半导体装置封装及其制造方法与治具与流程

1.本公开涉及一种半导体装置封装及半导体装置封装的制造方法与治具。


背景技术：

2.在模塑底部填胶(molded underfill，muf)的封装结构中，可以通过调整流速、模温、成型压力以改善形成在凸块之间的间隙(void)的问题。此外，可通过在基板上对应可能发生间隙之处形成排气孔，在注入封装材料时，通过排气孔抽气将封装材料引导至排气孔，来减少间隙的产生。然而，上述做法会导致封装材料溢出至基板下表面，影响锡球的附着。因此，有必要寻求新的制造方法及治具解决上述问题。


技术实现要素：

3.根据本公开的一些实施例，一种半导体装置封装包含一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。
4.根据本公开的一些实施例，一种治具包含一载板及一压力感测逆止阀。所述载板用于承载一基板。所述压力感测逆止阀经配置以嵌入所述基板的一孔洞。
5.根据本公开的一些实施例，一种半导体装置封装的制造方法包含：提供一基板，所述基板包括一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；由所述基板的所述第二表面注入一封装材料，使所述封装材料由所述基板的所述第二表面流入所述孔洞并停止于所述孔洞内。
附图说明
6.当与附图一起阅读以下详细描述时，可以根据以下详细描述容易地理解本公开的内容。应当注意的是，各种特征可能不一定按比例绘制。
7.图1是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。
8.图2是图1的局部的放大图。
9.图2a绘示填充物与凹陷的横截面视图。
10.图3是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。
11.图4是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。
12.图4a是图4的局部之下视图。
13.图5是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。
14.图6是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装的横截面视图。
15.图7、图8、图9、图10和图11说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
16.图7a绘示阻挡结构和治具的局部放大图。
17.图12、图13和图14说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
18.图12a绘示阻挡组件与孔洞的尺寸比例。
19.图15和图16说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
20.本公开全文的附图和详细描述，使用共同的附图标记来指示相同或类似的组件。根据以下结合附图进行的详细描述，本公开将更加容易理解。
具体实施方式
21.以下公开提供了用于实施所提供主题的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述了组件和布置的具体实例。当然，这些仅仅是实例并且不旨在是限制性的。在本公开中，对在第二特征之上或上形成或安置第一特征的引用可以包含将第一特征和第二特征被形成或安置为直接接触的实施例，并且还可以包含可以在第一特征与第二特征之间形成或安置另外的特征使得第一特征和第二特征可以不直接接触的实施例。此外，本公开可以在各个实例中重复附图标记和/或字母。这种重复是为了简单和清晰的目的并且本身并不限制所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
22.下文详细讨论了本公开的实施例。然而，应当理解的是，本公开提供了许多可以在各种各样的特定上下文中具体化的适用概念。所讨论的具体实施例仅是说明性的，而不限制本公开的范围。
23.图1是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1a的横截面视图。在一些实施例中，半导体装置封装1a包含基板11、电子组件12、导电组件13和封装层14。
24.在一些实施例中，基板11可包含硅衬底和/或其它合适材料。举例来说，基板11可包含形成在衬底上方的内埋氧化物层(未绘示)以形成绝缘体上硅(silicon on insulator，soi)结构。在一些实施例中，基板11包含重布层(未绘示)。重布层可包含多个形成于其中的介电层、导电层和通孔。基板11包含表面11s1和与表面11s1相对的表面11s2。
25.电子组件12设置于基板11的表面11s2上。电子组件12可透过导电组件13电连接至基板11。电子组件12可包含由一或多个集成电路(integrated circuit；ic)形成的一或多个半导体芯片。在一些实施例中，电子组件12可包含但不限于至少一个有源组件。
26.导电组件13设置于基板11的表面11s2上。导电组件13可以是焊料凸块或焊球(例如，锡球)。
27.封装层14设置于基板11的表面11s2上。封装层14包封电子组件12及导电组件13。封装层14由模制材料所制成，模制材料可包含例如酚醛清漆树脂、环氧树脂、聚硅氧树脂或其它合适的密封体。还可包含合适的填充物，例如粉末sio2。
28.图2是图1的区域r的放大图。
29.在一些实施例中，基板11包含一或多个孔洞11o。电子组件12设置于基板11的表面11s2上方且覆盖孔洞11o。孔洞11o由表面11s1延伸至表面11s2。在一些实施例中，封装层14具有延伸部14p，延伸部14p填充孔洞11o的一部份。在一些实施例中，封装层14具有凹陷
14r1。更具体而言，延伸部14p的末段(底部)具有凹陷14r1。凹陷14r1由基板11的表面11s1朝向表面11s2延伸。如图2所示，凹陷14r1为锥状凹陷。在一些实施例中，凹陷14r1在表面11s1之高度位置处的孔径实质上等于孔洞11o的孔径。在一些实施例中，封装层14的延伸部14p未填满孔洞11o。亦即，封装层14的延伸部14p的末段未超出基板11的表面11s1。在此实施例，封装层14并未形成在基板11的表面11s1上，可以避免因为封装材料溢出，盖住预定形成接垫或锡球的区域，导致接垫或锡球无法形成在基板11的表面11s1上的情形发生。
30.图2a绘示填充物141与凹陷14r1的横截面视图。封装层14可包含复数个填充物141。在一些实施例中，填充物141并无截断面暴露于所述凹陷14r1。(原因将详述于后续流程图)。在一些实施例，填充物141具有粒径(或平均粒径)d3，粒径d3介于16μm-20μm的范围间，例如可为16.3μm、16.5μm、17μm、18μm、19μm、19.5μm或19.7μm。
31.图3是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1b的横截面视图。
32.图3的半导体装置封装1b的结构类似于图2的半导体装置封装1a的结构，其中之一的不同处在于：半导体装置封装1b的延伸部14p的末段具有表面14s1及凹陷14r2，凹陷14r2取代凹陷14r1。在一些实施例中，凹陷14r2为锥状凹陷。在一些实施例中，凹陷14r2在基板11的表面11s1之高度位置处的孔径实质上小于孔洞11o的孔径。在如图3所示的一些实施例中，封装层14的表面14s1实质上可与基板11的表面11s1共平面；在其他的一些实施例中，封装层14的表面14s1可高于基板11的表面11s1。在上述实施例，封装层14并未形成在基板11的表面11s1上，可以避免因为封装材料溢出，盖住预定形成接垫或锡球的区域，导致接垫或锡球无法形成在基板11的表面11s1上的情形发生。
33.图4是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1c的横截面视图。
34.图4的半导体装置封装1c的结构类似于图2的半导体装置封装1a的结构，其中之一的不同处在于：半导体装置封装1c的延伸部14p的末段具有表面14s1及凹陷14r3，凹陷14r3取代凹陷14r1。在一些实施例中，凹陷14r3为柱状凹陷(例如，圆柱状凹陷)。在一些实施例中，凹陷14r3在基板11的表面11s1之高度位置处的孔径实质上小于孔洞11o的孔径。在如图4所示的一些实施例中，封装层14的表面14s1实质上可与基板11的表面11s1共平面；在其他的一些实施例中，封装层14的表面14s1可高于基板11的表面11s1。在上述实施例，封装层14并未形成在基板11的表面11s1上，可以避免因为封装材料溢出，盖住预定形成接垫或锡球的区域，导致接垫或锡球无法形成在基板11的表面11s1上的情形发生。
35.图4a是图4的局部之下视图。
36.如图4a所示，在一些实施例中，基板11的孔洞11o可具有一圆形轮廓，其具有半径d1；凹陷14r3可具有一圆形轮廓，其具有半径d2。在一些实施例中，d1与d2的比例可介于2:1至5:4之间，例如为3:2、4:3。d1与d2的比例亦可为其他适当范围。可调整d1与d2的比例，使封装材料不会自孔洞11o溢出。在一些实施例中，封装层14含有填充物(如图2a的填充物141)，填充物具有粒径(或平均粒径)d3。在一些实施例中，填充物的粒径d3小于半径d1与半径d2的差；在另一些实施例中，填充物的粒径d3可能大于或等于于半径d1与半径d2的差。在上述实施例，封装层14并未形成在基板11的表面11s1上，可以避免因为封装材料溢出，盖住预定形成接垫或锡球的区域，导致接垫或锡球无法形成在基板11的表面11s1上的情形发生。在一些实施例中，至少一填充物的粒径d3小于封装层14的表面14s1的长度(可由凹陷14r3至孔洞11o的边缘的距离所定义)。
37.图5是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1d的横截面视图。
38.图5的半导体装置封装1d的结构类似于图2的半导体装置封装1a的结构，其中之一的不同处在于：半导体装置封装1d的延伸部14p的末段具有表面14s1及凹陷14r4，其取代凹陷14r1。在一些实施例中，凹陷14r4为针状凹陷。在一些实施例中，凹陷14r4在表面11s1之高度位置处的孔径小于孔洞11o的孔径。在如图5所示的一些实施例中，封装层14的表面14s1实质上可与基板11的表面11s1共平面；在其他的一些实施例中，封装层14的表面14s1可高于基板11的表面11s1。在上述实施例，封装层14并未形成在基板11的表面11s1上，可以避免因为封装材料溢出，盖住预定形成接垫或锡球的区域，导致接垫或锡球无法形成在基板11的表面11s1上的情形发生。
39.图6是根据本公开的一些实施例的半导体装置封装1e的横截面视图。
40.在一些实施例中，半导体装置封装1e可更包含电子组件15、导电组件16和封装层17。
41.电子组件15与电子组件12可设置在基板11的相对两个表面。例如，电子组件15可设置在基板11的表面11s1上。电子组件15可透过导电组件16电连接至基板11。电子组件15可为包含一或多个ic的半导体芯片。在一些实施例中，电子组件15可包含但不限于至少一个有源组件。在一些实施例中，电子组件15可包含但不限于至少一个无源组件，如电容器、电阻器或另一无源组件。
42.导电组件16设置于基板11的表面11s1上。导电组件16可以是焊料凸块或焊球(例如，锡球)。
43.封装层17设置于基板11的表面11s1上。封装层17包封电子组件15及导电组件16。封装层17由模制材料所制成，封装层17可与封装层14相同或不同。在一些实施例中，封装层17包含延伸部17p。延伸部17p可填入封装层14的凹陷14r。在一些实施例中，封装层17的延伸部17p具有与封装层14的凹陷14r对应的形状。
44.图7、图8、图9、图10和图11说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的方法，其中图8、图9、图10和图11绘示区域r1的局部的放大图。
45.参阅图7，提供基板11，电子组件12设置在基板11的表面11s2上，并通过导电组件13与基板11连接。基板11包含一或多个贯穿基板的孔洞11o。在一些实施例中，孔洞11o设置于两个导电组件13之间。另提供治具(或模具)，所述治具包含治具30、治具20a、吸引装置23及传感器24；将基板11放置于治具20a的上表面，并使基板11的表面11s1朝向治具20a。在本公开中，治具30可视为上治具，治具20a可视为下治具。
46.在一些实施例中，治具20a包含载板21、阻挡组件22a和流道25。须注意的是，部分组件仅以方块或简略的形状表示，上述组件可以根据实际的需要，包含必要的组件和轮廓。
47.载板21构成治具20a的主体。载板21具有表面21s1。载板21的表面21s1邻近于基板11的表面11s1。载板21的表面21s1的一部分可接触基板11的表面11s1，载板21的表面21s1的另一部分未接触基板11的表面11s1且定义出流道25，流道25可与孔洞11o流体连通。流道25连接至阻挡组件22。载板21具有开口用于容置阻挡组件22。
48.阻挡组件22经配置以嵌入基板11的孔洞11o。在图7所示的一些实施例中，阻挡组件22a可设置于载板21中。参阅图7a，阻挡组件22a包含可移动阻挡结构221及驱动器222。在一些实施例中，阻挡组件22为压力感测逆止阀，其用于感测压力变化而驱动可移动阻挡结
构221。在一些实施例中，可移动阻挡结构221可沿一纵向方向(例如，与载板21的表面21s1垂直的方向)移动。在一些实施例中，可移动阻挡结构221可凸出于所述载板21的表面21s1并穿过流道25，嵌入基板11的孔洞11o。可移动阻挡结构221不填满孔洞11o。可移动阻挡结构221可为柱状或其他形状。在一些实施例中，可移动阻挡结构221的顶部可为圆柱状、锥状或其他形状。在一些实施例中，可移动阻挡结构221的顶部嵌入基板11的孔洞11o。在一些实施例中，可移动阻挡结构221嵌入基板11的孔洞11o，但不接触基板11。在一些实施例中，可移动阻挡结构221可在初始时即嵌入基板11的孔洞11o，在感受到周遭环境变化时进一步向上移动嵌入基板11的孔洞11o。驱动器222经配置以驱动可移动阻挡结构221，使可移动阻挡结构221能沿纵向方向移动。在一些实施例中，驱动器222可包含弹簧。在一些实施例中，驱动器222可包含电磁阀。驱动器222可耦接至传感器24，并决定可移动阻挡结构221是否移动及移动方向。
49.吸引装置23可与流道25连通。孔洞11o藉由流道25与吸引装置23连通。吸引装置23可提供一驱动力吸引封装材料，使封装材料填入治具30与治具20a所定义出的空腔31，流经导电组件13并朝向孔洞11o流动(参见图8、图9及图10，说明如后)。吸引装置23包含但不限定于减压装置及真空装置。
50.传感器24可耦合至所述阻挡组件22a。传感器24可侦测阻挡组件22a的周遭环境之变化，当阻挡组件22a的周遭环境变化大于一阈值时，传感器24可传递讯息至驱动器222，使驱动器222驱动可移动阻挡结构221移动，例如，从载板21向上移动而嵌入基板11的孔洞11o。在一些实施例中，传感器24可为压力传感器，其配置以感测阻挡组件22a的表面(例如，顶部表面)的压力变化。当阻挡组件22a的表面的压力变化大于一阈值时，传感器24可传递讯息至驱动器222，使驱动器222驱动可移动阻挡结构221移动，例如，向上移动而嵌入基板11的孔洞11o。
51.治具30可放置于基板11的表面11s2上方。治具30可覆盖基板11及电子组件12，并与治具20a一起定义出空腔31。基板11及电子组件12位于空腔31中。治具30具有表面30s1，治具30的表面30s1朝向基板11及电子组件12。在一些实施例中，治具30不直接接触电子组件12。在一些实施例中，治具30包含开口32及流道33。开口32贯穿治具30。流道33可设置于治具30的表面30s1，并与孔洞11o流体连通。流道33可连通至吸引装置23或其他的减压装置或真空装置。封装材料可藉由开口32注入，吸引装置23可提供一驱动力，使封装材料流经导电组件13并朝向流道33流动，大体上填满空腔31，经固化后于空腔31中形成封装层(参见图8、图9、图10和图11，说明如后)。
52.参阅图8，在一些实施例中，可移动阻挡结构221的一部分(例如，顶部)嵌入基板11的孔洞11o中。在此阶段，藉由图7所示的吸引装置23，使封装材料14’填入空腔31，并覆盖电子组件12。在此阶段，封装材料14’尚未填充至基板11的孔洞11o，传感器24侦测到的阻挡组件22a的表面压力(例如，可移动阻挡结构221顶部所受压力)变化并未大于阈值，因此可移动阻挡结构221未被驱动器222驱动。
53.图9、10绘示当阻挡组件22a的周遭环境变化大于一阈值时，可移动阻挡结构221移动前与移动后的情况。参阅图9，封装材料14’填入基板11的孔洞11o后，使得阻挡组件22a表面压力产生较大的变化。在此阶段，阻挡组件22a的表面压力变化大于或等于阈值。在一些实施例中，当阻挡组件22a的表面压力变化大于或等于阈值，或封装材料14’接触阻挡组件
22a的表面时，传感器24将传递讯息至驱动器222，以驱动可移动阻挡结构221。在一些实施例中，当阻挡组件22a的表面压力变化大于或等于阈值时，封装材料14’可接触或不接触阻挡组件22a的表面。
54.参阅图10，驱动器222驱动可移动阻挡结构221，使可移动阻挡结构221移动，并嵌入封装材料14’，形成凹陷14r1。在一些实施例中，当可移动阻挡结构221向上移动，其顶部嵌入封装材料14’，且可移动阻挡结构221在基板11的表面11s1处封闭孔洞11o，可避免封装材料14’从孔洞溢出。在一些实施例中，当可移动阻挡结构221向上移动，其顶部嵌入封装材料14’，可移动阻挡结构221在基板11的表面11s1处未完全封闭孔洞11o，而是藉由可移动阻挡结构221使封装材料14’流入孔洞11o后速度减慢(或逐渐停止流动，停止于孔洞11o内)，而在流出孔洞11o前中固化成封装材料14，故可避免封装材料14’从孔洞溢出。
55.参阅图11，封装材料14’固化而形成封装层14，移除治具20a及治具30，而制造半导体装置封装1a。在此实施例中，封装层14的凹陷14r1并未被用刀锯或其他移除工具切割，因此在封装层14的凹陷14r1的表面并不会出现填充物的截断面。
56.在将封装材料14’填充至空腔31时，由于空腔31内的流阻不均匀，导致空气残留于封装层中形成间隙(void)。特别是，当导电组件13的间距较小的情况，间隙变得更容易形成在导电组件13之间的区域。在比较例中，会先透过模拟预测，而预测间隙可能存在的区域。接下来，在对应间隙可能存在的区域，在基板对应之处形成孔洞，并在孔洞处执行减压或抽真空，来减少间隙之产生。然而，这样的做法虽有利于气体排出避免形成间隙，却容易使封装材料溢出至基板的下表面(11s1)，而导致接垫或锡球无法形成在基板的下表面上。因此，在本发明的一些实施例中，在基板下方设置阻挡组件22a，阻挡组件22a可嵌入孔洞11o中，通过封装材料14’流动，使气体从孔洞11o排出，当封装材料14’填入孔洞11o，甚至是将要透过孔洞11o溢出至表面11s1时，阻挡组件22a会阻挡封装材料14’，以避免其溢出至表面11s1。因此，根据本公开的实施例，除了可以避免间隙的产生，亦能避免封装材料的溢出。
57.在另一比较例中，是通过胶带(tape)移除从基板的下表面溢出的封装材料，然而，这样的做法仍可能会导致有残胶遗留在基板的下表面上，造成接垫或锡球无法形成在基板上的情形发生。根据本公开的实施例，通过可移动阻挡结构221阻挡封装材料14’的流动，可有效减轻残胶的问题。
58.在本实施例，可移动阻挡结构221的末端(顶部)可为锥状、圆柱状或其他适合的形状。当可移动阻挡结构221的末端为锥状时，可以提升定位误差的宽裕度，并且，在脱离可移动阻挡结构221时，较不会产生拉膜的问题。
59.图12、图13和图14说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的方法，其中图13、图14绘示区域r1的局部的放大图。
60.参阅图12，提供基板11、治具20b、治具30及吸引装置23。。图12的方法类似于图7，其中之一的不同处在于：以治具20b取代治具20a。
61.在一些实施例中，治具20b包含载板21及阻挡组件22b。
62.载板21构成治具20b的主体。载板21具有表面21s1。载板21的表面21s1邻近于基板11的表面11s1。载板21的表面21s1的一部分可接触基板11的表面11s1。载板21的表面21s1的另一部分未接触基板11的表面11s1且定义出流道25，流道25可与孔洞11o流体连通。流道25连接至阻挡组件22。
63.阻挡组件22b经配置以嵌入基板11的孔洞11o。例如，阻挡组件22b可由载板21的表面21s1凸出，且在一些实施态样中，阻挡组件22b进一步朝向基板11的孔洞11o延伸，嵌入基板11的孔洞11o。在一些实施例中，阻挡组件22b与载板21一体成形。在一些实施例中，阻挡组件22b与载板21系一体的(monolithic)。在一些实施例中，阻挡组件22b可另外形成于载板21的表面21s1上。在一些实施例中，阻挡组件22b为锥状、柱状(如圆柱状)或其他适合的形状。
64.参阅图12a，其绘示阻挡组件22b与孔洞11o的尺寸比例。如图12及图12a所示，阻挡组件22b嵌入基板11的孔洞11o中，孔洞11o未被阻挡组件22b占用的部分与流道25流体连通。基板11的孔洞11o具有半径d1、阻挡组件22b嵌入孔洞的部分具有半径d2。可调整d1与d2的比例，使封装材料14’不会自孔洞11o溢出。不受理论所限制，阻挡组件22b本身可对孔洞11o中的封装材料14’流动产生阻滞效果，此外阻挡组件22b在孔洞11o中缩减了通道尺寸，因此，封装材料14’流入孔洞11o后速度减慢(或逐渐停止流动)，而在孔洞11o中固化成封装材料14。在一些实施例中，d1与d2的比例可介于2:1至5:4之间，例如为3:2、4:3。d1与d2的比例亦可为其他适当范围。在一些实施例中，封装材料14’包含的填充物(未绘示于图12a，可参考图2a的填充物141)具有粒径(或平均粒径)d3，在一些实施例中，填充物的粒径d3小于半径d1与半径d2的差。在另一些实施例中，填充物的粒径d3可能大于或等于于半径d1与半径d2的差。
65.参阅图13，藉由吸引装置23，使封装材料14’填充至空腔31包封电子组件12及导电组件13，并填入基板11的孔洞11o。当封装材料14’填入一部分的孔洞11o时，或封装材料14’将要填满孔洞11o时，受到阻挡组件22a作用，可使封装材料14’减慢并停止流动，因此可避免封装材料14’溢出至表面11s1。
66.参阅图14，封装材料14’固化而形成封装层14，移除治具20b及治具30，而制造半导体装置封装1c。封装层14具有表面14s1及凹陷14r3。封装层14的表面14s1及凹陷14r3并未被用刀锯或其他移除工具切割，因此在封装层14的凹陷14r3的表面并不会出现填充物的截断面。
67.图15和图16说明根据本发明的一些实施例的制造半导体装置封装的方法。
68.参阅图15，提供基板11、治具20c、治具30及吸引装置23。电子组件12及导电组件13设置在基板11的表面11s2上。
69.在一些实施例中，治具20c包含载板21及阻挡组件22c。
70.载板21构成治具20c的主体。载板21具有表面21s1。载板21的表面21s1邻近于基板11的表面11s1。
71.在一些实施例中，阻挡组件22c嵌入于载板21，且一部分的阻挡组件22c凸出于所述载板21的表面21s1并嵌入于基板11的孔洞11o。在一些实施例中，阻挡组件22c为针状结构。载板21具有一开口(未标示)对应基板11的孔洞11o，所述开口的孔径小于所述孔洞11o的孔径，阻挡组件22c经由所述开口嵌入基板11的孔洞11o。由于载板21的表面21s1接触基板11的表面11s1，其封闭基板11的孔洞11o，仅留下供阻挡组件22c穿过之开口，故可避免封装材料14’从孔洞溢出至表面11s1。在一些实施例中，阻挡组件22c具有一中空管道，此中空管道贯穿阻挡组件22c。此中空管道连接基板11的孔洞11o和载板21外部。孔洞11o藉由此中空管道，可连通至其他的吸引装置(未绘示)。
72.藉由吸引装置23，使封装材料14’透过开口32填入空腔31，并填入孔洞11o。当封装材料14’填入一部分的孔洞11o，或封装材料14’填满孔洞11o时，停止吸引装置23的运作。参阅图16。封装材料14’固化而形成封装层14，移除阻挡组件22c及治具30，而制造半导体装置封装1d。封装层14具有表面14s1及凹陷14r4。封装层14的表面14s1及凹陷14r4并未被用刀锯或其他移除工具切割，因此在封装层14的凹陷14r3的表面并不会出现填充物的截断面。
73.如本文所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数术语“一个/一种”和“所述”可以包含复数指代物。
74.如本文所使用的，术语“导电的(conductive)”、“导电的(electrically conductive)”以及“电导率(electrical conductivity)”指代输送电流的能力。导电材料通常表示对电流流动几乎没有或没有阻碍的那些材料。电导率的一种度量是西门子每米(s/m)。通常，导电材料是电导率超过约104s/m，如至少105s/m或至少106s/m的导电材料。材料的电导率有时可能随温度变化。除非另有说明，否则材料的电导率是在室温下测量的。
75.另外，量、比率和其它数值在本文中有时以范围格式呈现。应当理解的是，此类范围格式是为了方便和简洁而使用的，并且应该灵活地理解为包含明确指定为范围的界限的数值，而且还包含所述范围内涵盖的所有单独数值或子范围，如同每个数值和子范围被明确指定一样。
76.虽然已经参考本公开的具体实施例描述和展示了本公开，但是这些描述和图示并非限制性的。本领域的技术人员应当理解，在不脱离如由权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下，可以作出各种改变并且可以取代等同物。图示可能不一定按比例绘制。由于制造工艺和公差，本公开中的艺术再现与实际装置之间可能存在区别。可能存在未具体展示的本公开的其它实施例。说明书和附图应被视为是说明性的而非限制性的。可以作出修改以使特定情况、材料、物质构成、方法或工艺适于本公开的目标、精神和范围。所有此类修改均旨在落入所附权利要求的范围内。虽然已经参考以特定顺序执行的特定操作描述了本文所公开的方法，但是应理解，可以在不脱离本公开的教导的情况下对这些操作进行组合、细分或重新排列以形成等效方法。因此，除非本文明确指出，否则操作的顺序和分组并不是本公开的限制。