及膜状粘合剂14。。[0248]由于膜状粘合剂14容易贴附于半导体晶圆等(贴附对象)，具有附着性，因此适宜通过形成膜状粘合剂14被剥离膜15和支撑片1夹持的结构而以卷状进行保存。卷体也适合制成半导体装置制造用片的流通形态。[0249]卷体例如可以通过将长条状的剥离膜、基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂按照对应的位置关系进行层叠而制造。[0250]◇半导体装置制造用片的制造方法所述半导体装置制造用片能够通过以使上述各个层成为对应位置关系的方式层叠上述各个层而制造。各个层的形成方法与在上文中说明的相同。[0251]例如，所述半导体装置制造用片可通过下述方式制造：分别预先准备基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，并将它们以基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的顺序进行贴合并层叠。然而，这只是半导体装置制造用片的制造方法的一个例子。[0252]所述半导体装置制造用片例如还可通过下述方式制造：预先制作用于构成半导体装置制造用片的将多个层进行层叠而构成的2种以上的中间层叠体，将这些中间层叠体彼此贴合。中间层叠体的构成可适当地任意选择。例如，可预先制造具有基材及粘着剂层层叠而成的构成的第一中间层叠体(相当于所述支撑片)、以及具有中间层及膜状粘合剂层叠而成的构成的第二中间层叠体，将第一中间层叠体中的粘着剂层与第二中间层叠体中的中间层贴合，由此制造半导体装置制造用片。然而，这也只是半导体装置制造用片的制造方法的一个例子。[0253]作为所述半导体装置制造用片，例如在制造如图1所示的中间层的第一面的面积及膜状粘合剂的第一面的面积均比粘着剂层的第一面及基材的第一面的面积小的半导体装置制造用片时，可在上述的制造方法中的任意阶段追加将中间层及膜状粘合剂加工成目标尺寸的工序。例如，可在使用所述第二中间层叠体的制造方法中，通过追加进行将第二中间层叠体中的中间层及膜状粘合剂加工成目标尺寸的工序，制造半导体装置制造用片。[0254]作为所述半导体装置制造用片，例如当制造如图1所示的基材的第一面的面积和粘着剂层的第一面的面积均小于剥离膜的第一面的面积的半导体装置制造用片时，可以在上述制造方法中的任一阶段中追加进行将基材和粘着剂层加工成目标大小的工序。[0255]在制造处于在膜状粘合剂上具备剥离膜的状态的半导体装置制造用片时，例如可以在剥离膜上制作膜状粘合剂，并维持该状态，层叠剩余的层，从而制作半导体装置制造用片；也可以在将基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂全部层叠后，在膜状粘合剂上层叠剥离膜，从而制作半导体装置制造用片。剥离膜在使用半导体装置制造用片时之前在必要阶段去除即可。[0256]具备除基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及剥离膜以外的其他层的半导体装置制造用片，可通过在上述制造方法中，在适当的时机追加形成该其他层并进行层叠的工序而进行制造。[0257]半导体装置制造用片的各个层例如可以通过冲孔加工而加工成任意形状。例如，当将中间层13及膜状粘合剂14制成圆形时，可以使用对应形状的冲孔刀片进行冲孔成圆形的加工。[0258]本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法可以包括以下工序：将具备所述基材及所述粘着剂层的第一中间层叠体与具备所述中间层及所述膜状粘合剂的第二中间层叠体进行贴合的层叠工序；及对所述第二中间层叠体的部分所述膜状粘合剂及中间层进行冲孔加工后将其去除，形成所述标签部、所述沟槽及所述外周部的加工工序。[0259]层叠工序中所使用的第二中间层叠体可以为冲孔加工而成的层叠体(例如，下述第二中间层叠体加工物)。[0260]所述加工工序可以包括下述第一加工工序及第二加工工序。本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法可以包括以下工序：针对具备所述中间层及所述膜状粘合剂的第二中间层叠体的所述中间层及所述膜状粘合剂，在对应于构成半导体装置制造用片的所述标签部的所述中间层及所述膜状粘合剂的外周的位置上形成切口部c，并去除位于以该切口部c为起点的外侧的所述膜状粘合剂及中间层的至少一部分，获得第二中间层叠体加工物的第一加工工序；将具备所述基材及所述粘着剂层的第一中间层叠体与第二中间层叠体加工物进行贴合而获得层叠物的层叠工序；及针对所述层叠物的所述基材及所述粘着剂层，在对应于自半导体装置制造用片的所述标签部延续的所述基材及所述粘着剂层的外周的位置上形成切口部c’，并去除位于以该切口部c’为起点的外侧的所述基材及所述粘着剂层的至少一部分，获得半导体装置制造用片的第二加工工序。[0261]图3是示出本实施方案的半导体装置制造用片的制造方法的一个例子的示意图。另外，图3所示的半导体装置制造用片由图1所示的半导体装置制造用片上下翻转而成。[0262](第一加工工序)图3a所示的第二中间层叠体102具备膜状粘合剂14及中间层13，并具有依次层叠有剥离膜15、膜状粘合剂14、中间层13及剥离膜16的结构。针对第二中间层叠体102的剥离膜16、中间层13及膜状粘合剂14，进行自层叠有剥离膜16的一侧的面形成切口部c1、c2的第一冲孔。切口部c2对应于构成半导体装置制造用片101的标签部30的中间层13及膜状粘合剂14的外周。这里的冲孔位置的切口部c1、c2彼此以同心圆状而配置。冲孔时，可以切入至剥离膜15，也可以在剥离膜15上形成切口部c1、c2。接着，去除位于以切口部c2为起点的外侧的一部分(被切口部c1、c2夹着的圆环状的部分)，获得第二中间层叠体加工物103。这里的外侧是指在平行于膜状粘合剂的表面的方向上的被切口部c2围绕的区域的外侧的位置。在第二中间层叠体加工物103上形成有对应于所去除的被切口部c1、c2夹着的部分的第一沟槽35(图3b)。[0263](层叠工序)从上述得到的第二中间层叠体加工物103上去除剥离膜16，从而使中间层13的一个面露出。此外，从具备基材11和设置于基材11的一个面上的粘着剂层12的带剥离膜的第一中间层叠体上去除剥离膜(未图示)，使粘着剂层12的一个面露出。接着，进行将第一中间层叠体104的粘着剂层12的露出面与第二中间层叠体加工物103的中间层13的露出面贴合的层叠工序。第一中间层叠体104以覆盖第二中间层叠体加工物103的中间层13及膜状粘合剂14的方式而层叠。由此，获得具备剥离膜15、膜状粘合剂14、中间层13、粘着剂层12及基材11的层叠物105(图3c)。[0264](第二加工工序)针对由此获得的层叠物105的基材11、粘着剂层12、中间层13及膜状粘合剂14，进行自层叠有基材11的一侧的面形成切口部c3、c4的第二冲孔。切口部c3对应于半导体装置制造用片101的外周部32的外周。切口部c4对应于位于半导体装置制造用片101的沟槽34内的基材11及粘着剂层12的外周。这里的冲孔位置的切口部c4以与切口部c1、c2为同心圆状而配置。冲孔时，可以切入至剥离膜15，也可以在剥离膜15上形成切口部c3、c4。接着，去除位于以切口部c4为起点的外侧的一部分(被切口部c3、c4夹着的部分)，由此获得半导体装置制造用片101(图3d)。这里的外侧是指在平行于膜状粘合剂的表面的方向上的被切口部c4围绕的区域的外侧的位置。[0265]此处，切口部c4位于比切口部c2更靠近标签部30中膜状粘合剂14径向外侧的位置，因此粘着剂层12的第一面与基材11的第一面的面积形成得比中间层13的第一面的面积及膜状粘合剂14的第一面的面积大。[0266]另外，此时切口部c3位于比切口部c1更靠近标签部30中膜状粘合剂14径向外侧的位置，因此不仅是基材11及粘着剂层12，外侧的中间层13及膜状粘合剂14部分也会在冲孔加工后被去除。然而，在本实施方案的半导体装置制造用片的制造方法中，比切口部c1更靠近外侧的部分的冲孔不是必须的。[0267]在半导体装置制造用片101上形成对应于被切口部c3、c4夹着的部分的第二沟槽36。第二沟槽36和第一沟槽35相加而成的部分相当于半导体装置制造用片101的沟槽34。被切口部c2围绕的膜状粘合剂14的径向内侧相当于标签部30。标签部30的膜状粘合剂14的径向上的切口部c3外侧相当于外周部32。[0268]另外，在图3所示的实施方案中，尽管包括第一加工工序和第二加工工序这两次冲孔加工，但是也可以通过一次冲孔加工(例如，在未冲孔加工的第二中间层叠体与第一中间层叠体的层叠物上形成切口部c1、c2)形成标签部30、沟槽34及外周部32。[0269]本实施方案的半导体装置制造用片的制造方法在所述第一加工工序之前可以进一步包括以下的第二中间层叠体制造工序：在第一剥离膜的剥离处理面上涂布粘合剂组合物，并使其干燥而形成膜状粘合剂，在剥离膜的剥离处理面上涂布中间层形成用组合物，并使其干燥而形成中间层，将所述膜状粘合剂的露出面与所述中间层的露出面贴合，由此获得带第一剥离膜的第二中间层叠体。[0270]本实施方案的半导体装置制造用片的制造方法在所述层叠工序之前可以进一步包括以下的第一中间层叠体制造工序：在剥离膜的剥离处理面上涂布粘着剂组合物，并使其干燥而形成粘着剂层，将所述粘着剂层的露出面与基材贴合，由此获得第一中间层叠体。[0271]本发明的一个实施方案的半导体装置制造用片的制造方法由于包括伴有所述冲孔加工的加工工序，可以简便地形成具备与标签部相同的层结构的外周部。因此，可以简便地制造能够有效抑制卷体中的卷绕痕迹的发生的半导体装置制造用片。[0272]◇半导体装置制造用片的使用方法(带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法)所述半导体装置制造用片可在半导体装置的制造过程中，在制造带膜状粘合剂的半导体芯片时使用。作为本发明的一个实施方案的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，提供一种具有如下工序的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法：在实施方案的半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂侧层叠半导体晶圆或半导体芯片而获得层叠体的工序；及将所述膜状粘合剂、或所述半导体晶圆及所述膜状粘合剂沿所述半导体芯片的外周进行切断，获得带膜状粘合剂的半导体芯片的工序。[0273]以下，参照附图对所述半导体装置制造用片的使用方法(带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法)进行详细说明。[0274]实施方案的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法包括：在半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂的露出面上贴附半导体晶圆的背面，从而获得依次层叠所述基材、所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及所述半导体晶圆而构成的层叠物的工序；在分割所述半导体晶圆的同时切断所述膜状粘合剂，从而获得带膜状粘合剂的半导体芯片的工序；及从所述基材、所述粘着剂层及所述中间层上拉离所述带膜状粘合剂的半导体芯片而对其进行拾取的工序。[0275]图5为用于示意性说明半导体装置制造用片的使用方法的一个例子的示出标签部部分的剖面图，其示出了将半导体装置制造用片贴附于半导体晶圆后进行使用的情况。该方法中，将半导体装置制造用片用作为切割固晶片。此处，以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行说明。[0276]首先，如图5a所示，一边加热处于去除了剥离膜15的状态的半导体装置制造用片101，一边将其中的膜状粘合剂14贴附于半导体晶圆9’的背面9b’。符号9a’表示半导体晶圆9’的电路形成面。[0277]贴附半导体装置制造用片101时的加热温度没有特别限定，但从进一步提高半导体装置制造用片101的加热贴附稳定性这一点出发，优选为40～70℃。[0278]半导体装置制造用片101中的中间层13的宽度w13的最大值及膜状粘合剂14的宽度w14的最大值均与半导体晶圆9’的宽度w9’的最大值完全相同，或者虽然不同但误差轻微至几乎等同。[0279]接着，自半导体晶圆9’的电路形成面9a’侧将刀片切入(进行刀片切割)上述得到的半导体装置制造用片101与半导体晶圆9’的层叠物，由此将半导体晶圆9’分割，同时将膜状粘合剂14切断。[0280]刀片切割能够利用公知的方法进行。例如，能够在将半导体装置制造用片101中的粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于环形框架等夹具(省略图示)上后，使用刀片，进行半导体晶圆9’的分割及膜状粘合剂14的切断。[0281]如图5b所示，通过本工序，可得到具备半导体芯片9与设置在其背面9b的切断后的膜状粘合剂140的多个带膜状粘合剂的半导体芯片914。这些带膜状粘合剂的半导体芯片914处于整齐排列并固定在层叠片10中的中间层13上的状态，并构成带膜状粘合剂的半导体芯片组910。半导体芯片9的背面9b对应于半导体晶圆9’的背面9b’。此外，图5中，附图标记9a表示半导体芯片9的电路形成面，其对应于半导体晶圆9’的电路形成面9a’。[0282]在进行刀片切割时，优选：将刀片切入至半导体晶圆9’的厚度方向的整个区域从而将其分割，同时自膜状粘合剂14的第一面14a将刀片切入至半导体装置制造用片101的中间层13的中途区域，由此将膜状粘合剂14在其厚度方向的整个区域切断，且不切入至粘着剂层12。即，在进行刀片切割时，优选：自半导体晶圆9’的电路形成面9a’将刀片沿半导体装置制造用片101与半导体晶圆9’的层叠物的层叠方向至少切入至中间层13的第一面13a，且不切入至中间层13的与第一面13a为相反侧的面(即，与粘着剂层12的接触面)。[0283]在本工序中，通过上述方式能够易于避免刀片到达至基材11，由此能够抑制来自基材11的切削屑的产生。并且，通过使被刀片切断的中间层13的主要成分为重均分子量为100000以下的非硅类树脂，尤其是通过使该重均分子量为100000以下，还能够抑制来自中间层13的切削屑的产生。[0284]刀片切割的条件根据目的进行适当调节即可，没有特别限定。通常，刀片的转速优选为15000～50000rpm，刀片的移动速度优选为5～75mm/秒。[0285]如图5c所示，在进行刀片切割后，将带膜状粘合剂的半导体芯片914从层叠片10中的中间层13上拉离从而对其进行拾取。此处，示出了使用真空吸嘴(vacuumcollet)等拉离工具7，将带膜状粘合剂的半导体芯片914沿箭头p方向拉离的情况。另外，此处未对拉离工具7进行剖面显示。带膜状粘合剂的半导体芯片914可利用公知的方法而拾取。[0286]当中间层13的第一面13a中的所述硅浓度的比例为1～20％时，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。当中间层13例如含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，且中间层中的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％时，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。[0287]作为至此进行了说明的所述带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的优选实施方案，例如可列举出：一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，所述制造方法中，所述半导体装置制造用片具备所述基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述制造方法具有：一边对所述半导体装置制造用片进行加热，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体晶圆的背面的工序；通过将贴附有所述膜状粘合剂的所述半导体晶圆自其电路形成面侧切入其厚度方向的整个区域而进行分割，从而制作半导体芯片，并同时将所述半导体装置制造用片在其厚度方向上自其所述膜状粘合剂侧切入至所述中间层的中途区域，将所述膜状粘合剂切断且不切入至所述粘着剂层，由此得到多个带所述膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及将所述带膜状粘合剂的半导体芯片从所述中间层上拉离从而对其进行拾取的工序(在本说明书中有时称作“制造方法1”)。[0288]另一实施方案的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法包括：在半导体装置制造用片的所述膜状粘合剂的露出面上贴附多个所述半导体芯片处于整齐排列的状态的半导体芯片组的背面，从而获得依次层叠所述基材、所述粘着剂层、所述中间层、所述膜状粘合剂及所述半导体芯片组而构成的层叠物的工序；切断所述膜状粘合剂，获得带膜状粘合剂的半导体芯片的工序；及从所述基材、所述粘着剂层及所述中间层上拉离所述带膜状粘合剂的半导体芯片而对其进行拾取的工序。[0289]图6为用于示意性说明作为半导体装置制造用片的使用对象的半导体芯片的制造方法的一个例子的剖面图，其示出了对通过进行伴有半导体晶圆中的改质层的形成的切割来制造半导体芯片的情况。图7为用于示意性说明半导体装置制造用片的使用方法的另一个例子的剖面图，其示出了将半导体装置制造用片贴附于半导体芯片后进行使用的情况。该方法中，将半导体装置制造用片用作固晶片。此处，以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行说明。[0290]首先，在使用半导体装置制造用片101之前，如图6a所示，准备半导体晶圆9’，并在其电路形成面9a’上贴附背磨胶带(有时也称为表面保护胶带)8。在图6中，附图标记w9’表示半导体晶圆9’的宽度。[0291]接着，如图6b所示，通过以聚焦于设定在半导体晶圆9’内部的焦点的方式照射激光(省略图示)，在半导体晶圆9’的内部形成改质层90’。优选自半导体晶圆9’的背面9b’侧对半导体晶圆9’照射所述激光。[0292]此时的焦点的位置为半导体晶圆9’的预定分割(切割)的位置，该位置以可由半导体晶圆9’得到目标大小、形状及个数的半导体芯片的方式进行设定。[0293]接着，使用研磨机(省略图示)研磨半导体晶圆9’的背面9b’。由此，将半导体晶圆9’的厚度调节为目标值，同时通过利用此时施加于半导体晶圆9’的研磨时的力，在形成改质层90’的部位分割半导体晶圆9’，如图6c所示，制作多个半导体芯片9。[0294]与半导体晶圆9’的其他部位不同，半导体晶圆9’的改质层90’通过照射激光而改质，其强度变弱。因此，通过对形成有改质层90’的半导体晶圆9’施加力，改质层90’上施加有力，半导体晶圆9’在该改质层90’的部位开裂，可得到多个半导体芯片9。[0295]通过上述方式，可得到作为半导体装置制造用片101的使用对象的半导体芯片9。更具体而言，通过本工序，可得到多个半导体芯片9处于整齐排列并固定在背磨胶带8上的状态的半导体芯片组901。[0296]从半导体芯片组901的上方向下俯视半导体芯片组901时，连接半导体芯片组901的最外侧的部位而形成的平面形状(在本说明书中，有时将这种平面形状简称为“半导体芯片组的平面形状”)，与以相同方式俯视半导体晶圆9’时的半导体晶圆9’的平面形状完全相同，或者两者的平面形状之间的差异轻微至可以忽视，可以说半导体芯片组901的所述平面形状与半导体晶圆9’的所述平面形状大致相同。因此，如图6c所示，半导体芯片组901的所述平面形状的宽度可视为与半导体晶圆9’的宽度w9’相同。并且，半导体芯片组901的所述平面形状的宽度的最大值可视为与半导体晶圆9’的宽度w9’的最大值相同。[0297]另外，此处虽示出了能够符合目标由半导体晶圆9’制成了半导体芯片9的情况，但根据研磨半导体晶圆9’的背面9b’时的条件，半导体晶圆9’的一部分区域有时也不会被分割为半导体芯片9。[0298]接着，使用上述得到的半导体芯片9(半导体芯片组901)，制造带膜状粘合剂的半导体芯片。首先，如图7a所示，一边加热处于去除了剥离膜15的状态的一片半导体装置制造用片101，一边将其中的膜状粘合剂14贴附于半导体芯片组901中的所有半导体芯片9的背面9b。此时的膜状粘合剂14的贴附对象也可以为未完全分割的半导体晶圆。[0299]半导体装置制造用片101中的中间层13的宽度w13的最大值与膜状粘合剂14的宽度w14的最大值均与半导体晶圆9’的宽度w9’(换言之，半导体芯片组901的宽度)的最大值完全相同，或者虽然不同但误差轻微，几乎等同。[0300]对于此时的膜状粘合剂14(半导体装置制造用片101)向半导体芯片组901的贴附，除了使用半导体芯片组901代替半导体晶圆9’这一点以外，可利用与所述制造方法1中的膜状粘合剂14(半导体装置制造用片101)向半导体晶圆9’的贴附相同的方法进行。[0301]接着，从该处于固定状态的半导体芯片组901上去除背磨胶带8。然后，如图7b所示，边冷却半导体装置制造用片101边沿与其表面(例如，粘着剂层12的第一面12a)平行的方向对其进行拉伸，由此进行扩展。此处，用箭头e1表示半导体装置制造用片101的扩展的方向。通过以此方式进行扩展，可沿半导体芯片9的外周切断膜状粘合剂14。[0302]通过本工序，可得到具备半导体芯片9与设置在其背面9b的切断后的膜状粘合剂140的多个带膜状粘合剂的半导体芯片914。这些带膜状粘合剂的半导体芯片914处于整齐排列并固定在层叠片10中的中间层13上的状态，并构成带膜状粘合剂的半导体芯片组910。此处得到的带膜状粘合剂的半导体芯片914及带膜状粘合剂的半导体芯片组910均与上文中说明的制造方法1中得到的带膜状粘合剂的半导体芯片914及带膜状粘合剂的半导体芯片组910基本相同。[0303]在如上所述在分割半导体晶圆9’时半导体晶圆9’的一部分区域未被分割为半导体芯片9的情况下，通过进行本工序，可将该区域分割为半导体芯片。[0304]所述半导体装置制造用片可以为用于冷扩展的片，所述冷扩展通过将所述半导体装置制造用片在低于常温的温度下沿平行于所述半导体装置制造用片平面的方向扩展，从而切断所述膜状粘合剂。在本说明书中，“常温”是指不特别进行冷却或加热的温度，即平常的温度，例如可列举出15～25℃的温度等。优选将半导体装置制造用片101的温度设为-5以上且小于23℃而对其进行扩展，更优选将半导体装置制造用片101的温度设为-5～5℃而对其进行扩展。通过将半导体装置制造用片101以上述方式冷却并进行扩展(进行冷扩展)，可更易于以高精度切断膜状粘合剂14。[0305]半导体装置制造用片101的扩展能够利用公知的方法进行。例如，可将半导体装置制造用片101中的粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于环形框架等夹具(省略图示)后，自基材11侧将半导体装置制造用片101的层叠有中间层13及膜状粘合剂14的区域整体沿自基材11向粘着剂层12的方向上推，将半导体装置制造用片101扩展。[0306]图7b中，虽然粘着剂层12的第一面12a中的、未层叠中间层13及膜状粘合剂14的所述非层叠区域与中间层13的第一面13a几乎平行，但如上所述，在通过半导体装置制造用片101的上推而进行了扩展的状态下，所述非层叠区域包括倾斜面，所述倾斜面的高度沿与上述上推方向相反的方向随着靠近粘着剂层12的外周而逐渐降低。[0307]在本工序中，通过使半导体装置制造用片101具备中间层13(换言之，通过使切断前的膜状粘合剂14设置在中间层13上)，膜状粘合剂14能够在目标位置(换言之，沿半导体芯片9的外周)以良好的精度切断，可抑制切断不良。[0308]如图7c所示，在进行扩展后，将带膜状粘合剂的半导体芯片914从层叠片10中的中间层13上拉离从而对其进行拾取。此时的拾取能够利用与上文中说明的制造方法1中的拾取相同的方法实施，拾取适性也与制造方法1中的拾取适性相同。[0309]例如，本工序中，当中间层13的第一面13a中的所述硅浓度的比例为1～20％时，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。此外，当中间层13例如含有作为所述非硅类树脂的乙烯乙酸乙烯酯共聚物与作为所述添加剂的硅氧烷类化合物，中间层中的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的含量相对于中间层的总质量的比例为90～99.99质量％，中间层中的所述硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例为0.01～10质量％时，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片914。[0310]作为至此进行了说明的所述带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法的优选实施方案，例如可列举出：一种带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，其为具备半导体芯片与设置在所述半导体芯片的背面的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法，所述制造方法中，所述半导体装置制造用片具备所述基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂，所述制造方法具有下述工序：通过以聚焦于设定在半导体晶圆内部的焦点的方式照射激光，在所述半导体晶圆的内部形成改质层的工序；通过对形成所述改质层后的所述半导体晶圆的背面进行研磨，同时利用施加于所述半导体晶圆的研磨时的力，在形成所述改质层的部位分割所述半导体晶圆，得到多个半导体芯片处于整齐排列状态的半导体芯片组的工序；一边对所述半导体装置制造用片进行加热，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所述半导体芯片组中的所有半导体芯片的背面的工序；通过一边冷却贴附于所述半导体芯片组上的所述半导体装置制造用片，一边在低于常温的温度下沿与其表面平行的方向对其进行拉伸，沿所述半导体芯片的外周切断所述膜状粘合剂，得到多个带所述膜状粘合剂的半导体芯片处于整齐排列在所述中间层上的状态的带膜状粘合剂的半导体芯片组的工序；及将所述带膜状粘合剂的半导体芯片从所述中间层上拉离从而对其进行拾取的工序(在本说明书中，有时称作“制造方法2”)。[0311]至此，制造方法1及制造方法2中的任意一种制造方法均以图1所示的半导体装置制造用片101为例，对其使用方法进行了说明，但除此以外的本实施方案的半导体装置制造用片也可同样使用。此时，也可根据需要，基于该半导体装置制造用片与半导体装置制造用片101的构成的差异，适当追加其他工序，从而使用半导体装置制造用片。[0312]不仅限于制造方法1及制造方法2的情况，在得到所述带膜状粘合剂的半导体芯片组后，可在拾取所述带膜状粘合剂的半导体芯片前，将所述层叠片沿与所述粘着剂层的所述中间层侧的面(第一面)平行的方向进行扩展，维持该状态并进一步对所述层叠片中的未载置所述带膜状粘合剂的半导体芯片(带膜状粘合剂的半导体芯片组)的周缘部进行加热。由此能够使所述周缘部收缩，同时能够使所述层叠片中相邻的半导体芯片之间的距离、即切口宽度足够宽并以较高的均匀性保持该切口宽度。进而，能够更易于拾取带膜状粘合剂的半导体芯片。实施例[0313]以下，利用具体的实施例对本发明进行更详细的说明。但本发明不受以下所示的实施例的任何限定。[0314]《《粘合剂组合物的制备原料》》以下示出用于制备粘合剂组合物的原料。[聚合物成分(a)](a)-1：将丙烯酸甲酯(95质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(5质量份)共聚而成的丙烯酸树脂(重均分子量为800000、玻璃化转变温度为9℃)。[环氧树脂(b1)](b1)-1：加成有丙烯酰基的甲酚酚醛清漆型环氧树脂(nipponkayakuco.,ltd.制造的“cna147”，环氧当量为518g/eq，数均分子量为2100，不饱和基团含量与环氧基为等量)[热固化剂(b2)](b2)-1：芳烷基型酚醛树脂(mitsuichemicals,inc.制造的“milexxlc-4l”，数均分子量为1100，软化点为63℃)[填充材料(d)](d)-1：球形二氧化硅(admatech公司制造的“ya050c-mje”，平均粒径为50nm，甲基丙烯酰基硅烷处理品)[偶联剂(e)](e)-1：硅烷偶联剂、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷(shin-etsuchemicalco.,ltd.制造的“kbe-402”)[交联剂(f)](f)-1：甲苯二异氰酸酯类交联剂(tosohcorporation制造“coronatel”)[抗静电剂(g)](g)-1：还原氧化石墨烯(angstrommaterial公司制造的“n002-pdr”)[0315][实施例1]《《半导体装置制造用片的制造》》《基材的制造》使用挤出机，使低密度聚乙烯(ldpe，sumitomochemicalco.,ltd.制造的“sumikathenel705”)熔融，利用t模法将熔融物挤出，并使用冷却辊对挤出物进行双轴拉伸，由此得到ldpe制的基材(厚度为110μm)。[0316]《粘着剂层的制作》制备含有作为粘着性树脂(i-1a)的丙烯酸树脂(toyochemco.,ltd.制造的“oribainbps6367x”)(100质量份)与交联剂(toyochemco.,ltd.制造的“bxx5640”)(1质量份)的非能量射线固化性的粘着剂组合物。[0317]接着，使用通过硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的粘着剂组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于100℃加热干燥2分钟，由此制作非能量射线固化性的粘着剂层(厚度为10μm)。[0318]《中间层的制作》在常温下，使乙烯乙酸乙烯酯共聚物(eva，重均分子量为30000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)(15g)溶解于85g四氢呋喃，向由此所得到的溶液中添加硅氧烷类化合物(聚二甲基硅氧烷、bykjapankk.制造的“byk-333”，1分子中的化学式“‑si(-ch3)2-o‑”所表示的结构单元的数量为45～230)(1.5g)并进行搅拌，由此制作中间层形成用组合物。[0319]使用通过硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的中间层形成用组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于70℃加热干燥5分钟，由此制作中间层(厚度为20μm)。[0320]《膜状粘合剂的制作》制备含有聚合物成分(a)-1(100质量份)、环氧树脂(b1)-1(10质量份)、热固化剂(b2)-1(1.5质量份)、填充材料(d)-1(75质量份)、偶联剂(e)-1(0.5质量份)、交联剂(f)-1(0.5质量份)及抗静电剂(g)-1(5.6质量份)的热固性的粘合剂组合物。[0321]接着，使用通过硅酮处理对聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面进行了剥离处理的剥离膜，将上述得到的粘合剂组合物涂布在该剥离膜的所述剥离处理面上，并于80℃加热干燥2分钟，由此制作热固性的膜状粘合剂(厚度为7μm)。[0322]《半导体装置制造用片的制造》将上述得到的粘着剂层的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面与上述得到的基材的一个表面贴合，由此制作带剥离膜的第一中间层叠体(换言之，带剥离膜的支撑片)。将上述得到的膜状粘合剂的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面与上述得到的中间层的与具备剥离膜的一侧为相反侧的露出面贴合，由此制作带剥离膜的第二中间层叠体(剥离膜、中间层、膜状粘合剂及剥离膜的层叠物)。[0323]然后，针对该带剥离膜的第二中间层叠体，使用圆环状的切断刀片自中间层侧的剥离膜至膜状粘合剂进行冲孔加工。冲孔位置的形状为自第二中间层叠体的中心部为圆环状(圆环的内径152.5mm，外径186.75mm)。接着去除冲孔而成的圆环状的部分(中间层、膜状粘合剂及剥离膜的层叠体)。所去除的圆环状的部分相当于半导体装置制造用片的沟槽的一部分。所去除的圆环状的部分的内侧相当于半导体装置制造用片的标签部。由此，制作在膜状粘合剂侧的剥离膜上使平面形状为圆形(直径305mm)的膜状粘合剂(厚度7μm)、中间层(厚度20μm)及剥离膜沿它们的厚度方向依次层叠而构成的带剥离膜的第二中间层叠体加工物。[0324]接着，从上述得到的带剥离膜的第一中间层叠体(支撑片)中去除剥离膜，使粘着剂层的一个面露出。进一步，从上述得到的带剥离膜的第二中间层叠体加工物中去除圆形的剥离膜，使中间层的一个面露出。接着，将第一中间层叠体中的粘着剂层的新产生的露出面与第二中间层叠体加工物中的中间层的新产生的露出面贴合。针对由此得到的层叠物中的基材、粘着剂层(即支撑片)、中间层及膜状粘合剂，以它们(支撑片)的平面形状为圆形(直径为370mm)、且与圆形的膜状粘合剂及中间层呈同心圆的形状的方式，用圆环状(圆环的内径为370mm)的切断刀片自基材侧进行冲孔加工。去除冲孔而成的圆环状的部分(基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的层叠体)。所去除的圆环状的部分相当于半导体装置制造用片的沟槽的一部分。圆环状的部分的外侧相当于半导体装置制造用片的外周部。由此，获得在剥离膜上使基材(厚度110μm)、粘着剂层(厚度10μm)、中间层(厚度20μm)及膜状粘合剂(厚度7μm)沿它们的厚度方向依次层叠而构成的具有标签部及外周部的半导体装置制造用片。[0325]《《半导体装置制造用片的评价》》《中间层的膜状粘合剂侧的面的硅浓度的比例的计算》在上述半导体装置制造用片的制造过程中，针对与粘着剂层进行贴合前的阶段的中间层的露出面，利用xps进行分析，测定碳(c)、氧(o)、氮(n)及硅(si)的浓度(atomic％)，并根据该测定值求出硅的浓度相对于碳、氧、氮及硅的合计浓度的比例(％)。xps分析使用x射线光电子能谱分析装置(ulvac,inc.制造的“quantrasxm”)，并以照射角度为45°、x射线光束直径为输出为4.5w的条件实施。将结果与其他元素的浓度的比例(％)一同示于表1中的“中间层的元素浓度的比例(％)”一栏。[0326]《进行刀片切割时抑制产生切削屑的效果的评价》[带膜状粘合剂的硅芯片组的制造]将上述得到的半导体装置制造用片中的剥离膜去除。使用以干式抛光加工对背面进行了研磨的硅晶圆(直径为300mm且厚度为75μm)，使用胶带贴合机(linteccorporation制造的“adwillrad2500”)，将上述半导体装置制造用片边加热至60℃，边通过其膜状粘合剂贴附于上述硅晶圆的背面(研磨面)。由此，得到基材、粘着剂层、中间层、膜状粘合剂及硅晶圆沿它们的厚度方向依次层叠而构成的层叠物(所述层叠片、膜状粘合剂、硅晶圆沿它们的厚度方向依次层叠而构成的层叠物)。[0327]接着，将所述层叠物中的粘着剂层的第一面中未设置中间层的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于晶圆切割用环形框架。接着，使用切割装置(discocorporation制造的“dfd6361”)进行切割，由此将硅晶圆分割，同时也将膜状粘合剂切断，得到大小为8mm×8mm的硅芯片。此时的切割通过下述方式进行：将刀片的转速设为30000rpm、并将刀片的移动速度设为30mm/秒，针对半导体装置制造用片，自硅晶圆的膜状粘合剂的贴附面将刀片切入至中间层的中途区域(即，膜状粘合剂的厚度方向的整个区域与中间层的自其膜状粘合剂侧的面至中途的区域)。作为刀片，使用discocorporation制造的“z05-sd2000-d1-90cc”。由此，得到具备硅芯片与设置在其背面的切断后的膜状粘合剂的多个带膜状粘合剂的硅芯片处于通过其中的膜状粘合剂而整齐排列并固定在所述层叠片中的中间层上的状态的带膜状粘合剂的硅芯片组。[0328][抑制切削屑产生的效果的评价]使用数字显微镜(keyencecorporation制造的“vh-z100”)，自上述得到的带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧上方对其进行观察，确认是否产生切削屑。并且，将完全没有产生切削屑的情况判定为“a”，将即使为少量但产生了切削屑的情况判定为“b”。将结果示于表1。[0329]《进行扩展时的膜状粘合剂的切断性的评价》[带膜状粘合剂的硅芯片组的制造]使用平面形状为圆形且该圆形的直径为300mm且厚度为775μm的硅晶圆，在硅晶圆的一个面上贴附背磨胶带(linteccorporation制造的“adwille-3100tn”)。接着，使用激光照射装置(discocorporation制造的“dfl73161”)，以聚焦于设定在该硅晶圆内部的焦点的方式照射激光，由此在硅晶圆的内部形成改质层。此时，所述焦点以可由该硅晶圆得到多个大小为8mm×8mm的硅芯片的方式进行设定。此外，自硅晶圆的另一个面(未贴附背磨胶带的面)侧对硅晶圆照射激光。接着，使用研磨机研磨硅晶圆的所述另一个面，由此将硅晶圆的厚度制成30μm，同时通过利用此时施加于硅晶圆的研磨时的力，在形成改质层的部位分割硅晶圆，形成多个硅芯片。由此，得到多个硅芯片处于整齐排列并固定在背磨胶带上的状态的硅芯片组。[0330]接着，使用胶带贴合机(linteccorporation制造的“adwillrad2500”)，一边将上述得到的一片半导体装置制造用片加热至60℃，一边将其中的膜状粘合剂贴附于所有的所述硅芯片(硅芯片组)的所述另一个面(换言之研磨面)。接着，将该贴附于硅芯片组的半导体装置制造用片中的粘着剂层的第一面中未设置中间层的周缘部附近的区域(所述非层叠区域)固定于晶圆切割用环形框架。[0331]接着，从该处于固定状态的硅芯片组上去除背磨胶带。然后，使用全自动芯片分割机(discocorporation制造的“dds2300”)，在0℃的环境下，一边冷却半导体装置制造用片一边沿与其表面平行的方向对其进行扩展，由此将膜状粘合剂沿硅芯片的外周切断。此时，固定半导体装置制造用片的周缘部，自半导体装置制造用片的基材侧将半导体装置制造用片的层叠有中间层及膜状粘合剂的区域整体仅上推15mm的高度，由此进行扩展。由此，得到多个具备硅芯片与设置在所述硅芯片的另一个面(研磨面)的切断后的膜状粘合剂的带膜状粘合剂的硅芯片处于整齐排列并固定在中间层上的状态的带膜状粘合剂的硅芯片组。[0332]接着，暂时解除上述半导体装置制造用片的扩展后，在常温下，将通过层叠基材、粘着剂层及中间层而构成的层叠物(即，所述层叠片)沿与粘着剂层的第一面平行的方向进行扩展。进一步，维持该经扩展的状态，对所述层叠片中未载置带膜状粘合剂的硅芯片的周缘部进行加热。由此，使所述周缘部收缩，同时使所述层叠片中相邻的硅芯片之间的切口宽度保持为一定值以上。[0333][膜状粘合剂的切断性的评价]在制造上述带膜状粘合剂的硅芯片组时，使用数字显微镜(keyencecorporation制造的“vh-z100”)，自上述得到的带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对其进行观察。然后，确认在假设膜状粘合剂通过半导体装置制造用片的扩展而被正常切断时，应当形成的沿一个方向延伸的多条膜状粘合剂的切断线、及沿与该方向正交的方向延伸的多条膜状粘合剂的切断线中，实际上未形成的切断线及形成不完整的切断线的条数，并按照下述评价基准，评价膜状粘合剂的切断性。将结果示于表1。(评价基准)a：实际上未形成的膜状粘合剂的切断线、及形成不完整的膜状粘合剂的切断线的合计条数为5条以下。b：实际上未形成的膜状粘合剂的切断线、及形成不完整的膜状粘合剂的切断线的合计条数为6条以上。[0334]《抑制膜状粘合剂飞散的评价》在评价上述膜状粘合剂的切断性时，自带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对带膜状粘合剂的硅芯片组进行肉眼观察。并且，确认扩展后在硅芯片的电路形成面上是否附着有飞散的切断后的膜状粘合剂，并按照下述评价基准对膜状粘合剂的飞散抑制性进行评价。将结果示于表1。(评价基准)a：观察到膜状粘合剂附着在电路形成面上的硅芯片个数为0个。b：观察到膜状粘合剂附着在电路形成面上的硅芯片个数为1个以上。[0335]《中间层的裂纹的评价》在评价上述膜状粘合剂的切断性时，使用数字显微镜(keyencecorporation制造的“vh-z100”)，自带膜状粘合剂的硅芯片组的硅芯片侧的上方对带膜状粘合剂的硅芯片组进行观察。并且，确认扩展后中间层有无裂纹的产生，并按照下述评价基准对中间层的裂纹进行评价。将结果示于表1。(评价基准)a：观察到中间层的裂纹的带膜状粘合剂的硅芯片个数为0个。b：观察到中间层的裂纹的带膜状粘合剂的硅芯片个数为1个以上。[0336]《扩展后的带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性的评价》在进行上述膜状粘合剂的切断性的评价之后，接着使用带膜状粘合剂的硅芯片组与固晶装置(fasfordtechnologyco.,ltd.制造的“pu100”)，在上推高度为250μm、上推速度为5mm/s、上推时间为500ms的条件下，从所述层叠片中的中间层上拾取带膜状粘合剂的硅芯片。并且，将能够正常拾取所有带膜状粘合剂的硅芯片的情况评价为“a”，将无法正常拾取1个以上的带膜状粘合剂的硅芯片的情况评价为“b”。将结果示于表1。[0337]《中间层与膜状粘合剂之间的t型剥离强度的测定》将上述得到的半导体装置制造用片上的剥离膜去除。将由此产生的半导体装置制造用片中的膜状粘合剂的露出面的整个面贴合于具有聚对苯二甲酸乙二醇酯层的粘着胶带(linteccorporation制造的“pet50(a)plシン8lk”)的粘着面，将由此得到的层叠物裁切成50mm×100mm的大小，由此制作试验片。对于该试验片，按照jisk6854-3，将基材、粘着剂层及中间层的层叠物(即所述层叠片)、与膜状粘合剂及粘着胶带的层叠物拉离，使试验片以t字状剥离，将此时所测定的剥离力(mn/50mm)的最大值作为t型剥离强度。此时，以剥离速度为50mm/分钟、23℃、湿度50％rh的条件进行测定。将结果示于表1。[0338]《《卷体的制造》》在长条状的剥离膜(长度100m)上，以规定的位置(标签部的圆形的膜状粘合剂的中心之间的距离为378mm)成一列连续配置上述制造的半导体装置制造用片中的由基材、粘着剂层、中间层及膜状粘合剂的层叠体构成的标签部及外周部，并以使半导体装置制造用片的层叠有基材的一侧朝向芯侧的方式卷绕成卷，由此制造卷体。卷绕的方向为长条状的剥离膜的长度方向。[0339][半导体装置制造用片的卷体的卷绕痕迹产生的评价]针对上述制造的卷体中自芯部开始计数至第2～5片的半导体装置制造用片，按照下述评价基准通过肉眼确认是否在膜状粘合剂的表面产生了标签部的圆形的卷绕痕迹(由标签部的圆形膜状粘合剂及中间层的段差带来的形状痕迹)。将结果示于表1。(评价基准)a：未确认到卷绕痕迹。b：确认到卷绕痕迹。[0340][实施例2]除了减少中间层形成用组合物的涂布量从而将中间层的厚度制成3μm以代替20μm这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0341][实施例3]除了增大中间层形成用组合物的涂布量从而将中间层的厚度制成100μm以代替20μm这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0342][实施例4]除了在制备中间层形成用组合物时，不添加所述硅氧烷类化合物，并将所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物的用量设为16.5g以代替15g(换言之，用相同质量的所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物代替所述硅氧烷类化合物，从而仅使所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物溶解于四氢呋喃)以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。表1中的添加剂一栏中的“‑”的记载是指未使用该添加剂。[0343][实施例5]除了在对第二中间层叠体进行冲孔加工时，将冲孔位置的形状变更为自第二中间层叠体的中心部为圆环状(圆环的内径为162.5mm，外径为186.75mm)，并将所制造的膜状粘合剂及中间层的平面形状的直径由305mm变更为315mm这几点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0344][参考例1]除了在对第二中间层叠体进行冲孔加工后不仅去除圆环状的沟槽部分还去除位于该沟槽外侧的外周部而未形成外周部这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0345][比较例1]除了在制备中间层形成用组合物时，使用相同质量的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(eva，重均分子量为200000，衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)代替所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物这一点、及增大中间层形成用组合物的涂布量从而将中间层的厚度制成80μm以代替20μm这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0346][比较例2]除了在制备中间层形成用组合物时，使用相同质量的乙烯乙酸乙烯酯共聚物(eva，重均分子量为200000、衍生自乙酸乙烯酯的结构单元的含量为25质量％)代替所述乙烯乙酸乙烯酯共聚物这一点以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。[0347][比较例3]除了未设置中间层以外，利用与实施例1相同的方法，制造半导体装置制造用片及卷体并对其进行评价。将结果示于表1。表1中的添加剂这一栏中记载的“‑”表示未设置中间层。[0348][0349]根据上述结果可知，在标签部的外侧设置了外周部的实施例1～5的半导体装置制造用片的卷体中抑制了卷绕痕迹的产生。[0350]进一步，实施例1～5的半导体装置制造用片在进行刀片切割时抑制了切削屑的产生，在进行扩展时抑制了膜状粘合剂的切断不良，半导体晶圆的分割适性优异。在实施例1～5的半导体装置制造用片中，半导体装置制造用片中的中间层中作为主要成分而含有的乙烯乙酸乙烯酯共聚物的重均分子量为30000。另外，认为比较例2中进行扩展时的膜状粘合剂的切断性较差的原因在于，上述重均分子量大且剥离强度大(认为若剥离强度大则膜状粘合剂会追随中间层)。在这一点上，实施例1～2、实施例4～5及参考例1的剥离力则较高，推测由于上述重均分子量低因而切断性良好。[0351]相对于此，在所述重均分子量为200000的比较例1～2中，在进行刀片切割时未能抑制切削屑的产生，半导体晶圆的分割适性差。比较例3中未设置中间层，认为刀片到达至基材从而产生来自基材的切削屑。[0352]在实施例1～4的半导体装置用片中，标签部的膜状粘合剂的直径与半导体晶圆的直径之差为10mm以下(5mm)，膜状粘合剂的飞散抑制性效果良好。在实施例5中，标签部的膜状粘合剂的宽度的最大值与半导体晶圆的宽度的最大值之差大于10mm(15mm)，在实施例5中，膜状粘合剂的飞散抑制性差。[0353]在中间层的厚度为15μm以上且80μm以下的实施例1及实施例3～5的半导体装置用片中抑制了中间层的裂纹的产生。[0354]实施例1、2及5的半导体装置用片的扩展后的带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性优异。[0355]在半导体装置制造用片中的中间层含有所述硅氧烷类化合物的半导体装置用片中，对于实施例1～2、5的半导体装置用片而言，中间层的基于x射线光电子能谱法的所述硅的浓度比例为1～20％，t型剥离强度为100mn/50mm以下，适度地较低，拾取性优异。在实施例1～2、4～5中，这些评价结果与上述带膜状粘合剂的硅芯片的拾取性的评价结果一致。[0356]对于实施例3的半导体制造用片而言，认为虽然所述t型剥离强度为60mn/50mm以下，适度地较低，但中间层的厚度厚至100μm，因此在实施例的拾取性评价条件下具有一定厚度的中间层减缓上推力，结果导致拾取性差。[0357]另外，作为实施例3的半导体装置制造用片的所述t型剥离强度小于实施例1的半导体装置制造用片的所述t型剥离强度的原因，推测如下。硅氧烷类化合物的含量相对于中间层的总质量的比例(质量％)在实施例1和实施例3的半导体装置制造用片中虽然是相同的。但与中间层的厚度变厚相对应地，实施例3的中间层的硅氧烷类化合物的含量(质量份)多于实施例1的中间层的硅氧烷类化合物的含量(质量份)。并且硅氧烷类化合物在中间层中容易不均匀地存在于中间层的两个面及其附近区域。因此，认为不均匀地存在于中间层的两个面及其附近区域的硅氧烷类化合物的量也同样是实施例3比实施例1多。[0358]另外，在所有分析中，对中间层的露出面进行xps分析时都未检测出氮。[0359]另外，比较例1～2的半导体装置制造用片的差异仅在于中间层的厚度，比较例1～2中的中间层与膜状粘合剂之间的t型剥离强度的关系显示出与实施例1～2相同的倾向。[0360]各实施方案中的各构成及其组合等仅为一个例子，可在不脱离本发明主旨的范围内，对构成进行添加、省略、替换及其他变更。此外，本发明不受各实施方案的限定，仅限定于权利要求(claim)的范围。工业实用性[0361]本发明可用于半导体装置的制造。附图标记说明[0362]101：半导体装置制造用片；1：支撑片；10：层叠片；11：基材；12：粘着剂层；13：中间层；13a：中间层的第一面；14：膜状粘合剂；15：剥离膜；16：剥离膜；30：标签部；32：外周部；34：沟槽；35：第一沟槽；36：第二沟槽；h30：标签部的半导体装置制造用片的厚度；h32：外周部的半导体装置制造用片的厚度；w13：中间层的宽度；w14：膜状粘合剂的宽度；w34：沟槽的宽度；102：第二中间层叠体；103：第二中间层叠体加工物；104：第一中间层叠体；105：层叠物；c1、c2、c3、c4：切口部；110：卷体；p30：单元；8：背磨胶带；9’：半导体晶圆；90’：改质层；9a’：半导体晶圆的电路形成面；9b’：半导体晶圆的背面；901：半导体芯片组；9：半导体芯片；9a：半导体芯片的电路形成面；9b：半导体芯片的背面；140：切断后的膜状粘合剂；910：带膜状粘合剂的半导体芯片组；914：带膜状粘合剂的半导体芯片；e1：扩展的方向。当前第1页12当前第1页12
再多了解一些
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