氮化硅膜的成膜方法和成膜装置与流程

1.本公开涉及氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。


背景技术：

2.例如，专利文献1、2提出了如下方法：重复夹着腔室内的残留气体的吹扫来交替供给含硅原料气体和含氮气体的工序，并且通过ald(原子层沉积(atomic layer deposition))法成膜为氮化硅膜。上述成膜方法中，工序中将基板的温度控制为300℃～650℃左右。
3.现有技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：日本特开2020-64924号公报
6.专利文献2：日本特开2000-114257号公报


技术实现要素：

7.发明要解决的问题
8.本公开提供：在基板的温度为200℃以下的环境下能成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置。
9.用于解决问题的方案
10.根据本公开的一方式，提供一种氮化硅膜的成膜方法，其为在收纳于处理腔室内的基板上成膜为氮化硅膜的方法，所述成膜方法具备如下工序：工序(a)，在不供给高频电力的状态下向前述处理腔室内供给包含卤化硅气体的气体；工序(b)，在前述(a)的工序后，停止前述包含卤化硅气体的气体的供给，将前述处理腔室内排气；工序(c)，在前述(b)的工序后，向前述处理腔室内供给含氮气体；工序(d)，在前述(c)的工序后，向前述处理腔室内供给前述高频电力，产生等离子体；工序(e)，在前述(d)的工序后，停止前述含氮气体的供给和前述高频电力的供给，将前述处理腔室内排气；和，重复执行对应于直至形成预先确定的膜厚的前述氮化硅膜的x次(x≥1)前述(a)至前述(e)的工序，前述(a)至前述(e)的工序中将前述基板的温度控制为200℃以下。
11.发明的效果
12.根据一侧面，在基板的温度为200℃以下的环境下可以成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。
附图说明
13.图1为示出实施方式的有机el器件的一例的截面示意图。
14.图2为示出实施方式的成膜装置的一例的截面示意图。
15.图3为示出实施方式的成膜方法的一例的流程图。
16.图4为示出实施方式的成膜方法的一例的时间图。
17.图5为示出实施方式和比较例的成膜方法的氮化硅膜的特性评价的一例的图。
18.附图标记说明
19.10
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处理腔室
20.60
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基板载置台
21.100
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成膜装置
22.110
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发光元件驱动电路层
23.120
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阳极
24.130
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空穴注入层
25.114
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空穴输送层
26.115
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有机发光层
27.116
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电子输送层
28.150
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晶体管元件
29.160
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存储体(bank)
30.180
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电子注入层
31.190
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阴极
32.200
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有机el器件
33.220
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封固膜
具体实施方式
34.以下，参照附图，对用于实施本公开的方式进行说明。各附图中，对相同构成部分标注相同符号，有时省略重复的说明。
35.[有机el器件]
[0036]
有机el器件具有不耐受水分的特征。因此，有机el器件的制造工序中，有如下工序：作为用于保护有机el器件免受外部的水分的封固膜，成膜为氮化硅膜。然而，特别是包含氧化物半导体的有机el器件中，进而，由于氧化物半导体因氢而劣化，因此，期望减少作为封固膜的氮化硅膜中所含的氢。首先，参照图1，对包含氮化硅膜的封固膜的有机el器件200的构成简单地进行说明。
[0037]
图1为示出实施方式的有机el器件200的一例的截面示意图。有机el器件200具有：发光元件驱动电路层110、阳极120、空穴注入层130、空穴输送层114、有机发光层115、存储体160、电子输送层116、电子注入层180、阴极190和封固膜220。阴极190和封固膜220是透明的膜。
[0038]
发光元件驱动电路层110具有：板(plate)140、配置于板140上的晶体管元件150(150a、150b)、和以覆盖晶体管元件150的方式配置于板140上的平坦化膜157。
[0039]
板140例如可以为玻璃板、或由树脂形成的柔性板。配置于板140上的晶体管元件150为薄膜晶体管(tft)。晶体管元件150包含：源极/漏极电极151、与源极/漏极电极151接触而形成的半导体层152、形成于半导体层152上的栅极绝缘膜153、和配置于栅极绝缘膜153上的栅极电极154。2个晶体管元件150(150a和150b)由布线155彼此被电连接。根据该结构，有机el器件200具有有源矩阵型的结构。半导体层152由包含铟、镓和锌的氧化铟镓锌(igzo(ingazno))、氧化铟锡锌(itzo)、氧化锌(zno)、氧化铟锌(izo)、氧化铟镓(igo)、氧化
铟锡(ito)或氧化铟(ino)等氧化物半导体构成。
[0040]
平坦化膜157以覆盖晶体管元件150的方式配置于板140上。根据平坦化膜157，发光元件驱动电路层110的表面变得平坦。
[0041]
有机el器件200具有顶部发光结构，对阳极120与阴极190之间施加电压时，有机发光层115中产生发光，光170通过阴极190和封固膜220向外(向上方)射出。另外，有机发光层115中产生的发光中、向发光元件驱动电路层110侧的光被阳极120反射，通过阴极190和封固膜220作为光170向外(向上方)射出。
[0042]
阳极120层叠在发光元件驱动电路层110的表面上，是对阴极190向有机el器件200施加正的电压的像素电极。空穴注入层130配置于阳极120上。空穴输送层114配置于空穴注入层130上。有机发光层115配置于空穴输送层114上。进而，电子输送层116配置于有机发光层115上。电子注入层180配置于电子输送层116上。阴极190配置于电子注入层180上。其中，空穴输送层114和电子输送层116根据作为其相邻层的空穴注入层130、电子注入层180、有机发光层115的性能而有时省略。
[0043]
阳极120、空穴注入层130、空穴输送层114、有机发光层115、电子输送层116、电子注入层180、和阴极190为发光元件的一例，晶体管元件150为包含氧化物半导体的驱动元件的一例。
[0044]
封固膜220用作阻隔水分从外部渗入至有机el器件200的内部的保护膜。封固膜220为用于封固形成于基板的表面的发光元件和驱动该发光元件的包含氧化物半导体的驱动元件的封固膜的一例。
[0045]
有机el器件200不耐受水分，如果水分从外部向有机el器件200的内部掺入，则有机el器件200劣化。另外，晶体管元件150中所含的氧化物半导体由于掺入氢而劣化。由此，成膜为封固膜220的工序中，为了减少氢(h2)、水分(h2o)，考虑使用不含有氢原子的sif4气体和n2气体成膜为氮化硅膜。由此，减少有机el器件200的制造工序中封固膜220中的氢浓度，从而可以抑制封固膜220的特性劣化、和有机el器件200的可靠性恶化。
[0046]
成膜为封固膜220的工序中，如果将基板的温度控制为高于200℃的温度，则膜的稳定性等特性变良好，但对耐热性低的有机el器件200造成不良影响。因此，必须在将基板的温度控制为200℃以下，优选控制为100℃以下的状态下成膜为氮化硅膜。
[0047]
因而，将基板的温度控制为200℃以下，优选控制为100℃以下，通过cvd(化学气相沉积(chemical vapor deposition))法，用sif4气体和n2气体成膜为氮化硅膜时，膜质差，会成为不稳定的膜。不稳定的膜例如是指，成膜的氮化硅膜中残留有大量氟时，膜中的氟与大气中的水分反应，从而会改变氮化硅膜的膜质。将基板的温度控制为200℃以下，成膜为氮化硅膜的情况下，氟容易残留于氮化硅膜中，因此，容易成为不稳定的膜。另一方面，如前述，氮化硅膜的成膜中将基板的温度例如控制为300℃以上的情况下，膜的稳定性变良好，但由于制造工序时施加的热而有机el器件200劣化。
[0048]
此外，将基板的温度控制为200℃以下，通过cvd方式用sif4气体和n2气体成膜为氮化硅膜时，产生覆盖范围差、氮化硅膜不易附着在倾斜面(锥形部)的课题。
[0049]
例如，如图1中示出一例，在成膜为氮化硅膜的基板的表面形成有多个凹部和凸部，至少一部分的凹部或凸部的侧面构成为如倾斜面a那样的锥形状。
[0050]
因而，氮化硅膜中氟如果多，则在凹部或凸部的侧面膜的覆盖范围变差，在倾斜面
a无法成膜为氮化硅膜，或在倾斜面a向氮化硅膜引入龟裂等。其结果，水分从外部掺入至有机el器件200的内部，从而有机el器件200劣化。
[0051]
由以上，期望在基板的温度为200℃以下的环境下成膜为用作封固膜220的氮化硅膜，形成覆盖范围和膜的稳定性良好的膜，不使有机el器件200劣化的制造方法(成膜方法)。因此，本实施方式的成膜方法中，在基板的温度为200℃以下的环境下成膜为覆盖范围和膜的稳定性良好的膜。
[0052]
本实施方式的成膜方法中，以ald(atomic layer deposition)方式进行成膜。即，最初供给sif4气体，使sif4气体附着于基板表面，接着，停止sif4气体，将sif4气体的残留气体排气。接着，供给n2气体和高频电力，生成n2气体的等离子体，利用n2气体的等离子体，使附着于基板表面的sif4气体氮化，由此，成膜为氮化硅膜。成膜中的基板的温度控制为200℃以下、优选控制为100℃以下。根据本实施方式的成膜方法，在图1的倾斜面a等锥形部中，也可以覆盖范围良好地成膜为氮化硅膜。另外，将成膜中的基板的温度控制为200℃以下的环境下，也可以成膜为膜质良好的稳定的氮化硅膜。
[0053]
以下，对于执行本实施方式的成膜方法的成膜装置的一例，边参照图2边进行说明后，对于本实施方式的成膜方法和其效果，边参照图3～图5边详细地进行说明。
[0054]
[成膜装置]
[0055]
图2为示出执行实施方式的成膜方法的成膜装置100的一例的截面示意图。成膜装置100为对fpd用的俯视矩形的基板(以下，简称为“基板”)g执行各种基板处理方法的电感耦合型等离子体(inductive coupled plasma:icp)处理装置。成膜装置100为执行实施方式的成膜方法的成膜装置的一例，不限定于此。
[0056]
作为基板的材料，主要使用玻璃，根据用途也有时使用透明的合成树脂等。此处，基板处理中包含成膜处理、蚀刻处理。作为fpd，可以示例液晶显示器(liquid crystal display:lcd)。可以为电致发光(electro luminescence:el)、等离子体显示器面板(plasma display panel；pdp)等。基板g在其表面形成有有机el器件200的发光元件和驱动元件的电路图案。另外，fpd用基板的平面尺寸随着年代的推移而大规模化。由成膜装置100处理的基板g的平面尺寸例如至少包含从第6代的约1500mm
×
1800mm左右的尺寸至第10.5代的3000mm
×
3400mm左右的尺寸。另外，基板g的厚度为0.2mm至几mm左右。
[0057]
成膜装置100具有：长方体状的箱型的处理腔室10、配设于处理腔室10内且载置基板g的俯视矩形的外形的基板载置台60、和控制部90。
[0058]
处理腔室10由电介质板11被分割成上下2个空间，作为上方空间的天线室由上腔室12形成，作为下方空间的处理室s由下腔室13形成。处理腔室10由铝等金属形成，电介质板11由氧化铝(al2o3)等陶瓷、石英形成。电介质板11为电感耦合等离子体装置的窗构件的一例，窗构件可以由多个金属板代替电介质板而构成。
[0059]
在处理腔室10中，在成为下腔室13与上腔室12的边界的位置，以向处理腔室10的内侧突出设置的方式配设有矩形环状的支撑框14，在支撑框14上载置有电介质板11。处理腔室10由接地线接地。
[0060]
在下腔室13的侧壁13a上，开设有用于向下腔室13搬入/搬出基板g的搬入/搬出口13b，搬入/搬出口13b通过栅极阀20而开关自由。下腔室13与内包输送机构的输送室(均未作图示)相邻，对栅极阀20进行开关控制，以输送机构借助搬入/搬出口13b进行基板g的搬
入/搬出。
[0061]
另外，在下腔室13所具有的底板13d上开设有多个排气口13f。排气口13f与气体排气管51连接，气体排气管51借助压力控制阀52与排气装置53连接。利用气体排气管51、压力控制阀52和排气装置53，形成气体排气部50。排气装置53具有涡轮分子泵等真空泵，在工艺中，下腔室13内可以被自由抽真空直至规定的真空度。
[0062]
在电介质板11的下表面，设有用于支撑电介质板11的支撑梁，支撑梁兼具喷淋头30。喷淋头30由铝等金属形成，可以实施基于阳极氧化的表面处理。在喷淋头30内，形成有沿水平方向延伸设置的气体流路31。气体流路31与对着向下方延伸设置而位于喷淋头30的下方的处理室s的气体排出孔32连通。
[0063]
在电介质板11的上表面连接有与气体流路31连通的气体导入管45。气体导入管45将在上腔室12的顶12a开设的供给口12b气密地贯通，借助与气体导入管45气密地结合的气体供给管41，与处理气体供给部40连接。处理气体供给部40由气体导入管45、气体供给管41、阀42a、42b、流量控制器43a、43b、sif4气体供给源44a、和n2气体供给源44b形成。自处理气体供给部40供给的sif4气体和n2气体借助气体供给管41和气体导入管45向喷淋头30供给，借助气体流路31和气体排出孔32向处理室s排出。需要说明的是，使用金属板代替电介质板11的情况下，可以在金属板中设置气体排出孔来兼具喷淋头。
[0064]
在形成天线室的上腔室12内，配设有高频天线15。高频天线15将由铜等导电性的金属形成的天线线15a以环状或漩涡状卷绕而形成。例如，可以多重地配设环状的天线线15a。
[0065]
天线线15a的端子与向上腔室12的上方延伸设置的供电构件16连接，供电构件16的上端与供电线17连接，供电线17借助进行阻抗匹配的匹配器18与高频电源19连接。对高频天线15从高频电源19施加例如13.56mhz的高频电力，从而在下腔室13内形成感应电场。通过该感应电场，从喷淋头30向处理室s供给的处理气体被等离子体化，生成电感耦合型等离子体，向基板g提供等离子体中的离子、中性自由基等。高频电源19为等离子体发生用的源极源，与基板载置台60连接的高频电源73吸引发生的离子而成为赋予动能的偏压源。如此，离子源极源利用电感耦合生成等离子体，将作为另一电源的偏压源与基板载置台60连接，进行离子能的控制。由此，独立地进行等离子体的生成和离子能的控制，可以提高工艺的自由度。处理气体供给部40和高频电源19为将气体等离子体化、在腔室内生成等离子体的等离子体生成部的一例。
[0066]
基板载置台60具有基材63、和形成于基材63的上表面63a的静电卡盘66。基材63的俯视形状为矩形，具有与载置于基板载置台60的基板g同等程度的平面尺寸，长边的长度可以设定为1800mm至3400mm左右，短边的长度可以设定为约1500mm至3000mm左右的尺寸。对于该平面尺寸，基材63的厚度可以成为例如50mm至100mm左右。基材63由不锈钢、铝、铝合金等形成。在基材63上，以覆盖矩形平面的全部区域的方式设有蛇行的温度调节介质流路62a。需要说明的是，温度调节介质流路62a例如可以设置于静电卡盘66。
[0067]
在温度调节介质流路62a的两端，连通有：对温度调节介质流路62a供给温度调节介质的输送配管62b、与排出使温度调节介质流路62a流通而升温的温度调节介质的返回配管62c。输送配管62b和返回配管62c分别与输送流路82和返回流路83连通，输送流路82和返回流路83与设置于外部空间e的冷却器单元81连通。冷却器单元81具有：用于控制温度调节
介质的温度、排出流量的主体部、和用于泵送温度调节介质的泵(均未作图示)。需要说明的是，作为温度调节介质，应用制冷剂。温度调节形态为使温度调节介质在基材63中流通的形态，但可以为基材63内置有加热器等、利用加热器进行温度调节的形态，也可以为利用温度调节介质和加热器这两者进行温度调节的形态。另外，代替加热器，可以通过使高温的温度调节介质流通而进行伴有加热的温度调节。
[0068]
在下腔室13的底板13d上，固定有由绝缘材料形成且在内侧具有台阶部的箱型的基座68，在基座68的台阶部上载置有基板载置台60。在基材63的上表面形成有直接载置基板g的静电卡盘66。静电卡盘66具有：热喷涂氧化铝等陶瓷而形成的电介质覆膜即陶瓷层64、和埋设于陶瓷层64的内部并具有静电吸附功能的导电层的吸附电极65。吸附电极65借助供电线74和开关76与直流电源75连接。利用控制部90，开关76如果被打开，则从直流电源75向吸附电极65施加直流电压从而产生库仑力。利用该库仑力，基板g被静电吸附于静电卡盘66，以载置于基材63的上表面的状态保持。另外，开关76被关闭，夹设于从供电线74分支的地线的开关77被打开时，吸附电极65中积存的电荷向接地流动。如此，基板载置台60形成载置基板g的下部电极。
[0069]
在基材63上，配设有热电偶等温度传感器，基于温度传感器的监视器信息随时传输至控制部90。控制部90基于传输的温度的监视器信息来执行基材63和基板g的温度调节控制。更具体而言，利用控制部90，调整从冷却器单元81向输送流路82供给的温度调节介质的温度、流量。然后，进行了温度调整、流量调整的温度调节介质在温度调节介质流路62a中循环，从而执行基板载置台60的温度调节控制。需要说明的是，热电偶等温度传感器可以配设于例如静电卡盘66。
[0070]
在为静电卡盘66的外周且基座68的上表面，载置有矩形框状的聚焦环69，以聚焦环69的上表面变得低于静电卡盘66的上表面的方式设定。聚焦环69由氧化铝等陶瓷或石英等形成。
[0071]
基材63的下表面与供电构件70连接。供电构件70的下端与供电线71连接，供电线71借助进行阻抗匹配的匹配器72与作为偏压源的高频电源73连接。对基板载置台60从高频电源73施加例如3.2mhz的高频电力，从而基板载置台60作为下部电极发挥功能，可以使作为等离子体发生用的源极源的高频电源19中生成的离子吸引至基板g。
[0072]
在基板载置台60的内部，为了在与处理腔室10的外部的未作图示的输送臂之间进行基板g的交换，设有多个、例如12根使基板g升降的升降销78。图1中，简化地图示2根升降销78。多个升降销78贯通基板载置台60，通过借助连接构件传递的马达的动力而上下运动。向处理容器的外部贯通的升降销78的贯通孔上设有底部波纹管(未作图示)，保持处理容器内的真空侧与大气侧之间的气密。
[0073]
控制部90用于控制成膜装置100的各构成部、例如冷却器单元81、高频电源19、73、直流电源75、处理气体供给部40、气体排气部50等的动作。控制部90具有cpu(central processing unit)和rom(read only memory)、ram(random access memory)等存储器。cpu依据存在存储器的存储区域中的制程程序(工艺制程程序)执行规定的处理。制程程序中，设定成膜装置100对工艺条件的控制信息。控制信息中包含例如气体流量、处理腔室10内的压力、处理腔室10内的温度、基材63的温度、工艺时间等。
[0074]
控制部90所应用的制程程序和程序例如可以存储于硬盘、光盘、光磁盘等。另外，
制程程序等可以为在收纳于cd-rom、dvd、存储卡等能由便携性的计算机读取的存储介质的状态下安装于控制部90，并读出的形态。控制部90还具有：进行命令的输入操作等的键盘、鼠标等输入装置、可视化地显示成膜装置100的运转情况的显示器等显示装置、和打印机等输出装置之类的用户界面。
[0075]
[成膜方法]
[0076]
接着，用图3和图4，对图2的成膜装置100中执行的、本实施方式的成膜方法进行说明。图3为示出实施方式的成膜方法的一例的流程图。图4为示出实施方式的成膜方法的一例的时间图。在初始状态下，关闭图2的阀42a、42b。
[0077]
首先，图3的步骤s1中，将基板w载置于基板载置台60并准备。基板w例如由栅极阀20的开关从搬入/搬出口13b输送至处理腔室10内，载置于基板载置台60。接着，图3的步骤s2中，从冷却器单元81使期望的温度的温度调节介质在基板载置台60的温度调节介质流路62a中循环，将基板的温度控制为100℃以下的规定温度。另外，将处理腔室10内减压直至规定的真空度。
[0078]
接着，处理气体供给部40中，图3的步骤s3中，打开图2的阀42a，从sif4气体供给源44a借助气体导入管45向处理腔室10内供给作为卤化硅气体的一例的sif4气体。由此，开始图4的第1个循环的sif4气体的供给，sif4气体分子附着于基板的表面。
[0079]
打开阀42a后，经过规定时间(例如10秒)时，图3的步骤s4中，将sif4气体的残留气体去除另一规定时间(例如10秒)。此时，关闭图2的阀42a，停止sif4气体自sif4气体供给源44a的供给。由此，sif4气体从处理腔室10被排气，sif4气体的残留气体被去除。以上为用于成膜为氮化硅膜的原料气体的供给步骤(以下，记作“步骤a”)。在执行步骤s4的期间，可以向处理腔室10内供给ar气体、he气体的非活性气体。由此，由非活性气体将sif4气体从处理腔室10排气，sif4气体的残留气体被去除。需要说明的是，打开阀42a的规定的时间和去除sif4气体的残留气体的规定的时间可以设定为相同的时间，也可以设定为不同的时间。
[0080]
接着，图3的步骤s5中，处理气体供给部40供给作为含氮气体的一例的n2气体。接着，图3的步骤s6中，从高频电源19施加高频电力(rf(radio frequency)电力)。高频电力的施加时机可以为n2气体的供给时机后，也可以与n2气体的供给时机为同时。由此，开始图4的第1个循环的n2气体的供给，且开始rf电力的供给，n2气体由高频电力电离，生成n2气体的等离子体。利用n2气体的等离子体，附着于基板的表面的sif4气体分子由高频电力电离为包含si和f的原子，相同地与电离的n原子反应而形成氮化硅膜。
[0081]
打开阀42b后，经过规定时间(例如10秒)时，图3的步骤s7中，去除n2气体的残留气体另一规定时间(例如10秒)。此时，关闭图2的阀42b，停止n2气体自n2气体供给源44b的供给。另外，停止高频电力的施加。以上为用于成膜为氮化硅膜的反应气体的供给步骤(以下，记作“步骤b”)。在执行步骤s7的期间，可以向处理腔室10内供给非活性气体。由此，由非活性气体将n2气体从处理腔室10排气，n2气体的残留气体被去除。需要说明的是，打开阀42b的规定的时间和去除n2气体的残留气体的规定的时间可以设定为相同的时间，也可以设定为不同的时间。
[0082]
接着，图3的步骤s8中，对于氮化硅膜是否达到预先确定的膜厚，判定是否重复执行预先设定的x次步骤a、b。使氮化硅膜的膜厚与步骤a、b的执行次数对应，重复执行x次步骤a、b时，氮化硅膜达到预先确定的膜厚。换言之，对应于氮化硅膜达到的预先确定的膜厚
的步骤a、b的重复执行次数为x次。x为1以上的整数。步骤s8中，重复步骤a、b直至判定为x次执行为止。由此，如图4所示，依次执行第2个循环的步骤(a、b)、第3个循环的步骤(a、b)、
···
、第x个循环的步骤(a、b)。图3的步骤s8中，判定为执行x次步骤(a、b)时，进入步骤s9，搬出基板，结束本处理。
[0083]
需要说明的是，重复次数x可以预先设定，例如也可以以光学的方式实时测定氮化硅膜的厚度，根据测定结果而实时设定。
[0084]
对以上中说明的基于本实施方式的成膜方法的氮化硅膜的特性评价的一例，参照图5，边与比较例比较边进行说明。图5为示出基于实施方式和比较例的成膜方法的氮化硅膜的特性评价的一例的图。
[0085]
如图5所示，本实施方式的成膜方法以ald方式成膜，而比较例中以cvd方式成膜。另外，本实施方式的成膜方法中，将成膜中的基板的温度控制为100℃和200℃，而比较例中，将成膜中的基板的温度控制为100℃。另外，均使用sif4气体和n2气体。
[0086]
其结果，表示锥形部(图1的倾斜面a)的覆盖范围的b/a(图5所示的锥形部的膜厚b相对于氮化硅膜的上部的膜厚a之比)在比较例中基本为0(亦即，在锥形部未形成氮化硅膜的状态)。与此相对，可知，本实施方式的成膜方法中，基板的温度为100℃时，b/a为“0.37”，在锥形部也可以成膜为氮化硅膜。另外，基板的温度为200℃时，b/a为“0.47”。亦即，本实施方式的成膜方法中，用ald方式，基于上述所示的工艺条件成膜，从而在锥形部也可以成膜为氮化硅膜，证明了可以成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。需要说明的是，比较例的情况下，锥形角θ为73
°
，本实施方式的情况下，基板的温度为100℃时，锥形角θ为72
°
，基板的温度为200℃时，锥形角θ为77
°
，锥形角成为等同。
[0087]
进而，对于成为膜质的指标的氮化硅膜的折射率(ri：refractive index)，比较例的情况下，为“1.79”，本实施方式的情况下，基板的温度为100℃时，为“1.91”。膜的折射率ri为1.9～2.0时，可以评价为膜质良好。由此可知，本实施方式的成膜方法与比较例的基于cvd方式的成膜相比，可以形成更良好的膜质的氮化硅膜。
[0088]
由以上，根据本实施方式的成膜方法，成膜中的基板的温度控制为200℃以下，优选控制为100℃以下。而且，通过重复x次包含卤化硅气体的气体的供给
→
排气
→
含氮气体的供给
→
排气的ald方式，在有机el器件200的发光元件上成膜为氮化硅膜的封固膜。
[0089]
根据本成膜方法，在发光元件上的倾斜面a等锥形部也可以成膜为覆盖范围良好、且膜质良好的氮化硅膜。另外，在将成膜中的基板的温度控制为200℃以下的低温的环境下，覆盖范围也良好，可以成膜为膜质特性良好的氮化硅膜。在耐热性低的发光元件上成膜为氮化硅膜的封固膜的工序中，根据本实施方式的成膜方法，进而，将基板的温度控制为100℃或其以下的情况下，也可以成膜为覆盖范围良好、且膜质良好的氮化硅膜。
[0090]
需要说明的是，对于本实施方式的成膜方法中使用的气体，考虑各种变化。例如，包含卤化硅气体的气体中所含的卤化硅气体不限定于四氟化硅气体(sif4)。包含卤化硅气体的气体可以包含四氟化硅气体(sif4)、四氯化硅气体(sicl4)、六氟化二硅气体(si2f6)、和六氯化二硅气体(si2cl6)中的至少任一者。
[0091]
另外，含氮气体不限定于氮气(n2)。含氮气体可以包含氮气(n2)、和氨(nh3)中的至少任一者。
[0092]
进而，可以在含氮气体中添加h2气体，也可以添加he气体、ar气体等稀有气体。通
过添加h2气体，从而可以使氮化硅膜的覆盖范围更良好。
[0093]
但是，添加的h2气体的浓度优选以氮化硅膜中的氢浓度成为15％以下的方式进行调整。这是由于，源自h2气体的氢与过剩地残留于氮化硅膜中的氟结合而去除氟，可以抑制基于氟的氮化硅膜的膜质的劣化。然而，h2气体的量如果过度增加，则即使去除氟，不与氟结合的氢也残留，有形成于基板的表面的发光元件和驱动该发光元件的包含氧化物半导体的驱动元件由于氢而劣化的担心。
[0094]
如以上中所说明，根据本实施方式的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置，在基板的温度为200℃以下的环境下也可以成膜为覆盖范围良好的氮化硅膜。
[0095]
此次公开的实施方式的氮化硅膜的成膜方法和成膜装置在全部方面为示例，应认为没有限制。实施方式在不脱离所附的权利要求书和其主旨的情况下，可以以各种方式进行变形和改良。上述多个实施方式中记载的特征在不矛盾的范围内也可以取其他构成，另外，在不矛盾的范围内可以进行组合。
[0096]
本公开的成膜装置也可以用于原子层沉积(atomic layer deposition(ald))装置、电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma(ccp))、电感耦合等离子体(inductively coupled plasma(icp))、径向缝天线(radial line slot antenna(rlsa))、微波电子回旋共振等离子体(electron cyclotron resonance plasma(ecr))、螺旋波等离子体(helicon wave plasma(hwp))的任意类型的装置。