一种数据处理组件以及电子设备的制作方法

1.本技术属于电子技术领域，尤其涉及一种数据处理组件以及电子设备。


背景技术：

2.对于网络摄像机(ip camera)等包括高速数据处理器(cpu)的电子设备，在工作过程中会产生很强的干扰信号，干扰电子设备射频链路rx，造成射频链路rx的灵敏度、收包率直线下降。
3.目前，虽然可以通过改变走线方式在cpu及周边电路增加金属屏蔽罩来降低信号干扰。但对于一些结构相对复杂的电子设备，用此种方式难以从根本上解决cup工作时产生的干扰信号对其射频链路rx的影响。


技术实现要素：

4.为了解决上述技术问题，本技术实施例提供了一种数据处理组件以及电子设备，可以解决处理器工作时工作主频产生的干扰信号对射频链路rx的影响。
5.本技术实施例第一方面提供了一种数据处理组件，所述数据处理组件包括：
6.处理器；
7.第一屏蔽罩，覆盖所述处理器，用于屏蔽所述处理器产生的干扰信号；
8.其中，所述第一屏蔽罩由吸波材料制备。
9.在一个实施例中，所述吸波材料为hfc-a12000系列的磁性射频电磁波吸波材料。
10.在一个实施例中，所述第一屏蔽罩的厚度为0.1mm-0.5mm。
11.在一个实施例中，所述处理器的工作主频的频率范围为100mhz-6000mhz。
12.在一个实施例中，所述处理器为rts3916芯片。
13.在一个实施例中，所述数据处理组件还包括：第二屏蔽罩，所述第二屏蔽罩覆盖所述第一屏蔽罩。
14.在一个实施例中，所述第二屏蔽罩的材质为金属材料。
15.在一个实施例中，所述数据处理组件还包括与所述处理器连接的双倍速率同步动态随机存储器，所述第二屏蔽罩覆盖所述双倍速率同步动态随机存储器。
16.在一个实施例中，所述双倍速率同步动态随机存储器的工作频率的频率范围为1800mhz-2000mhz。
17.本技术实施例第二方面还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：如上述任一实施例所述的数据处理组件。
18.本技术通过在处理器(cpu)上覆盖由吸波材料制备而成的第一屏蔽罩，能够有效地解决处理器工作时工作主频产生的干扰信号对射频链路rx的影响。
附图说明
19.图1是本技术实施例提供的为处理器和存储器的位置未增加任何屏蔽罩时采集到
的干扰信号及其功率值的实验结果图；
20.图2是本技术实施例提供的为处理器和存储器的位置增加金属屏蔽罩时采集到的干扰信号及其功率值的实验结果图；
21.图3是本技术实施例提供的数据处理组件的第一结构示意图；
22.图4是本技术实施例提供的不同厚度的a12000系列的磁性射频电磁波吸波材料的反射损耗与信号频率的对应关系；
23.图5是本技术实施例提供的数据处理组件的第二结构示意图；
24.图6是本技术实施例提供的数据处理组件的第三结构示意图；
25.图7是本技术实施例提供的处理器和存储器的位置增加第一屏蔽罩以及第二屏蔽罩时采集到的干扰信号及其功率值的实验结果图。
具体实施方式
26.为了使本技术所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
27.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
28.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
29.此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
30.对于网络摄像机(ip camera)等包括高速数据处理器(cpu)的电子设备，其cpu工作主频高达800mhz，ddr_clk频率高达1866mhz，电子设备在工作过程中会产生很强的干扰信号，干扰电子设备射频链路rx，造成射频链路rx的灵敏度、收包率直线下降。
31.具体的，该干扰信号通常会通过cpu芯片本身的工作主频、ddr_clk频率及走线、电源供电回路、接地回路、空间等方式传导或辐射，干扰射频rx通讯回路，造成射频链路rx灵敏度收包率直线下降。
32.目前，虽然可以通过改变走线方式在cpu及周边电路增加金属屏蔽罩来降低信号干扰。但对于一些结构相对复杂的电子设备，用此种方式难以从根本上解决cup工作时产生的干扰信号对其射频链路rx的影响。
33.例如，如图1所示为处理器和存储器的位置未增加任何屏蔽罩时，用频谱分析仪近近场探头探测处理器和存储器的位置，采集到的干扰信号及其功率值，可以看出处理器和存储器的位置有一个很强的1866mhz、933mhz的射频信号的干扰信号。
34.并且，在验证wifi 2.4g rx灵敏度收包率测试时，802.11b/g/n不同模式、不同速
率下均出现了严重rx收包率不足，最差时wifi 2.4g rx 11g 6m 2412收包率不足30％(行业标准：802.11b rx收包率92％，802.11g/n收包率90％)。
35.如图2所示为处理器和存储器的位置增加金属屏蔽罩时，用频谱分析仪近场探头探测处理器和存储器的位置，采集到的干扰信号及其功率值，可以看出处理器和存储器的位置还是有一个很强的933mhz的射频信号的干扰信号，并且，1866mhz的射频信号的干扰信号的信号强度有所降低。即，金属屏蔽罩对1866mhz的干扰信号有一定的抑制作用，但是对933mhz的低频干扰信号的抑制效果差。
36.另外，在对wifi 2.4g rx灵敏度收包率进行测试时发现，尽管802.11b/g/n不同模式、不同速率下均有所改善，但wifi 2.4g rx还是存在收包率不足的问题，wifi 2.4g rx 11g 6m 2412收包率只有68％。
37.基于此，本技术实施例提供了一种数据处理组件，可以解决处理器工作时工作主频产生的干扰信号对射频链路rx的影响。
38.参见图3所示，数据处理组件30包括：处理器31、第一屏蔽罩32。第一屏蔽罩32，覆盖处理器31，用于屏蔽处理器产生的干扰信号；并且，第一屏蔽罩由吸波材料制备。
39.本技术实施例中，上述吸波材料是指能吸收或者大幅减弱其表面接收到的电磁波能量，从而减少电磁波的干扰的一类材料。
40.本技术通过在处理器(cpu)上覆盖由吸波材料制备而成的第一屏蔽罩，能够有效地解决处理器工作时工作主频产生的干扰信号对射频链路rx的影响。
41.可选的，上述吸波材料可以为hfc-a12000系列的磁性射频电磁波吸波材料。
42.具体的，hfc-a12000系列磁性射频电磁波吸波材料具有卓越的射频电磁辐射噪音吸收能力；良好的绝缘效果可直接粘贴于电子设备信号干扰源处，如，粘贴在上述处理器；具有抑制干扰信号带宽、使用灵活，易于生产操作等特点，有利于缩短项目研发周期、降低了项目研发成本等特点。
43.如图4所示，可以看出hfc-a12010、hfc-a12020、hfc-a12050这三种不同厚度的hfc-a12000系列的磁性射频电磁波吸波材料的反射损耗各不相同。
44.在本技术的一些实施方式中，上述hfc-a12000系列的磁性射频电磁波吸波材料的厚度可以为0.1mm-0.5mm。
45.例如，上述a12000系列的磁性射频电磁波吸波材料的厚度可以为0.3mm，以达到较佳的屏蔽效果。
46.在本技术的一些实施方式中，上述处理器可以为工作频率的频率范围为100mhz-6000mhz的处理器。
47.例如，上述处理器可以为rts3916芯片的处理器。实验证明，在该处理器上覆盖上述由吸波材料制备而成的第一屏蔽罩，能够有效地解决处理器工作时工作主频产生的干扰信号对射频链路rx的影响。
48.在本技术的一些实施方式中，如图5所示，上述数据处理组件还可以包括：第二屏蔽罩33，第二屏蔽罩33覆盖第一屏蔽罩32。
49.在本技术的一些实施方式中，上述第二屏蔽罩的材质为金属材料。
50.也就是说，本技术可以在不改变电子设备原有结构的基础上，通过在原有的金属屏蔽罩和处理器之间增加上述第一屏蔽罩，即，在处理器上覆盖上述第一屏蔽罩，即可有效
地解决处理器工作时工作主频产生的干扰信号对射频链路rx的影响。
51.在本技术的一些实施方式中，上述第二屏蔽罩的材质可以为金、银或铅。
52.在本技术的一些实施方式中，数据处理组件还可以包括与处理器连接的双倍速率同步动态随机存储器，第二屏蔽罩覆盖双倍速率同步动态随机存储器。
53.在本技术的一些实施方式中，上述双倍速率同步动态随机存储器的工作频率的频率范围为1800mhz-2000mhz。例如，上述双倍速率同步动态随机存储器为sdram ddr3 m15t2g16128a芯片。
54.具体的，如图1和图2所示，可以看出金属屏蔽罩对1866mhz的干扰信号的抑制作用较为明显，因而，利用第二屏蔽罩覆盖双倍速率同步动态随机存储器可以实现对双倍速率同步动态随机存储器产生的干扰信号起到更好的抑制作用。
55.需要说明的是，在本技术的一些实施方式中，上述双倍速率同步动态随机存储器还可以先被上述第一屏蔽罩覆盖，然后在第一屏蔽罩的上方覆盖上述第二屏蔽罩。
56.例如，如图6所示，在实际应用中，双倍速率同步动态随机存储器31为sdram ddr3 m15t2g16128a芯片，处理器34为rts3916芯片，二者可以并排设置，先同时被第一屏蔽罩32，如，同时被18mm*30mm*0.3mm的hfc-a12000系列的磁性射频电磁波吸波材料覆盖，再在第一屏蔽罩32的基础上覆盖第二屏蔽罩33。
57.如图7所示，在处理器和存储器的位置覆盖0.3mm的第一屏蔽罩之后，再覆盖第二屏蔽罩时，利用同步频谱分析仪近场探头探测第二屏蔽罩附近的干扰信号时发现，其功率值明显下降，并且，在实验验证过程中，发现wifi 2.4g rx灵敏度收包率在802.11b/g/n任何模式、任何速率下均符合wifi 2.4g rx灵敏度收包率规范。wifi 2.4g rx灵敏度也由原来的-84dbm(802.11g 6m 2412)提高到-87dbm,即，wifi rx灵敏度提高了3dbm。
58.本技术实施例中，在不改变原有设计前提下，在cpu rts3916与sdram ddr3m15t2g16128a芯片金属屏蔽罩(第二屏蔽罩)下方增加18mm*30mm*0.3mm的hfc-a12000系列的磁性射频电磁波吸波材料，有效的解决了ip camera等电子设备的cpu与ddr芯片工作产生的干扰信号对射频链路rx的影响，大大缩短了项目的设计研发周期。
59.本技术实施例还提供了一种电子设备，所述电子设备包括：如上述任一实施例所述的数据处理组件。
60.本技术实施例提供了一种数据处理组件以及电子设备，数据处理组件包括处理器；覆盖处理器的第一屏蔽罩，用于屏蔽处理器产生的干扰信号；其中，第一屏蔽罩由吸波材料制备，能够有效地解决处理器工作时工作主频产生的干扰信号对射频链路rx的影响。
61.以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。