用于拾取和放置光电半导体芯片的方法和设备与流程

技术特征：
1.一种用于拾取和放置光电半导体芯片(11)的方法，其中，在光电半导体芯片(11)中产生电子与空穴对，并且通过所述电子与空穴对在相应的所述光电半导体芯片(11)的周围环境中产生电偶极场，拾取工具(13)产生电场，并且在产生所述电子与空穴对期间或之后，利用所述拾取工具(13)将所述光电半导体芯片(11)拾取并且放置在预定位置处。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述光电半导体芯片是led。3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，为了产生所述电子与空穴对，利用具有预定波长或预定波长范围的光(16)照射所述光电半导体芯片(11)。4.根据权利要求3所述的方法，其中，为了产生所述电子与空穴对，使所述光(16)通过所述拾取工具(13)射到所述光电半导体芯片(11)上。5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述光电半导体芯片(11)布置在载体(12)上，并且为了产生所述电子与空穴对，使所述光(16)通过所述载体(12)射到所述光电半导体芯片(11)上。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，提供多个光电半导体芯片(11)，并且仅在所述多个光电半导体芯片(11)中的选定的光电半导体芯片(11)中产生所述电偶极场。7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述拾取工具(13)仅在预定区域中产生电场。8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述拾取工具(13)在朝向所述光电半导体芯片(11)的表面上具有多个凸起(17)，并且由所述拾取工具(13)的所述凸起(17)拾取所述光电半导体芯片(11)。9.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述拾取工具(13)的朝向所述光电半导体芯片(11)的表面(21)的至少一个区域是平坦的，并且利用所述拾取工具(13)的平坦的所述区域拾取所述光电半导体芯片(11)。10.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述拾取工具(13)具有圆柱体的形状，所述圆柱体在所述光电半导体芯片(11)上滚动以拾取所述光电半导体芯片(11)。11.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，改变由所述拾取工具(13)产生的所述电场以放置所述光电半导体芯片(11)。12.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，为了拾取所述光电半导体芯片(11)，所述拾取工具(13)直接接触所述光电半导体芯片(11)并且借助于范德华力保持所述光电半导体芯片。13.一种用于拾取和放置光电半导体芯片(11)的设备(10，20)，所述设备包括：激励元件(14)，所述激励元件用于在所述光电半导体芯片(11)中产生电子与空穴对，以在相应的所述光电半导体芯片(11)的周围环境中产生电偶极场，以及用于拾取和放置所述光电半导体芯片(11)的拾取工具(13)，其中，所述拾取工具(13)设计成，使得所述拾取工具产生电场，然后所述拾取工具利用由所述激励元件(14)产生的所述电子与空穴对来拾取所述光电半导体芯片(11)并将所述光电半导体芯片(11)放置在预定位置。14.根据权利要求13所述的设备(10，20)，其中，所述激励元件(14)设计成，为了在所述
光电半导体芯片(11)中产生所述电子与空穴对，使所述激励元件产生具有预定波长或预定波长范围的光(16)。15.根据权利要求14所述的设备(10，20)，其中，所述激励元件(14)设置成，为了产生所述电子与空穴对，使所述光(16)通过所述拾取工具(13)或通过载体(12)射到所述光电半导体芯片(11)上，在所述载体上布置有所述光电半导体芯片(11)。16.根据权利要求13至15中任一项所述的设备(10，20)，其中，所述拾取工具(13)在朝向所述光电半导体芯片(11)的表面上具有多个凸起(17)，并且由所述拾取工具(13)的所述凸起(17)拾取所述光电半导体芯片(11)。17.根据权利要求13至15中任一项所述的设备(10，20)，其中，所述拾取工具(13)的朝向所述光电半导体芯片(11)的表面(21)的至少一个区域是平坦的，并且利用所述拾取工具(13)的平坦的所述区域拾取所述光电半导体芯片(11)。18.根据权利要求13至15中任一项所述的设备(10，20)，其中，所述拾取工具(13)具有圆柱体的形状，所述圆柱体在所述光电半导体芯片(11)上滚动以拾取所述光电半导体芯片(11)。

技术总结
本发明涉及一种用于拾取和放置光电半导体芯片(11)的方法，其包括：在光电半导体芯片(11)中产生电子与空穴对并因此在相应的光电半导体芯片(11)的周围环境中产生电偶极场，拾取工具(13)产生电场，并且在产生电子与空穴对期间或之后利用拾取工具(13)将光电半导体芯片(11)拾取并放置在指定位置。片(11)拾取并放置在指定位置。片(11)拾取并放置在指定位置。


技术研发人员：托比亚斯
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司
技术研发日：2020.08.12
技术公布日：2022/6/4