显示基板、其制作方法及显示装置与流程

技术特征：
1.一种显示基板，包括摄像区域和正常显示区域，其特征在于，所述显示基板包括：衬底，包括刻蚀区，所述刻蚀区位于所述摄像区域，位于所述刻蚀区的所述衬底的厚度小于位于所述正常显示区域的所述衬底的厚度；阳极层，位于所述衬底的一侧，包括多个阳极单元；遮挡层，位于所述阳极层靠近所述衬底的一侧，包括轮廓部和位于所述轮廓部内的多个遮挡单元；所述刻蚀区的边缘在特定平面的正投影位于所述轮廓部在所述特定平面上的正投影内，每个所述遮挡单元在特定平面的正投影与位于摄像区域的一个所述阳极单元在特定平面的正投影重合，所述特定平面与所述衬底所在平面平行。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：阴极层，位于所述阳极层远离所述衬底的一侧，且位于所述摄像区域的阴极层包括多个阴极单元，每个所述阴极单元在所述特定平面上的正投影与一个所述阳极单元在所述特定平面上的正投影重合；发光层，位于所述阳极层和所述阴极层之间；透明导电层，位于所述阴极层远离所述衬底的一侧，至少位于摄像区域且与所述阴极层接触。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述衬底包括：第一有机层；第一无机层，位于所述第一有机层靠近所述阳极层的一侧；第二有机层，位于所述第一无机层靠近所述阳极层的一侧；第二无机层，位于所述第二有机层靠近所述阳极层的一侧。4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述遮挡层为单层，位于所述摄像区域的每个所述阳极单元所述特定平面上的正投影位于一个所述遮挡单元在所述特定平面上的正投影内。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述遮挡层位于第一有机层与所述第一无机层之间；或者所述遮挡层位于所述第一无机层与所述第二有机层之间；或者所述遮挡层位于所述第二有机层和所述第二无机层之间。6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述遮挡层包括：第一遮挡层，位于第一有机层与所述第二无机层之间，包括所述轮廓部和多个位于所述轮廓部内的第一遮挡单元；第二遮挡层；位于所述衬底与所述阳极层之间，包括多个第二遮挡单元；所述第一遮挡单元和所述第二遮挡单元在所述特定平面上的正投影的合集作为所述遮挡单元的正投影。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，还包括：位于所述衬底和所述阳极层之间和所述衬底之间的栅极层、有源层、源漏电极层、无机绝缘层和有机绝缘层，所述栅极层、所述源漏电极层、所述无机绝缘层或所述有机绝缘层复用为所述第二遮挡层。8.根据权利要求1-7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述刻蚀区的边缘卷曲
和/或所述刻蚀区的边缘为锯齿状。9.根据权利要求1-7中任一项所述的显示基板，其特征在于，所述遮挡层的材料为激光吸收材料。10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-9中任一项所述的显示基板；摄像头，位于所述摄像区域且位于所述衬底远离所述阳极层的一侧。11.一种显示基板的制作方法，所述显示基板包括摄像区域和正常显示区域，其特征在于，所述制作方法包括：形成衬底和遮挡层，所述遮挡层包括轮廓部和位于所述轮廓部内的多个遮挡单元；形成阳极层，所述遮挡层位于所述阳极层靠近所述衬底的一侧，所述阳极层包括多个阳极单元，每个所述遮挡单元在特定平面上的正投影与一个所述阳极单元在所述特定平面上的正投影重合，所述特定平面与所述衬底所在平面平行；对位于所述摄像区域的所述衬底进行激光刻蚀以在所述衬底上形成刻蚀区，以使位于所述刻蚀区的所述衬底的厚度小于位于所述正常显示区域的所述衬底的厚度。12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，还包括：在所述阳极层上形成发光层；在所述发光层上形成阴极层；在所述阴极层上形成透明导电层，所述透明导电层至少位于所述摄像区域且与所述阴极层接触；对所述阴极层进行激光刻蚀以在所述摄像区域形成多个所述阴极单元，每个所述阴极单元在所述特定平面上的正投影与一个所述阳极单元在所述特定平面上的正投影重合。13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，对所述衬底进行激光刻蚀的能量与对所述阴极层进行激光刻蚀的能量不同。

技术总结
本申请实施例提供了一种显示基板、其制作方法及显示装置。该显示基板包括衬底、阳极层和遮挡层。衬底包括位于摄像区域的刻蚀区且位于刻蚀区的衬底的厚度小于位于正常显示区域的衬底的厚度；阳极层包括多个阳极单元；遮挡层位于阳极层靠近衬底的一侧，包括轮廓部和位于轮廓部内的多个遮挡单元；刻蚀区的边缘在特定平面的正投影位于轮廓部在特定平面上的正投影内，每个遮挡单元在特定平面的正投影与位于摄像区域的一个阳极单元在特定平面的正投影至少部分重合，特定平面与衬底所在平面平行。本实施例提供的显示基板，遮挡层的轮廓部能够对激光刻蚀的起始位置和结束位置进行保护以防止过刻蚀，能够保证刻蚀区的大部分区域能够得到充分刻蚀。能够得到充分刻蚀。能够得到充分刻蚀。


技术研发人员：霍堡垒 于池 王杨 高飞飞
受保护的技术使用者：成都京东方光电科技有限公司
技术研发日：2022.02.28
技术公布日：2022/6/1