阵列基板及其控制方法、显示装置与流程

1.本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其控制方法、显示装置。


背景技术：

2.液晶显示装置在电场作用下，液晶分子会发生排列上的变化，从而影响入射光束透过液晶产生强度上的变化，这种光强度的变化，进一步通过偏光片的作用表现为明暗的变化。据此，通过对液晶电场的控制可以实现光线的明暗变化，从而达到信息显示的目的。但是，目前液晶显示存在正负帧亮度差异，从而产生显示的闪烁问题。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术的目的在于提出一种阵列基板及其控制方法、显示装置。
4.基于上述目的，本技术提供了一种阵列基板，包括：多条栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉限定像素单元，所述像素单元包括：像素电极，所述像素电极包括相互电绝缘的第一子像素电极与第二子像素电极，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极被施加的电压的极性相反。
5.在一些实施例中，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极的面积相等。
6.在一些实施例中，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极对称设置。
7.在一些实施例中，所述多条数据线包括第一数据线和第二数据线；所述像素单元还包括：第一晶体管和第二晶体管；
8.其中，所述第一晶体管的第一极与所述第一子像素电极连接，所述第一晶体管的第二极与所述第一数据线连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二子像素电极连接，所述第二晶体管的第二极与所述第二数据线连接，所述第一数据线用于为所述第一晶体管提供第一电压信号，所述第二数据线用于为所述第二晶体管提供第二电压信号，所述第一电压信号和第二电压信号的电压的极性相反。
9.在一些实施例中，所述多条栅极线包括：第一栅极线和第二栅极线；所述像素单元还包括：第一晶体管和第二晶体管；
10.其中，所述第一晶体管的第一极与所述第一子像素电极连接，所述第一晶体管的第二极与所述数据线连接，所述第一晶体管的控制极与所述第一栅极线连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二子像素电极连接，所述第二晶体管的第二极与所述数据线连接，所述第二晶体管的控制极与所述第二栅极线连接，所述数据线为所述第一晶体管和所述第二晶体管提供电压信号，在所述电压信号的极性为第一极性时，所述第一栅极线用于为所述第一晶体管提供开启信号，在所述电压信号的极性为第二极性时，所述第二栅极线用于为所述第二晶体管提供开启信号，所述第一极性与所述第二极性的极性相反。
11.在一些实施例中，相邻的两个所述像素单元共用一条所述数据线。
12.在一些实施例中，相邻的两个所述像素单元共用一条所述栅极线。
13.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列
基板。
14.基于同一发明构思，本技术实施例还提供了一种阵列基板的控制方法，所述阵列基板包括：多条栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉限定像素单元，所述像素单元包括：像素电极，所述像素电极包括相互绝缘的第一子像素电极与第二子像素电极；
15.所述方法包括：控制所述第一子像素电极与所述第二子像素电极被施加的电压的极性相反。
16.在一些实施例中，所述多条数据线包括第一数据线和第二数据线；所述像素单元还包括：第一晶体管和第二晶体管；其中，所述第一晶体管的第一极与所述第一子像素电极连接，所述第一晶体管的第二极与所述第一数据线连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二子像素电极连接，所述第二晶体管的第二极与所述第二数据线连接；
17.所述控制所述第一子像素电极与所述第二子像素电极的电压极性相反，包括：
18.控制所述第一数据线为所述第一晶体管提供第一电压信号，并控制所述第二数据线为所述第二晶体管提供第二电压信号；其中，所述第一电压信号和所述第二电压信号的电压的极性相反。
19.在一些实施例中，所述多条栅极线包括：第一栅极线和第二栅极线；所述像素单元还包括：第一晶体管和第二晶体管；其中，所述第一晶体管的第一极与所述第一子像素电极连接，所述第一晶体管的第二极与所述数据线连接，所述第一晶体管的控制极与所述第一栅极线连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二子像素电极连接，所述第二晶体管的第二极与所述数据线连接，所述第二晶体管的控制极与所述第二栅极线连接，所述数据线为所述第一晶体管和所述第二晶体管提供电压信号；
20.所述控制所述第一子像素电极与所述第二子像素电极的电压极性相反，包括：
21.响应于确定所述电压信号的极性为第一极性，控制所述第一栅极线为所述第一晶体管提供开启信号；
22.响应于确定所述电压信号的极性为第二极性，控制所述第二栅极线为所述第二晶体管提供开启信号；其中，所述第一极性与所述第二极性的极性相反。
23.从上面所述可以看出，本技术提供的阵列基板包括：多条栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉限定像素单元，所述像素单元包括：像素电极，所述像素电极包括相互电绝缘的第一子像素电极与第二子像素电极，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极被施加的电压的极性相反，从而使第一子像素电极与公共电极一起形成的电场与第二子像素电极与公共电极一起形成的电场的方向相反，进而使每帧画面中液晶的正极性和负极性光效混合，使每帧画面没有亮度差异，可减弱甚至消除每帧画面交替时，由于亮度差异引起的闪烁问题。
附图说明
24.为了更清楚地说明本公开或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1为相关技术中的一种阵列基板的结构截面示意图；
26.图2为本技术实施例的第一种阵列基板的结构截面示意图；
27.图3为本技术实施例的第二种阵列基板的结构截面示意图；
28.图4为本技术实施例的第三种阵列基板的结构截面示意图；
29.图5为本技术实施例的第四种阵列基板的结构截面示意图；
30.图6为本技术实施例的第五种阵列基板的结构截面示意图；
31.图7为本技术实施例的第六种阵列基板的结构截面示意图；
32.图8为本技术实施例的第七种阵列基板的结构截面示意图；
33.图9为本技术实施例的第八种阵列基板的结构截面示意图；
34.图10为本技术实施例的一种像素单元的控制方法的流程示意图。
具体实施方式
35.为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本公开进一步详细说明。
36.需要说明的是，除非另外定义，本公开实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
37.如背景技术所述，目前液晶显示存在正负帧亮度差异，本技术的发明人发现液晶在电场的作用下，存在挠曲电效应，导致液晶在正负帧不同方向的电压驱动下有偏转差异，导致正负帧亮度的差异，以及液晶在电极上方和电极之间的旋转分量不同，进而导致正负极性透过率差异加大。而此时通过改变正负帧的电压数值，来减小正负帧亮度差异，会牺牲掉部分透过率。因此，本技术提出一种新的阵列基板，使液晶的正极性和负极性光效混合，以使每帧画面没有亮度差异。进而可减弱甚至消除每帧画面交替时，由于亮度差异引起的闪烁问题。
38.参考图1，为相关技术中的一种阵列基板的结构截面示意图，其中，g1表示栅极线，d1、d2、d3表示数据线，t表示晶体管，s表示像素电极，r表示像素单元。图1中每一个像素单元r包括一个像素电极s，每个像素电极s被施加的电压通过数据线向晶体管t发送的电压信号来控制，正常情况下，像素单元在工作时，其对应的数据线的电压信号是正负极交替发送的，这就导致若像素单元在第一帧时被施加的是正电压，则该像素单元在第二帧时被施加的是负电压，由于挠曲电效应，导致液晶在正负帧不同方向的电压驱动下有偏转差异，从而导致该像素单元在第一帧和第二帧的亮度产生差异，进而发生闪烁问题。
39.为解决上述问题，本技术实施例提出一种阵列基板，参考图2，该阵列基板包括：多条栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉限定像素单元，该像素单元包括：
40.像素电极，所述像素电极包括相互电绝缘的第一子像素电极s1与第二子像素电极s2，所述第一子像素电极s1与所述第二子像素电极s2被施加的电压的极性相反，从而使像
素单元在每一帧都是由正负两个方向的电压驱动液晶旋转，进而保证像素单元在正负帧均保持相同的亮度，避免亮度差异引起的闪烁问题。
41.需要说明的是，本实施例中，像素单元一般指单个的子像素单元，可选的，该像素单元可以是红绿蓝任意一种子像素单元，也可以是其他颜色的像素单元，在此不做限定。
42.在一些实施例中，第一子像素电极与第二子像素电极可以在像素单元中同层设置，即沿垂直公共电极的方向，二者距离公共电极的距离相等。可选的，第一子像素电极与第二子像素电极也可以设置在像素单元的不同层。可选的，当第一子像素电极与第二子像素电极在像素单元中同层设置时，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极被施加的电压的极性相反，且数值大小相等。
43.在一些实施例中，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极的面积相等。
44.本实施例中，为了保证像素单元在正负帧时可以尽量保持相同的亮度，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极的面积应该尽量相等。需要说明的是，本技术中第一子像素电极和第二子像素电极面积相等，可以是完全相等，也可以是在一定工艺误差上的相等，这些都属于本技术的保护范围。
45.在一些实施例中，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极对称设置。
46.本实施例中，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极可以对称设置，具体对称方式可以根据需要进行设置，在此不做限定，参考图2，第一子像素电极与第二子像素电极可以上下对称设置。参考图3，第一子像素电极与第二子像素电极可以左右对称设置。
47.在一些实施例中，参考图2，所述多条数据线包括第一数据线d1和第二数据线d2；所述像素单元还包括：第一晶体管t1和第二晶体管t2；
48.其中，所述第一晶体管t1的第一极与所述第一子像素电极s1连接，所述第一晶体管t1的第二极与所述第一数据线d1连接，所述第二晶体管t2的第一极与所述第二子像素电极s2连接，所述第二晶体管t2的第二极与所述第二数据线d2连接，所述第一数据线d1用于为所述第一晶体管t1提供第一电压信号，所述第二数据线d2用于为所述第二晶体管t2提供第二电压信号，所述第一电压信号和第二电压信号的电压的极性相反。
49.本实施例中，第一晶体管t1和第二晶体管t2可以是薄膜晶体管(tft)，也可以是其他晶体管，在此不做限定。第一数据线d1和第二数据线d2分别给第一晶体管t1和第二晶体管t2提供极性不同的电压，从而使第一子像素电极s1与第二子像素电极s2被施加的电压不同，可选的，当第一子像素电极与第二子像素电极在像素单元中同层设置时，第一子像素电极与第二子像素电极被施加的电压的数值大小相等。
50.需要说明的是，当通过第一数据线和第二数据线分别控制两个子像素电极时，第一子像素电极与第二子像素电极可以共用一个栅极线，例如图4，第一子像素电极s1与第二子像素电极s2均通过各自的晶体管与第一栅极线g1连接。可选的，第一子像素电极与第二子像素电极还可以各自连接一个栅极线，例如2或图3，第一子像素电极s1通过第一晶体管t1连接第一栅极线g1，第二子像素电极s2通过第二晶体管t2连接第二栅极线g2。
51.在一些实施例中，参考图5，所述多条栅极线包括：第一栅极线g1和第二栅极线g2；所述像素单元还包括：第一晶体管t1和第二晶体管t2；
52.其中，所述第一晶体管t1的第一极与所述第一子像素电极s1连接，所述第一晶体管t1的第二极与所述数据线d1连接，所述第一晶体管t1的控制极与所述第一栅极线g1连
接，所述第二晶体管t2的第一极与所述第二子像素电极s2连接，所述第二晶体管t2的第二极与所述数据线d1连接，所述第二晶体管t2的控制极与所述第二栅极线g2连接，所述数据线d1为所述第一晶体管t1和所述第二晶体管t2提供电压信号，在所述电压信号的极性为第一极性时，所述第一栅极线g1用于为所述第一晶体管t1提供开启信号，在所述电压信号的极性为第二极性时，所述第二栅极线g2用于为所述第二晶体管t2提供开启信号，所述第一极性与所述第二极性的极性相反。
53.本实施例中，通过一条数据线和两条栅极线来实现第一子像素电极与第二子像素电极被施加的电压的极性相反，由于数据线的电压信号是正负极交替发送的，所以当所述电压信号的极性为第一极性时，所述第一栅极线用于为所述第一晶体管提供开启信号，此时第二子电极连接的第二晶体管由于未接收到开启信号，所以第二子电极不会被施加第一极性的电压；当所述电压信号的极性为第二极性时，所述第二栅极线用于为所述第二晶体管提供开启信号，此时第一子电极连接的第一晶体管由于未接收到开启信号，所以第一子电极不会被施加第二极性的电压，因此可以保证第一子电极和第二子电极被施加的电压的极性不同，可选的，第一极性可以是正极或者负极，第二极性与第一极性的极性相反。
54.在一些实施例中，相邻的两个所述像素单元共用一条所述栅极线。
55.本实施例中，相邻的两个所述像素单元共用一条所述栅极线，从而节省了一条栅极线，并减少了相邻两个像素之间的距离。参考图6，其中，d1、d2、d3、d4为四条数据线，g1、g2、g3为三条栅极线。可以看到图6中相邻的两个像素单元公用一条栅极线。
56.在一些实施例中，相邻的两个所述像素单元共用一条所述数据线。
57.本实施中，相邻的两个所述像素单元共用一条所述数据线，从而节省了一条数据线，并减少了相邻两个像素之间的距离。参考图7，其中，d1、d2、d3为三条数据线，g1、g2、g3、g4为四条栅极线。可以看到图7中相邻的两个像素单元公用一条数据线。
58.在一些实施例中，相邻的两个所述像素单元共用一条所述数据线，且相邻的两个所述像素单元共用一条所述栅极线。
59.本实施中，相邻的两个所述像素单元共用一条所述数据线，且相邻的两个所述像素单元共用一条所述栅极线。参考图8，d1、d2、d3为三条数据线，g1、g2、g3为三条栅极线。图8与图7相比，在像素单元数量相同的情况下少用一条栅极线，图8与图6相比，在像素单元数量相同的情况下少用一条数据线。
60.在一些实施例中，参考图9，所述像素电极为伪双畴结构，即第一子像素电极s1与第二子像素电极s2为“v”形结构，阵列基板的数据线弯折，且弯折的形貌和像素电极相匹配；像素电极为梳状电极，即每个子像素电极包括多个如图9所示的支电极，支电极之间存在缝隙。
61.本技术提供的阵列基板包括：多条栅极线和数据线，所述栅极线和所述数据线交叉限定像素单元，所述像素单元包括：像素电极，所述像素电极包括相互电绝缘的第一子像素电极与第二子像素电极，所述第一子像素电极与所述第二子像素电极被施加的电压的极性相反，从而使第一子像素电极与公共电极一起形成的电场与第二子像素电极与公共电极一起形成的电场的方向相反，进而使每帧画面中液晶的正极性和负极性光效混合，使每帧画面没有亮度差异，可减弱甚至消除每帧画面交替时，由于亮度差异引起的闪烁问题。
62.本技术还提供一种包括上述任一实施例的阵列基板的显示装置。该显示装置可以
是手机、电视、平板电脑、显示器、及其他带有显示功能的装置。
63.基于同一发明构思，与上述任意实施例像素单元相对应的，本技术还提供了一种像素单元的控制方法，所述像素单元包括：像素电极，所述像素电极包括相互绝缘的第一子像素电极与第二子像素电极；
64.参考图10，该控制方法包括：
65.s101，控制所述第一子像素电极与所述第二子像素电极被施加的电压的极性相反。
66.在一些实施例中，所述像素单元还包括：
67.第一数据线、第二数据线、第一晶体管和第二晶体管；其中，所述第一晶体管的第一极与所述第一子像素电极连接，所述第一晶体管的第二极与所述第一数据线连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二子像素电极连接，所述第二晶体管的第二极与所述第二数据线连接；
68.所述控制所述第一子像素电极与所述第二子像素电极的电压极性相反，包括：
69.控制所述第一数据线为所述第一晶体管提供第一电压信号，并控制所述第二数据线为所述第二晶体管提供第二电压信号；其中，所述第一电压信号和所述第二电压信号的电压的极性相反。
70.在一些实施例中，所述像素单元还包括：
71.数据线、第一栅极线、第二栅极线、第一晶体管和第二晶体管；
72.其中，所述第一晶体管的第一极与所述第一子像素电极连接，所述第一晶体管的第二极与所述数据线连接，所述第一晶体管的控制极与所述第一栅极线连接，所述第二晶体管的第一极与所述第二子像素电极连接，所述第二晶体管的第二极与所述数据线连接，所述第二晶体管的控制极与所述第二栅极线连接，所述数据线为所述第一晶体管和所述第二晶体管提供电压信号；
73.所述控制所述第一子像素电极与所述第二子像素电极的电压极性相反，包括：
74.响应于确定所述电压信号的极性为第一极性，控制所述第一栅极线为所述第一晶体管提供开启信号；
75.响应于确定所述电压信号的极性为第二极性，控制所述第二栅极线为所述第二晶体管提供开启信号；其中，所述第一极性与所述第二极性的极性相反。
76.需要说明的是，上述对本技术的一些实施例进行了描述。其它实施例在所附权利要求书的范围内。在一些情况下，在权利要求书中记载的动作或步骤可以按照不同于上述实施例中的顺序来执行并且仍然可以实现期望的结果。另外，在附图中描绘的过程不一定要求示出的特定顺序或者连续顺序才能实现期望的结果。在某些实施方式中，多任务处理和并行处理也是可以的或者可能是有利的。
77.所属领域的普通技术人员应当理解：以上任何实施例的讨论仅为示例性的，并非旨在暗示本技术的范围(包括权利要求)被限于这些例子；在本技术的思路下，以上实施例或者不同实施例中的技术特征之间也可以进行组合，步骤可以以任意顺序实现，并存在如上所述的本技术实施例的不同方面的许多其它变化，为了简明它们没有在细节中提供。
78.另外，为简化说明和讨论，并且为了不会使本技术实施例难以理解，在所提供的附图中可以示出或可以不示出与集成电路(ic)芯片和其它部件的公知的电源/接地连接。此
外，可以以框图的形式示出装置，以便避免使本技术实施例难以理解，并且这也考虑了以下事实，即关于这些框图装置的实施方式的细节是高度取决于将要实施本技术实施例的平台的(即，这些细节应当完全处于本领域技术人员的理解范围内)。在阐述了具体细节(例如，电路)以描述本技术的示例性实施例的情况下，对本领域技术人员来说显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下或者这些具体细节有变化的情况下实施本技术实施例。因此，这些描述应被认为是说明性的而不是限制性的。
79.尽管已经结合了本技术的具体实施例对本技术进行了描述，但是根据前面的描述，这些实施例的很多替换、修改和变型对本领域普通技术人员来说将是显而易见的。例如，其它存储器架构(例如，动态ram(dram))可以使用所讨论的实施例。
80.本技术实施例旨在涵盖落入所附权利要求的宽泛范围之内的所有这样的替换、修改和变型。因此，凡在本技术实施例的精神和原则之内，所做的任何省略、修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。