基板处理装置和基板处理方法与流程

基板处理装置和基板处理方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2020年10月28日提交韩国专利局的申请号为10-2020-0141436的韩国专利申请的权益，该专利申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
3.本文中描述的本发明构思的实施方案涉及一种基板处理装置和基板处理方法，并且涉及一种用于超出物理对中缓冲器(physical centering buffer)的基板容纳范围的、在手部中的未对准基板的基板处理装置和基板处理方法。


背景技术：

4.为了制造半导体设备，执行各种工艺，例如沉积工艺、照相工艺、蚀刻工艺和清洁工艺。执行这些工艺中的一些工艺的装置具有多个腔室。在一个腔室中执行了对基板的工艺之后，基板被传送到另一个腔室。
5.根据一示例，执行照相工艺的基板处理装置包括各种腔室，例如将诸如光刻胶的光敏液体施用到基板的施用腔室、在施用光敏液体之前或之后加热或冷却基板的烘烤腔室、以及曝光基板边缘区域的边缘曝光腔室。基板以预设顺序传送到这些腔室。
6.基板应当放置在腔室中支承基板的单元上的预定规则位置(predetermined regular location)。当在基板未放置在规则位置的状态下执行工艺时，很可能发生工艺缺陷。例如，当在基板未对准的状态下执行处理基板边缘区域的工艺时，特定的化学品或冲洗溶液会无意中影响基板的中心，并因此工艺产出的质量不能满足标准。在某些情况下，暴露于化学品或冲洗溶液的基板的中心和边缘可能会损坏。
7.因此，当在偏离传送单元上的规则位置的情况下传送基板时、或者当基板偏离在腔室中支承基板的单元上的规则位置时，基板应当被对准。
8.一般而言，当基板的位置超出传感器读取范围或单元容纳范围(unit accommodation range)时，基板在能够物理对中的对中缓冲单元中在传感器读取范围(sensor reading range)内被对准。在这种情况下，对中缓冲单元的容纳范围应当超出手部中的基板移动范围。
9.当基板的未对准位置(misalignment location)超出对中缓冲单元的容纳范围时，传送单元停止，并且基板应当人工地(由使用者)移动到中心位置。
10.图1是示出了当处于偏离容纳范围的状态下的基板在对中缓冲单元中被对准时的问题的视图，而图2是示出了当增加容纳范围以解决图1的问题时的问题的视图。


技术实现要素：

11.本发明构思的实施方案提供一种即使当基板的未对准位置超出对中缓冲单元的容纳范围时也能够有效地对准基板的基板处理装置和基板处理方法。
12.此外，本发明构思的实施方案提供一种能够减少对准所需时间并提高基板对准精
度的基板处理装置和基板处理方法。
13.本发明构思的方面不限于此，并且本领域技术人员可以从以下描述清楚地理解本发明构思的其他未提及方面。
14.根据一实施方案，一种基板处理方法包括：测量基板的对准状态，该基板放置在传送单元的手部上，该传送单元传送基板；当基板的对准状态有问题时，通过传送单元将基板传送到基板对准单元；以及通过基板对准单元对准基板的位置，其中，该基板处理方法还包括：当在对准状态的测量中测量到基板的对准状态超出传感器读取范围时，在基板装载到基板对准单元之前临时校正基板的位置。
15.此外，位置的临时校正可以包括：使用对准状态的测量的测量值来确定基板的未对准方向性(misalignment directionality)；以及将手部的位置在与基板的未对准方向(misalignment direction)相反的方向上以预设间隔偏移。
16.此外，预设间隔可以对应于传感器的读取范围，该传感器安装在手部中并测量基板的对准状态。
17.此外，在对准状态的测量中，安装在手部中的四个传感器可以检测基板上的四个端部位置。
18.此外，传感器可以朝向放置在手部中的基板发射光，并且使用检测到的光的面积来测量基板的未对准程度。
19.此外，在未对准方向性的确定中，可以通过四个传感器中超出传感器读取范围的非检测传感器来识别基板的未对准方向。
20.根据一实施方案，一种基板处理装置包括：基板对准单元，其对准基板；传送单元，其具有手部和位置传感器，基板放置在该手部上，位置传感器测量手部上的基板的位置，并且该传送单元将基板传送到基板对准单元；以及教导单元(teaching unit)，其设定传送位置，在传送位置处，基板由传送单元传送到基板对准单元上，其中，教导单元使用位置传感器测量放置在手部上的基板的位置未对准，并且当基板的对准状态超出位置传感器的传感器读取范围时，在放置于手部上的基板落座在基板对准单元上之前校正手部的传送位置。
21.此外，教导单元可以使用位置传感器的测量值确定基板的未对准方向性。
22.此外，在教导单元中，安装在手部中的四个位置传感器可以检测基板上的四个端部位置。
23.此外，教导单元可以通过四个位置传感器中超出传感器读取范围的非检测位置传感器来识别基板的未对准方向。
24.此外，教导单元可以将手部的传送位置在与基板的未对准方向相反的方向上以预设间隔偏移。
25.此外，预设间隔可以对应于位置传感器的读取范围。
26.此外，基板对准单元可以包括：支承板；以及多个对准销，其耦合到支承板的上表面并对准基板的位置。
27.此外，对准销可以具有倾斜部，该倾斜部具有截面朝向下侧变宽的锥或截锥的形状。
28.根据一实施方案，一种使用基板处理设施(substrate treating equipment)处理基板的基板处理方法，该基板处理设施包括：传送腔室，在该传送腔室中设置有传送基板的
传送机械手；多个工艺腔室，该多个工艺腔室设置在传送腔室的侧部处，并且在该多个工艺腔室中处理基板；以及基板对准单元，该基板对准单元设置在传送腔室的侧部处，所述基板处理方法包括：测量放置在传送机械手部的手部上的基板的对准状态；以及当基板的对准状态有问题时，通过由传送机械手部将基板传送到基板对准单元来对准基板，其中，该基板处理方法包括：当在对准状态的测量中基板的对准状态超出基板对准单元的基板容纳范围时，在基板装载在基板对准单元上之前临时校正基板的位置。
29.此外，基板的位置的临时校正可以包括使用安装在手部中的位置传感器的测量值来确定基板的未对准方向性，并且其中未对准方向性的确定可以包括通过位置传感器中超出传感器读取范围的非检测位置传感器来识别基板的未对准方向。
30.此外，基板的位置的临时校正还可以包括将手部的位置在与基板的未对准方向相反的方向上以预设间隔偏移。
31.此外，预设间隔可以对应于传感器的读取范围，该传感器安装在手部中并测量基板的对准状态。
32.此外，在对准状态的测量中，安装在手部中的四个传感器可以检测基板上的四个端部位置。
33.此外，传感器可以朝向放置在手部中的基板发射光，并且使用检测到的光的面积来测量基板的未对准程度。
附图说明
34.从参考以下附图的以下描述中，上述和其他目的及特征将变得显而易见，其中，除非另有说明，否则在各个附图中相同的附图标记指代相同的部件，并且其中：
35.图1是示出了当处于偏离容纳范围的状态下的基板在对中缓冲单元中被对准时的问题的视图；
36.图2是示出了当增加容纳范围以解决图1的问题时的问题的视图；
37.图3是示出了当从顶部观察时根据本发明构思的一个实施方案的基板处理设施的视图；
38.图4是沿图3的设施的线a-a截取的视图；
39.图5是沿图3的设施的线b-b截取的视图；
40.图6是沿图3的设施的线c-c截取的视图；
41.图7a至图7b是图3的施用与显影模块中设置的对准设备的截面视图；
42.图8是示出了安装位置检测构件的手部的视图；
43.图9是用于描述位置检测构件的视图；
44.图10是示出了位置检测构件的传感器读取范围的视图；
45.图11和图12是示出了手部上的基板的未对准的视图；
46.图13是示出了通过位置检测构件中偏离传感器读取范围的非检测传感器识别的基板的未对准方向的图表；
47.图14a至图14c是示出了各种类型的基板对准设备的视图；以及
48.图15是示出了用于教导手部上的基板的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
49.在下文中，将参考附图详细描述本发明构思的示例性实施方案，使得本发明构思所属领域的技术人员可以容易地实现本发明构思。然而，本发明构思可以以各种不同的形式来实施，并且不限于本文中描述的实施方案。此外，在本发明构思的实施方案的描述中，当相关的已知功能或配置使本发明构思的本质不必要地不清楚时，将省略对这些相关的已知功能或配置的详细描述。此外，贯穿附图，执行类似功能和操作的部件使用相同的附图标记。
[0050]“包括”某些元件的表述可能意味着可以进一步包括另一元件而不排除其他元件，除非有特别矛盾的描述。具体地，术语“包括”和“具有”用于指定存在说明书中描述的特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合，并且可以理解为可以添加一个或多个其他特征、数字、步骤、操作、元件、部件或其组合。
[0051]
除非上下文中另有明确说明，否则单数表达包括复数表达。此外，在附图中，为了更清楚地描述，元件的形状和尺寸可能被夸大。
[0052]
本实施方案的设施可以用于在例如半导体晶片或平板显示面板等基板上执行光刻工艺。特别地，本实施方案的设施可以连接至曝光设备以在基板上执行施用工艺和显影工艺。在下文中，将以使用晶片作为基板的情况为例进行描述。
[0053]
图3至图6是示出了根据本发明构思的一个实施方案的基板处理设施的示意图。图3是示出了当从顶部观察时根据本发明构思的一个实施方案的基板处理设施的视图，图4是沿图3的设施的线a-a截取的视图，图5是沿图3的设施的线b-b截取的视图，以及图6是沿图3的设施的线c-c截取的视图。
[0054]
参考图3至图6，基板处理设施1包括装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、施用与显影模块400、第二缓冲模块500、预曝光或后曝光处理模块600和接口模块700。
[0055]
在下文中，布置装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、施用与显影模块400、第二缓冲模块500、预曝光或后曝光处理模块600以及接口模块700的方向是指第一方向12，当从顶部观察时与第一方向12垂直的方向是指第二方向14，并且垂直于第一方向12和第二方向14的方向是指第三方向16。
[0056]
基板“w”在容纳于盒20中的情况下移动。在这种情况下，盒20具有可以从外部密封的结构。例如，在前侧上具有门的前开式晶圆盒(front open unified pod，foup)可以用作盒20。
[0057]
在下文中，将详细描述装载端口100、索引模块200、第一缓冲模块300、施用与显影模块400、第二缓冲模块500、预曝光或后曝光处理模块600和接口模块700。
[0058]
装载端口100具有安装台120，在该安装台上放置容纳基板“w”的盒20。安装台120设置为多个安装台120，并且安装台120在第二方向14上被对准。在图3中，设置四个安装台120。
[0059]
索引模块200在第一缓冲模块300与放置在装载端口100的安装台120上的盒20之间移动基板“w”。索引模块200具有框架210、索引机械手220和导轨230。框架210提供为具有空的内部的大致矩形平行四边形形状，并且设置在装载端口100与第一缓冲模块300之间。
[0060]
第一缓冲模块300具有框架310、第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却腔室350和第一缓冲机械手360。框架310提供为具有空的内部的大致矩形平行四边形形状，并且设置
在索引模块200和施用与显影模块400之间。第一缓冲器320、第二缓冲器330、冷却腔室350和第一缓冲机械手360位于框架310内。第一缓冲器320和第二缓冲器330临时存储多个基板“w”。第一缓冲机械手360在第一缓冲器320与第二缓冲器330之间移动基板“w”。冷却腔室350冷却基板“w”。
[0061]
施用与显影模块400在曝光工艺之前执行将光刻胶施用到基板“w”上的工艺，并在曝光工艺之后执行使基板“w”显影的工艺。施用与显影模块400具有大致矩形平行四边形形状。施用与显影模块400具有施用模块401和显影模块402。
[0062]
施用模块401和显影模块402布置成在层中彼此分隔开。根据一示例，施用模块401位于显影模块402的上方。
[0063]
施用模块401在刻胶施用工艺之前和之后执行将诸如光刻胶的光敏液体施用到基板“w”上的工艺以及加热或冷却基板“w”的热处理工艺。
[0064]
施用模块401具有刻胶施用腔室410、烘烤腔室420和传送腔室430。刻胶施用腔室410、烘烤腔室420和传送腔室430在第二方向14上依序布置。因此，刻胶施用腔室410和烘烤腔室420定位成在第二方向14上彼此间隔开，并且传送腔室430介于刻胶施用腔室与烘烤腔室之间。
[0065]
刻胶施用腔室410设置为多个刻胶施用腔室410，并且多个刻胶施用腔室410设置在第一方向12和第三方向16上。图中示出了设置六个刻胶施用腔室410的示例。
[0066]
烘烤腔室420热处理基板“w”。例如，烘烤腔室420执行在施用光刻胶之前将基板“w”加热至预定温度以从基板“w”的表面去除有机物或水分的预烘烤工艺、在光刻胶施用到基板“w”上之后执行的软烘烤工艺、以及在加热工艺之后冷却基板“w”的冷却工艺。
[0067]
传送腔室430定位成在第一方向12上与第一缓冲模块300的第一缓冲器320平行。
[0068]
显影模块402执行供应显影剂并去除部分光刻胶以获得基板“w”上的图案的显影工艺，以及在显影工艺之前和之后加热或冷却基板“w”的热处理工艺。显影模块402具有显影腔室460、烘烤腔室470和传送腔室480。显影腔室460、烘烤腔室470和传送腔室480在第二方向14上依序布置。
[0069]
显影腔室460具有相同的结构。然而，显影腔室460中使用的显影剂的类型可以彼此不同。显影腔室460去除基板“w”上的光刻胶的用光照射的区域。在这种情况下，保护膜的用光照射的区域被一起去除。根据选择性使用的光刻胶的类型，可以仅去除光刻胶区域和保护膜区域中没有用光照射的区域。
[0070]
显影模块402的烘烤腔室470热处理基板“w”。例如，烘烤腔室470在显影工艺之前执行加热基板“w”的后烘烤工艺、在显影工艺之后执行加热基板“w”的硬烘烤工艺、以及在烘烤工艺之后执行冷却经加热基板的冷却工艺等。
[0071]
第二缓冲模块500设置为通道，通过该通道在施用与显影模块400和预曝光或后曝光处理模块600之间传送基板“w”。此外，第二缓冲模块500在基板“w”上执行例如冷却工艺或边缘曝光工艺等预定工艺。第二缓冲模块500具有框架510、缓冲器520、第一冷却腔室530、第二冷却腔室540、边缘曝光腔室550和第二缓冲机械手560。
[0072]
当曝光设备执行浸没曝光工艺时，预曝光或后曝光处理模块600可以执行在浸没曝光期间施用保护膜的工艺，该保护膜保护施用到基板“w”的光刻胶膜。此外，预曝光或后曝光处理模块600可以在曝光之后执行清洁基板“w”的工艺。此外，当使用化学放大刻胶
(chemically amplified resist)执行施用工艺时，预曝光或后曝光处理模块600可以在曝光之后执行烘烤工艺。
[0073]
预曝光或后曝光处理模块600具有预处理模块601和后处理模块602。预处理模块601在曝光工艺之前执行处理基板“w”的工艺，并且后处理模块602在曝光工艺之后执行处理基板“w”的工艺。
[0074]
在预曝光或后曝光处理模块600中，预处理模块601和后处理模块602被设置为彼此完全分离。
[0075]
预处理模块601具有保护膜施用腔室610、烘烤腔室620和传送腔室630。保护膜施用腔室610、传送腔室630和烘烤腔室620在第二方向14上依序布置。
[0076]
因此，保护膜施用腔室610和烘烤腔室620定位成在第二方向14上彼此间隔开，并且传送腔室630介于保护膜施用腔室与烘烤腔室之间。设置多个保护膜施用腔室610，并且该多个保护膜施用腔室布置在第三方向16上以在其间形成层。
[0077]
保护膜施用腔室610可以可选地设置在第一方向12或第三方向16上。设置多个烘烤腔室620，并且该多个烘烤腔室布置在第三方向16上以在其间形成层。多个烘烤腔室620可以可选地设置在第一方向12或第三方向16上。
[0078]
后处理模块602具有清洁腔室660、后曝光烘烤腔室670和传送腔室680。清洁腔室660、传送腔室680和后曝光烘烤腔室670在第二方向14上依序布置。
[0079]
因此，清洁腔室660和后曝光烘烤腔室670被定位成在第二方向14上彼此间隔开，并且传送腔室680介于清洁腔室与后曝光烘烤腔室之间。可以设置多个清洁腔室660，并且该多个清洁腔室可以布置在第三方向16上以在其间形成层。
[0080]
多个清洁腔室660可以可选地设置在第一方向12或第三方向16上。可以设置多个后曝光烘烤腔室670，并且该多个后曝光烘烤腔室可以布置在第三方向16上以在其间形成层。多个后曝光烘烤腔室670可以可选地设置在第一方向12或第三方向16上。
[0081]
接口模块700在预曝光或后曝光处理模块600之间移动基板“w”。接口模块700具有框架710、第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740。第一缓冲器720、第二缓冲器730和接口机械手740位于框架710内部。
[0082]
第一缓冲器720和第二缓冲器730彼此隔开预定距离，并且布置为彼此堆叠。第一缓冲器720设置为高于第二缓冲器730。第一缓冲器720位于与预处理模块601对应的高度处，并且第二缓冲器730位于与后处理模块602对应的高度处。当从顶部观察时，第一缓冲器720在第一方向12上相对于预处理模块601的传送腔室630被对准，并且第二缓冲器730在第一方向12上相对于后处理模块602的传送腔室680被对准。
[0083]
本发明构思的一个实施方案涉及一种基板对准设备800，其设置在如上配置的设施中，并提供给施用与显影模块400。
[0084]
如图7a和图7b所示，基板对准设备800包括腔室810、支承板820和引导单元830。
[0085]
腔室810具有开口，基板“w”通过该开口引入或排出。腔室810可以被提供给施用模块401和显影模块402中的每一个。支承板820设置在腔室810内部。
[0086]
引导单元830安装在支承板820上。引导单元830设置为多个引导单元830。引导单元830彼此结合以提供放置基板“w”的空间。引导单元830包括对准销831和固定主体832。对准销831将基板“w”对准在规则位置处。固定主体832具有支承表面832a，该支承表面支承处
于对准状态的基板“w”的边缘区域。固定主体832固定地耦合至支承板820。
[0087]
对准销831包括倾斜部831a和主体部831b。倾斜部831a设置为截面朝向下侧变宽的锥或截锥的形状。主体部831b从倾斜部831a向下延伸到固定主体832，并且具有设置为垂直于支承板820的侧部。主体部831b的高度h2小于基板“w”的厚度h1。根据一个示例，主体部831b的高度h2不小于基板“w”的厚度h1的一半。例如，主体部831b的高度h2可以是基板“w”的厚度h1的一半。
[0088]
固定主体832包括支承主体832b和支承轴832c。支承主体832b具有圆柱形状并且具有上表面，支承表面832a设置在该上表面上。支承轴832c从支承主体832b延伸，并且固定地耦合到支承板820。
[0089]
当基板“w”放置在引导单元830之间时，基板“w”在倾斜部831a上下降。
[0090]
基板“w”在如上配置的基板对准设备800、施用腔室410、烘烤腔室420和470、与显影腔室460之间的传送由设置在传送腔室430和480中的传送机械手900执行。
[0091]
传送机械手900设置在传送腔室430中。传送机械手900包括手部910和位置检测构件920。教导单元930对应于设置和控制传送机械手900的传送位置的控制器。
[0092]
手部910将基板“w”移动到工艺腔室或基板对准设备800。
[0093]
图8是示出了安装位置检测构件的手部的视图；图9是用于描述位置检测构件的视图；以及图10是示出了位置检测构件的传感器读取范围的视图。
[0094]
参考图8至图10，位置检测构件920设置在安装手部910的基部902中。位置检测构件920测量基板“w”的对准状态。教导单元930从位置检测构件920接收信号，并确定基板“w”的对准状态。当确定落座在手部910上的基板“w”的对准状态有问题时，教导单元930控制传送机械手900，使得基板“w”被传送到基板对准设备800。
[0095]
位置检测构件920检测由手部910保持的基板“w”上的端部位置。位置检测构件920安装在基部902中。位置检测构件920可以被提供为多个位置检测构件920。作为示例，可以在彼此面对的位置处设置四个位置检测构件920。在这种情况下，位置检测构件920可以检测基板“w”上的四个端部位置。作为示例，位置检测构件920可以被提供为激光位移传感器。如图10所示，四个位置检测构件920可以被定义为第一传感器920-1、第二传感器920-2、第三传感器920-3和第四传感器920-4。
[0096]
位置检测构件920朝向放置在手部910上的基板“w”发射光，并使用检测到的光的面积来测量基板“w”的未对准程度。作为示例，位置检测构件920可以包括光发射单元921和光接收单元922。
[0097]
光发射单元921照射光。由光发射单元921照射的光的光源可以被提供为激光。相反，光发射单元921的光源可以被提供为发光二极管(led)。
[0098]
光接收单元922接收由光发射单元921照射的光。光接收单元922可以根据接收到的光量来测量基板“w”的位置。作为示例，当没有基板“w”时由光发射单元921照射的光量被定义为参考值。此后，在基板“w”被手部910保持的状态下，当光由光发射单元921照射时，基板“w”的位置通过除了被基板“w”阻挡的光量之外的接收到的光量来测量。图9和图10中示出的范围a1显示出位置检测构件的传感器读取范围。例如，当基板“w”的尺寸为300mm时，位置检测构件920的读取范围可以是
±
4mm(pcd 308mm)。此外，手部910上的基板容纳范围可以是比传感器读取范围更宽的
±
6mm(pcd 312mm)。因此，基板“w”可以放置在手部910的偏
离传感器读取范围的位置处。
[0099]
当位置检测构件920被提供为激光位移传感器时，光接收单元922接收激光。与此不同，当光发射单元921照射led光时，光接收单元922可以被提供为线性图像传感器。作为示例，例如电荷耦合器件(ccd)线传感器、光纤线传感器和光电传感器等各种线性图像传感器可以被提供为线性图像传感器。
[0100]
图15是示出了用于教导手部上的基板的基板处理方法的流程图。参考图10至图15，教导单元930接收基板“w”上的四个端部位置，该四个端部位置由位置检测构件920检测。教导单元930使用基板“w”上的四个端部位置来检测基板“w”的中心和未对准程度。教导单元930使用检测到的基板“w”的中心来计算由手部910保持的基板“w”的位置偏差量，并且当传送基板“w”时，在计算出的位置偏差量的基础上传送基板“w”。
[0101]
教导单元930使用位置检测构件920来测量放置在手部910上的基板“w”的位置偏差，并且当基板“w”的对准状态超出传感器读取范围时，在放置于手部910上的基板“w”落座在基板对准单元上之前校正手部910的传送位置。
[0102]
教导单元930可以使用位置检测构件920的测量值来确定基板“w”的未对准方向性。例如，基板“w”的未对准方向可以通过四个位置检测构件中偏离传感器读取范围的非检测位置传感器来识别。
[0103]
参考图11，当第一传感器920-1和第四传感器920-4检测到基板“w”、而第二传感器920-2和第三传感器920-3未检测到基板“w”时，教导单元930可以确定基板“w”未对准，因为基板“w”在约12点钟方向(0
°
)上偏离传感器读取范围。作为参考，在第一传感器920-1和第四传感器920-4的情况下，可以接收到比在基板“w”位于规则位置处的状态下接收到的光量(50％)相对更小的光量，而在第二传感器920-2和第三传感器920-3的情况下，光接收单元922可以接收从光发射单元921发射的光的总量(100％)。
[0104]
参考图12，当第一传感器920-1、第三传感器920-3和第四传感器920-4检测到基板“w”、而第二传感器920-2未检测到基板“w”时，教导单元930可以确定基板“w”未对准，因为基板“w”在10点钟与11点钟之间的方向(315
°
)上偏离传感器读取范围。作为参考，在第四传感器920-4的情况下，可以接收到比在基板“w”位于规则位置处的状态下接收到的光量(例如，50％)相对更小的光量。相反，在第二传感器920-2的情况下，由于基板“w”偏离传感器读取范围，所以没有被基板“w”阻挡的光量，因此光接收单元922可以接收从光发射单元921发出的光的总量(100％)。
[0105]
图13是示出了通过位置检测构件中偏离传感器读取范围的非检测传感器识别的基板的未对准方向的图表。
[0106]
如图13所示，教导单元930使用位置检测构件920的测量值确定基板“w”的未对准方向性。
[0107]
以此方式，当基板“w”的未对准方向被确定时，教导单元930将手部910的位置在与基板的未对准方向相反的方向上以预设间隔偏移。这里，预设间隔(偏移移动距离)可以对应于安装在手部910中并测量基板“w”的对准状态的位置检测构件920的读取范围。例如，当位置检测构件920的读取范围为
±
4mm(pcd 308mm)时，手部910的位置在未对准方向上偏移4mm。(作为参考，手部910上的基板容纳范围比传感器读取范围宽
±
6mm(pcd312mm))
[0108]
当基板“w”在手部910偏移4mm的状态下放置在基板对准设备800上时，基板“w”可
以在基板对准设备800的容纳范围(该容纳范围等于传感器读取范围)内稳定地对准。此外，当基板“w”在手部910位于偏移前的初始位置的状态下从基板对准设备800带出时，基板“w”位于位置检测构件的读取范围内。
[0109]
如在图1中，当手部910通过教导单元930的偏移被省略时，由于基板“w”偏离了基板对准设备800的容纳范围，因此基板“w”不能被对准。为了在放置于手部上的基板“w”偏离传感器读取范围的状态下在基板对准设备800中对准基板“w”，对准销831的尺寸被设计为比图2中所示的大。然而，当对准销831的尺寸增加时，基板对准设备800的尺寸(高度)也增加，这不利于堆叠结构。
[0110]
图14a至图14c是示出了各种类型的基板对准设备的视图。
[0111]
图14a示出了具有三棱锥形状的一般对准销，而图14b示出了具有锥形状的对准销。此外，图14c示出了一般支承销。在图14c的情况下，在通过手部910的偏移操作临时校正基板“w”的状态下将基板“w”放置在支承销839上之后，手部910在偏移操作之前的位置处再次拾取基板“w”。因此，由于手部910上的基板“w”位于传感器读取范围内，因此可以使用一般教导方法传送基板“w”。
[0112]
在上文中，已经详细描述了基板对准设备、基板处理装置和基板处理方法。然而，本发明构思不限于上述实施方案，并且可以应用于处理基板“w”的所有设备。特别地，包括在本发明构思的一个实施方案中的引导单元830可以应用于液体处理腔室，在该液体处理腔室中，液体被供应到基板“w”并且基板“w”被处理；以及应用于烘烤腔室，在该烘烤腔室中，基板“w”被加热。
[0113]
根据本发明构思的一个实施方案，即使当基板的未对准位置超出对中缓冲单元的容纳范围时，基板也可以有效地对准。
[0114]
本发明构思的效果不限于上述效果，并且本发明构思所属领域的技术人员能够从说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
[0115]
虽然已经参考实施方案描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下可以进行各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案并非限制性的，而是说明性的。