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可转换等离子体源及方法与流程

2022-05-18 12:40:33 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种等离子体源,包括:通过具有恒定宽度的介电势垒和间隙隔开的第一中空电极和第二中空电极;其中,提供具有第一击穿电压的等离子体形成气体和具有大于所述第一击穿电压的第二击穿电压的非等离子体形成气体,所述等离子体源被配置为以第一配置和第二配置中任一者来选择性地产生等离子体;其中:i)在所述第一配置中:所述等离子体形成气体在所述间隙中流动,而所述非等离子体形成气体在所述第一中空电极内流动;以及ii)在所述第二配置中,所述等离子体形成气体在所述第一中空电极内流动,以及所述非等离子体形成气体在所述间隙内流动。2.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,所述等离子体形成气体为以下中的一者:氦气、氩气、氖气、n2、o2、空气和h2。3.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,所述非等离子体形成气体为以下中的一者:氩气、氖气、n2、o2、空气和h2。4.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,反应性物质源被注入到以下中的至少一者中:i)所述等离子体形成气体,和ii)所述非等离子体形成气体。5.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,反应性物质源被注入到以下中的至少一者中:i)所述等离子体形成气体,和ii)所述非等离子体形成气体,所述反应性物质源为以下中的至少一者:n2、o2、空气、气态化合物、蒸气和气溶胶。6.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,所述第一电极和所述第二电极中的至少一者为通电电极。7.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,所述第一中空电极以同轴几何形状在所述第二中空电极内居中。8.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,所述第一中空电极以同轴几何形状在所述第二中空电极内居中,所述第二中空电极具有范围在5mm至1m之间的长度,以及所述第一中空电极在所述第二中空电极内后退,以及其中,所述等离子体由具有范围在100hz至100mhz之间的正弦激发频率的电压波形诱发。9.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,所述第一中空电极以同轴几何形状在所述第二中空电极内居中,所述第二中空电极具有范围在5mm至1m之间的长度,以及所述第一中空电极在所述第二中空电极内后退至少1mm,以及其中,所述等离子体由具有范围在100hz至100mhz之间的正弦激发频率的电压波形诱发。10.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,所述第一中空电极以同轴几何形状在所述第二中空电极内居中,所述第二中空电极具有范围在5mm至1m之间的长度,以及所述第一中空电极在所述第二中空电极内后退至少1mm,以及其中,等离子体由具有范围在100hz至100mhz之间的正弦激发频率的电压波形诱发,所述等离子体源以范围在0.1w/cm3至500w/cm3之间的等离子体功率密度来操作。11.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,所述第一中空电极以同轴几何形状在所述第二中空电极内居中,所述第二中空电极具有范围在5mm至1m之间的长度,以及所述第一
中空电极在所述第二中空电极内后退至少1mm;其中,等离子体由具有范围在100hz至100mhz之间的正弦激发频率的电压波形诱发;以及在所述第二配置中,如果所述间隙中的所述非等离子体形成气体是静态体积,则使所述等离子体形成气体以至少0.1slm的流量来填充所述第一中空电极。12.根据权利要求1所述的等离子体源,包括:定时器,所述定时器控制所述等离子体形成气体的流动。13.根据权利要求1所述的等离子体源,包括:气体馈送单元,所述气体馈送单元选择性地以所述第一配置和所述第二配置来操作所述等离子体源。14.根据权利要求1所述的等离子体源,包括:气体馈送单元,所述气体馈送单元控制所述等离子体形成气体注入到以下中的一者中:i)所述第一中空电极,以及ii)所述间隙,并且控制所述非等离子体形成气体注入到以下中的一者中:i)所述第一中空电极,以及ii)所述间隙。15.根据权利要求1所述的等离子体源,包括:气体馈送单元,所述气体馈送单元选择性地执行以下中的一者:i)在所述第一中空电极内引导所述等离子体形成气体,并且将所述非等离子体形成气体引导到所述间隙,以及ii)在所述第一中空电极内引导所述非等离子体形成气体,并且将所述等离子体形成气体引导到所述间隙。16.根据权利要求1所述的等离子体源,包括:气体馈送单元,所述气体馈送单元选择性地执行以下中的一者:i)将所述等离子体形成气体引导到所述第一中空电极,并且将所述非等离子体形成气体引导到所述间隙,以及ii)将所述非等离子体形成气体引导到所述第一中空电极,并且将所述等离子体形成气体引导到所述间隙;所述气体馈送单元进一步控制与所述等离子体形成气体混合的反应性物质源的选择性注入。17.根据权利要求1所述的等离子体源,其中,当在所述第一配置与所述第二配置之间切换时,使所述等离子体形成气流,以清除所述等离子体源。18.根据权利要求1所述的等离子体源的用途,用于靶向癌细胞。19.根据权利要求1所述的等离子体源的用途,用于靶向以下中的至少一者:au565、mda-mb-231、mda-mb-361、mda-mb-468、mda-mb-157、mda-mb-175-vii、bt-549、mcf-7、hs578t、hcc1428、hcc1569、hcc1954、t47d和zr-75-1乳腺癌细胞株;sts117和sts109软组织肉瘤细胞株。20.根据权利要求1所述的等离子体源的用途,用于在切除肿瘤之后靶向肿瘤床中的癌细胞。21.根据权利要求1所述的等离子体源的用途,用于以下中的一者:消毒伤口、加速愈合和减小手术后疤痕的大小。22.根据权利要求1所述的等离子体源的用途,用于产生等离子体激活的液体。23.根据权利要求1所述的等离子体源的用途,在于以下中的一者:i)所述第一配置产生具有低穿透深度的低功率密度等离子体,以及ii)所述第二配置产生具有高穿透深度的高功率密度等离子体。24.一种用于产生细胞毒素反应性物质的方法,包括:在施加功率下,将第一气体注入到与第二中空电极隔开恒定宽度的气隙的第一电极中,以及将第二气体注入到所述气隙中,所述第一气体和所述第二气体具有不同的击穿电压。
25.一种用于产生反应性物质的方法,包括:在施加功率下,将第一气体注入到与第二中空电极隔开恒定宽度的气隙的第一电极中,以及将第二气体注入到所述气隙中,所述第一气体和所述第二气体具有不同的击穿电压。26.一种等离子体生成方法,包括:选择具有不同击穿电压的至少两种气体,在施加功率下,将第一气体注入到与第二中空电极隔开恒定宽度的气隙的第一电极中,以及将第二气体注入到所述气隙中。

技术总结
一种等离子体源包括:通过具有恒定宽度的介电势垒和间隙隔开的第一中空电极和第二中空电极;等离子体源被配置为以第一配置和第二配置中任一者来选择性地产生等离子体;其中,i)在第一配置中,等离子体形成气体在间隙中流动,而非等离子体形成气体在第一中空电极内流动;以及ii)在第二配置中,等离子体形成气体在第一中空电极内流动,以及非等离子体形成气体在间隙内流动。方法包括选择具有不同击穿电压的至少两种气体,在施加功率下,将第一气体注入到与第二中空电极隔开恒定宽度的气隙的第一电极中,以及将第二气体注入到气隙中。以及将第二气体注入到气隙中。以及将第二气体注入到气隙中。


技术研发人员:J-S
受保护的技术使用者:新世纪等离子体有限公司
技术研发日:2020.08.05
技术公布日:2022/5/17
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