半导体装置封装及其制造方法与治具与流程

技术特征：
1.一种半导体装置封装，包括：一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一封装层的所述延伸部的末段具有一凹陷。3.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述凹陷为锥状凹陷、柱状凹陷或针状凹陷。4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述第一封装层具有一第一表面，所述第一封装层的所述第一表面与所述基板的所述第一表面实质上共平面。5.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述凹陷由所述第一封装层的一第一表面朝向所述基板的所述第二表面延伸。6.根据权利要求2所述的半导体装置封装，其中所述第一封装层包括一填充物，且所述填充物并无截断面暴露于所述凹陷。7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述第一封装层包括复数填充物，所述第一封装层的第一表面具有一第一长度，所述至少一填充物的粒径小于所述第一长度。8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，更包括：一第二电子组件，设置在所述基板的所述第一表面上；以及一第二封装层，包覆所述第二电子组件，其中所述第二封装层具有一延伸部，所述第二封装层的所述延伸部和所述第一封装层的所述延伸部共同填充所述孔洞。9.根据权利要求8所述的半导体装置封装，所述第一封装层的所述延伸部的末段具有一凹陷，所述第二封装层的所述延伸部嵌入所述凹陷。10.一种治具，包括：一载板用于承载一基板；以及一压力感测逆止阀，其中所述压力感测逆止阀经配置以嵌入所述基板的一孔洞。11.根据权利要求10所述的治具，其中所述载板具有一第一表面，所述第一表面包括一流道，所述流道连通至所述压力感测逆止阀。12.根据权利要求11所述的治具，所述流道另连接至一真空装置或低压装置。13.根据权利要求10所述的治具，其中所述载板具有一开口用于容置所述压力感测逆止阀。14.根据权利要求10所述的治具，其中所述压力感测逆止阀包括：一可移动阻挡结构，所述压力感测逆止阀用于感测压力变化而驱动所述可移动阻挡结构朝向所述基板的所述孔洞移动。15.根据权利要求14所述的治具，其中所述阻挡组件包括：一驱动器，用于驱动所述可移动阻挡结构朝向所述基板的所述孔洞移动。16.一种半导体装置封装的制造方法，包括：提供一基板，所述基板包括一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第
二表面的一孔洞；以及由所述基板的所述第二表面注入一封装材料，使所述封装材料由所述基板的所述第二表面流入所述孔洞并停止于所述孔洞内。17.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：使用一阻挡组件阻挡所述封装材料于所述孔洞中。18.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：在注入所述封装材料前，设置一电子组件于所述基板的所述第二表面上，且所述电子组件覆盖所述孔洞。19.根据权利要求18所述的方法，进一步包括：使所述封装材料填入所述基板的第二表面与所述电子组件之间。20.根据权利要求16所述的方法，进一步包括：通过一流道进行减压或抽真空，使所述封装材料由所述基板的所述第二表面流向所述孔洞。

技术总结
本揭露提供了一种半导体装置封装及其制造方法与治具。所述半导体装置封装包含一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。一基板，所述基板具有一第一表面、一第二表面及由所述第一表面延伸至所述第二表面的一孔洞；一第一电子组件，设置于所述基板的所述第二表面上且覆盖所述孔洞；以及一第一封装层，包覆所述第一电子组件，其中所述第一封装层具有一延伸部，所述延伸部填充所述孔洞的一部份。另外，本揭露亦提供一种制造所述半导体装置封装的方法及治具。方法及治具。方法及治具。


技术研发人员：黄炳源 陈馨恩
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：2020.11.19
技术公布日：2022/5/31