显示基板、其制作方法及显示装置与流程

1.本技术涉及显示技术领域，具体而言，本技术涉及一种显示基板、其制作方法及显示装置。


背景技术：

2.屏下摄像头技术(full display with camera，fdc)是实现全面屏的关键，对于oled全面屏来说，显示屏的透过率对于摄像效果来说至关重要。但为了保证密封效果，oled显示屏通常采用双层聚酰亚胺(polyimide，pi)膜层作为衬底，这会大幅降低显示屏的透过率，因此需要对摄像区域的pi膜层进行图形化处理。
3.现有技术中通常采用激光刻蚀来实现图形化处理，激光刻蚀在具体操作的过程中容易出现刻蚀不均的问题，例如刻蚀的起始位置和结束位置的刻蚀深度大于其余刻蚀位置的刻蚀深度，因此容易出现刻蚀不足而对透过率产生影响，或者出现过刻蚀而引起水氧侵入的风险。并且由于双层pi膜层之间存在的压敏胶(pressure sensitive adhesive，psa)容易在激光刻蚀过程中碳化，也会影响透过率。


技术实现要素：

4.本技术针对现有方式的缺点，提出一种显示基板、其制作方法及显示装置，用于解决现有技术中因激光刻蚀对pi膜层的刻蚀所引起的问题。
5.第一个方面，本技术实施例提供了一种显示基板，包括摄像区域和正常显示区域，所述显示基板包括：
6.衬底，包括刻蚀区，所述刻蚀区位于所述摄像区域，位于所述刻蚀区的所述衬底的厚度小于位于所述正常显示区域的所述衬底的厚度；
7.阳极层，位于所述衬底的一侧，包括多个阳极单元；
8.遮挡层，位于所述阳极层靠近所述衬底的一侧，包括轮廓部和位于所述轮廓部内的多个遮挡单元；
9.所述刻蚀区的边缘在特定平面的正投影位于所述轮廓部在所述特定平面上的正投影内，每个所述遮挡单元在特定平面的正投影与位于摄像区域的一个所述阳极单元在特定平面的正投影重合，所述特定平面与所述衬底所在平面平行。
10.可选地，所述的显示基板还包括：
11.阴极层，位于所述阳极层远离所述衬底的一侧，且位于所述摄像区域的阴极层包括多个阴极单元，每个所述阴极单元在所述特定平面上的正投影与一个所述阳极单元在所述特定平面上的正投影重合；
12.发光层，位于所述阳极层和所述阴极层之间；
13.透明导电层，位于所述阴极层远离所述衬底的一侧，至少位于摄像区域且与所述阴极层接触。
14.可选地，所述衬底包括：
15.第一有机层；
16.第一无机层，位于所述第一有机层靠近所述阳极层的一侧；
17.第二有机层，位于所述第一无机层靠近所述阳极层的一侧；
18.第二无机层，位于所述第二有机层靠近所述阳极层的一侧。
19.可选地，所述遮挡层为单层，位于所述摄像区域的每个所述阳极单元所述特定平面上的正投影位于一个所述遮挡单元在所述特定平面上的正投影内。
20.可选地，所述遮挡层位于第一有机层与所述第一无机层之间；或者所述遮挡层位于所述第一无机层与所述第二有机层之间；或者所述遮挡层位于所述第二有机层和所述第二无机层之间。
21.可选地，所述遮挡层包括：
22.第一遮挡层，位于第一有机层与所述第二无机层之间，包括所述轮廓部和多个位于所述轮廓部内的第一遮挡单元；
23.第二遮挡层；位于所述衬底与所述阳极层之间，包括多个第二遮挡单元；
24.所述第一遮挡单元和所述第二遮挡单元在所述特定平面上的正投影的合集作为所述遮挡单元的正投影。
25.可选地，所述的显示基板还包括位于所述衬底和所述阳极层之间和所述衬底之间的栅极层、有源层、源漏电极层、无机绝缘层和有机绝缘层，所述栅极层、所述源漏电极层、所述无机绝缘层或所述有机绝缘层复用为所述第二遮挡层。
26.可选地，所述刻蚀区的边缘卷曲和/或所述刻蚀区的边缘为锯齿状。
27.可选地，所述遮挡层的材料为激光吸收材料。
28.第二个方面，本技术实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的显示基板和摄像头，该摄像头位于所述摄像区域且位于所述衬底远离所述阳极层的一侧。
29.第三个方面，本技术实施例提供了一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括摄像区域和正常显示区域，所述制作方法包括：
30.形成衬底和遮挡层，所述遮挡层包括轮廓部和位于所述轮廓部内的多个遮挡单元；
31.形成阳极层，所述遮挡层位于所述阳极层靠近所述衬底的一侧，所述阳极层包括多个阳极单元，每个所述遮挡单元在特定平面上的正投影与一个所述阳极单元在所述特定平面上的正投影至少部分重合，所述特定平面与所述衬底所在平面平行；
32.对位于所述摄像区域的所述衬底进行激光刻蚀以在所述衬底上形成刻蚀区，以使位于所述刻蚀区的所述衬底的厚度小于位于所述正常显示区域的所述衬底的厚度。
33.可选地，所述的制作方法还包括：
34.在所述阳极层上形成发光层；
35.在所述发光层上形成阴极层；
36.在所述阴极层上形成透明导电层，所述透明导电层至少位于所述摄像区域且与所述阴极层接触；
37.对所述阴极层进行激光刻蚀以在所述摄像区域形成多个所述阴极单元，每个所述阴极单元在所述特定平面上的正投影与一个所述阳极单元在所述特定平面上的正投影重合。
第二无机层；12-遮挡层；121-轮廓部；122-遮挡单元；12a-第一遮挡层；121a-轮廓部；122a-第一遮挡单元；12b-第二遮挡层；121b-第二遮挡单元；13-有源层；14-阳极层；141-阳极单元；15-发光层；16-阴极层；161-正常阴极；162-阴极单元；163-信号线；17-透明导电层；18-封装层；
60.2-彩膜；
61.3-偏光片；
62.4-盖板；
63.10-摄像区域；20-正常显示区域；
64.100-显示面板；200-摄像头。
具体实施方式
65.下面详细描述本技术，本技术的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本技术的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本技术，而不能解释为对本技术的限制。
66.本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本技术所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
67.本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本技术的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
68.屏下摄像头技术(full display with camera，fdc)是实现全面屏的关键，通常情况下，采用fdc技术的显示屏为oled显示屏。如图1所示，采用fdc技术的显示屏包括摄像区域10和正常显示区域20，其中，摄像区域10的透过率对于摄像效果来说至关重要。
69.为了保证密封效果，oled显示屏通常采用双层聚酰亚胺(polyimide，pi)膜层作为衬底，这会大幅降低显示屏的透过率，因此需要对摄像区域的pi膜层进行图形化处理。
70.现有技术中通常采用激光刻蚀来实现图形化处理，激光刻蚀在具体操作的过程中容易出现刻蚀不均的问题。具体地，如图2所示，因工艺原因，激光刻蚀的起始位置和结束位置的能力较大，当按照设定的参数进行激光对pi膜层进行激光刻蚀时，大部分刻蚀区域的刻蚀深度为12μm，但起始位置(约480μm处)的激光刻蚀深度为49μm，虽然图1并未展示，但刻蚀的结束位置的激光刻蚀深度也较大。基于此，若刻蚀区的大部分区域均达到刻蚀需求则起始位置和结束位置会过刻蚀，严重时甚至会导致金属层裸露；而为了避免起始位置和结束位置过刻蚀则大部分刻蚀区会刻蚀不足，透过率提升有限。
71.并且由于双层pi膜层之间存在的压敏胶(pressure sensitive adhesive，psa)容易在激光刻蚀过程中碳化，这不仅会影响透过率，还会妨碍pi的剥离。
72.除上述问题外，为了进一步提升摄像区域的透过率，还需要对摄像区域的阴极层进行图形化。具体地，如图3所示，阴极层16包括位于正常显示区域20的正常阴极161和位于摄像区域10的阴极单元162以及信号线163，信号线163用于将多个阴极单元162进行连接。但信号线163的存在不仅影响透过率，而且容易引起显示光线的衍射效应而影响显示效果。
73.本技术提供了显示基板、其制作方法及显示装置，旨在解决上述技术问题。
74.下面以具体地实施例对本技术的技术方案以及本技术的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
75.本技术实施例提供了一种显示基板，请结合图1，该显示基板1包括摄像区域10和正常显示区域20。如图4至图6所示，本实施例提供的显示基板1包括：
76.衬底11，包括刻蚀区，刻蚀区位于摄像区域10，位于刻蚀区的衬底11的厚度小于位于正常显示区域20的衬底11的厚度；
77.阳极层14，位于衬底11的一侧，包括多个阳极单元141；
78.遮挡层12，位于阳极层14靠近衬底11的一侧，包括轮廓部121和位于轮廓部121内的多个遮挡单元122；
79.刻蚀区的边缘在特定平面的正投影位于轮廓部121在特定平面上的正投影内，每个遮挡单元122在特定平面的正投影与位于摄像区域10的一个阳极单元141在特定平面的正投影重合，特定平面与衬底11所在平面平行。
80.具体地，激光刻蚀的起始位置和边缘位置即位于刻蚀区的边缘，因此，遮挡层12的轮廓部121能够对激光刻蚀的起始位置和结束位置进行保护以防止过刻蚀，因此能够保证刻蚀区的大部分区域得到充分刻蚀。
81.本实施例提供的显示基板1，由于遮挡层12的遮挡单元122与在特定平面的正投影与位于摄像区域10的一个阳极单元141在特定平面的正投影至少部分重合，也就是在激光刻蚀过程中遮挡层12能够对阳极单元141进行保护。
82.可选地，如图4至图6所示，本实施例提供的显示基板1中，刻蚀区的边缘卷曲和/或刻蚀区的边缘为锯齿状。
83.具体地，由于刻蚀区的边缘通常为激光刻蚀的起始位置或结束位置激光刻蚀能量较大容易引起卷曲现象，而且由于激光刻蚀可能存在切割精度问题而使得刻蚀区的边缘为锯齿状。但由于遮光层包括轮廓部121，能够对卷曲以及锯齿进行遮挡，并不会影响摄像区域10的透过率和显示效果。
84.可选地，如图4至图6所示，本实施例提供的显示基板1中，遮挡层12的材料为激光吸收材料。例如为金属(与源漏电极层以及栅极层同材料)、无机绝缘层材料或者有机绝缘层材料。
85.具体地，遮挡层12通过对激光进行吸收从而防止激光透过遮挡层12而影响遮挡层12上的其他膜层。
86.可选地，如图4至图6所示，本实施例提供的显示基板1还包括阴极层16、发光层15以及透明导电层17。
87.阴极层16位于阳极层14远离衬底11的一侧，且位于摄像区域10的阴极层16包括多个阴极单元162，每个阴极单元162在特定平面上的正投影与一个阳极单元141在特定平面上的正投影重合。具体地，阴极层还包括位于正常显示区域20的正常阴极161，阴极层16的
材料为镁银合金，具有良好的导电性。
88.发光层15位于阳极层14和阴极层16之间。具体地，发光层15可以为单层或多层，单层发光层仅包括有机发光层，多层发光层除了包括有机发光层之外还包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层以及空穴注入层中的一种或多种。
89.透明导电层17位于阴极层16远离衬底11的一侧，至少位于摄像区域10且与阴极层16接触。具体地，透明导电层17为氧化铟锡(ito)膜层。
90.需要说明的是，如图4所示，摄像区域10通常不设置有源层13，也就是摄像区域10的像素驱动电路通常不设置在摄像区域10，而是设置在显示屏的边框区或者正常显示区域20，从而提升摄像区域10的透过率。
91.需要说明的是，如图4所示，摄像区域10膜层结构19并非单一膜层，而是多个膜层，例如包括多个绝缘层和位于绝缘层之间的导电层，为了提升透过率，导电层采用透明导电材料制成。
92.具体地，阴极单元162与阳极单元141重合，也就是阴极单元162与遮挡单元122重合，因此还能够利用遮挡层12来实现对阴极层16的激光刻蚀，并且由于阴极单元162是利用透明导电层17进行电连接而无需在阴极层16设置用于连接阴极单元162的信号线，因此能够解决信号线引起的透过率降低以及衍射效应问题，能够进一步提升摄像区域10的透过率以及提升显示效果。
93.如图4所示，本实施例提供的显示基板1中，衬底11包括第一有机层111、第一无机层112、第二有机层113和第二无机层114，其中，第一无机层112位于第一有机层111靠近阳极层14的一侧，第二有机层113位于第一无机层112靠近阳极层14的一侧，第二无机层114位于第二有机层113靠近阳极层14的一侧。
94.具体地，第一有机层111和第二有机层113均为聚酰亚胺(pi)膜层，具体地，第一有机层111和第二有机层113优选为透明聚酰亚胺(colorless polymide，cpi)膜层。第一无机层112和第二无机层114的材料包括sin
x
或sio
x
中的一种多种。
95.本实施例提供的显示基板1中，采用双层pi膜层作为衬底11，具有良好的水氧阻隔能力。
96.本实施例提供的显示基板1中，遮挡层12可以位于不同的位置以及采用单层或多层设计，以下进行详细说明。
97.在一个可选的实施例中，如图4所示，遮挡层12为单层，位于摄像区域10的每个阳极单元141特定平面上的正投影位于一个遮挡单元122在特定平面上的正投影内。
98.具体地，如图4所示，遮挡层12位于第二有机层113和第二无机层114之间，此时在激光刻蚀之后，摄像区域10的衬底11中的第一有机层111、第二有机层113以及第一无机层112被剥离。
99.或者，遮挡层12位于第一有机层111与第一无机层112之间，此时在激光刻蚀之后摄像区域10的衬底11中的第一有机层111被剥离。
100.或者，遮挡层12位于第一无机层112与第二有机层113之间，此时在激光刻蚀之后，摄像区域10的衬底11中的第一有机层111以及第一无机层112被剥离。
101.本实施例提供的显示基板1，在具体实施时，根据需要剥离需求将遮光层设置在相应的膜层之间，较为简单且较为灵活。
102.在另一个可选的实施例中，如图7所示，遮挡层12包括第一遮挡层12a和第二遮挡层12b；第一遮挡层12a位于第一有机层111与第二无机层114之间，包括轮廓部121a和多个位于轮廓部121a内的第一遮挡单元122a；第二遮挡层12b位于衬底11与阳极层14之间，包括多个第二遮挡单元121b；第一遮挡单元122a和第二遮挡单元121b在特定平面上的正投影的合集作为遮挡层12的正投影。
103.具体地，第一遮挡层12a和第二遮挡层12b共同对阳极单元141所在的区域进行保护，能够防止激光刻蚀对阳极单元141以及发光层15等产生影响，并且共同作为阴极层16激光刻蚀的掩膜从而实现阴极的图形化。
104.具体地，根据需要剥离的衬底11中膜层的情况，第一遮挡层12a可以设置在不同的位置。例如，第一遮挡层12a可以位于第二有机层113和第二无机层114之间，此时在激光刻蚀之后，摄像区域10的衬底11中的第一有机层111、第二有机层113以及第一无机层112被剥离；或者，第一遮挡层12a位于第一有机层111与第一无机层112之间，此时在激光刻蚀之后摄像区域10的衬底11中的第一有机层111被剥离；或者，第一遮挡层12a位于第一无机层112与第二有机层113之间，此时在激光刻蚀之后，摄像区域10的衬底11中的第一有机层111以及第一无机层112被剥离。
105.具体地，本实施例提供的显示基板1还包括位于衬底11和阳极层14之间的栅极层、有源层、源漏电极层、无机绝缘层和有机绝缘层，栅极层、源漏电极层、无机绝缘层或有机绝缘层复用为第二遮挡层12b。如此无需单独制作第二遮挡层12b，工艺较为简单。
106.具体地，如图4或图7所示，为了防止水氧经由衬底11的刻蚀区进入到显示基板1内部，可以在刻蚀区填充高透有机材料，例如，填充oca胶或者pet膜等材料，在保证摄像区域10透过率的同时能够增强刻蚀区的抗水氧能力。
107.具体地，如图4或图7所示，本实施例提供的显示基板1还包括封装层18，封装层18位于透明导电层17远离衬底11的一侧。封装层18为薄膜封装层，起到阻隔水氧的作用。
108.具体地，如图8所示，当在封装层上设置彩膜2、偏光片3以及盖板4等结构后则构成显示面板，该显示面板100包括上述实施例中的显示基板1，具有上述实施例中的显示基板1的有益效果，在此不再赘述。
109.具体地，图8所示的彩膜2、偏光片3和盖板4均位于封装层18之上，但在实际应用中，彩膜2也可以设置在封装层18与阴极层16之间。
110.基于同一发明构思，本实施例提供了一种显示装置，如图9所示，本实施例提供的显示装置包括上述实施例中的显示面板100，具有上述实施例中的显示面板100的有益效果，在此不再赘述。
111.具体地，本实施例提供的显示装置还包括摄像头200，摄像头200位于显示面板100下方且位于摄像区域10，摄像头具体位于衬底远离阳极层的一侧，从而实现屏下摄像。
112.基于同一发明构思，本实施例提供了一种显示基板的制作方法，显示基板1包括摄像区域10和正常显示区域20，如图4至图6以及图10所示，本实施例提供的制作方法包括：
113.s1：形成衬底11和遮挡层12，遮挡层12包括轮廓部121和位于轮廓部121内的多个遮挡单元122。
114.s2：形成阳极层14，遮挡层12位于阳极层14靠近衬底11的一侧，阳极层14包括多个阳极单元141，每个遮挡单元122在特定平面上的正投影与一个阳极单元141在特定平面上
的正投影至少部分重合，特定平面与衬底11所在平面平行。
115.s3：对位于摄像区域10的衬底11进行激光刻蚀以在衬底11上形成刻蚀区，以使位于刻蚀区的衬底11的厚度小于位于正常显示区域20的衬底11的厚度。
116.具体地，激光刻蚀的起始位置和边缘位置即位于刻蚀区的边缘，因此，遮挡层12的轮廓部121能够对激光刻蚀的起始位置和结束位置进行保护以防止过刻蚀，因此能够保证刻蚀区的大部分区域得到充分刻蚀。
117.本实施例提供的显示基板1的制作方法，由于遮挡层12的遮挡单元122与在特定平面的正投影与位于摄像区域10的一个阳极单元141在特定平面的正投影至少部分重合，也就是在激光刻蚀过程中遮挡层12能够对阳极单元141进行保护。
118.可选地，如图4至图6以及图11所示，本实施例提供的显示基板的制作方法还包括：
119.s4：在阳极层14上形成发光层15。具体地，发光层15可以为单层或多层，单层发光层15仅包括有机发光层15，多层发光层15除了包括有机发光层15之外还包括电子注入层、电子传输层、空穴注入层以及空穴注入层中的一种或多种。
120.s5：在发光层15上形成阴极层16。具体地，阴极层16的材料为镁银合金，具有良好的导电性。
121.s6：对阴极层16进行激光刻蚀以在摄像区域10形成多个阴极单元162，每个阴极单元162在特定平面上的正投影与一个阳极单元141在特定平面上的正投影重合。
122.s7：在阴极层16上形成透明导电层17，透明导电层17至少位于摄像区域10且与阴极层16接触。具体地，透明导电层17为氧化铟锡(ito)膜层。
123.具体地，步骤s4和步骤s5位于步骤s3之前，步骤s6和步骤s7位于步骤s3之后。
124.本实施例提供的显示基板1的制作方法中，阴极单元162与阳极单元141重合，也就是阴极单元162与遮挡单元122重合，因此还能够利用遮挡层12来实现对阴极层16的激光刻蚀，并且由于阴极单元162是利用透明导电层17进行电连接而无需在阴极层16设置用于连接阴极单元162的信号线，因此能够解决信号线引起的透过率降低以及衍射效应问题，能够进一步提升摄像区域10的透过率以及提升显示效果。
125.具体地，如图12所示，本实施例提供的显示基板的制作方法中，步骤s1包括：
126.s101：在玻璃基板上形成第一有机层111。
127.s102：在第一有机层111上形成第一无机层112。
128.s103：在第一无机层112上形成第二有机层113。
129.s104：在第二有机层113上形成遮挡层12，遮挡层12包括轮廓部121和位于轮廓部121内的多个遮挡单元122。具体地，在第二无机层114上沉积一层遮挡材料，并对遮挡材料进行图形化处理以形成遮挡层12。
130.s105：在遮挡层12上形成第二无机层114。
131.在具体实施时，根据衬底11的剥离需求，遮挡层12可以设置在不同的位置，也就是步骤s104也可以位于步骤s101与步骤s102之间，或者步骤s102可以位于步骤s103与步骤s102之间。
132.具体地，在对衬底11进行激光刻蚀之前将衬底11与玻璃基板进行分离。
133.具体地，第一有机层111和第二有机层113均为聚酰亚胺(pi)膜层，具体地，第一有机层111和第二有机层113优选为透明聚酰亚胺(colorless polymide，cpi)膜层。第一无机
层112和第二无机层114的材料包括sin
x
或sio
x
中的一种多种。
134.具体地，由于衬底11的材料与阴极的材料不同，因此进行激光刻蚀时，对衬底11进行激光刻蚀的能量与对阴极层16进行激光刻蚀的能量不同。当然，若采用能量相同的激光也可以实现刻蚀目的。
135.需要说明的是，上述步骤s1的制作方法为遮挡层12为单层时的制作方法，当遮挡层12为多层时，则上述步骤s1的制作方法中的步骤s104为在第二有机层113上述形成第一遮挡层12a，第一遮挡层12a包括轮廓部121a和位于轮廓部121a内的多个第一遮挡单元122a，此外步骤s1还包括：在衬底11与阳极层14之间形成第二遮挡层12b，第二遮挡层12b包括多个第二遮挡单元121b；第一遮挡单元122a和第二遮挡单元121b在特定平面上的正投影的合集作为遮挡单元122的正投影。
136.具体地，形成的显示基板还包括位于衬底11和阳极层14之间的栅极层、有源层、源漏电极层、无机绝缘层和有机绝缘层，栅极层、源漏电极层、无机绝缘层或有机绝缘层复用为第二遮挡层12b。如此无需单独制作第二遮挡层12b，工艺较为简单。
137.应用本技术实施例，至少能够实现如下有益效果：
138.(1)本实施例提供的显示基板、其制作方法及显示装置，激光刻蚀的起始位置和边缘位置即位于刻蚀区的边缘，因此，遮挡层的轮廓部能够对激光刻蚀的起始位置和结束位置进行保护以防止过刻蚀，因此能够保证刻蚀区的大部分区域得到充分刻蚀。
139.(2)本实施例提供的显示基板、其制作方法及显示装置，由于遮挡层的遮挡单元与在特定平面的正投影与位于摄像区域的一个阳极单元在特定平面的正投影至少部分重合，也就是在激光刻蚀过程中遮挡层能够对阳极单元进行保护。
140.(3)本实施例提供的显示基板、其制作方法及显示装置，由于刻蚀区的边缘通常为激光刻蚀的起始位置或结束位置激光刻蚀能量较大容易引起卷曲现象，而且由于激光刻蚀可能存在切割精度问题而使得刻蚀区的边缘为锯齿状。但由于遮光层包括轮廓部，能够对卷曲以及锯齿进行遮挡，并不会影响摄像区域的透过率和显示效果。
141.(4)本实施例提供的显示基板、其制作方法及显示装置，阴极单元与阳极单元重合，也就是阴极单元与遮挡单元重合，因此还能够利用遮挡层来实现对阴极层的激光刻蚀，并且由于阴极单元是利用透明导电层进行电连接而无需在阴极层设置用于连接阴极单元的信号线，因此能够解决信号线引起的透过率降低以及衍射效应问题，能够进一步提升摄像区域的透过率以及提升显示效果。
142.本技术领域技术人员可以理解，本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本技术中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本技术中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
143.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
144.术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者
隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
145.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
146.在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
147.应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
148.以上仅是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。