低缺陷高电容薄固态电解质电容器及其制造方法与流程

技术特征：
1.一种制造电容器的方法，包括：在基板(402)上方形成三维结构(420)，所述三维结构(420)包括区域(408)，所述区域(408)具有从远离所述基板(402)的所述三维结构(420)的顶表面朝向所述基板(420)延伸的细长孔，或离开所述基板(402)朝向远离所述基板(402)的所述三维结构(420)的所述顶表面延伸的细长柱；在所述三维结构(420)的所述区域(408)的表面上方形成第一电极层(410)，所述第一电极层(410)与所述区域(408)的所述表面共形；在所述第一电极层(410)上方形成中间层；以及在所述中间层上方形成第二电极层(416)，所述第二电极层(416)与所述中间层共形，其中，形成所述中间层包括：形成与所述第一电极层(410)部分地共形的固态电解质层(412)；以及形成与所述第一电极层(410)共形的电介质层(414)。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述固态电解质层(412)与所述第一电极层(410)的共形性大于50％且小于80％，并且所述电介质层(414)与所述第一电极层(410)的共形性大于或等于80％。3.根据权利要求1和2中任一项所述的方法，包括：在所述电容器的制造期间不验证所述固态电解质层(412)的所述共形性。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括：在所述第一电极层(410)上方形成所述固态电解质层(412)；以及在所述固态电解质层(412)上方形成所述电介质层(414)。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一电极层(410)包括适于离子扩散/嵌入的氧化物层。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一电极层(410)包括导电层，所述氧化物层适于在所述氧化物层与所述导电层之间的界面处发生的吸附。7.根据权利要求4所述的方法，其中，形成所述中间层包括在所述电介质层(414)上方形成另一固态电解质层。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一电极层(410)和所述第二电极层(416)各自包括导电层和氧化物层，适于离子扩散/嵌入和适于在所述氧化物层与所述导电层之间的界面处发生的吸附。9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括：在所述第一电极层(410)上方形成所述电介质层(414)；以及在所述电介质层(414)上方形成所述固态电解质层(412)。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第二电极层(416)包括适于离子扩散/嵌入的氧化物层。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述第二电极层(416)包括导电层，所述氧化物层适于在所述氧化物层与所述导电层之间的界面处发生的吸附。12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，所述电介质层(414)的厚度为5纳米或更小。13.一种电容器，包括：
基板(402)；设置在所述基板(402)上方的三维结构(420)，所述三维结构(420)包括区域(408)，所述区域(408)具有从远离所述基板(402)的所述三维结构(420)的顶表面朝向所述基板(402)延伸的细长孔或离开所述基板(402)朝向远离所述基板(402)的所述三维结构(420)的所述顶表面延伸的细长柱；设置在所述三维结构(420)的所述区域(408)的表面上方的第一电极层(410)，所述第一电极层(410)与所述区域(408)的所述表面共形；设置在所述第一电极层(410)上方的中间层，所述中间层与所述第一电极层(410)共形；以及设置在所述中间层上方的第二电极层(416)，所述第二电极层(416)与所述中间层共形，其中，所述中间层包括：与所述第一电极层(410)部分地共形的固态电解质层(412)；以及与所述第一电极层(410)共形的电介质层(414)。

技术总结
提出了一种制造电容器的方法。该方法包括：在基板上方形成三维结构，该三维结构包括具有从远离基板的三维结构的顶表面朝向基板延伸的细长孔或离开基板朝向远离基板的三维结构的顶表面延伸的细长柱的区域；在三维结构的所述区域的表面上方形成第一电极层，第一电极与所述区域的所述表面共形；在第一电极层上方形成中间层；以及在中间层上方形成第二电极层，第二电极层与中间层共形，其中，形成中间层包括：形成与第一电极层部分地共形的固态电解质层；以及形成与第一电极层共形的电介质层。以及形成与第一电极层共形的电介质层。以及形成与第一电极层共形的电介质层。


技术研发人员：瓦朗坦
受保护的技术使用者：原子能与替代能源委员会
技术研发日：2020.09.09
技术公布日：2022/5/31