半导体结构及半导体结构的形成方法与流程

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；位于衬底上的栅极结构和第一介质层，所述第一介质层位于所述栅极结构顶部和侧壁；位于第一介质层内的第一开口，所述第一开口包括第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区在衬底上具有第一投影，所述第二区在衬底上具有第二投影，所述第一投影的面积小于第二投影的面积，且所述第一投影在第二投影的范围内，所述第一开口暴露出衬底表面，且所述第一开口位于相邻栅极结构之间；位于第二区侧壁的阻挡层，所述阻挡层的材料与所述第一介质层的材料不同；位于第一开口内的第一导电结构，所述阻挡层位于第一导电结构侧壁；位于第一介质层内的第二导电结构，所述第二导电结构位于所述栅极结构上，所述阻挡层位于第一导电结构和第二导电结构之间。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述阻挡层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一导电结构包括衬垫层和位于衬垫层上的导电层；所述衬垫层的材料包括钛、钽、氮化钛或氮化钽；所述导电层的材料包括金属，所述金属包括钴。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二导电结构衬垫层和位于衬垫层上的导电层；所述衬垫层的材料包括钛、钽、氮化钛或氮化钽；所述导电层的材料包括金属，所述金属包括钴。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于第一介质层上和第一导电结构上的第二介质层；所述第二导电结构位于第一介质层内和第二介质层内。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于栅极结构两侧的衬底内的源漏掺杂区；所述第一介质层位于源漏掺杂区上；所述第一导电结构位于源漏掺杂区上。7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在衬底上形成若干栅极结构和第一介质层，所述第一介质层位于所述栅极结构顶部和侧壁；在第一介质层内形成第一开口，所述第一开口暴露出衬底表面，所述第一开口包括第一区和位于第一区上的第二区，所述第一区在衬底上具有第一投影，所述第二区在衬底上具有第二投影，所述第一投影的面积小于第二投影的面积，且所述第一投影在第二投影的范围内；在所述第二区侧壁形成阻挡层，所述阻挡层的材料与所述第一介质层的材料不同；形成阻挡层之后，在所述第一开口内形成第一导电结构；在第一介质层内形成第二导电结构，所述第二导电结构位于所述栅极结构上，所述阻挡层位于第一导电结构和第二导电结构之间。8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一开口的形成方法包括：在第一介质层内形成初始第一开口，所述初始第一开口包括第一区和位于第一区上
的初始第二区，所述初始第一开口暴露出衬底表面，且所述初始第一开口位于相邻栅极结构之间；去除初始第二区侧壁的部分第一介质层，形成所述第一开口。9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除初始第二区侧壁的部分第一介质层的方法包括：在第一区内形成牺牲层；以所述牺牲层为掩膜，对暴露出的初始第二区侧壁的部分第一介质层进行刻蚀，形成所述第二区。10.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除初始第二区侧壁的部分第一介质层的工艺包括干法刻蚀工艺。11.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法包括：在所述初始第一开口内形成初始牺牲层；回刻蚀所述初始牺牲层，直至暴露出初始第二区侧壁，在第一区内形成所述牺牲层。12.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括有机材料；所述有机材料包括无定形碳。13.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第二区侧壁形成阻挡层的方法包括：在第二区侧壁表面和底部表面形成阻挡材料层；回刻蚀所述阻挡材料层，直至暴露出所述牺牲层表面，在所述第二区侧壁形成阻挡层。14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述阻挡材料层的工艺包括原子层沉积工艺。15.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成阻挡层之后，形成第一导电结构之前，还包括：去除所述牺牲层。16.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括介电材料，所述介电材料包括氮化硅、碳化硅、碳氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮碳化硅和氮碳氧化硅中的一种或多种的组合。17.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成第一导电结构之后，形成第二导电结构之前，还包括：在第一介质层上和第一导电结构上形成第二介质层；所述第二导电结构位于第一介质层内和第二介质层内。18.如权利要求17所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构的形成方法包括：在第二介质层上形成掩膜层，所述掩膜层暴露出栅极结构上的部分第二介质层表面；以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述第二介质层和第一介质层，直至暴露出栅极结构顶部表面，在第一介质层内和第二介质层内形成第二开口，所述第二开口侧壁暴露出所述阻挡层侧壁表面；在所述第二开口内形成第二导电结构。19.如权利要求18所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，刻蚀所述第二介质层和第一介质层的工艺包括干法刻蚀工艺。20.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一导电结构包括衬垫层和位于衬垫层上的导电层；所述衬垫层的材料包括钛、钽、氮化钛或氮化钽；所述导电层的材料包括金属，所述金属包括钴。21.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二导电结构包括衬垫层和位于衬垫层上的导电层；所述衬垫层的材料包括钛、钽、氮化钛或氮化钽；所述导电层的材料包括金属，所述金属包括钴。22.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在栅极结构两侧
的衬底内形成源漏掺杂区；所述第一介质层位于源漏掺杂区上；所述第一导电结构位于源漏掺杂区上。

技术总结
一种半导体结构及形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构和第一介质层，第一介质层位于栅极结构顶部和侧壁；位于第一介质层内的第一开口，第一开口包括第一区和位于第一区上的第二区，第一区在衬底上具有第一投影，第二区在衬底上具有第二投影，第一投影的面积小于第二投影的面积，且第一投影在第二投影的范围内，第一开口暴露出衬底表面；位于第二区侧壁的阻挡层，阻挡层的材料与第一介质层的材料不同；位于第一开口内的第一导电结构，阻挡层位于第一导电结构侧壁；位于第一介质层内的第二导电结构，第二导电结构位于栅极结构上，阻挡层位于第一导电结构和第二导电结构之间。所述半导体结构的性能得到提升。所述半导体结构的性能得到提升。所述半导体结构的性能得到提升。


技术研发人员：于海龙 荆学珍 张浩 郑春生
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2020.10.26
技术公布日：2022/5/16