纳米银线保护层结构及其制备方法与流程

1.本发明涉及一种纳米银线保护层结构，尤指一种纳米银线保护层仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域的纳米银线保护层结构。本发明也涉及一种上述纳米银线保护层结构的制备方法。


背景技术：

2.传统的纳米银线保护层结构及其制备方法如图1所示。传统的纳米银线保护层结构10于基材11上设置图形化的纳米银线(sliver nanowire,snw)层12之后，于纳米银线层12上设置的纳米银线保护层13覆盖基材11上的全部区域。
3.纳米银保护层主要功能为保护纳米银线层，避免纳米银线层因光氧化而失效，造成其导电度不佳的问题。
4.然而，传统的纳米银线保护层结构的纳米银线保护层成分中的抗光氧化剂会吸收蓝光与紫光，且纳米银线保护层覆盖基材上的全部区域，使得传统的纳米银线保护层结构整体有明显偏黄的现象。


技术实现要素：

5.为改善现有技术的纳米银线保护层结构整体明显偏黄的问题，本发明提供新颖的纳米银线保护层结构及其制备方法。
6.为达上述目的及其他目的，本发明提供一种纳米银线保护层结构，包含：
7.基材；
8.纳米银线层，其设置于该基材之上，仅覆盖该基材表面的部分区域，其中该纳米银线层包含：
9.多个纳米银线通道；以及
10.纳米银线保护层，其设置于该纳米银线层之上，仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂。
11.上述的纳米银线保护层结构，其中，该纳米银线保护层的覆盖面积可占该基材表面的6％至60％。
12.上述的纳米银线保护层结构，其中，该纳米银线保护层的宽度可介于2μm至1mm之间。
13.上述的纳米银线保护层结构，其中，该纳米银线保护层的厚度可介于10nm至2000nm之间。
14.上述的纳米银线保护层结构，其中，该多个纳米银线通道可成波浪状。
15.上述的纳米银线保护层结构，其中，该纳米银线层可进一步包含：
16.多个纳米银线假体，其设置于该多个纳米银线通道之间。
17.上述的纳米银线保护层结构，其中，可进一步包含：
18.多个导线，其设置于该纳米银线层与该基材之间。
19.上述的纳米银线保护层结构，其中，可进一步包含：
20.覆盖层，其设置于该纳米银线保护层之上。
21.上述的纳米银线保护层结构，其中，可进一步包含：
22.第二纳米银线保护层结构，其设置于该纳米银线保护层结构之下，该第二纳米银线保护层结构包含：
23.第二基材；
24.第二纳米银线层，其设置于该第二基材之上，仅覆盖该第二基材表面的部分区域，其中该第二纳米银线层包含：
25.多个第二纳米银线通道；
26.第二纳米银线保护层，其设置于该第二纳米银线层之上，仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂；以及
27.第二覆盖层，其设置于该第二纳米银线保护层之上。
28.上述的纳米银线保护层结构，其中，可进一步包含：
29.第二纳米银线层，其设置于该基材之下，仅覆盖该基材表面的部分区域，其中该第二纳米银线层包含：
30.多个第二纳米银线通道；
31.第二纳米银线保护层，其设置于该第二纳米银线层之下，仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂；以及
32.第二覆盖层，其设置于该第二纳米银线保护层之下。
33.为达上述目的及其他目的，本发明也提供一种纳米银线保护层结构的制备方法，包含：
34.提供基材；
35.于该基材上方设置纳米银线层，其仅覆盖该基材表面的部分区域，其中该纳米银线层包含：
36.多个纳米银线通道；以及
37.于该纳米银线层上方设置纳米银线保护层，其仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂。
38.上述的制备方法，其中，该纳米银线保护层的覆盖面积可占该基材表面的6％至60％。
39.上述的制备方法，其中，该纳米银线保护层的宽度可介于2μm至1mm之间。
40.上述的制备方法，其中，该纳米银线保护层的厚度可介于10nm至2000nm之间。
41.上述的制备方法，其中，该多个纳米银线通道可成波浪状。
42.上述的制备方法，其中，该纳米银线层可进一步包含：
43.多个纳米银线假体，其设置于该多个纳米银线通道之间。
44.上述的制备方法，其中，可进一步包含：
45.于该基材上方设置多个导线，其设置于该纳米银线层与该基材之间。
46.上述的制备方法，其中，可进一步包含：
47.于该纳米银线保护层上方设置覆盖层。
48.上述的制备方法，其中，可进一步包含：
49.于该基材之下设置第二基材；
50.于该第二基材上方设置第二纳米银线层，其设置于该基材之下，仅覆盖该第二基材表面的部分区域，其中该第二纳米银线层包含：
51.多个第二纳米银线通道；
52.于该第二基材上方设置第二纳米银线保护层，其设置于该第二纳米银线层之上且位于该基材之下，仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂；以及
53.于该第二纳米银线保护层之上设置第二覆盖层，其位于该基材之下。
54.上述的制备方法，其中，可进一步包含：
55.于该基材下方设置第二纳米银线层，其仅覆盖该基材表面的部分区域，其中该第二纳米银线层包含：
56.多个第二纳米银线通道；
57.于该第二纳米银线层下方设置第二纳米银线保护层，其仅覆盖对应该多个第二纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂；以及
58.于该第二纳米银线保护层下方设置第二覆盖层。
59.本发明的纳米银线保护层结构及其制备方法可有效改善现有技术的纳米银线保护层结构整体明显偏黄的问题。本发明的纳米银线保护层结构及其制备方法可提升应用其的触控感测器的光学性能。
附图说明
60.图1是现有技术的纳米银线保护层结构。
61.图2是实施例1的纳米银线保护层结构的示意图。
62.图3是实施例1的纳米银线保护层结构沿a-a截线的剖面示意图。
63.图4是实施例1的纳米银线保护层结构沿b-b截线的剖面示意图。
64.图5是实施例1的纳米银线保护层结构的制备方法的流程图。
65.图6是实施例2的纳米银线保护层结构的示意图。
66.图7是实施例2的纳米银线保护层结构沿a-a截线的剖面示意图。
67.图8是实施例2的纳米银线保护层结构沿b-b截线的剖面示意图。
68.图9是实施例3的纳米银线保护层结构的示意图。
69.图10是实施例3的纳米银线保护层结构的上部结构的制备流程的示意图。
70.图11是实施例3的纳米银线保护层结构的下部结构的制备流程的示意图。
71.图12是实施例4的纳米银线保护层结构及其制备流程的示意图。
72.附图标记说明：
73.10
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纳米银线保护层结构
74.11
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基材
75.12
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纳米银线层
76.13
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纳米银线保护层
77.20
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纳米银线保护层结构
78.21
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基材
79.22
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纳米银线层
80.23
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纳米银线保护层
81.30
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纳米银线保护层结构
82.31
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基材
83.32
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纳米银线层
84.321
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纳米银线通道
85.322
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纳米银线假体
86.33
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纳米银线保护层
87.40
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纳米银线保护层结构
88.41
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基材
89.41'
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第二基材
90.42
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纳米银线层
91.42'
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第二纳米银线层
92.421
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纳米银线通道
93.421' 第二纳米银线通道
94.422
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纳米银线假体
95.422' 第二纳米银线假体
96.43
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纳米银线保护层
97.43'
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第二纳米银线保护层
98.45
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导线
99.45'
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第二导线
100.46
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覆盖层
101.46'
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覆盖层
102.50
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纳米银线保护层结构
103.51
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基材
104.52
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纳米银线层
105.52'
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第二纳米银线层
106.521
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纳米银线通道
107.521' 第二纳米银线通道
108.522
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纳米银线假体
109.522' 第二纳米银线假体
110.53
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纳米银线保护层
111.53'
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第二纳米银线保护层
112.55
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导线
113.55'
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第二导线
114.56
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覆盖层
115.56'
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覆盖层
116.s1
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步骤
117.s2
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步骤
118.s3
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步骤
119.a-a
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截面
120.b-b
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截面
具体实施方式
121.以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容了解本发明的其他优点与功效。本发明也可借由其他不同的具体实施例加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在不背离本发明的精神下进行各种修饰与变更。
122.除非文中另有说明，否则说明书及所附权利要求书中所使用的单数形式“一”及“该”包括复数含义。
123.除非文中另有说明，否则说明书及所附权利要求书中所使用的术语“或”包括“和/或”的含义。
124.本文中所述的“节距(pitch)”是指纳米银线通道的中心轴线与相邻的另一纳米银线通道的中心轴线之间的最短距离。
125.实施例1
126.如图2至图4所示，实施例1的纳米银线保护层结构20包含：基材21(图2中未示)；纳米银线层22，其设置于基材21之上，仅覆盖基材21表面的部分区域，其中纳米银线层22包含：多个纳米银线通道221；以及纳米银线保护层23，其设置于纳米银线层22之上，仅覆盖对应多个纳米银线通道221的区域，且含有抗光氧化剂。
127.实施例1的纳米银线保护层结构可借由如图5所示的制备方法制备。如图5所示实施例1的纳米银线保护层结构的制备方法包含：提供基材s1；于该基材上方设置纳米银线层，其仅覆盖该基材表面的部分区域，其中该纳米银线层包含：多个纳米银线通道s2；以及于该纳米银线层上方设置纳米银线保护层，其仅覆盖对应该多个纳米银线通道的区域，且含有抗光氧化剂s3。
128.相较于现有技术，实施例1的纳米银线保护层结构及其制备方法中，纳米银线保护层仅覆盖对应多个纳米银线通道的区域，借此可减少纳米银线保护层的覆盖面积，进而有效改善现有技术的纳米银线保护层结构整体明显偏黄的问题，同时仍能有效地防止纳米银线通道因光氧化而失效，造成其导电度不佳。
129.实施例1的纳米银线保护层结构及其制备方法中，纳米银线保护层的覆盖面积并未特别限定，于一较佳实施方式中，纳米银线保护层的覆盖面积占基材表面的6％至60％。
130.实施例1的纳米银线保护层结构及其制备方法中，纳米银线保护层的宽度并未特别限定，于一较佳实施方式中，纳米银线保护层的宽度介于2μm至1mm之间。
131.实施例1的纳米银线保护层结构及其制备方法中，纳米银线保护层的厚度并未特别限定，于一较佳实施方式中，纳米银线保护层的厚度介于10nm至2000nm之间。
132.实施例2
133.如图6至图8所示，实施例2的纳米银线保护层结构30包含：基材31(图6中未示)；纳米银线层32，其设置于基材31之上，仅覆盖基材31表面的部分区域，其中纳米银线层32包含：多个纳米银线通道321；以及纳米银线保护层33，其设置于纳米银线层32之上，仅覆盖对应多个纳米银线通道321的区域，且含有抗光氧化剂。
134.相较于实施例1，实施例2的纳米银线保护层结构30中的多个纳米银线通道成波浪状。
135.相较于实施例1，实施例2的纳米银线保护层结构30进一步包含：多个纳米银线假体322，其设置于多个纳米银线通道之间321。
136.实施例2的纳米银线保护层结构借由多个波浪状的纳米银线通道以及多个纳米银线假体可避免应用该纳米银线保护层的触控感测器产生摩尔纹(moir
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pattern)，进而提升该触控感测器的光学性质。
137.实施例3
138.如图9至图11所示，实施例3的纳米银线保护层结构40包含：基材41；纳米银线层42，其设置于基材41之上，仅覆盖基材41表面的部分区域，其中纳米银线层42包含：多个纳米银线通道421(图9中未示)；及多个纳米银线假体422(图9中未示)，其设置于多个纳米银线通道421之间；以及纳米银线保护层43，其设置于纳米银线层42之上，仅覆盖对应多个纳米银线通道421的区域，且含有抗光氧化剂。
139.相较于实施例2，实施例3的纳米银线保护层结构40进一步包含：多个导线45，其设置于纳米银线层42与基材41之间，但本发明并不限于此。
140.相较于实施例2，实施例3的纳米银线保护层结构40进一步包含：覆盖层46，其设置于纳米银线保护层43之上，但本发明并不限于此。
141.相较于实施例2，实施例3的纳米银线保护层结构40进一步包含：第二基材41'，其设置于基材41之下；第二纳米银线层42'，其设置于第二基材41'之上且位于基材41之下，仅覆盖第二基材41'表面的部分区域，其中第二纳米银线层42'包含：多个第二纳米银线通道421'；及多个第二纳米银线假体422'；第二纳米银线保护层43'，其设置于第二纳米银线层42'之上且位于基材41之下，仅覆盖对应多个第二纳米银线通道421'的区域，且含有抗光氧化剂；多个第二导线45'，其设置于第二纳米银线层42'与第二基材41'之间；以及第二覆盖层46'，其设置于第二纳米银线保护层42'之上且位于基材41'之下。
142.实施例3的纳米银线保护层结构的制备流程可如图9至图11所示。其中，如图10所示，纳米银线保护层结构的上部结构可借由下列步骤制备：提供基材41；于基材41上方设置多个导线45，其设置于多个纳米银线通道421与基材41之间；于基材41上方设置纳米银线层42，其仅覆盖基材41表面的部分区域，其中纳米银线层42包含：多个纳米银线通道421；及多个纳米银线假体422，其设置于多个纳米银线通道421之间；以及应用柔版印刷技术，于纳米银线层42上方设置纳米银线保护层43，其仅覆盖对应多个纳米银线通道421的区域，且含有抗光氧化剂；以及于纳米银线保护层43上方设置覆盖层46。
143.如图11所示，纳米银线保护层结构的下部结构可借由下列步骤制备：提供第二基材41'；于第二基材41'上方设置多个第二导线45'，其设置于多个第二纳米银线通道421'与第二基材41'之间；于第二基材41'上方设置第二纳米银线层42'，其仅覆盖第二基材41'表面的部分区域，其中第二纳米银线层42'包含：多个第二纳米银线通道421'；及多个第二纳米银线假体422'，其设置于多个第二纳米银线通道421'之间；以及应用柔版印刷技术，于第二纳米银线层42'上方设置第二纳米银线保护层43'，其仅覆盖对应多个第二纳米银线通道421'的区域，且含有抗光氧化剂；以及于第二纳米银线保护层43'上方设置第二覆盖层46'。
144.最后，将如图10所示的纳米银线保护层结构的上部结构与如图11所示的纳米银线
保护层结构的下部结构叠合，即可制得实施例3的纳米银线保护层结构。
145.实施例3的纳米银线保护层结构的纳米银线保护层及第二纳米银线保护层是由柔版印刷技术制备的，但本发明并不限于此，也可使用凹版印刷技术制备纳米银线保护层及第二纳米银线保护层。
146.实施例3的纳米银线保护层结构的上部结构及下部结构中的纳米银线通道及第二纳米银线通道呈90
°
交错，使上部结构及下部结构可分别作为触控感测器的tx层与rx层。
147.实施例4
148.如图12所示，实施例4的纳米银线保护层结构50包含：基材51；纳米银线层52，其设置于基材51之上，仅覆盖基材51表面的部分区域，其中纳米银线层52包含：多个纳米银线通道521；及多个纳米银线假体522，其设置于多个纳米银线通道521之间；纳米银线保护层53，其设置于纳米银线层52之上，仅覆盖对应多个纳米银线通道521的区域，且含有抗光氧化剂；多个导线55，其设置于纳米银线层52与基材51之间；以及覆盖层56，其设置于纳米银线保护层53之上。
149.实施例4的纳米银线保护层结构50进一步包含：第二纳米银线层52'，其设置于基材51之下，仅覆盖基材51表面的部分区域，其中第二纳米银线层52'包含：多个第二纳米银线通道521'；及多个第二纳米银线假体522'，其设置于多个第二纳米银线通道521'之间；第二纳米银线保护层53'，其设置于第二纳米银线层52'之下，仅覆盖对应多个第二纳米银线通道521'的区域，且含有抗光氧化剂；多个第二导线55'，其设置于第二纳米银线层52'与基材51之间；以及第二覆盖层56'，其设置于第二纳米银线保护层53'之下。
150.比较例1
151.比较例1是尚未设置纳米银线保护层的纳米银线结构，其仅包含：基材；以及纳米银线层，其设置于基材之上，仅覆盖基材表面的部分区域，其中纳米银线层包含：多个纳米银线通道；及多个纳米银线假体，其设置于多个纳米银线通道之间。比较例1的基材及纳米银线层与实施例2相同，其差别仅在于比较例1的纳米银线结构并未包含纳米银线保护层。
152.比较例2
153.比较例2的纳米银线保护层结构大致上与实施例2的纳米银线保护层结构相同，其差别仅在于在比较例1的纳米银线保护层结构中，纳米银线保护层覆盖基材表面的全部区域。
154.测试例
155.为了解本发明的纳米银线保护层结构在改善现有技术的纳米银线保护层结构整体明显偏黄的问题的方面的功效，分别取实施例2、比较例1及比较例2的纳米银线保护层结构或纳米银线结构，测试其光学性质。
156.实施例2、比较例1及比较例2的纳米银线保护层结构或纳米银线结构具有相同的基材及纳米银线层，其差异仅在于：实施例2的纳米银线保护层仅覆盖对应多个纳米银线通道的区域；比较例1并未包含纳米银线保护层；以及比较例2的纳米银线保护层覆盖基材表面的全部区域。
157.具体而言，实施例2、比较例1及比较例2的纳米银线保护层结构或纳米银线结构中的基材的尺寸为15cm
×
15cm。实施例2、比较例1及比较例2的纳米银线保护层结构或纳米银线结构中的纳米银线通道的节距(pitch)为5.26mm；宽度为0.1823mm；纳米银线通道占该基
材表面的10.4％；纳米银线层中的纳米银线的浓度为0.07wt％。实施例2及比较例2的纳米银线保护层结构中的纳米银线保护层的厚度为90nm。
158.本别针对实施例2、比较例1及比较例2的纳米银线保护层结构或纳米银线结构进行二次重复测试，并计算其平均值，其测试结果如下列表1所示：
159.表1
[0160][0161][0162]
表1中的b*值可作为纳米银线保护层结构黄化的指标。相较于比较例2，本发明实施例2的纳米银线保护层具有较低的b*值，由此可见，本发明的纳米银线保护层结构及其制备方法可有效改善现有技术的纳米银线保护层结构整体明显偏黄的问题。
[0163]
上述实施例仅例示性说明本发明，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范围下，对上述实施例进行修饰与改变。因此，本发明的权利保护范围，应如后述的权利要求书所界定的内容为准。