一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法和设备与流程

技术特征：
1.一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法的方法，其特征在于，晶体硅片10在碱腐蚀反应槽60内的高温液体40的液面90上方被传输滚轮30水平传输；所述的晶体硅片10的上表面80上有碱溶液20；所述的高温液体40，或者所述的高温液体40与其它辅助加热装置一起，把所述的晶体硅片10以及在所述的晶体硅片10上表面80上所述的碱溶液20加热到并维持在碱腐蚀反应温度，使所述的碱溶液20与所述的晶体硅片10的上表面80发生碱腐蚀反应。2.根据权利要求1所述的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法，其特征在于，在碱腐蚀反应槽60内，晶体硅片10下方的高温液体40的液面90不接触晶体硅片10的下表面70，或者，高温液体40的液面90接触晶体硅片10的下表面70。3.根据权利要求1或2所述的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法，其特征在于，所述的高温液体40是沸点高于所述的反应温度的液体；所述的高温液体40温度在40度到120度之间；优化的所述的高温液体40是水。4.根据权利要求3所述的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法，其特征在于，在所述的高温液体40中有提高水沸点的各种化合物，或者有降低水挥发的各种化合物，或者是稳定加热液体ph的各种酸性化合物。5.根据权利要求1所述的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法，其特征在于，所述的碱溶液20可以在所述的晶体硅片10在进入所述的碱腐蚀反应槽60之前被涂布在晶体硅片10的上表面80；或者，所述碱溶液20可以在晶体硅片10在进入碱腐蚀反应槽60内后被涂布在所述的晶体硅片10的上表面80；在碱腐蚀反应槽60内，晶体硅片10上表面80被多次添加碱溶液20；所述的碱溶液20在被涂布到所述的晶体硅片10的上表面80前的温度范围在室温到120度之间。6.根据权利要求1所述的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法，其特征在于，所述的碱溶液20氢氧化钠溶液，或者氢氧化钾溶液，或者是四甲基氢氧化铵溶液；所述的碱溶液腐蚀反应是碱溶液腐蚀抛光反应，或者是碱溶液腐蚀制备绒面的反应，或者是碱溶液腐蚀清洗反应；所述的碱溶液20的浓度在0.5%～40%质量比之间；所述的碱溶液20腐蚀晶体硅片上表面的反应温度在40～110度之间；所述的碱溶液腐蚀晶体硅片上表面的反应时间为10秒～5分钟。7.根据权利要求1所述的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法，其特征在于，在所述的碱溶液20中含有添加剂，或者在所述的晶体硅片10的上表面有添加剂；在晶体硅片10的下表面涂有特殊功能的化合物。8.一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的设备，其特征在于，所述的设备至少包括一个碱腐蚀反应单元130；在所述的碱腐蚀反应单元130内，晶体硅片10的上表面与碱溶液20发生碱腐蚀反应；所述的碱腐蚀反应单元130的工作温度为40到120度；所述的碱腐蚀单元130至少包括：1). 一个碱腐蚀反应槽60，用于使碱溶液20与晶体硅片10的上表面80发生碱腐蚀反应2). 在所述的碱腐蚀反应槽60内有高温液体40，用于加热晶体硅片10和碱溶液20；3). 有二个以上的转动滚轮30，用于水平传输晶体硅片10；4). 至少一个加热器，用于加热高温液体40，晶体硅片10和碱溶液20。9.根据权利要求8所述的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的设备，其特征在于，所述
的一种水平连续碱溶液腐蚀晶体硅片上表面的设备除了包括以上所述的碱腐蚀反应单元130外，还包括以下单元：1). 至少一个晶体硅片导入单元；2). 至少一个碱溶液涂布单元，用于把碱溶液20涂布在晶体硅片10的上表面；3). 至少一个水洗单元，用于清洗晶体硅片10表面；4). 至少一个酸洗单元，用于清洗硅片10表面的金属杂质；5). 至少一个干燥单元，用于干燥晶体硅片10。10.根据权利要求8所述的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的设备，其特征在于，所述的加热器直接加热在碱腐蚀反应槽60内的高温液体40；或者，所述的加热器在循环槽内加热高温液体40，然后再由循环泵从循环槽输送到碱腐蚀反应槽；或者，所述的加热器直接加热晶体硅片和碱溶液；所述的加热器是红外加热器，或者是电阻加热器，或者是电磁感应加热器。

技术总结
本发明的一种水平连续腐蚀晶体硅片上表面的方法和设备在需要被碱溶液腐蚀的晶体硅片的上表面涂布一层碱溶液，使碱溶液在晶体硅片上表面形成一层碱溶液膜。在碱腐蚀反应单元内，该晶体硅片和碱溶液膜被加热到反应温度，使在晶体硅片上表面的碱溶液与晶体硅上表面发生碱腐蚀反应，并保持该反应温度至晶体硅片被传输至离开该碱腐蚀反应单元。被传输至离开该碱腐蚀反应单元。被传输至离开该碱腐蚀反应单元。


技术研发人员：季静佳 黄勇 覃榆森
受保护的技术使用者：苏州易益新能源科技有限公司
技术研发日：2020.10.26
技术公布日：2022/5/16