一种阵列基板、显示面板及显示装置的制作方法

1.本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。


背景技术：

2.指纹对于每一个人而言是与生俱来的，是独一无二的，随着科技的发展，市场上出现了多种带有指纹识别功能的显示装置，如手机、平板电脑以及智能可穿戴设备等。这样，用户在操作带有指纹识别功能的显示装置前，只需要用手指触摸显示装置的指纹识别模组，就可以进行权限验证，简化了权限验证过程。
3.现有的带有指纹识别功能的显示装置中还存在一些问题影响显示装置的稳定性，还需要改进。


技术实现要素：

4.本发明提供一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过设置至少两个遮光层分部，分散整个遮光层的面积，有效减少遮光分部上的电荷累积，，保证阵列基板的安全稳定性。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种阵列基板，包括指纹识别单元以及位于所述指纹识别单元一侧的遮光层；
6.所述遮光层包括至少两个遮光分部，相邻两个所述遮光分部之间设置有缝隙；
7.所述遮光层中设置有成像小孔，携带触控主体指纹信息的光线经所述成像小孔入射至所述指纹识别单元
8.第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括第一方面任一项所述的阵列基板。
9.第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，包括第二方面所述的显示面板。
10.本发明实施例提供的阵列基板包括指纹识别单元以及位于指纹识别单元一侧的遮光层，在遮光层中形成多个成像小孔，携带触控主体指纹信息的光线经成像小孔入射至指纹识别单元，用于实现指纹识别。进一步的，遮光层包括至少两个遮光分部，通过将大面积的遮光层分散形成多个小面积的遮光分部，通过遮光分部分散整个遮光层的面积，有效减少遮光分部上的电荷累积，，避免面积较大的遮光层中因电荷累积发生放电现象，保证阵列基板的安全稳定性。
附图说明
11.图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
12.图2是本发明实施例提供的一种遮光层的结构示意图；
13.图3是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图；
14.图4是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图；
15.图5是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图；
16.图6是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图；
17.图7是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图；
18.图8是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图；
19.图9是本发明实施例提供的一种遮光层中缝隙的设置方式示意图；
20.图10是本发明实施例提供的另一种遮光层中缝隙的设置方式示意图；
21.图11是本发明实施例提供的另一种遮光层中缝隙的设置方式示意图；
22.图12为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图；
23.图13是本发明实施例提供的一种遮光层中缝隙以及遮光阻挡结构的示意图；
24.图14是本发明实施例提供的另一种遮光层中缝隙以及遮光阻挡结构的示意图；
25.图15是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；
26.图16是本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
27.图17是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
28.下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
29.图1是本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图，图2是本发明实施例提供的一种遮光层的结构示意图，参考图1和图2所示，本发明实施例提供的阵列基板10包括指纹识别单元100以及位于指纹识别单元100一侧的遮光层200；遮光层200包括至少两个遮光分部210，相邻两个遮光分部210之间设置有缝隙211；遮光层200中设置有成像小孔220，携带触控主体指纹信息的光线经成像小孔220入射至指纹识别单元100。
30.示例性的，参考图2所示，遮光层200上设置的多个成像小孔211，指纹识别光源发出的光线将触摸主体(例如手指)后将携带触控主体指纹信息的光线通过成像小孔211入射至指纹识别单元100，指纹识别单元100根据接收到的光线进行指纹识别，本发明实施例对成像小孔211的数量不进行具体的限定。
31.可选的，在阵列基板10中，遮光层200远离指纹识别单元100的一侧不可避免地还需要制备其他膜层，例如绝缘层。在绝缘层的制备过程中，不可避免地会在遮光层200中累积电荷，当遮光层200中累积的电荷到达一定程度时，会发生放电现象，会阵列基板10中的其他结构造成损伤，影响阵列基板的稳定性。本发明实施例中，设置遮光层200包括至少两个遮光分部210，即实现将整个遮光层200从较大面积分割成较小面积的遮光分部210，即使面积较小的遮光分部210中也会累积电荷，但是电荷累积量有限，不会造成放电现象。示例性的，如图2所示，以遮光层200包括四个遮光分部210，四个遮光分部210共同划分整个遮光层200的面积为例进行说明，从而避免整个面积较大的遮光层200中积累过量的电荷，避免发生放电现象造成器件的损耗，保证阵列基板的安全稳定性。
32.进一步的，通过在遮光层200上设置缝隙211，从而实现将整个遮光层200分割成多个遮光分部211，即如图2所示，相邻两个遮光分部210之间设置有缝隙211。本发明实施例对遮光分部210和缝隙211的数量不进行具体的限定。成像小孔211分布在遮光分部211上，即设置多个遮光分部210即能保证指纹识别单元100根据成像小孔211接收到的光线进行指纹识别，又可以保证将面积较大的遮光层200分割成面积较小的遮光分部211，既能保证正常
的指纹识别功能，又可以避免遮光分部中累积大量电荷，保证阵列基板安全稳定性良好。
33.可选的，如图1所示，本发明实施例提供的阵列基板10在遮光层200和指纹识别单元100之间还可以包括衬底基板310，在遮光层200上方的模层中还包括像素驱动电路，像素驱动电路包括交替设置绝缘层和金属层，具体包括：缓冲层320、有源层414、栅极绝缘层330、栅极层413、金属间绝缘层340、第一电容金属层421、第二电容金属层422、层间绝缘层350、源极层411、漏极层412、第一绝缘层360、第二绝缘层370、第一平坦层380和第二平坦层390。可选的，在第一平坦层380和第二平坦层390上制备连接结构430和像素电极440。进一步的，在像素驱动电路中包括薄膜晶体管410和电容420，阵列基板10中可以包括多个像素驱动电路pc，具体的，像素驱动电路的具体实施方式本领域技术人员可根据实际情况设置，此处不作限定，示例性的，像素驱动电路包括“7t1c”、“2t1c”等，其中，“t”表示薄膜晶体管，“c”表示电容。
34.综上，本发明实施例提供的阵列基板，通过设置遮光层包括至少两个遮光分部，将较大面积的遮光层进行分割形成多个小面积的遮光分部，通过遮光分部分散整个遮光层的面积，有效减少遮光分部上的电荷累积，避免面积较大的遮光层中因电荷累积发生放电现象，保证阵列基板的安全稳定性。。同时在遮光分部中设置成像小孔，保证将携带触控主体指纹信息的光线通过成像小孔入射至指纹识别单元，指纹识别单元根据接收到的光线进行指纹识别。即设置的多个遮光分部即能保证指纹识别功能，又可以避免电荷累积，保证阵列基板正常工作。
35.继续参考图1和图2所示，本发明实施例提供的阵列基板10中的成像小孔220与缝隙211之间的最小距离l满足l≥20μm。
36.其中，在遮光层200中成像小孔220和缝隙211之间的距离为l，通过确定成像小孔220和缝隙211之间的最小距离l，避免缝隙211漏光影响指纹识别的准确性。示例性的，成像小孔220与缝隙211之间的最小距离l，满足l≥20μm，即最小距离l可以为20μm、30μm或者40μm等，本发明实施例对最小距离l的数值不进行具体的限定。即成像小孔220与缝隙211之间的距离大于或者等于20μm，满足制备工艺以及减少缝隙漏光的要求。
37.需要说明的是，如图2中a区域所示，成像小孔220与缝隙211之间的最小距离l可以为成像小孔220靠近缝隙211的边缘与缝隙211靠近成像小孔220的边缘之间的距离。或者，如图2中b区域所示，最小距离l可以为成像小孔220的中心与缝隙211靠近成像小孔220的边缘之间的距离。或者，如图2中c区域所示，最小距离l可以为成像小孔220靠近缝隙211的边缘与缝隙211的中心之间的距离。或者，如图2中d区域所示，最小距离l可以为成像小孔220的中心与缝隙211的中心之间的距离。本发明后续实施例中提及的成像小孔220和缝隙211之间的最小距离l均以成像小孔220靠近缝隙211的边缘与缝隙211靠近成像小孔220的边缘之间的距离l为例进行说明。
38.作为一种可行的实施方式，图3是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图，图4是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图，参考图1、图3和图4所示，遮光层200中设置有至少两个成像小孔220；至少两个成像小孔220包括第一成像小孔220a和第二成像小孔220b，第一成像小孔220a和第二成像小孔220b之间设置有至少一条缝隙211；缝隙211沿第一方向x延伸，沿第二方向y，第一成像小孔220a与缝隙211之间的距离为l1，第二成像小孔220b与缝隙211之间的距离为l2，其中1/2≤l1/l2≤2；第一方向x和第二方向y均
与遮光层200所在平面平行，且第一方向x和第二方向y相交。
39.示例性的，如图3所示，第一成像小孔220a和第二成像小孔220b之间设置有一条缝隙211。如图4所示，第一成像小孔220a和第二成像小孔220b之间设置有两条缝隙211，本发明实施例对第一成像小孔220a和第二成像小孔220b之间设置的缝隙211的数量不进行具体的限定。在第一成像小孔220a和第二成像小孔220b之间设置的缝隙211沿着阵列基板10的厚度方向贯穿遮光层200，实现通过缝隙211将遮光层200从较大面积分割成较小的面积的目的，避免大面积的遮光层200在后续工艺制备中累积大量的电荷。
40.进一步的，第一成像小孔220a和第二成像小孔220b距离与其最近的缝隙211之间的距离相差较小，保证遮光层200中的设置的缝隙211对与其临近的成像小孔220造成的漏光影响相同或者相近，即保证指纹识别单元100获取的光线均衡，保证第一成像小孔220a和第二成像小孔220b等成像效果均一性良好。示例性的，遮光层200中的缝隙211沿第一方向x延伸，并且沿第二方向y排布，第一成像小孔220a与缝隙211之间的距离为l1，第二成像小孔220b与缝隙211之间的距离为l2，其中1/2≤l1/l2≤2，例如l1/l2为1/2、1或者2等，本发明实施例对其具体数值不进行限定。
41.作为一种可行的实施方式，图5是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图，参考图1和图5所示，遮光层200包括第一遮光分部210a，第一遮光分部210a沿第一方向x延伸，缝隙211包括沿第二方向y分别位于第一遮光分部210a两侧的第一缝隙211a和第二缝隙211b；第一方向x和第二方向y均与遮光层200所在平面平行，且第一方向x和第二方向y相交；第一遮光分部210a中设置有至少一个成像小孔220，沿第二方向y，成像小孔220与第一缝隙211a之间的距离为l3，与第二缝隙211b之间的距离为l4；其中，|l3-l4|/[(l3 l4)/2]≤50％。
[0042]
示例性的，如图5所示，第一遮光分部210a两侧设置有第一缝隙211a和第二缝隙211b，即在遮光层200中通过设置在阵列基板10的厚度方向上贯穿遮光层200的第一缝隙211a和第二缝隙211b，进而将遮光层200分割出第一遮光分部210a。
[0043]
进一步的，在第一遮光分部210a中设置至少一个成像小孔220，参考图5所示，在第一遮光分部210a中设置四个成像小孔220，本发明实施例对成像小孔220的数量不进行具体的限定。在第一遮光分部210a内的成像小孔220与第一缝隙211a之间的距离为l3，与第二缝隙211b之间的距离为l4。其中，|l3-l4|/[(l3 l4)/2]≤50％，即在数值上l3和l4的差距较小，即成像小孔220位于第一遮光分部210a的中心区域，避免第一缝隙211a和第二缝隙211b的漏光对指纹识别光线传输存在较大的干扰，保证阵列基板10的指纹识别过程的准确性。
[0044]
作为一种可行的实施方式，图6是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图，图7是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图，参考图1、图6和图7所示，所述缝隙211包括至少两个缝隙211，缝隙211沿第一方向x延伸，至少两个缝隙211沿第二方向y排列；第一方向x和第二方向y均与遮光层200所在平面平行，且第一方向x和第二方向y相交；沿第二方向y，遮光层200包括位于相邻两个缝隙211之间的至多两个成像小孔220，且存在相邻两个缝隙211之间设置有成像小孔220。
[0045]
示例性的，如图6和图7所示，遮光层200包括两个缝隙211，本发明实施例对遮光层200上设置具体的缝隙211数量不进行具体的限定。遮光层200的缝211沿第一方向x延伸，至少两个缝隙211沿第二方向y排列，在两个缝隙211之间沿第二方向y至多可以设置两个成像
小孔220，如此，每个成像小孔220两侧可以存在缝隙或者不存在缝隙，且不同成像小孔220与缝隙211之间的相对位置关系相同，如此缝隙211对与其临近的成像小孔220造成的漏光影响相同或者相近，即保证指纹识别单元100获取的光线均衡，保证第一成像小孔220a和第二成像小孔220b等成像效果均一性良好。
[0046]
示例性的，如图6所示，在两个缝隙211之间沿第二方向y设置一个成像小孔220，即每个成像小孔220两侧均存在两个缝隙，缝隙211对与其临近的成像小孔220造成的漏光影响相同或者相近。如图7所示，在两个缝隙211之间沿第二方向y设置两个成像小孔220，即每个成像小孔220两侧均存在一个缝隙，缝隙211对与其临近的成像小孔220造成的漏光影响相同或者相近。又或者，在两个缝隙211之间沿第二方向y之间没有设置成像小孔220(图中未示出)，即成像小孔220两侧不存在缝隙，如此，可以可以避免缝隙漏光对指纹识别光线造成影响，保证指纹识别精准性。反过来说，若在两个缝隙211之间沿第二方向y设置三个或者三个以上的成像小孔220(图中未示出)，则必然存在至少一个成像小孔两侧也是成像小孔而非缝隙，如此该成像小孔与缝隙的相对位置关于与靠近缝隙一侧的成像小孔与缝隙的相对位置关系不同，如此缝隙对不同成像小孔的漏光影响不同，不能保证指纹识别单元获取的光线均衡，不能保证成像小孔等成像效果的均一性。进一步的，通过设置存在相邻两个缝隙211之间设置有成像小孔220，进而避免出现遮光层220一侧全是缝隙211一侧全是成像小孔220的情况，(图中未示出)，即存在缝隙211和成像小孔220沿第二方向交错设置的情况，如此可以保证成像小孔220和缝隙211在遮光层220中分布比较均匀，保证阵列基板10稳定的显示效果和指纹识别效果。
[0047]
图8是本发明实施例提供的另一种遮光层的结构示意图，参考图1、图5至图8所示，缝隙211包括阵列排布的多个缝隙211；遮光层200包括阵列排布的多个成像小孔220；沿第二方向y，任意相邻两个成像小孔220之间设置至少一条缝隙211，和/或，任意相邻两条缝隙211之间设置有至少一个成像小孔220。
[0048]
其中，遮光层200上设置的多个缝隙211和多个成像小孔220均是周期性的阵列排布，即可以是相邻两个缝隙211之间设置有成像小孔220，也可以是沿第二方向y，相邻两个成像小孔之间设置有缝隙211，即缝隙211和成像小孔220沿第二方向交错设置，如此可以保证成像小孔220和缝隙211在遮光层200中分布比较均匀，保证阵列基板10稳定的显示效果和指纹识别效果；同时，不同的排布方式提供遮光层200多样化的设计方式，更适用于多种不同的阵列基板10中。
[0049]
示例性的，参考图5、图6和图8所示，沿第二方向y，任意相邻两个成像小孔220之间设置一条缝隙211或者两条缝隙211。参考图5、图6和图7所示，任意相邻两条缝隙211之间设置有至少一个成像小孔220。参考图5和图6所示，沿第二方向y，任意相邻两个成像小孔220之间设置至少一条缝隙211，同时任意相邻两条缝隙211之间设置有至少一个成像小孔220。本发明实施例遮光层200中缝隙211和成像小孔220的具体排布方式不进行具体的限定。
[0050]
继续参考图8所示，沿第二方向y，相邻两个缝隙211之间的距离为l5，相邻两个成像小孔220之间的距离为l6；其中，l6＝n*l5，1/2≤n≤20。
[0051]
示例性的，如图8所示，遮光层200中包括交错循环设置的多个缝隙211和多个成像小孔220，图8中以沿第二方向y设置四个缝隙211和三排成像小孔220为例进行说明。其中，沿第二方向y，相邻两个缝隙211之间的距离为l5，相邻两个成像小孔220之间的距离为l6，
l6＝n*l5，1/2≤n≤20。例如，n可以等于1/2、1、2、3或10等，本发明实施例对此不进行具体的限定。举例来说，n最大数值例如为20，即不能在两个成像小孔220之间设置无限个缝隙211，原因在于相邻两个成像小孔220中存在的缝隙221的数量和成像小孔220之间存在的像素数量有关，一般情况下相邻两个成像小孔220之间设置又一定数量的像素，例如20个左右，缝隙221的最密集设置方式均为相邻两个像素之间设置一缝隙211，因此相邻两个成像小孔220之间设置的缝隙数量一般不超过相邻两个成像小孔220之间设置的像素的数量，以免影响正常显示。
[0052]
继续参考图8所示，遮光层220包括交替循环排布的第一遮光分部210a和第二遮光分部210b，第一遮光分部210a和第二遮光分部210b之间设置有缝隙211；第一遮光分部210a中设置有成像小孔220。
[0053]
示例性的，如图8所示，第一遮光分部210a中设置有成像小孔220，第二遮光分部210b中未设置成像小孔220，第一遮光分部210a和第二遮光分部210b周期性的交替排布。通过设置多个第一遮光分部210a和多个第二遮光分部210b实现对较大面积的遮光层200进行分割，避免后期制备过程中积累过量的电荷发生放电现象对阵列基板造成损伤。进一步的，成像小孔220均匀并周期性的排布在遮光层分部210中，图8中以成像小孔220均匀分布在第一遮光分部220a中为例进行举例说明，通过阵列排布的成像小孔220保证指纹识别光线传输至指纹识别单元，完成指纹识别过程。本发明实施例通过调整遮光层200中成像小孔220和缝隙211之间的位置关系，可以提供丰富的阵列基板10的设置方式；同时通过在遮光层200中设置交底循环的第一遮光分部210a和第二遮光分部210b，并且在遮光分部210上设置成像小孔220，更符合实际的制备工艺。
[0054]
综上所述，上述实施例以几种可行的实施方式说明成像小孔、缝隙以及遮光分部的设置方式，通过在遮光层中设置成像小孔，保证通过小孔成像的原理实现指纹识别；通过设置遮光分部和缝隙，通过遮光分部分散整个遮光层的面积，有效减少遮光分部上的电荷累积，避免面积较大的遮光层中因电荷累积发生放电现象，保证阵列基板的安全稳定性；通过合理设置成像小孔与缝隙之间的相对位置关系，一方面保证缝隙与不同位置的成像小孔的影响相同或者相近，保证指纹识别单元获取的光线均衡，保证成像小孔成像效果均一性良好；另一方面也可以减小缝隙漏光对成像小孔中传输的指纹识别光线的干扰，保证指纹识别的精准性。
[0055]
在上述实施例的基础上，图9是本发明实施例提供的一种遮光层中缝隙的设置方式示意图，图10是本发明实施例提供的另一种遮光层中缝隙的设置方式示意图，参考图9和图10所示，遮光层200包括多个条状遮光分部210，任意两个条状遮光分部210的延伸方向相同。
[0056]
示例性的，如图9和图10所示，遮光层200包括多个条状遮光分部210，遮光分部210均沿着第一方向x延伸，如此一方面可以通过遮光分部分散整个遮光层的面积，有效减少遮光分部上的电荷累积，避免面积较大的遮光层中因电荷累积发生放电现象；另一方面遮光分部210均沿着第一方向x延伸，保证遮光分部设置方式简单，仅从一个方向对遮光层200进行分割即可得到多个遮光分部，遮光分部210的制备工艺简单。
[0057]
进一步的，结合图9和图10所示，在对遮光层200进行分割形成条状遮光分部210的过程中，也可以结合遮光分部210的具体大小进行分割。以图9和图10为例，图10示出的遮光
分部210的设置方式可以理解为在图9示出的遮光分部210的设置方式的基础上再次进行分割，如此可以进一步减小遮光分部的面积，减小遮光分部中累计的电荷量，避免面积较大的遮光层中因电荷累积发生放电现象，充分保证阵列基板的安全稳定性。
[0058]
在上述实施例的基础上，图11是本发明实施例提供的另一种遮光层中缝隙的设置方式示意图，参考图11所示，遮光层200包括多个条状遮光分部210，存在两个条状遮光分部210的延伸方向相交。
[0059]
其中，遮光层200包括多个条状的遮光分部210，示例性的，参考图11所示，存在两个条状遮光分部210的延伸方向相交，即部分条状遮光分部210沿第一方向x延伸，部分条状遮光分部210沿第二方向y延伸。本发明实施例对条状遮光分部210的具体延伸方向不进行限定，通过设置条状遮光分部210不同的延伸方式，保证遮光分部210的设置方式灵活多变，适用于不同的阵列基板10中。
[0060]
进一步的，如图9和图10中所示，任意两个条状遮光分部210的延伸方向相同，该条状遮光分部210的排布方式适合于遮光层200在后期制备工艺中放电风险较小的阵列基板10中，并且该制备方式简单，成本较低。进一步的，如图11所示，存在两个条状遮光分部210的延伸方向相交，该条状遮光分部210的排布方式适合于遮光层200在后期制备工艺中放电风险较大的阵列基板10中，避免遮光层200后期制备工艺存在过量的电荷累计。
[0061]
在上述实施例的基础上，继续参考图1所示，阵列基板10还包括位于遮光层200远离指纹识别单元100一侧的漏光阻挡结构500；在阵列基板10的厚度方向h上，漏光阻挡结构500覆盖缝隙211。
[0062]
其中，阵列基板10还包括漏光阻挡结构500，通过设置漏光阻挡结构500避免遮光层200中的光从缝隙211中漏出，如以可以避免缝隙211中的漏光对指纹识别光线造成干扰，保证指纹识别的准确性。
[0063]
进一步的，为了保证漏光阻挡结构500的设置方式简单，且漏光阻挡结构500的设置不会增加阵列基板的厚度，可以将现有阵列基板中的膜层复用为漏光阻挡结构500，例如将阵列基板中的不透光层，例如金属层复用为漏光阻挡结构500，保证漏光阻挡结构500的设置方式简单，阵列基板结构简单。
[0064]
接下来对漏光阻挡结构的具体设置方式进行说明。
[0065]
在详细说明漏光阻挡结构的据图设置方式之前，首先简单说明一下像素电路的结构。图12为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图，图12以像素电路包括七个晶体管和一个电容为例进行说明。如图12所示，像素电路可以包括电压信号传输线信号线pvdd和存储电容cst，电压信号传输线信号线pvdd用于为发光元件的阳极提供第一电压信号，同时相邻两个像素电路中存储电容cst相互连接，同样可以作为电压信号线，传输第一电压信号。
[0066]
需要说明的是，像素电路中还包括其他信号线和晶体管，其他信号线例如可以包括数据信号线data、扫描信号线scan p、扫描信号线scan n、发光控制信号线emit、复位信号线vref 1、vref 2以及电压信号传输线信号线pvee(图中未示出)，晶体管例如可以包括第一发光控制晶体管m1、数据写入晶体管m2、驱动晶体管m3、阈值补偿晶体管m4、复位晶体管m5、第二发光控制晶体管m6和初始化晶体管m7，各个晶体管的工作过程以及连接关系这里不再赘述。
[0067]
在此基础上，作为一种可行的实施方式，图13是本发明实施例提供的一种遮光层中缝隙以及遮光阻挡结构的示意图，参考图1和图13所示，阵列基板10还包括位于遮光层200远离指纹识别单元100一侧的电压信号传输线600，电压信号传输线600复用漏光阻挡结构500。
[0068]
示例性的，如图13所示，阵列基板10包括的电压信号传输线600包括成条状阵列排布的结构，电压信号传输线600可以将缝隙211覆盖，避免缝隙211产生漏光对成像小孔中的指纹识别光线造成干扰，保证指纹识别的准确性。进一步的，为了保证电压信号传输过程中阻抗较小，电压信号传输线600一般具备较大的线宽，如此将电压信号传输线600复用漏光阻挡结构500，既可以保证电压信号的传输，又可以对缝隙211进行遮挡，保证可以完全遮挡缝隙211，防止缝隙211漏光，,同时可以保证漏光阻挡结构500的设置方式简单，且漏光阻挡结构500的设置不会增加阵列基板的厚度，实现阵列基板的薄型化设计。
[0069]
进一步的，图14是本发明实施例提供的另一种遮光层中缝隙以及遮光阻挡结构的示意图，参考图1、图13和图14所示，缝隙211包括第一缝隙211a和/或第二缝隙211b，第一缝隙211a沿第一方向x延伸，第二缝隙211b沿第二方向y延伸，第一方向x和第二方向y均与遮光层200所在平面平行，且第一方向x和第二方向y相交；电压信号传输线600包括电压信号第一传输线600a和/或电压信号第二传输线600b；阵列基板10还包括数据信号线(即图1中源极层411和漏极层412)，电压信号第一传输线600a位于数据信号线远离遮光层200一侧，且沿第一方向x延伸；电压信号第二传输线600b位于数据信号线靠近遮光层200一侧，且沿第二方向y延伸；在阵列基板10的厚度方向h上，电压信号第一传输线600a覆盖第一缝隙211a，电压信号第二传输线600b覆盖第二缝隙211b。
[0070]
示例性的，参考图13所示，在遮光层200中，缝隙211包括沿第一方向x延伸的第一缝隙211a，通过将沿第一方向x延伸的电压信号第一传输线600a覆盖在第一缝隙211a上，既可以保证电压信号的传输，又可以对第一缝隙211a进行遮挡，保证可以完全遮挡第一缝隙211a，防止第一缝隙211a漏光。
[0071]
示例性的，参考图14所示，在遮光层200中，缝隙211包括沿第二方向y延伸的第二缝隙211b，通过将沿第二方向y延伸的电压信号第二传输线600b覆盖在第二缝隙211b上，既可以保证电压信号的传输，又可以对第二缝隙211b进行遮挡，保证可以完全遮挡第二缝隙211b，防止第二缝隙211b漏光。
[0072]
进一步的，结合图12、图13和图14所示，电压信号传输线600包括电压信号第一传输线600a和/或电压信号第二传输线600b，其中，电压信号第一传输线600a位于数据信号线(即图1中源极层411和漏极层412)远离遮光层200一侧，电压信号第二传输线600b位于数据信号线(即图1中源极层411和漏极层412)靠近遮光层200一侧。通过将电压信号传输线600复用为漏光阻挡结构500，保证漏光阻挡结构500设置方式简单。
[0073]
进一步的，继续参考图1所示，本发明实施例提供的阵列基板还可以包括连接结构430，连接结构430设置于漏极层412与电极440之间，用于分别与漏极层412和电极440电连接，数据信号通过漏极层412、连接结构430传输至电极440中。连接结构430的设置可以避免电极440与漏极层412之间深打孔，保证打孔工艺简单。进一步的，连接结构430与电压信号第一传输线600a同层设置，可以在同一掩膜工艺中制备得到，一方面保证连接结构430设置方式简单，另一方面保证阵列基板膜层结构简单。
[0074]
继续参考图1所示，作为另一种可行的实施方式，阵列基板10还包括遮光层200远离指纹识别单元100一侧的电极440，电极440复用漏光阻挡结构500。
[0075]
示例性的，可以将电极440复用为漏光阻挡结构500，不需要额外的设置其他结构，即可以满足对缝隙211的遮挡。
[0076]
综上所述，通过对漏光阻挡结构的说明，一方面可以保证漏光阻挡结构完全遮挡缝隙，避免缝隙漏光对指纹识别光线的影响，保证指纹识别免受其他光线影响，保证指纹识别精准度高；另一方面，漏光阻挡结构复用现有阵列基板中的膜层结构，保证漏光阻挡结构设置方式简单，阵列基板膜层结构简单，有利于实现阵列基板的薄型化设计。可选的，图15是本发明实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图，阵列基板10还包括像素电路410，像素电路410包括第一薄膜晶体管410a和第二薄膜晶体管410b；第一薄膜晶体管410a包括多晶硅有源层414，第二薄膜晶体管410b包括氧化物半导体有源层415。
[0077]
其中，如图15所示，阵列基板10中像素电路410可以同时包括第一薄膜晶体管410a和第二薄膜晶体管410b，第一薄膜晶体管410a可以包括多晶硅有源层414，第二薄膜晶体管410b包括氧化物半导体有源层415，通过在阵列基板10中设置两种晶体管，可以充分发挥两种晶体管不同的优势，保证阵列基板10优异的性能。
[0078]
具体的，如图15所示，第一薄膜晶体管410a包括多晶硅有源层414，例如第一薄膜晶体管410a可以为低温多晶硅晶体管(low temperature poly-silicon ltps)，具有开关速度高、载流子迁移率高、功耗小的优点。第二薄膜晶体管410b包括氧化物半导体有源层415，例如第二薄膜晶体管410b为铟镓锌氧化物晶体管(indium gallium zinc oxide igzo)，具有制备工艺简单、漏流小的优点。本发明实施例提供的像素电路同时包括第一薄膜晶体管410a和第二薄膜晶体管410b，即为低温多晶氧化物(low temperature polycrystalline oxide ltpo)，充分发挥不同晶体管的优点，保证像素电路410性能优越，驱动效率高。
[0079]
可选的，继续参考图1所示，阵列基板10还包括位于遮光层200远离指纹识别单元100一侧的无机绝缘层300，无机绝缘层300与遮光层200接触。
[0080]
其中，阵列基板10还包括位于遮光层200远离指纹识别单元100一侧，且与遮光层200接触的无机绝缘层300，无机绝缘层300用于绝缘隔离遮光层200与位于遮光层200之上的其他膜层，例如有源层，避免不同膜层之间的相互干扰。进一步的，无机绝缘层300可以通过化学气相沉积的方式在遮光层200远离指纹识别单元100的一侧进行膜层生长。由于通过化学气相沉积的方式在遮光层200上生长无机绝缘层300会在遮光层200处积累大量的电荷导致放电，本发明实施例提供的阵列基板10中的遮光层200包括多个遮光分部210，面积较小的遮光分部210中累积的电荷较少，不会发生放电现象，保证半导体器件10的安全稳定性。
[0081]
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述任一实施例所述的阵列基板，因此该显示面板也具有上述实施方式提供的阵列基板所具有的技术效果，相同之处可参照上文中对阵列基板的解释说明进行理解，下文中不再赘述。
[0082]
示例性的，显示面板20可为有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示面板，如图16所示，有机发光二极管(organic light emitting diode，oled)显示面板20包括阵列基板10和有机发光二极管30。进一步的，有机发光二极管显示面板还可
以包括其他结构，例如封装层以及位于封装层远离有机发光二极管一侧的触控结构，本发明实施例对有机发光二极管显示面板的具备结构不进行限定。进一步的，封装层可以为薄膜封装层或者封装盖板，本发明实施例对此不进行限定。
[0083]
需要说明的是，本发明实施例提供的显示面板还可以为本领域技术人员可知的其他类型的显示面板，例如微型发光二极管显示面板，本发明实施例对此同样不作限定。
[0084]
基于同样的发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述实施方式提供的任一种显示面板。示例性的，参照图17，该显示装置1包括显示面板20。因此，该显示装置也具有上述实施方式中的显示面板和阵列基板所具有的有益效果，相同之处可参照上文对显示面板和阵列基板的解释说明进行理解，下文不再赘述。
[0085]
本发明实施例提供的显示装置1可以为图17所示的手机，也可以为任何具有显示功能的电子产品，包括但不限于以下类别：电视机、笔记本电脑、桌上型显示器、平板电脑、数码相机、智能手环、智能眼镜、车载显示器、工控设备、医用显示屏、触摸交互终端等，本发明实施例对此不作特殊限定。
[0086]
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。