显示装置的制作方法

1.本发明涉及一种光电装置，尤其涉及一种显示装置。


背景技术：

2.依照显示介质的特性，显示装置分为非自发光显示装置及自发光显示装置。非自发光显示装置的显示面板需搭配背光模块方能显示。自发光显示装置则不需要搭配背光模块。因此，相较于非自发光显示装置，自发光显示装置具有轻薄的优势，而更适合应用在某些产品中，例如：智能型手表、智能手机等。
3.一般而言，自发光显示装置的对向基板具有遮光图案层(或称，黑矩阵)，以防止用以显示不同颜色的多个子像素结构发生混光。然而，在避免混光的同时，遮光图案层的设置却使得自发光显示装置的视角受限，在大视角方向上的亮度低落。
4.此外，以向上发光的自发光显示装置为例，其像素阵列基板的共用电极的材质需使用透光导电材料。透光导电材料的导电率偏低。当自发光显示装置的尺寸较大时，各子像素结构与共用电极的信号输入端的距离差异增大，造成电压压降(ir-drop)问题严重，影响显示品质。


技术实现要素：

5.本发明的其中一个目的在于提供一种显示装置，显示品质佳。
6.本发明的其中另一个目的在于提供另一种显示装置，显示品质也佳。
7.本发明一实施例的显示装置，包括第一基底、至少一子像素结构、第二基底、遮光图案层、第一绝缘层、反射层及第二绝缘层。至少一子像素结构设置于第一基底上。第二基底设置于第一基底的对向。遮光图案层设置于第二基底上，且具有至少一开口。遮光图案层的至少一开口重叠于至少一子像素结构。第一绝缘层设置于遮光图案层上，且具有至少一开口。第一绝缘层的至少一开口设置于遮光图案层的至少一开口外。第一绝缘层具有定义第一绝缘层的至少一开口的至少一侧壁。反射层至少设置于第一绝缘层的至少一侧壁上。第二绝缘层至少设置于第一绝缘层的至少一开口中，且覆盖反射层。
8.在本发明的一实施例中，上述的反射层具有相连接的至少一第一部及至少一第二部，反射层的至少一第一部设置于第一绝缘层的至少一侧壁上，且反射层的至少一第二部设置于遮光图案层与第二绝缘层之间。
9.在本发明的一实施例中，上述的反射层的至少一第二部直接接触于遮光图案层。
10.在本发明的一实施例中，上述的反射层具有相连接的至少一第一部及至少一第二部，反射层的至少一第一部设置于第一绝缘层的至少一侧壁，反射层的至少一第二部设置于至少一第一部的靠近遮光图案层的一侧，反射层的至少一第二部的边缘与遮光图案层的边缘相隔一距离。
11.在本发明的一实施例中，上述的第二绝缘层具有设置于第一绝缘层的至少一开口中的第一部，第二绝缘层的第一部具有朝向第二基底的第一表面及朝向第一绝缘层的至少
一侧壁的第二表面，且第一表面与第二表面于第二绝缘层的材质内夹有一角度α，且α》90
°
。
12.在本发明的一实施例中，上述的至少一子像素结构包括一共用电极，第二绝缘层具有设置于第一绝缘层的至少一开口中的至少一第一部，且显示装置还包括至少一凸起结构及第一导电层。至少一凸起结构设置于第二绝缘层的至少一第一部上。第一导电层设置于至少一凸起结构上，且电性连接至反射层及共用电极。
13.在本发明的一实施例中，设置于上述的至少一凸起结构上的部分第一导电层直接接触于共用电极。
14.在本发明的一实施例中，上述的至少一子像素结构还包括至少一第一电极、至少一发光图案及一像素定义层，像素定义层设置于至少一第一电极上且具有重叠于至少一第一电极的至少一开口，至少一发光图案设置于像素定义层的至少一开口内且电性连接至第一电极，像素定义层具有至少一凹陷，共用电极设置于像素定义层的至少一凹陷内且电性连接到至少一发光图案，且至少一凸起结构及至少一部分的第一导电层设置于像素定义层的至少一凹陷中。
15.在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括封装层，设置于共用电极上，其中第一绝缘层与封装层之间存在一空隙。
16.在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括封装层及粘着层。封装层设置于共用电极上。粘着层设置于第一绝缘层与封装层之间。至少一凸起结构凸出于粘着层。
17.在本发明的一实施例中，上述的共用电极具有信号输入端，至少一凸起结构在远离信号输入端的一处的设置密度大于靠近信号输入端的另一处的设置密度。
18.在本发明的一实施例中，上述的显示装置还包括第二导电层，设置于遮光图案层上，位于遮光图案层与第一绝缘层之间，且具有重叠于至少一子像素结构的至少一开口。第二导电层、反射层、第一导电层及共用电极彼此电性连接。
19.在本发明的一实施例中，上述的第二导电层在第二基底上的垂直投影的形状与遮光图案层在第二基底上的垂直投影的形状实质上相同。
20.在本发明的一实施例中，上述的至少一子像素结构包括电性连接至共用电极的多个第一发光图案，遮光图案层的至少一开口为遮光图案层的多个开口，多个第一发光图案彼此电性连接且分别重叠于遮光图案层的多个开口。显示装置还包括封装层及粘着层。封装层设置于至少一子像素结构上。粘着层设置于第一绝缘层与封装层之间。一空隙存在于第一绝缘层与封装层之间且重叠于多个第一发光图案的一者，而粘着层重叠于多个第一发光图案的另一者。
21.在本发明的一实施例中，上述的共用电极具有信号输入端，空隙在远离信号输入端的一处的设置密度大于靠近信号输入端的另一处的设置密度。
22.在本发明的一实施例中，上述的至少一子像素结构包括第一子像素结构及第二子像素结构，第一子像素结构及第二子像素结构分别包括第一发光图案及第二发光图案，第一绝缘层的至少一开口包括分别对应第一发光图案及第二发光图案的第一开口及第二开口，第一绝缘层的至少一侧壁包括分别定义第一绝缘层的第一开口及第二开口的第一侧壁及第二侧壁，反射层包括交替堆叠的多个第一折射率子层及多个第二折射率子层，多个第一折射率子层及多个第二折射率子层设置于第一侧壁及第二侧壁上。
23.在本发明的一实施例中，上述的至少一子像素结构包括第一子像素结构及第二子
像素结构，第一子像素结构及第二子像素结构分别包括第一发光图案及第二发光图案，第一绝缘层的至少一开口包括分别对应于第一子像素结构及第二子像素结构的第一开口及第二开口，第一绝缘层的至少一侧壁包括分别定义第一绝缘层的第一开口及第二开口的第一侧壁及第二侧壁。反射层包括多个第一折射率子层及多个第二折射率子层，交替堆叠且设置于第一侧壁上。反射层还包括多个第三折射率子层及多个第四折射率子层，交替堆叠，且设置于第二侧壁上。
24.在本发明的一实施例中，上述的第一发光图案及第二发光图案分别用以发出第一色光及第二色光，多个第一折射率子层及多个第二折射率子层对第一色光的反射率高于对第二色光的反射率。
25.本发明一实施例的显示装置，包括第一基底、子像素结构、第二基底、遮光图案层、凸起物、反射层及第一绝缘层。子像素结构设置于第一基底上。第二基底设置于第一基底的对向。遮光图案层设置于第二基底上，且具有重叠于子像素结构的开口。凸起物设置于遮光图案层上，且由第二基底凸向第一基底，其中凸起物具有邻接于遮光图案层的开口的一侧壁。反射层至少设置于凸起结构的侧壁上。第一绝缘层覆盖反射层，且重叠于遮光图案层的开口。
26.在本发明的一实施例中，上述的凸起物具有朝向第二基底的第一表面，凸起物的侧壁朝向第一绝缘层，第一表面与侧壁于凸起物的材质内夹有一角度β，且β≤90
°
。
附图说明
27.图1为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
28.图2为本发明一实施例的显示装置的俯视示意图。
29.图3为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
30.图4为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
31.图5为本发明一实施例的显示装置的俯视示意图。
32.图6为本发明一实施例的显示装置的俯视示意图。
33.图7为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
34.图8为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
35.图9为本发明一实施例的显示装置的俯视示意图。
36.图10为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
37.图11为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
38.图12为本发明一实施例的显示装置的剖面示意图。
39.附图标记如下：
40.10、10a、10b、10c、10d、10e、10f:显示装置
41.100:像素阵列基板
42.110:第一基底
43.120:子像素电路
44.130:第一电极
45.140:像素定义层
46.140a、220a、240a、280a:开口
47.141:第一子像素定义层
48.142:第二子像素定义层
49.142a:凹陷
50.150:发光图案
51.150r:第一彩色滤光图案
52.150g:第二彩色滤光图案
53.150b:第三彩色滤光图案
54.160:共用电极
55.170:封装层
56.200:对向基板
57.210:第二基底
58.220:遮光图案层
59.220e:边缘
60.220a-1:第一开口
61.220a-2:第二开口
62.220a-3:第三开口
63.230:彩色滤光图案
64.230r:第一彩色滤光图案
65.230g:第二彩色滤光图案
66.230b:第三彩色滤光图案
67.240、240e:第一绝缘层
68.242、294a:侧壁
69.242-1:第一侧壁
70.242-2:第二侧壁
71.242-3:第三侧壁
72.250、250c、250e:反射层
73.250a:第一折射率子层
74.250b:第二折射率子层
75.250c:第三折射率子层
76.250d:第四折射率子层
77.250e:第五折射率子层
78.250f:第六折射率子层
79.251、261:第一部
80.252、262:第二部
81.252e:边缘
82.260:第二绝缘层
83.261a:第一表面
84.261b:第二表面
85.270:粘着层
86.272:粘着图案
87.280:第二导电层
88.290:凸起结构
89.292:第一导电层
90.294:凸起物
91.294b:第一表面
92.ag:空隙
93.c:复合式共用电极
94.d:距离
95.dbr1:第一分散式布拉格反射器
96.dbr2:第二分散式布拉格反射器
97.dbr3:第三分散式布拉格反射器
98.l:光束
99.l1:第一色光
100.l2:第二色光
101.l3:第三色光
102.ovss:信号输入端
103.px:像素结构
104.p:间距
105.spx:子像素结构
106.spx1:第一子像素结构
107.spx2:第二子像素结构
108.spx3:第三子像素结构
109.w:宽度
110.α、β、θ:角度
111.φ:发散角
112.i-i’、ii-ii’、iii-iii’、iv-iv’、v-v’:剖线
具体实施方式
113.现将详细地参考本发明的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
114.应当理解，当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时，其可以直接在另一元件上或与另一元件连接，或者中间元件可以也存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时，不存在中间元件。如本文所使用的，“连接”可以指物理及/或电性连接。再者，“电性连接”或“耦合”可以是二元件间存在其它元件。
115.本文使用的“约”、“近似”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值，考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即，测量系统的限制)。例如，“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内，或
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％内。再者，本文使用的“约”、“近似”或“实质上”可依光学性质、蚀刻性质或其它性质，来选择较可接受的偏差范围或标准偏差，而可不用一个标准偏差适用全部性质。
116.除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本发明的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。
117.图1为本发明一实施例的显示装置10的剖面示意图。
118.图2为本发明一实施例的显示装置10的俯视示意图。
119.图1对应图2的剖线i-i’。图2示出显示装置10的遮光图案层220、多个发光图案150及黏着层270，而省略显示装置10的其它构件。
120.请参照图1，显示装置10包括相对设置的像素阵列基板100及对向基板200。像素阵列基板100包括第一基底110。举例而言，在本实施例中，第一基底110的材质可以是玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：晶片、陶瓷、或其它可适用的材料)、或是其它可适用的材料。
121.像素阵列基板100还包括设置于第一基底110上的多个子像素结构spx。每一子像素结构spx包括至少一第一电极130、一共用电极160及至少一发光图案150，其中至少一第一电极130及共用电极160各自电性连接到至少一发光图案150，且至少一发光图案150用以发出光束l。
122.在本实施例中，每一子像素结构spx还包括一子像素电路120，电性连接到至少一第一电极130。举例而言，在本实施例中，子像素电路120可包括数据线(未示出)、扫描线(未示出)、电源线(未示出)、第一晶体管(未示出)、第二晶体管(未示出)及电容(未示出)，其中第一晶体管的第一端电性连接至数据线，第一晶体管的控制端电性连接至扫描线，第一晶体管的第二端电性连接至第二晶体管的控制端，第二晶体管的第一端电性连接至电源线，电容电性连接于第一晶体管的第二端及第二晶体管的第一端，且第二晶体管的第二端电性连接到至少一第一电极130。然而，本发明不以此为限，在其它实施例中，子像素电路120也可以是其它种电路。
123.此外，在本实施例中，每一子像素结构spx更可选择性地包括像素定义层140。像素定义层140具有至少一开口140a，重叠于至少一第一电极130。至少一发光图案150可设置于像素定义层140的至少一开口140a中。举例而言，在本实施例中，发光图案150的材质例如是有机发光材料，而显示装置10可以是有机电致发光显示器。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，发光图案150的材质也可以是无机发光材料，而显示装置10也可以是无机电致发光显示器，例如但不限于：微型发光二极管(μled)显示器。
124.在本实施例中，共用电极160是透光电极，其包括金属氧化物，例如：铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层，但本发明不以此为限。
125.请参照图1及图2，在本实施例中，多个子像素结构spx可包括分别用以发出第一色光l1、第二色光l2及第三色光l3的第一子像素结构spx1、第二子像素结构spx2及第三子像素结构spx3。彼此相邻的第一子像素结构spx1、第二子像素结构spx2及第三子像素结构
spx3可组成一像素结构px。举例而言，在本实施例中，第一色光l1、第二色光l2及第三色光l3例如分别是红色光束、绿色光束及蓝色光束，但本发明不以此为限。
126.请参照图1，在本实施例中，像素阵列基板100还包括封装层170，设置于子像素结构spx的共用电极160上。举例而言，在本实施例中，封装层170可以是具封装薄膜(thin film encapsulation,tfe)的高分子聚合物，但本发明不以此为限。
127.对向基板200包括第二基底210，设置于第一基底110的对向。举例而言，在本实施例中，第二基底210的材质可以是玻璃、石英、有机聚合物、或是其它可适用的材料。
128.对向基板200还包括遮光图案层220。遮光图案层220又可称为黑矩阵(black matrix，bm)。遮光图案层220设置于第二基底210上，且具有开口220a。遮光图案层220的开口220a重叠于子像素结构spx。详细而言，遮光图案层220的开口220a重叠于子像素结构spx的发光图案150。
129.在本实施例中，对向基板200更可选择性地包括多个彩
130.色滤光图案230，设置于第二基底210上，且重叠于遮光图案层220的开口220a。在本实施例中，多个彩色滤光图案230可包括分别设置于第一子像素结构spx1的第一发光图案150r、第二子像素结构spx2的第二发光图案150g及第三子像素结构spx3的第三发光图案150b上方的第一彩色滤光图案230r、第二彩色滤光图案230g及第三彩色滤光图案230b。举例而言，在本实施例中，第一彩色滤光图案230r、第二彩色滤光图案230g及第三彩色滤光图案230b可分别是红色滤光图案、绿色滤光图案及蓝色滤光图案，但本发明不以此为限。
131.对向基板200还包括第一绝缘层240，设置于遮光图案层220上，且具有开口240a。第一绝缘层240的开口240a设置于遮光图案层220的开口220a外。第一绝缘层240的开口240a重叠于遮光图案层220的实体。第一绝缘层240具有定义开口240a的侧壁242。
132.对向基板200还包括反射层250，至少设置于定义第一绝缘层240的开口240a的侧壁242上。详细而言，在本实施例中，反射层250具有相连接的第一部251及第二部252。反射层250的第一部251设置于第一绝缘层240的侧壁242上。反射层250的第二部252设置于遮光图案层220与第二绝缘层260(的第一部261)之间。简言之，反射层250是共形地设置于第一绝缘层240的开口240a中。此外，在本实施例中，反射层250的第二部252可直接接触于遮光图案层220，但本发明不以此为限。
133.在本实施例中，反射层250的第二部252的边缘252e与遮光图案层220的边缘220e相隔一距离d。反射层250于第二基底210上的垂直投影未超出遮光图案层220于第二基底210上的垂直投影。换言之，反射层250设置于遮光图案层220下，且未外露于遮光图案层220。在本实施例中，反射层250的材质例如是金属，但本发明不以此为限。
134.在本实施例中，对向基板200还包括第二绝缘层260，至少设置于第一绝缘层240的开口240a中，且覆盖反射层250。在本实施例中，第二绝缘层260具有设置于第一绝缘层240的开口240a中的第一部261，第二绝缘层260的第一部261具有朝向第二基底210的第一表面261a及朝向第一绝缘层240的侧壁242的第二表面261b，第一表面261a与第二表面261b于第二绝缘层260的材质内夹有角度α，且α》90
°
。在本实施例中，第二绝缘层260更可选择性地具有第二部262，第二部262设置于第一绝缘层240上且重叠于遮光图案层220的开口220a。
135.在本实施例中，对向基板200还包括粘着层(filler)270，设置于第一绝缘层240与封装层170之间。对向基板200与像素阵列基板100通过粘着层270彼此连接。反射层250位于
第一绝缘层240与第二绝缘层260之间。第二绝缘层260位于反射层250与粘着层270之间。粘着层270位于第二绝缘层260与封装层170之间。
136.值得一提的是，具有大发散角且向遮光图案层220传递的光束l原本无法从显示装置10的内部出射，但通过反射层250的反射作用，光束l可被反射层250引导至遮光图案层220的开口220a，并以大角度θ出射。由此，显示装置10在大视角方向上的亮度可增加。
137.在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重述。
138.图3为本发明一实施例的显示装置10a的剖面示意图。
139.图4为本发明一实施例的显示装置10a的剖面示意图。
140.图5为本发明一实施例的显示装置10a的俯视示意图。
141.图3对应图5的剖线ii-ii’。图4对应图5的剖线iii-iii’。图5示出显示装置10a的遮光图案层220、第二导电层280、凸起结构290、多个发光图案150及黏着层270，而省略显示装置10a的其它构件。
142.图3、图4及图5的显示装置10a与图1及图2的显示装置10类似，两者主要的差异在于：图3、图4及图5的显示装置10a还包括：第二导电层280、凸起结构290及第一导电层292。
143.请参照图3、图4及图5，对向基板200还包括凸起结构290及第一导电层292。凸起结构290设置于第二绝缘层260的第一部261上，且凸向像素阵列基板100。第一导电层292设置于凸起结构290上，且电性连接至反射层250及共用电极160。换言之，凸起结构290上的部分第一导电层292是作为对向基板200的反射层250与像素阵列基板100的共用电极160之间的桥接元件来使用。在本实施例中，设置于凸起结构290上的部分第一导电层292可直接接触于共用电极160，但本发明不以此为限。
144.请参照图3及图4，在本实施例中，像素定义层140可具有凹陷142a，共用电极160设置于像素定义层140的凹陷142a内且电性连接至发光图案150，对向基板200的凸起结构290及设置于凸起结构290上的部分第一导电层292设置于凹陷142a中。像素定义层140的凹陷142a有助于对向基板200的凸起结构290及设置于凸起结构290上的部分第一导电层292稳定地设置于像素阵列基板100上，以良好地电性连接对向基板200的反射层250与像素阵列基板100的共用电极160。
145.举例而言，在本实施例中，像素定义层140可包括第一子像素定义层141及设置于第一子像素定义层141上的第二子像素定义层142，第一子像素定义层141及第二子像素定义层142共同定义重叠于第一电极130的开口140a，而第二子像素定义层142具有重叠于凸起结构290的凹陷142a，但本发明不以此为限。
146.值得一提的是，在本实施例中，共用电极160为透光，透光的共用电极160能选用的材质的电阻率偏高，但通过设置于凸起结构290上的部分第一导电层292，电阻率偏高的共用电极160可与电阻率低的反射层250电性连接。由此，包括共用电极160及反射层250的复合式共用电极c的电阻值可降低，有助于改善因共用电极160的电阻值过高而导致的电压压降(ir-drop)问题，进而提升显示品质。
147.请参照图3及图5，在本实施例中，对向基板200还包括第二导电层280，设置于遮光图案层220上，位于遮光图案层220与第一绝缘层240之间，且具有重叠于子像素结构spx的
开口280a。在本实施例中，第二导电层280在第二基底210上的垂直投影的形状与遮光图案层220在第二基底210上的垂直投影的形状可选择性地实质上相同。举例而言，在本实施例中，第二导电层280在第二基底210上的垂直投影与遮光图案层220在第二基底210上的垂直投影可皆为网状图形，但本发明不以此为限。
148.请参照图3，在本实施例中，反射层250可通过第一绝缘层240的开口240a电性连接至第二导电层280。在本实施例中，第二导电层280、反射层250、第一导电层292及共用电极160彼此电性连接，而形成一复合式共用电极c。在本实施例中，除了反射层250外，第二导电层280的电阻率也小于共用电极160的电阻率。通过与共用电极160电性连接的第二导电层280，复合式共用电极c的电阻值可进一步降低，而更显著地改善电压压降(ir-drop)问题。
149.请参照图3、图4及图5，在本实施例中，为使对向基板200的凸起结构290上的部分第一导电层292更良好地与像素阵列基板100的共用电极160电性连接，显示装置10的部分区域中可不设置粘着层270。也就是说，在部分区域中，对向基板200的第一绝缘层240与像素阵列基板100的封装层170之间可存在空隙(air gap)ag。此外，在另一部分区域中，对向基板200的第一绝缘层240与像素阵列基板100的封装层170之间仍可设有粘着层270，以维持像素阵列基板100与对向基板200的连接。
150.举例而言，在本实施例中，同一子像素结构spx可包括多个发光图案150，同一子像素结构spx的多个发光图案150分别重叠于遮光图案层220的多个开口220a，同一子像素结构spx的多个发光图案150彼此电性连接，同一子像素结构spx的多个发光图案150电性连接至同一子像素电路120，其中一个发光图案150重叠于粘着层270，而另一个发光图案150则重叠于空隙ag。
151.粘着层270的设置可减少发光图案150发出的光束l(请参考图1)在显示装置10a内部的界面反射，增加子像素结构spx的出光效率。空隙ag可使对向基板200的凸起结构290上的部分第一导电层292与像素阵列基板100的共用电极160良好地电性连接，而不被粘着层270阻碍。在同一子像素结构spx的多个发光图案150上分别设置粘着层270及空隙ag，可使多个子像素结构spx具有相同或相近的出光效果，并兼顾反射层250(及/或第二导电层280)与共用电极160的电性连接。然而，本发明不限于此，在其它实施例中，也可采用其它方式配置空隙ag及粘着层270。此外，本发明也不限制同一子像素结构spx的重叠于空隙ag的面积与重叠于粘着层270的面积的比例，同一子像素结构spx的重叠于空隙ag的面积与重叠于粘着层270的面积的比例可视实际需求调整。
152.请参照图3、图4及图5，举例而言，共用电极160具有一信号输入端ovss。在本实施例中，凸起结构290在远离信号输入端ovss的一处的设置密度可选择性地大于靠近信号输入端ovss的另一处的设置密度。在本实施例中，空隙ag在远离信号输入端ovss的一处的设置密度可选择性地大于靠近信号输入端ovss的另一处的设置密度。也就是说，在越远离信号输入端ovss处(即，电压压降较严重处)，对向基板200的第一导电层292与像素阵列基板100的共用电极160的电连接处的密度可越高，以更进一步地优化改善电压压降(ir-drop)的效果。
153.请参照图3，在本实施例中，设置于粘着层270旁的凸起结构290上的部分第一导电层292仍然可与共用电极160电性连接。在本实施例中，凸起结构290可凸出于粘着层270，而使凸起结构290上的部分第一导电层292电性连接至共用电极160。然而，本发明不限于此，
在其它实施例中，粘着层270也可盖过凸起结构290。
154.图6为本发明一实施例的显示装置10b的俯视示意图。
155.图6示出显示装置10b的遮光图案层220、第二导电层280、凸起结构290、多个发光图案150及粘着层270，而省略显示装置10b的其它构件。
156.图6的显示装置10b与图5的显示装置10a类似，两者的差异在于：粘着层270的形成位置略有差异。请参照图5及图6，粘着层270可包括多个粘着图案272。在图5的实施例中，喷涂粘着图案272的间距p约等于一个像素结构px的宽度w。在图6的实施例中，喷涂粘着图案272的间距p约等于n个像素结构px的宽度w，其中n为大于或等于2的正整数。图6是以n＝2(即，粘着图案272的间距p约等于2个像素结构px的宽度w)为示例，但本发明不以此为限。
157.图7为本发明一实施例的显示装置10c的剖面示意图。
158.图8为本发明一实施例的显示装置10c的剖面示意图。
159.图9为本发明一实施例的显示装置10c的俯视示意图。
160.图7对应图9的剖线iv-iv’。图8对应图9的剖线v-v’。图9示出图7及图8的显示装置10c的遮光图案层220、第二导电层280、凸起结构290、多个发光图案150及黏着层270，而省略图7及图8的显示装置10c的其它构件。
161.图7、图8及图9的显示装置10c与图3、图4及图5的显示装置10a类似，两者的差异在于：显示装置10c的反射层250c与显示装置10a的反射层250不同。
162.请参照图7、图8及图9，在本实施例中，多个子像素结构spx包括第一子像素结构spx1、第二子像素结构spx2及第三子像素结构spx3，第一子像素结构spx1、第二子像素结构spx2及第三子像素结构spx3分别包括第一发光图案150r、第二发光图案150g及第三发光图案150b，第一绝缘层240的开口220a包括分别对应于第一子像素结构spx1、第二子像素结构spx2及第三子像素结构spx3的第一开口220a-1、第二开口220a-2及第三开口220a-3，第一绝缘层240的侧壁242包括分别定义第一开口220a-1、第二开口220a-2及第三开口220a-3的第一侧壁242-1、第二侧壁242-2及第三侧壁242-3。
163.在本实施例中，反射层250c包括多个第一折射率子层250a及多个第二折射率子层250b，交替堆叠且设置在第一侧壁242-1上。多个第一折射率子层250a的折射率与多个第二折射率子层250b的折射率不同。交替堆叠的多个第一折射率子层250a及多个第二折射率子层250b可形成第一分散式布拉格反射器dbr1。第一分散式布拉格反射器dbr1用以反射第一子像素结构spx1发出的第一色光l1。
164.在本实施例中，反射层250c还包括多个第三折射率子层250c及多个第四折射率子层250d，交替堆叠且设置在第二侧壁242-2上。多个第三折射率子层250c的折射率与多个第四折射率子层250d的折射率不同。交替堆叠的多个第三折射率子层250c及多个第四折射率子层250d可形成第二分散式布拉格反射器dbr2。第二分散式布拉格反射器dbr2用以反射第二子像素结构spx2发出的第二色光l2。
165.在本实施例中，反射层250c还包括多个第五折射率子层250e及多个第六折射率子层250f，交替堆叠且设置在第三侧壁242-3上。多个第五折射率子层250e的折射率与多个第六折射率子层250f的折射率不同。交替堆叠的多个第五折射率子层250e及多个第六折射率子层250f可形成第三分散式布拉格反射器dbr3。第三分散式布拉格反射器dbr3用以反射第三子像素结构spx3发出的第三色光l3。
166.在本实施例中，第一折射率子层250a及多个第二折射率子层250b(即，第一分散式布拉格反射器dbr1)对第一色光l1的反射率高于对第二色光l2的反射率。在本实施例中，多个第三折射率子层250c及多个第四折射率子层250d(即，第二分散式布拉格反射器dbr2)对第二色光l2的反射率高于对第一色光l1的反射率。在本实施例中，多个第五折射率子层250e及多个第六折射率子层250f(即，第三分散式布拉格反射器dbr3)对第三色光l3的反射率高于对第二色光l2的反射率。
167.在本实施例中，通过调整第一折射率子层250a、第二折射率子层250b、第三折射率子层250c、第四折射率子层250d、第五折射率子层250e及/或第六折射率子层250f的折射率及/或厚度，能使反射层250c针对不同波长的第一色光l1、第二色光l2及第三色光l3提高其反射率。
168.在本实施例中，第一折射率子层250a、第二折射率子层250b、第三折射率子层250c、第四折射率子层250d、第五折射率子层250e及第六折射率子层250f的材质具有导电性。举例而言，第一折射率子层250a、第二折射率子层250b、第三折射率子层250c、第四折射率子层250d、第五折射率子层250e及第六折射率子层250f的材质可包括金属氧化物，但本发明不以此为限。
169.图10为本发明一实施例的显示装置10d的剖面示意图。图10的显示装置10d与图7的显示装置10c类似，两者的差异在于：在图10的实施例中，多个第一折射率子层250a及多个第二折射率子层250b设置于分别对应于第一子像素结构spx1、第二子像素结构spx2及第三子像素结构spx3的第一侧壁242-1、第二侧壁242-2及第三侧壁242-3上。换言之，在本实施例中，第一子像素结构spx1、第二子像素结构spx2及第三子像素结构spx3是共用同一种第一分散式布拉格反射器dbr1，而显示装置10d的对向基板200的工艺较显示装置10c的对向基板200的工艺简单。
170.图11为本发明一实施例的显示装置10e的剖面示意图。图11的显示装置10e与图1的显示装置10类似，两者的差异在于：图11的显示装置10e的对向基板200e与图1的显示装置10的对向基板200不同。
171.请参照图11，具体而言，在本实施例中，对向基板200e包括第二基底210、遮光图案层220、凸起物294、反射层250e及第一绝缘层240e。遮光图案层220设置于第二基底210上，且具有重叠于子像素结构spx的开口220a。凸起物294设置于遮光图案层220上，且由第二基底210凸向第一基底110。凸起物294具有邻接于遮光图案层220的开口220a的侧壁294a。反射层250e至少设置凸起物294的侧壁294a上。第一绝缘层240e覆盖反射层250e，且重叠于遮光图案层220的开口220a。在本实施例中，凸起物294具有朝向第二基底210的第一表面294b，凸起物294的侧壁294a朝向第一绝缘层240e，第一表面294b与侧壁294a于凸起物294的材质内夹有一角度β，且β《90
°
。
172.图12为本发明一实施例的显示装置10f的剖面示意图。图12的显示装置10f与图11的显示装置10e类似，两者的差异在于：在图12的实施例中，第一表面294b与侧壁294a于凸起物294的材质内夹有一角度β，且β实质上等于90
°
。
173.类似地，图11的显示装置10e及图12的显示装置10f通过凸起物294上的反射层250e，能将具有大发散角且向遮光图案层220传递的光束l引导至遮光图案层220的开口220a，并以大角度θ出射。由此，显示装置10e、10f在大视角方向上的亮度能增加。