载体基板、层叠体、电子器件的制造方法与流程

技术特征：
1.一种载体基板，是在基板的表面制造电子器件用构件时贴合于所述基板而使用的载体基板，所述载体基板至少包含第1玻璃基板，所述第1玻璃基板的下述收缩度为20～80ppm，收缩度：将所述第1玻璃基板从室温以100℃/小时升温并在600℃下进行80分钟的加热处理后，以100℃/小时冷却至室温时的收缩率，所述第1玻璃基板由以氧化物基准的质量百分率表示含有下述成分的玻璃构成，sio2：50％～73％al2o3：10.5％～24％b2o3：0.1％以上且小于5％mgo：0％～10％cao：0％～14.5％sro：1％～24％bao：1％～13.5％mgo cao sro bao：14～29.5％。2.根据权利要求1所述的载体基板，其中，所述收缩度为70ppm以下。3.根据权利要求1或2所述的载体基板，其中，所述第1玻璃基板的应变点为700℃以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的载体基板，进一步包含配置在所述第1玻璃基板上的密合层。5.一种层叠体，具有权利要求1～4中任一项所述的载体基板和配置在所述载体基板上的基板。6.根据权利要求5所述的层叠体，其中，所述基板为第2玻璃基板。7.一种电子器件的制造方法，具备如下工序：构件形成工序，在权利要求5或6所述的层叠体的所述基板的表面上形成电子器件用构件，得到带电子器件用构件的层叠体，以及分离工序，从所述带电子器件用构件的层叠体除去所述载体基板，得到具有所述基板和所述电子器件用构件的电子器件。8.根据权利要求7所述的电子器件的制造方法，其中，所述电子器件用构件包含低温多晶硅即ltps。9.根据权利要求8所述的电子器件的制造方法，包含在形成所述电子器件用构件时工艺温度为450℃以上的工序。

技术总结
本发明提供一种载体基板，在再利用多次而进行电子器件的制造时，电子器件的制造成品率也优异。本发明涉及一种载体基板，是在基板的表面制造电子器件用构件时贴合于该基板而使用的载体基板，载体基板至少包含第1玻璃基板，该第1玻璃基板的下述收缩度为80ppm以下。收缩度：将第1玻璃基板从室温以100℃/小时升温并在600℃下进行80分钟的加热处理后，以100℃/小时冷却至室温时的收缩率。小时冷却至室温时的收缩率。小时冷却至室温时的收缩率。


技术研发人员：小野和孝 八百板隆俊 臼井玲大 江畑研一 秋山顺
受保护的技术使用者：AGC株式会社
技术研发日：2016.06.28
技术公布日：2022/5/30