套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备和存储介质与流程

技术特征：
1.一种套刻误差补偿方法，其特征在于，包括：确定组合光刻层组，所述组合光刻层组包括多个目标光刻层；对所述多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，所述多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；对所述多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层所述曝光图形的套刻量测误差；根据多个所述套刻量测误差确定下一批次的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据所述误差补偿值进行套刻误差补偿。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定组合光刻层组，包括：确定半导体结构对应的光刻层集合，基于所述光刻层集合确定多个初始光刻层；获取每个所述初始光刻层中的初始图形；对多个所述初始光刻层的初始图形进行图形分析处理，得到图形分析结果；根据所述图形分析结果从多个所述初始光刻层中确定所述目标光刻层，以根据确定出的多个所述目标光刻层生成所述组合光刻层组。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，确定半导体结构对应的光刻层集合，基于所述光刻层集合确定多个初始光刻层，包括：确定所述半导体结构包含的多个光刻层类型，获取每个所述光刻层类型对应的光刻层，以生成所述光刻层集合；确定所述光刻层集合中包含的光刻层总数，并获取预先定义的光刻层选取比例；根据所述光刻层选取比例与所述光刻层总数，从所述光刻层集合中随机选取多个光刻层作为所述初始光刻层。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对多个所述初始光刻层的初始图形进行图形分析处理，得到图形分析结果，包括：获取每个所述初始光刻层在对应位置上的图形标识，并将所述图形标识作为对准标识；所述图形标识包含于所述初始图形中；对所有的所述对准标识进行图形分析处理，确定所有的所述对准标识是否相同，以得到所述图形分析结果。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据所述图形分析结果从多个所述初始光刻层中确定所述目标光刻层，包括：根据所述图形分析结果确定多个初始对准图形；所述初始对准图形为在对应位置上具有相同对准标识的初始图形；确定多个所述初始对准图形的工艺制程，判断所述工艺制程是否存在结构变化制程；将无结构变化制程的所述初始对准图形所处的初始光刻层作为所述目标光刻层。6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，根据确定出的多个所述目标光刻层生成所述组合光刻层组，包括：获取各所述目标光刻层对应的当前产品批次；将属于同一所述当前产品批次的目标光刻层进行层叠放置处理，以得到目标光刻层子组；根据得到的多个所述目标光刻层子组进行组合处理，以得到所述组合光刻层组。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据多个所述套刻量测误差确定下一批次
的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，包括：获取每层所述曝光图形对应的量测参考值；根据多个所述套刻量测误差与所述量测参考值确定所述误差补偿值。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，根据多个所述套刻量测误差与所述量测参考值确定所述误差补偿值，包括：当每个所述套刻量测误差均小于所述量测参考值时，确定多个所述曝光图形对应的图形层数；根据所述图形层数确定每个所述曝光图形所处目标光刻层的第一补偿系数；根据所述第一补偿系数与所述套刻量测误差确定所述误差补偿值。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，根据多个所述套刻量测误差与所述量测参考值确定所述误差补偿值，还包括：将每个所述套刻量测误差与对应的所述量测参考值进行对比，以确定第一光刻层数量；第一光刻层为所述套刻量测误差大于所述量测参考值的光刻层；获取多个所述曝光图形对应的曝光层总数，确定所述曝光层总数与所述第一光刻层数量的层数对比结果；根据所述层数对比结果与所述量测参考值确定所述误差补偿值。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，根据所述层数对比结果与所述量测参考值确定所述误差补偿值，包括：如果所述层数对比结果为所述第一光刻层数量小于所述曝光层总数的一半，则确定所述曝光层总数与所述第一光刻层数量的层数差值；确定第二光刻层，所述第二光刻层为所述套刻量测误差小于等于所述量测参考值的光刻层；根据所述层数差值确定每个所述第二光刻层对应的第二补偿系数；根据所述第二补偿系数以及所述第二光刻层对应的套刻量测误差确定所述误差补偿值。11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：如果所述层数对比结果为所述第一光刻层数量大于等于所述曝光层总数的一半，则重新配置下一批次图形的误差补偿值。12.一种套刻误差补偿系统，其特征在于，包括：层组确定子系统，用于获取多个初始光刻层，基于所述多个初始光刻层选取指定数量个目标光刻层，以根据确定出的所述目标光刻层生成组合光刻层组；图形曝光设备，用于对多个所述目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形；多个所述目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；套刻量测设备，对所述多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层所述曝光图形的套刻量测误差；量测分析子系统，用于根据多个所述套刻量测误差确定下一批次的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据所述误差补偿值进行套刻误差补偿。13.一种套刻误差补偿装置，其特征在于，包括：光刻层组确定模块，用于确定组合光刻层组，所述组合光刻层组包括多个目标光刻层；
图形曝光模块，用于对所述多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，所述多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；图形量测模块，用于对所述多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层所述曝光图形的套刻量测误差；误差补偿模块，用于根据多个所述套刻量测误差确定下一批次的所述组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据所述误差补偿值进行套刻误差补偿。14.一种电子设备，其特征在于，包括：处理器；以及存储器，所述存储器上存储有计算机可读指令，所述计算机可读指令被所述处理器执行时实现根据权利要求1至11中任一项所述的套刻误差补偿方法。15.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现根据权利要求1至11中任一项所述的套刻误差补偿方法。

技术总结
本公开是关于一种套刻误差补偿方法、系统及装置、电子设备以及计算机可读存储介质，涉及半导体生产制造技术领域。该方法包括：确定组合光刻层组，组合光刻层组包括多个目标光刻层；对多个目标光刻层中的初始图形进行曝光处理，得到多层曝光图形，多个目标光刻层中的初始图形均具有相同的对准标识；对多层曝光图形进行套刻精度量测，确定每层曝光图形的套刻量测误差；根据多个套刻量测误差确定下一批次的组合光刻层组对应的图形的误差补偿值，根据误差补偿值进行套刻误差补偿。本公开可以利用具有相同对准标识的多道光刻层进行套刻误差补偿行为一致的特点，优化套刻误差补偿方式，以达到减少套刻误差补偿量测和缩减生产周期的效果。效果。效果。


技术研发人员：孙彪
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2022.02.17
技术公布日：2022/5/20