套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备和存储介质与流程

1.本公开涉及半导体生产制造技术领域，具体而言，涉及一种套刻误差补偿方法、套刻误差补偿系统、套刻误差补偿装置、电子设备以及计算机可读存储介质。


背景技术：

2.在半导体生产制造过程中，光刻(光学曝光)，是半导体器件与大规模集成电路制造的核心步骤。光学曝光是指利用特定波长的光进行辐照，将掩膜板上的图形转移到光刻胶上的过程。在光刻过程中，由于光刻机的系统误差及环境影响，不可避免地存在套刻误差。
3.套刻误差(overlay，ovl)在ic芯片(integrated circuit chip)制造中，可以用于表征当道制程(当层)和前道制程(前层)之间的对准精度，是保证光刻设备(device)符合设计要求和晶圆良率的重要指标。
4.需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。


技术实现要素：

5.本公开的目的在于提供一种套刻误差补偿方法、套刻误差补偿系统、套刻误差补偿装置、电子设备以及计算机可读存储介质，进而至少在一定程度上克服套刻误差补偿方案中需对每个光刻层进行套刻误差量测，从而导致增加生产成本与生产周期的问题。
6.本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本发明的实践而习得。
7.根据本公开的第一方面，提供一种套刻误差补偿方法，包括：确定组合光刻层组，所述组合光刻层组包括多个目标光刻层；对所述多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，所述多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；对所述多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层所述曝光图形的套刻量测误差；根据多个所述套刻量测误差确定下一批次的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据所述误差补偿值进行套刻误差补偿。
8.在本公开的一种示例性实施方案中，确定组合光刻层组，包括：确定半导体结构对应的光刻层集合，基于所述光刻层集合确定多个初始光刻层；获取每个所述初始光刻层中的初始图形；对多个所述初始光刻层的初始图形进行图形分析处理，得到图形分析结果；根据所述图形分析结果从多个所述初始光刻层中确定所述目标光刻层，以根据确定出的多个所述目标光刻层生成所述组合光刻层组。
9.在本公开的一种示例性实施方案中，确定半导体结构对应的光刻层集合，基于所述光刻层集合确定多个初始光刻层，包括：确定所述半导体结构包含的多个光刻层类型，获取每个所述光刻层类型对应的光刻层，以生成所述光刻层集合；确定所述光刻层集合中包含的光刻层总数，并获取预先定义的光刻层选取比例；根据所述光刻层选取比例与所述光
刻层总数，从所述光刻层集合中随机选取多个光刻层作为所述初始光刻层。
10.在本公开的一种示例性实施方案中，对多个所述初始光刻层的初始图形进行图形分析处理，得到图形分析结果，包括：获取每个所述初始光刻层在对应位置上的图形标识，并将所述图形标识作为对准标识；所述图形标识包含于所述初始图形中；对所有的所述对准标识进行图形分析处理，确定所有的所述对准标识是否相同，以得到所述图形分析结果。
11.在本公开的一种示例性实施方案中，根据所述图形分析结果从多个所述初始光刻层中确定所述目标光刻层，包括：根据所述图形分析结果确定多个初始对准图形；所述初始对准图形为在对应位置上具有相同对准标识的初始图形；确定多个所述初始对准图形的工艺制程，判断所述工艺制程是否存在结构变化制程；将无结构变化制程的所述初始对准图形所处的初始光刻层作为所述目标光刻层。
12.在本公开的一种示例性实施方案中，根据确定出的多个所述目标光刻层生成所述组合光刻层组，包括：获取各所述目标光刻层对应的当前产品批次；将属于同一所述当前产品批次的目标光刻层进行层叠放置处理，以得到目标光刻层子组；根据得到的多个所述目标光刻层子组进行组合处理，以得到所述组合光刻层组。
13.在本公开的一种示例性实施方案中，根据多个所述套刻量测误差确定下一批次的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，包括：获取每层所述曝光图形对应的量测参考值；根据多个所述套刻量测误差与所述量测参考值确定所述误差补偿值。
14.在本公开的一种示例性实施方案中，根据多个所述套刻量测误差与所述量测参考值确定所述误差补偿值，包括：当每个所述套刻量测误差均小于所述量测参考值时，确定多个所述曝光图形对应的图形层数；根据所述图形层数确定每个所述曝光图形所处目标光刻层的第一补偿系数；根据所述第一补偿系数与所述套刻量测误差确定所述误差补偿值。
15.在本公开的一种示例性实施方案中，根据多个所述套刻量测误差与所述量测参考值确定所述误差补偿值，还包括：将每个所述套刻量测误差与对应的所述量测参考值进行对比，以确定第一光刻层数量；第一光刻层为所述套刻量测误差大于所述量测参考值的光刻层；获取多个所述曝光图形对应的曝光层总数，确定所述曝光层总数与所述第一光刻层数量的层数对比结果；根据所述层数对比结果与所述量测参考值确定所述误差补偿值。
16.在本公开的一种示例性实施方案中，根据所述层数对比结果与所述量测参考值确定所述误差补偿值，包括：如果所述层数对比结果为所述第一光刻层数量小于所述曝光层总数的一半，则确定所述曝光层总数与所述第一光刻层数量的层数差值；确定第二光刻层，所述第二光刻层为所述套刻量测误差小于等于所述量测参考值的光刻层；根据所述层数差值确定每个所述第二光刻层对应的第二补偿系数；根据所述第二补偿系数以及所述第二光刻层对应的套刻量测误差确定所述误差补偿值。
17.在本公开的一种示例性实施方案中，上述方法还包括：如果所述层数对比结果为所述第一光刻层数量大于等于所述曝光层总数的一半，则重新配置下一批次图形的误差补偿值。
18.根据本公开的第二方面，提供一种套刻误差补偿系统，包括：层组确定子系统，用于获取多个初始光刻层，基于所述多个初始光刻层选取指定数量个目标光刻层，以根据确定出的所述目标光刻层生成组合光刻层组；图形曝光设备，用于对所述多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形；所述多个目标光刻层中的初始图形均具有
相同的对准标识；套刻量测设备，对所述多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层所述曝光图形的套刻量测误差；量测分析子系统，用于根据多个所述套刻量测误差确定下一批次的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据所述误差补偿值进行套刻误差补偿。
19.根据本公开的第三方面，提供一种套刻误差补偿装置，包括：光刻层组确定模块，用于确定组合光刻层组，所述组合光刻层组包括多个目标光刻层；图形曝光模块，用于对所述多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，所述多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；图形量测模块，用于对所述多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层所述曝光图形的套刻量测误差；误差补偿模块，用于根据多个所述套刻量测误差确定下一批次的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据所述误差补偿值进行套刻误差补偿。
20.在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定模块包括光刻层组确定单元，用于确定半导体结构对应的光刻层集合，基于所述光刻层集合确定多个初始光刻层；获取每个所述初始光刻层中的初始图形；对多个所述初始光刻层的初始图形进行图形分析处理，得到图形分析结果；根据所述图形分析结果从多个所述初始光刻层中确定所述目标光刻层，以根据确定出的多个所述目标光刻层生成所述组合光刻层组。
21.在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定单元包括初始光刻层确定子单元，用于确定所述半导体结构包含的多个光刻层类型，获取每个所述光刻层类型对应的光刻层，以生成所述光刻层集合；确定所述光刻层集合中包含的光刻层总数，并获取预先定义的光刻层选取比例；根据所述光刻层选取比例与所述光刻层总数，从所述光刻层集合中随机选取多个光刻层作为所述初始光刻层。
22.在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定单元包括图形分析子单元，用于获取每个所述初始光刻层在对应位置上的图形标识，并将所述图形标识作为对准标识；所述图形标识包含于所述初始图形中；对所有的所述对准标识进行图形分析处理，确定所有的所述对准标识是否相同，以得到所述图形分析结果。
23.在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定单元包括目标光刻层确定子单元，用于根据所述图形分析结果确定多个初始对准图形；所述初始对准图形为在对应位置上具有相同对准标识的初始图形；确定多个所述初始对准图形的工艺制程，判断所述工艺制程是否存在结构变化制程；将无结构变化制程的所述初始对准图形所处的初始光刻层作为所述目标光刻层。
24.在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定单元包括光刻层组生成子单元，用于获取各所述目标光刻层对应的当前产品批次；将属于同一所述当前产品批次的目标光刻层进行层叠放置处理，以得到目标光刻层子组；根据得到的多个所述目标光刻层子组进行组合处理，以得到所述组合光刻层组。
25.在本公开的一种示例性实施方案中，误差补偿模块包括补偿值确定单元，用于获取每层所述曝光图形对应的量测参考值；根据多个所述套刻量测误差与所述量测参考值确定所述误差补偿值。
26.在本公开的一种示例性实施方案中，补偿值确定单元包括第一补偿值确定子单元，用于当每个所述套刻量测误差均小于所述量测参考值时，确定多个所述曝光图形对应的图形层数；根据所述图形层数确定每个所述曝光图形所处目标光刻层的第一补偿系数；
根据所述第一补偿系数与所述套刻量测误差确定所述误差补偿值。
27.在本公开的一种示例性实施方案中，补偿值确定单元包括第二补偿值确定子单元，用于将每个所述套刻量测误差与对应的所述量测参考值进行对比，以确定第一光刻层数量；第一光刻层为所述套刻量测误差大于所述量测参考值的光刻层；获取多个所述曝光图形对应的曝光层总数，确定所述曝光层总数与所述第一光刻层数量的层数对比结果；根据所述层数对比结果与所述量测参考值确定所述误差补偿值。
28.在本公开的一种示例性实施方案中，第二补偿值确定子单元被配置为执行如果所述层数对比结果为所述第一光刻层数量小于所述曝光层总数的一半，则确定所述曝光层总数与所述第一光刻层数量的层数差值；确定第二光刻层，所述第二光刻层为所述套刻量测误差小于等于所述量测参考值的光刻层；根据所述层数差值确定每个所述第二光刻层对应的第二补偿系数；根据所述第二补偿系数以及所述第二光刻层对应的套刻量测误差确定所述误差补偿值。
29.在本公开的一种示例性实施方案中，补偿值确定单元包括第三补偿值确定子单元，用于如果所述层数对比结果为所述第一光刻层数量大于等于所述曝光层总数的一半，则重新配置下一批次图形的误差补偿值。
30.根据本公开的第四方面，提供一种电子设备，包括：处理器；以及存储器，所述存储器上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现根据上述任意一项所述的套刻误差补偿方法。
31.根据本公开的第五方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据上述任意一项所述的套刻误差补偿方法。
32.本公开提供的技术方案可以包括以下有益效果：
33.本公开的示例性实施例中的套刻误差补偿方法，基于组合光刻层组进行套刻误差补偿，由于组合光刻层组中的多个目标光刻层均具有相同的对准标识，且具有上述特征的多个目标光刻层在套刻误差补偿操作中具有行为一致的特点，因此，可以减少套刻误差补偿的重复操作次数，并进一步减少操作成本和操作时间。
34.应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
35.此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
36.图1示意性示出了当前主流的ovl补偿方式的示意图；
37.图2示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的套刻误差补偿方法的流程图；
38.图3示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的多个光刻层具有同一对准层(如有源层)的示意图；
39.图4示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的以组合光刻层组进行套刻误差补偿的流程图；
40.图5示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的多个光刻层的ovl补偿值趋势示意图；
41.图6示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的p/n通道的ovl特征变化示意图；
42.图7示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的套刻误差补偿系统的方框图；
43.图8示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的套刻误差补偿装置的方框图；
44.图9示意性示出了根据本公开一示例性实施例的电子设备的框图；
45.图10示意性示出了根据本公开一示例性实施例的计算机可读存储介质的示意图。
具体实施方式
46.现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施例；相反，提供这些实施例使得本公开将全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。在图中相同的附图标记表示相同或类似的部分，因而将省略对它们的重复描述。
47.此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有所述特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知结构、方法、装置、实现、材料或者操作以避免模糊本公开的各方面。
48.附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。即，可以采用软件形式来实现这些功能实体，或在一个或多个软件硬化的模块中实现这些功能实体或功能实体的一部分，或在不同网络和/或处理器装置和/或微控制器装置中实现这些功能实体。
49.套刻误差是保证光刻设备符合设计要求和晶圆良率的重要指标，目前在半导体生产制造中，通常采用如图1中的套刻误差补偿方式。参考图1，图1示意性示出了当前主流的ovl补偿方式的示意图。从图1可知，对于一批晶圆(wafer)而言，可以通过ovl量测设备对其进行ovl量测与分析，并将得到的ovl量测结果通过批次工艺(run to run，r2r)控制器推送至半导体扫描器(scanner)中，由scanner将扫描得到的误差补偿值通过补偿反馈方式反馈至下一批次的晶圆光刻工艺中，以进行套刻误差补偿。
50.ovl的重要性要求在大批量制造(high volume manufacture，hvm)中，对于非关键层(non-critical layer)，每一道光刻层(photo layer)需要有一定抽样数量(sampling)的ovl量测来达到对ovl的监测，此种操作方式会增加生产成本和生产循环周期。在半导体生产制造中，通常有多道photo layer采用离子注入制程(如krf/i-line制程)，由于半导体结构中存在此类光刻层，因此，ovl补偿机制具有巨大的改善空间。
51.基于此，在本示例实施例中，首先提供了一种套刻误差补偿方法，可以利用服务器来实现本公开的套刻误差补偿方法，也可以利用终端设备来实现本公开所述的方法，其中，本公开中描述的终端可以包括诸如手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、个人数字助理(personal digital assistant，pda)等移动终端，以及诸如台式计算机等固定终端。图1示意性示出了根据本公开的一些实施例的套刻误差补偿方法流程的示意图。参考图2，该套刻
误差补偿方法可以包括以下步骤：
52.步骤s210，确定组合光刻层组，组合光刻层组包括多个目标光刻层；
53.步骤s220，对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；
54.步骤s230，对多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层曝光图形的套刻量测误差；
55.步骤s240，根据多个套刻量测误差确定下一批次的组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据误差补偿值进行套刻误差补偿。
56.根据本示例实施例中的套刻误差补偿方法，基于组合光刻层组进行套刻误差补偿，由于组合光刻层组中的多个目标光刻层均具有相同的对准标识，且具有上述特征的多个目标光刻层在套刻误差补偿操作中具有行为一致的特点，因此，可以减少套刻误差补偿的重复操作次数，并进一步减少操作成本和操作时间。
57.下面，将对本示例实施例中的套刻误差补偿方法进行进一步的说明。
58.在步骤s210中，确定组合光刻层组，组合光刻层组包括多个目标光刻层。
59.在本公开的一些示例性实施方式中，组合光刻层组可以是将多个具有相同对准标识的目标光刻层进行层叠放置以及组合处理后得到的光刻层组合。目标光刻层可以是具有相同的对准标识的光刻层。
60.在半导体生产制造过程中，通常包含多种工艺流程，如前段制程(front-end-of-line，feol)的形成n,p阱区的注入步骤(well implant)，防止源/漏极间的漏电的注入步骤(channel implant)；中段制程(medium end of line，meol)的使用较低浓度的源/漏极(lightly doped drain，ldd)注入步骤等。这些工艺均属于离子注入工艺制程，经过上述工艺制程进行处理后得到的光刻层对准是均是同一层，即有源层(active layer)。在进行套刻误差补偿之前，可以先确定出组合光刻层组，由于组合光刻层组中包含的多个目标光刻层均具有相同的对准标识，具有在ovl行为(即操作过程)一致的特点。因此，可以将组合光刻层组作为一个整体，共同进行套刻误差补偿。组合光刻层组的确定过程可以通过下述步骤进行：
61.在本公开的一种示例性实施方案中，确定半导体结构对应的光刻层集合，基于光刻层集合确定多个初始光刻层；获取每个初始光刻层中的初始图形；对多个初始光刻层的初始图形进行图形分析处理，得到图形分析结果；根据图形分析结果从多个初始光刻层中确定目标光刻层，以根据确定出的多个目标光刻层生成组合光刻层组。
62.其中，光刻层集合可以是半导体结构中包含的所有光刻层。初始光刻层可以是光刻层集合中包含的各个光刻层。初始图形可以是初始光刻层中包含的图形。图形分析处理可以是对多个初始光刻层中的初始图形进行对比分析，以确定多个初始图形是否一致的处理过程。图形分析结果可以是对初始图形进行一致性对比分析后得到的结果。
63.在半导体生产制造过程中，可以先获取该半导体结构包含的所有初始光刻层，根据确定出的多个初始光刻层作为光刻层集合。对于光刻层集合中的每个初始光刻层，可以获取初始光刻层中包含的图形，即初始图形。在获取到多个初始光刻层中的初始图形后，可以对多个初始图形进行一致性分析对比，判断多个初始光刻层同一对应位置上的初始图形是否一致，并得到图形分析结果。在得到图形分析结果之后，可以从多个初始光刻层中挑选
在同一对应位置上初始图形一致的光刻层，作为目标光刻层，并根据选择出的多个目标光刻层生成组合光刻层组。
64.在本公开的一种示例性实施方案中，确定半导体结构包含的多个光刻层类型，获取每个光刻层类型对应的光刻层，以生成光刻层集合；确定光刻层集合中包含的光刻层总数，并获取预先定义的光刻层选取比例；根据光刻层选取比例与光刻层总数，从光刻层集合中随机选取多个光刻层作为初始光刻层。
65.其中，光刻层类型可以是半导体结构中包含的所有光刻层的具体类型，如光刻层类型可以是n channel1。光刻层选取比例可以是从光刻层集合中随机选取初始光刻层所采用的数量比例。光刻层总数可以是光刻层集合中包含的所有光刻层的数量。
66.在一个半导体结构中，可能包含多种光刻层类型，例如，p通道层(p channel)、n通道层(n channel)、电子熔断层(e-fuse)、p阱层(pwell)以及n阱层(n well)等。每种光刻层型中，可以包含多个光刻层，例如，p channel中可以包含p channel1和p channel2等；n channel中可以包含n channel1和n channel2等。在获取到每个光刻层类型下包含的光刻层后，可以根据获取到的光刻层生成光刻层集合，并确定光刻层集合中所包含的光刻层的数量。
67.在采用现有的套刻误差补偿方案时，由于ovl的重要性，在vhm中对于每一道photo layer均需要有一定样本数量的ovl量测来达到对ovl的监测。在本实施例中，在选择初始光刻层之前，可以先获取光刻层选取比例。由于光刻层集合中包含多种类型的光刻层，因此，在样本选择过程中，可以根据光刻层集合中包含的所有光刻层的数量以及光刻层选取比例，从光刻层集合中随机选取一定数量的光刻层作为初始光刻层。
68.例如，当光刻层集合中包含n channel1、n channel2、p channel1、p channel2、n well、p well以及e-fuse等7种类型的光刻层，且每种光刻层的数量为20个，则光刻层总数为140个。如果光刻层选取比例为20％，则在现有方案中，需要从每种类型的光刻层中均选取20％各光刻层，并汇总起来作为选择出的样品集。在本实施例中，可以不区分光刻层类型，直接根据光刻层选取比例20％，从140个光刻层中选取28个光刻层作为初始光刻层。
69.在本公开的一种示例性实施方案中，获取每个初始光刻层在对应位置上的图形标识，并将图形标识作为对准标识；图形标识包含于初始图形中；对所有的对准标识进行图形分析处理，确定所有的对准标识是否相同，以得到图形分析结果。
70.其中，图形标识可以是初始光刻层中用作辨别标识的具体图形。对准标识可以是用于对多个初始光刻层进行图形分析处理时所采用的图形标识，对准标识可以是在多个初始光刻层中处于同一位置的图形标识。
71.在确定出初始光刻层后，可以进一步对初始光刻层进行图形分析处理。由于初始光刻层中可能包含初始图形，在进行图形分析时，可以选取每个初始图形中同一位置上的图形标识作为对准标识，判断每个初始光刻层中的处于该位置上的对准标识是否相同，最终确定出对准标识相同或不相同的图形分析结果。在图形分析处理结束后，可以将具有相同对准标识的初始光刻层划分为一类，将具有相同对准标识的初始光刻层划分为同一类别。
72.在本公开的一种示例性实施方案中，根据图形分析结果确定多个初始对准图形；初始对准图形为在对应位置上具有相同对准标识的初始图形；确定多个初始对准图形的工
艺制程，判断工艺制程是否存在结构变化制程；将无结构变化制程的初始对准图形所处的初始光刻层作为目标光刻层。
73.其中，初始对准图形可以是在对多个初始光刻层进行图形分析处理过程中，在各个初始光刻层的同一对应位置上具有相同对准标识的图形。工艺制程可以是得到某一初始光刻层所采用的工艺制程，工艺制程可以包括结构变化制程和无结构变化制程。结构变化制程可以是对初始光刻层经过某一工艺制程加工后，该初始光刻层的图形结构发生变化的工艺制程。无结构变化制程可以是对初始光刻层经过某一工艺制程加工后，该初始光刻层的图形结构并未发生变化的工艺制程，如离子注入方式。
74.由于对于半导体结构中的非关键层，存在一些关键层具有同一对准层、对准层具有同一对准标识(alignment mark)以及层与层之间没有发生结构变化制程的情况。因此，在得到多个初始光刻层的图形分析结果后，可以根据图形分析结果中确定具有初始对准图形的初始光刻层，初始对准图形可以是初始光刻层的同一对应位置上均具有相同对准标识的图形。参考图3，图3示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的多个光刻层具有同一对准层(如有源层)的示意图。例如，图3中的层1、层2、层3等均具有相同对准层，即有源层(active layer)；并且多个初始光刻层中具有相同的对准标识。
75.在确定出具有相同对准标识的初始对准图形后，可以进一步判断初始对准图形的工艺制程，例如，有些层与层之间没有诸如蚀刻(etch)、化学机械抛光制程(chemical mechanical polishing，cmp)等可能产生结构变化的制程，而仅仅采用krf/i-line制程等无结构变化的离子注入制程，ovl特征(fingerprint)相对稳定，为多道layer同时补偿提供可能。因此，在确定出初始对准图形后，可以进一步判断初始对准图形是否存在结构变化制程，将层与层之间具有无结构变化制程的初始光刻层作为目标光刻层。
76.在本公开的一种示例性实施方案中，获取各目标光刻层对应的当前产品批次；将属于同一当前产品批次的目标光刻层进行层叠放置处理，以得到目标光刻层子组；根据得到的多个目标光刻层子组进行组合处理，以得到组合光刻层组。
77.其中，当前产品批次可以是目标光刻层对应的产品批次。层叠放置处理可以是将多个目标光刻层按照对准标识进行层叠放置的过程。目标光刻层子组可以是将属于同一产品批次的目标光刻层进行层叠放置处理后得到的光刻层组；不同的目标光刻层子组对应不同的产品批次。组合处理可以是将多个产品批次的目标光刻层子组放置在一起的处理过程。
78.从初始光刻层中确定出目标光刻层之后，可以获取每个目标光刻层对应的产品批次，进而基于产品批次对目标光刻层进行组合处理，以统一进行套刻误差补偿处理。参考图4，图4示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的以组合光刻层组进行套刻误差补偿的流程图。在现有技术方案中，对于每道photo layer而言，均需要进行单独进行曝光处理、ovl量测以及r2r等处理步骤。在本实施例中，由于非关键层中包含具有上述特征的目标光刻层，因此，可以对目标光刻层进行组合处理，以根据得到的组合光刻层组进行套刻误差补偿处理。
79.具体的，获取目标光刻层的当前产品批次，可以将属于同一产品批次的目标光刻层进行层叠放置，对于同一产品批次的目标光刻层而言，可能包含多种不同光刻层类型，可以将这多个目标光刻层进行层叠放置得到目标光刻层子组。由于半导体生产过程中，可能
包含多种产品批次的晶圆，在进行套刻误差补偿处理之前，可以将当前到达的产品批次所有目标光刻层子组进行组合处理，以得到组合光刻层组。如在图4的步骤s410中，可以确定出组合光刻层。组合光刻层组中包含层1、层2和层3等多个层，且产品批次包含批次1、批次2和批次3等。
80.在步骤s220中，对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识。
81.在本公开的一些示例性实施方式中，曝光处理可以是采用光刻工艺对目标光刻层中的初始图形进行处理的过程。曝光图形可以是对目标光刻层中的初始图形进行曝光处理后得到的图形。
82.通过上述步骤后，组合光刻层组中的每个目标光刻层的初始图形均具有相同的对准标识。继续参考图4，在确定出组合光刻层组后，在步骤s420中，对组合光刻层组中的所有目标光刻层进行曝光处理。例如，可以采用光刻机对每个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形。
83.在步骤s230中，对多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层曝光图形的套刻量测误差。
84.在本公开的一些示例性实施方式中，套刻精度量测可以是将多层曝光图形的对准精度进行测量的过程。套刻量测误差可以是对多层曝光图形之间的对准精度误差。
85.继续参考图4，在通过曝光处理得到多层曝光图形后，在步骤s430中，进行ovl量测，即对多层曝光图形进行套刻精度量测处理。通过ovl量测步骤，可以确定出每层曝光图形对应的套刻量测误差，以便后续根据套刻量测误差确定误差补偿值。
86.在步骤s240中，根据多个套刻量测误差确定下一批次的组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据误差补偿值进行套刻误差补偿。
87.在本公开的一些示例性实施方式中，误差补偿值可以是用于补偿原有的原始误差，以减少光刻工艺的加工误差所采用的数值。套刻误差补偿可以是用于消减套刻误差所采用的补偿方式。
88.继续参考图4，在确定出每层曝光图形对应的套刻量测误差之后，在步骤s440中，执行r2r处理步骤。具体的，可以通过r2r处理器，基于多个曝光图形对应的套刻量测误差(即ovl)计算下一批次的组合光刻层组对应的误差补偿值，并将计算出的误差补偿值反馈至步骤s410中，以便对下一产品批次的光刻层进行套刻误差补偿处理。通过将多个光刻层进行组合处理进行套刻误差补偿的方案，可以减少套刻误差补偿的量测成本，并缩短生产周期。具体的，根据多个套刻量测误差确定误差补偿值的过程可以通过下述方式进行：
89.在本公开的一种示例性实施方案中，获取每层曝光图形对应的量测参考值；根据多个套刻量测误差与量测参考值确定误差补偿值。
90.其中，量测参考值可以是用于与套刻量测误差进行对比参考的数值。
91.在确定套刻量测的误差补偿值时，可以先确定每层曝光图形对应的量测参考值，参考表1，表1中示出了channel层与well层分别对应的ovl标准值与ovl误差范围；其中，表1中采用的计量单位为纳米(nm)。根据表1中的ovl标准值与ovl误差范围可以确定曝光图形对应的量测参考值。例如，channel层的量测参考值对应的取值区间可以为[25,55]。
[0092]
表1
[0093]
层ovl标准值ovl误差范围通道(channel)4012-15well(阱)4012-15
[0094]
在确定出每层曝光图形分别对应的量测参考值之后，可以根据每层曝光图形的套刻量测误差与量测参考值确定误差补偿值。
[0095]
在本公开的一种示例性实施方案中，当每个套刻量测误差均小于量测参考值时，确定多个曝光图形对应的图形层数；根据图形层数确定每个曝光图形所处目标光刻层的第一补偿系数；根据第一补偿系数与套刻量测误差确定误差补偿值。
[0096]
其中，图形层数可以是所有包含曝光图形的光刻层的层数。补偿系数可以是用于确定误差补偿值所采用的权重系数。
[0097]
在分别确定每层曝光图形的套刻量测误差以及与其对应的量测参考值之后，可以将每个套刻量测误差分别与对应的量测参考值进行对比，以根据对比结果确定误差补偿值。举例而言，假设组合光刻层组中共有n道目标光刻层layer，分别为layer 1、layer 2、layer 3
…
，且ovl标准值(ovl spec)为s，假设每个层的ovl分别为o1、o2、o3，
…
，on，并假设每个ovl的补偿贡献系数分别为x1、x2、x3、
…
、xn。另外，由于各个层的ovl的量测参考值分别为：m 3σ1，m 3σ2，m 3σ3，
…
，m 3σn等，则下一批次的误差补偿值为x1*o1 x2*o2 x3*o3
…
xn*on。
[0098]
将每个套刻量测误差分别与对应的量测参考值进行对比，如果每个套刻量测误差均小于对应的量测参考值，即当o1＜m 3σ1，o2＜m 3σ2，o3＜m 3σ3，
…
，on＜m 3σn时，可以确定曝光图形对应的图形层数，例如，在本实施例中，图形层数为n，此时可以根据图形层数n确定每个曝光图形所处目标光刻层对应的补偿系数，即第一补偿系数，在此前提下，x1＝x2＝x3＝
…
＝xn＝1/n。在确定出第一补偿系数后，可以根据第一补偿系数与套刻量测差确定误差补偿值，例如，下一批次对应的误差补偿值可以是1/n*o1 1/n*o2 1/n*o3
…
1/n*on。
[0099]
在本公开的一种示例性实施方案中，将每个套刻量测误差与对应的量测参考值进行对比，以确定第一光刻层数量；第一光刻层为套刻量测误差大于量测参考值的光刻层；获取多个曝光图形对应的曝光层总数，确定曝光层总数与第一光刻层数量的层数对比结果；根据层数对比结果与量测参考值确定误差补偿值。
[0100]
其中，第一光刻层数量可以是套刻量测误差大于量测参考值的光刻层的数量，记为k。曝光层总数可以是半导体结构中包含的所有光刻层的数量。层数对比结果可以是曝光层总数与第一光刻层数量进行大小对比后所得到的结果。
[0101]
在对每个套刻量测误差与对应的量测参考值进行对比时，存在套刻量测误差大于量测参考值的情况，因此，在本实施例中，可以确定出套刻量测误差大于量测参考值的光刻层，并确定此类目标光刻层的数量，将其作为第一光刻层数量。对于曝光图形，可以确定曝光图形所处目标光刻层的数量，将其作为曝光层总数，进而确定第一光刻层数量与曝光层总数两者之间的大小关系，将两者之间的对比关系作为层数对比结果，并根据层数对比结果确定下一批次对应的误差补偿值。
[0102]
在本公开的一种示例性实施方案中，如果层数对比结果为第一光刻层数量小于曝光层总数的一半，则确定曝光层总数与第一光刻层数量的层数差值；确定第二光刻层，第二光刻层为套刻量测误差小于等于量测参考值的光刻层；根据层数差值确定每个第二光刻层
对应的第二补偿系数；根据第二补偿系数以及第二光刻层对应的套刻量测误差确定误差补偿值。
[0103]
如果层数对比结果中，第一光刻层数量k小于曝光层总数n的一半，即k＜n/2，则对于任一光刻层的ovl》m 3σi(1≤i≤n)，其值将被忽略，不参与计算。此时，可以从目标光刻层中确定出第二光刻层，第二光刻层可以是ovl大于量测参考值的目标光刻层。根据曝光层总数n与第一光刻层数量k确定第二光刻层对应的补偿系数(即第二补偿系数)。具体的，可以确定曝光层总数n与第一光刻层数量k之间的层数差值，并根据层数差值确定每个第二光刻层对应的第二补偿系数。例如，在本实施例中，第二补偿系数均为x1＝x2＝x3＝
…
＝x
n-k
＝1/(n-k)。
[0104]
在本公开的一种示例性实施方案中，如果层数对比结果为第一光刻层数量大于等于曝光层总数的一半，则重新配置下一批次图形的误差补偿值。
[0105]
如果层数对比结果为第一光刻层数量大于等于曝光层总数的一半，即当k》＝n/2时，将认为本次套刻误差量测中组合光刻层组的的误差不符合套刻误差补偿要求，因此，所有layer的套刻量测误差均不被参考，重新配置下一批次图形的误差补偿值，以根据重新配置的误差补偿值对下一批次的图形进行套刻误差补偿。具体的，参考图5，图5示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的多个光刻层的ovl补偿值趋势示意图。图5中示出了p channel/n channel layer，p well/n well layer等多个目标光刻层的ovl的误差补偿值的趋势变化。
[0106]
通过采用本公开中的套刻误差补偿方案，可以有效降低套刻误差补偿过程中的时间消耗与成本消耗，以存在7种类型光刻层的半导体结构为例，对采用本方案前后的时间消耗与成本消耗的变化进行说明。具体如表2所示。
[0107]
表2
[0108][0109]
从表2可以看出，在采用本方案后，在进行量测样本选取过程中，是从半导体结构中所有类型的光刻层组成的光刻层集合中进行选取，根据光刻层选取比例20％从光刻层集合中选取一定数量的初始光刻层。由于本方案中是基于初始光刻层中具有相同对准标识的多个目标光刻层共同进行套刻误差补偿，因此，对于多个目标光刻层，仅需进行一次套刻误
差补偿处理步骤，因此，时间消耗由原来的7t降至t，成本消耗由原来的7m降至m。如果在hvm工程中，采用本方案将在时间消耗和成本消耗方面产生更显著的变化。
[0110]
进一步地，参考图6，图6示意性示出了根据本公开的示例性实施方式的p/n通道的ovl特征变化示意图。本方案是将具有相同对准层，同一对应位置上具有相同对准标识的光刻层以及光刻层中初始图形的工艺制程为无结构变化的制程进行组合处理后，共同进行套刻误差补偿处理。在采用本方案后，半导体结构中的p channel/n channel层的fingerprint将发生如图6中所示的变化。
[0111]
综上所述，本公开的套刻误差补偿方法，确定组合光刻层组，组合光刻层组包括多个目标光刻层；对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；对多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层曝光图形的套刻量测误差；根据多个套刻量测误差确定下一批次的组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据误差补偿值进行套刻误差补偿。一方面，基于组合光刻层组进行套刻误差补偿，由于组合光刻层组中的多个目标光刻层均具有相同的对准标识，且具有上述特征的多个目标光刻层在套刻误差补偿操作中具有行为一致的特点，因此，可以减少套刻误差补偿的重复操作次数，并进一步减少操作成本和操作时间。另一方面，通过对套刻量测误差与误差参考值进行对比后得到的具体对比结果确定误差补偿值，可以进一步提高误差补偿值的准确性。
[0112]
需要说明的是，尽管在附图中以特定顺序描述了本发明中方法的各个步骤，但是，这并非要求或者暗示必须按照该特定顺序来执行这些步骤，或是必须执行全部所示的步骤才能实现期望的结果。附加的或备选的，可以省略某些步骤，将多个步骤合并为一个步骤执行，以及/或者将一个步骤分解为多个步骤执行等。
[0113]
进一步地，在本示例实施例中，还提供了一种套刻误差补偿系统。参考图7，该套刻误差补偿系统700可以包括：层组确定子系统710、图形曝光设备720、套刻量测设备730以及量测分析子系统740。
[0114]
具体的，层组确定子系统710，用于获取多个初始光刻层，基于多个初始光刻层选取指定数量个目标光刻层，以根据确定出的目标光刻层生成组合光刻层组；图形曝光设备720，用于对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形；多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；套刻量测设备730，对多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层曝光图形的套刻量测误差；量测分析子系统740，用于根据多个套刻量测误差确定下一批次的组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据误差补偿值进行套刻误差补偿。
[0115]
此外，在本示例实施例中，还提供了一种套刻误差补偿装置。参考图8，该套刻误差补偿装置800可以包括：光刻层组确定模块810、图形曝光模块820、图形量测模块830以及误差补偿模块840。
[0116]
具体的，光刻层组确定模块810，用于确定组合光刻层组，组合光刻层组包括多个目标光刻层；图形曝光模块820，用于对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；图形量测模块830，用于对多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层曝光图形的套刻量测误差；误差补偿模块840，用于根据多个套刻量测误差确定下一批次的组合光刻层组对应的图形的误差补偿
值，根据误差补偿值进行套刻误差补偿。
[0117]
在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定模块包括光刻层组确定单元，用于确定半导体结构对应的光刻层集合，基于所述光刻层集合确定多个初始光刻层；获取每个所述初始光刻层中的初始图形；对多个所述初始光刻层的初始图形进行图形分析处理，得到图形分析结果；根据所述图形分析结果从多个所述初始光刻层中确定所述目标光刻层，以根据确定出的多个所述目标光刻层生成所述组合光刻层组。
[0118]
在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定单元包括初始光刻层确定子单元，用于确定所述半导体结构包含的多个光刻层类型，获取每个所述光刻层类型对应的光刻层，以生成所述光刻层集合；确定所述光刻层集合中包含的光刻层总数，并获取预先定义的光刻层选取比例；根据所述光刻层选取比例与所述光刻层总数，从所述光刻层集合中随机选取多个光刻层作为所述初始光刻层。
[0119]
在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定单元包括图形分析子单元，用于获取每个所述初始光刻层在对应位置上的图形标识，并将所述图形标识作为对准标识；所述图形标识包含于所述初始图形中；对所有的所述对准标识进行图形分析处理，确定所有的所述对准标识是否相同，以得到所述图形分析结果。
[0120]
在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定单元包括目标光刻层确定子单元，用于根据所述图形分析结果确定多个初始对准图形；所述初始对准图形为在对应位置上具有相同对准标识的初始图形；确定多个所述初始对准图形的工艺制程，判断所述工艺制程是否存在结构变化制程；将无结构变化制程的所述初始对准图形所处的初始光刻层作为所述目标光刻层。
[0121]
在本公开的一种示例性实施方案中，光刻层组确定单元包括光刻层组生成子单元，用于获取各所述目标光刻层对应的当前产品批次；将属于同一所述当前产品批次的目标光刻层进行层叠放置处理，以得到目标光刻层子组；根据得到的多个所述目标光刻层子组进行组合处理，以得到所述组合光刻层组。
[0122]
在本公开的一种示例性实施方案中，误差补偿模块包括补偿值确定单元，用于获取每层所述曝光图形对应的量测参考值；根据多个所述套刻量测误差与所述量测参考值确定所述误差补偿值。
[0123]
在本公开的一种示例性实施方案中，补偿值确定单元包括第一补偿值确定子单元，用于当每个套刻量测误差均小于量测参考值时，确定多个曝光图形对应的图形层数；根据图形层数确定每个曝光图形所处目标光刻层的第一补偿系数；根据第一补偿系数与套刻量测误差确定误差补偿值。
[0124]
在本公开的一种示例性实施方案中，补偿值确定单元包括第二补偿值确定子单元，用于将每个套刻量测误差与对应的量测参考值进行对比，以确定第一光刻层数量；第一光刻层为套刻量测误差大于量测参考值的光刻层；获取多个曝光图形对应的曝光层总数，确定曝光层总数与第一光刻层数量的层数对比结果；根据层数对比结果与量测参考值确定误差补偿值。
[0125]
在本公开的一种示例性实施方案中，第二补偿值确定子单元被配置为执行如果层数对比结果为第一光刻层数量小于曝光层总数的一半，则确定曝光层总数与第一光刻层数量的层数差值；确定第二光刻层，第二光刻层为套刻量测误差小于等于量测参考值的光刻
层；根据层数差值确定每个第二光刻层对应的第二补偿系数；根据第二补偿系数以及第二光刻层对应的套刻量测误差确定误差补偿值。
[0126]
在本公开的一种示例性实施方案中，补偿值确定单元包括第三补偿值确定子单元，用于如果所述层数对比结果为所述第一光刻层数量大于等于所述曝光层总数的一半，则重新配置下一批次图形的误差补偿值。
[0127]
上述中各套刻误差补偿装置的虚拟模块的具体细节已经在对应的套刻误差补偿方法中进行了详细的描述，因此此处不再赘述。
[0128]
应当注意，尽管在上文详细描述中提及了套刻误差补偿装置的若干模块或者单元，但是这种划分并非强制性的。实际上，根据本公开的实施方式，上文描述的两个或更多模块或者单元的特征和功能可以在一个模块或者单元中具体化。反之，上文描述的一个模块或者单元的特征和功能可以进一步划分为由多个模块或者单元来具体化。
[0129]
此外，在本公开的示例性实施例中，还提供了一种能够实现上述方法的电子设备。
[0130]
所属技术领域的技术人员能够理解，本发明的各个方面可以实现为系统、方法或程序产品。因此，本发明的各个方面可以具体实现为以下形式，即：完全的硬件实施例、完全的软件实施例(包括固件、微代码等)，或硬件和软件方面结合的实施例，这里可以统称为“电路”、“模块”或“系统”。
[0131]
下面参考图9来描述根据本公开的这种实施例的电子设备900。图9显示的电子设备900仅仅是一个示例，不应对本公开实施例的功能和使用范围带来任何限制。
[0132]
如图9所示，电子设备900以通用计算设备的形式表现。电子设备900的组件可以包括但不限于：上述至少一个处理单元910、上述至少一个存储单元920、连接不同系统组件(包括存储单元920和处理单元910)的总线930、显示单元940。
[0133]
其中，所述存储单元存储有程序代码，所述程序代码可以被所述处理单元910执行，使得所述处理单元910执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本公开各种示例性实施例的步骤。
[0134]
存储单元920可以包括易失性存储单元形式的可读介质，例如随机存取存储单元(ram)921和/或高速缓存存储单元922，还可以进一步包括只读存储单元(rom)923。
[0135]
存储单元920可以包括具有一组(至少一个)程序模块925的程序/实用工具924，这样的程序模块925包括但不限于：操作系统、一个或者多个应用程序、其它程序模块以及程序数据，这些示例中的每一个或某种组合中可能包括网络环境的实现。
[0136]
总线930可以表示几类总线结构中的一种或多种，包括存储单元总线或者存储单元控制器、外围总线、图形加速端口、处理单元或者使用多种总线结构中的任意总线结构的局域总线。
[0137]
电子设备900也可以与一个或多个外部设备970(例如键盘、指向设备、蓝牙设备等)通信，还可与一个或者多个使得用户能与该电子设备900交互的设备通信，和/或与使得该电子设备900能与一个或多个其它计算设备进行通信的任何设备(例如路由器、调制解调器等等)通信。这种通信可以通过输入/输出(i/o)接口950进行。并且，电子设备900还可以通过网络适配器960与一个或者多个网络(例如局域网(lan)，广域网(wan)和/或公共网络，例如因特网)通信。如图所示，网络适配器960通过总线930与电子设备900的其它模块通信。应当明白，尽管图中未示出，可以结合电子设备900使用其它硬件和/或软件模块，包括但不
限于：微代码、设备驱动器、冗余处理单元、外部磁盘驱动阵列、raid系统、磁带驱动器以及数据备份存储系统等。
[0138]
通过以上的实施例的描述，本领域的技术人员易于理解，这里描述的示例实施例可以通过软件实现，也可以通过软件结合必要的硬件的方式来实现。因此，根据本公开实施例的技术方案可以以软件产品的形式体现出来，该软件产品可以存储在一个非易失性存储介质(可以是cd-rom，u盘，移动硬盘等)中或网络上，包括若干指令以使得一台计算设备(可以是个人计算机、服务器、终端装置、或者网络设备等)执行根据本公开实施例的方法。
[0139]
在本公开的示例性实施例中，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有能够实现本说明书上述方法的程序产品。在一些可能的实施例中，本发明的各个方面还可以实现为一种程序产品的形式，其包括程序代码，当所述程序产品在终端设备上运行时，所述程序代码用于使所述终端设备执行本说明书上述“示例性方法”部分中描述的根据本发明各种示例性实施例的步骤。
[0140]
参考图10所示，描述了根据本发明的实施例的用于实现上述方法的程序产品1000，其可以采用便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)并包括程序代码，并可以在终端设备，例如个人电脑上运行。然而，本发明的程序产品不限于此，在本文件中，可读存储介质可以是任何包含或存储程序的有形介质，该程序可以被指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用。
[0141]
所述程序产品可以采用一个或多个可读介质的任意组合。可读介质可以是可读信号介质或者可读存储介质。可读存储介质例如可以为但不限于电、磁、光、电磁、红外线、或半导体的系统、装置或器件，或者任意以上的组合。可读存储介质的更具体的例子(非穷举的列表)包括：具有一个或多个导线的电连接、便携式盘、硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、可擦式可编程只读存储器(eprom或闪存)、光纤、便携式紧凑盘只读存储器(cd-rom)、光存储器件、磁存储器件、或者上述的任意合适的组合。
[0142]
计算机可读信号介质可以包括在基带中或者作为载波一部分传播的数据信号，其中承载了可读程序代码。这种传播的数据信号可以采用多种形式，包括但不限于电磁信号、光信号或上述的任意合适的组合。可读信号介质还可以是可读存储介质以外的任何可读介质，该可读介质可以发送、传播或者传输用于由指令执行系统、装置或者器件使用或者与其结合使用的程序。
[0143]
可读介质上包含的程序代码可以用任何适当的介质传输，包括但不限于无线、有线、光缆、rf等等，或者上述的任意合适的组合。
[0144]
可以以一种或多种程序设计语言的任意组合来编写用于执行本发明操作的程序代码，所述程序设计语言包括面向对象的程序设计语言—诸如java、c 等，还包括常规的过程式程序设计语言—诸如“c”语言或类似的程序设计语言。程序代码可以完全地在用户计算设备上执行、部分地在用户设备上执行、作为一个独立的软件包执行、部分在用户计算设备上部分在远程计算设备上执行、或者完全在远程计算设备或服务器上执行。在涉及远程计算设备的情形中，远程计算设备可以通过任意种类的网络，包括局域网(lan)或广域网(wan)，连接到用户计算设备，或者，可以连接到外部计算设备(例如利用因特网服务提供商来通过因特网连接)。
[0145]
此外，上述附图仅是根据本发明示例性实施例的方法所包括的处理的示意性说
明，而不是限制目的。易于理解，上述附图所示的处理并不表明或限制这些处理的时间顺序。另外，也易于理解，这些处理可以是例如在多个模块中同步或异步执行的。
[0146]
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本公开的其他实施例。本技术旨在涵盖本公开的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本公开的一般性原理并包括本公开未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本公开的真正范围和精神由权利要求指出。
[0147]
应当理解的是，本公开并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本公开的范围仅由所附的权利要求来限。