半导体激光器及半导体激光器的制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括：激光器组件，包括激光芯片(6)；石墨结构(4)，位于所述激光芯片(6)的一侧；热沉结构，包括用于防止所述激光芯片(6)和石墨结构(4)之间产生热应力的过渡热沉(7)，所述过渡热沉(7)位于所述石墨结构(4)和所述激光芯片(6)之间，且所述激光芯片(6)通过所述过渡热沉(7)与所述石墨结构(4)连接。2.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述热沉结构位于所述激光器组件和所述石墨结构(4)之间，所述热沉结构在所述石墨结构(4)上的投影面积大于或等于所述石墨结构(4)的面积，以阻隔所述石墨结构(4)和所述激光器组件。3.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述热沉结构还包括用于散热且与所述石墨结构(4)连接的第一热沉(3)，所述过渡热沉(7)的至少一侧设有所述第一热沉(3)。4.根据权利要求1所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括用于散热的第二热沉(5)，所述第二热沉(5)位于所述石墨结构(4)的背离所述激光芯片(6)的一侧。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括导热胶层，所述石墨结构(4)的至少一侧设有所述导热胶层；或者，所述激光芯片(6)与所述过渡热沉(7)之间设有焊接层。6.根据权利要求3所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括设置在所述第一热沉(3)和所述过渡热沉(7)之间的密封胶层。7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述过渡热沉(7)的热膨胀系数与所述激光芯片(6)的热膨胀系数相一致；或者，所述过渡热沉(7)由铜钨材料制成。8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器组件还包括位于所述激光芯片(6)的相对两侧且与所述激光芯片(6)电连接的两个电极(1)，所述电极(1)与所述激光芯片(6)位于所述热沉结构的同一侧，所述热沉结构包括与两个所述电极(1)对应设置的两个第一热沉(3)。9.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器还包括位于所述第一热沉(3)和与所述第一热沉(3)对应的所述电极(1)之间的绝缘件(2)。10.根据权利要求8所述的半导体激光器，其特征在于，所述激光器组件还包括用于连接所述电极(1)和所述激光芯片(6)的金丝组件(8)。11.一种半导体激光器的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至10中任一项所述的半导体激光器，所述半导体激光器的制备方法包括：在所述激光芯片(6)和所述石墨结构(4)之间设置所述过渡热沉(7)的过渡热沉设置步骤；连接所述激光芯片(6)与所述过渡热沉(7)的第一连接步骤；连接所述过渡热沉(7)与所述石墨结构(4)的第二连接步骤。12.根据权利要求11所述的半导体激光器的制备方法，其特征在于，在所述过渡热沉设置步骤之后，所述半导体激光器的制备方法还包括：
在所述石墨结构(4)的朝向第一热沉(3)与所述过渡热沉(7)的一侧点胶，以形成导热胶层的导热胶层形成步骤；利用所述导热胶层连接所述第一热沉(3)和所述石墨结构(4)的第三连接步骤。13.根据权利要求12所述的半导体激光器的制备方法，其特征在于，在所述第二连接步骤之后，且在第三连接步骤之后，所述半导体激光器的制备方法还包括在所述第一热沉(3)和所述过渡热沉(7)之间进行点胶，以形成密封胶层的密封胶层形成步骤。14.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体激光器的制备方法，其特征在于，所述第一连接步骤包括利用焊料蒸发技术在所述过渡热沉(7)表面形成焊接层，以连接所述激光芯片(6)和所述过渡热沉(7)。15.根据权利要求11至13中任一项所述的半导体激光器的制备方法，其特征在于，在所述第一连接步骤之后，所述半导体激光器的制备方法还包括：在所述石墨结构(4)的朝向第二热沉(5)的一侧进行点胶的导热胶层形成步骤；利用导热胶层将所述第二热沉(5)与所述石墨结构(4)连接的第四连接步骤。

技术总结
本发明提供了一种半导体激光器及半导体激光器的制备方法。半导体激光器包括：激光器组件包括激光芯片；石墨结构，位于激光芯片的一侧；热沉结构，包括用于防止激光芯片和石墨结构之间产生热应力的过渡热沉，过渡热沉位于石墨结构和激光芯片之间，且激光芯片通过过渡热沉与石墨结构连接。本发明的技术方案解决了现有技术中的半导体激光器热应力过大的问题。现有技术中的半导体激光器热应力过大的问题。现有技术中的半导体激光器热应力过大的问题。


技术研发人员：赖锦锋 张利斌
受保护的技术使用者：桂林市啄木鸟医疗器械有限公司
技术研发日：2022.02.21
技术公布日：2022/5/30