晶片研磨装置及晶片研磨方法与流程

1.本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种晶片研磨装置及晶片研磨方法。


背景技术：

2.在现有的晶片研磨的过程中，为提高晶片的研磨效率，通常需要晶片在多个不同粗糙程度的研磨台上进行研磨。具体的，在将晶片从一个研磨台上移动至另一个研磨台上时，通常需要通过机械手下降抓取研磨台上的晶片，然后带动晶片上升，再带动晶片移动至另一研磨台的上方，之后再下降将晶片放置在研磨台上进行研磨。
3.但是采用该方法，在将晶片从一个研磨台上移动至另一个研磨台上时，需要机械手上升和下降才能够实现晶片的移动，如此延长的晶片的研磨时间，降低晶片的研磨效率。


技术实现要素：

4.为解决上述问题，本发明提供的晶片研磨装置及晶片研磨方法，通过限定研磨台的相对位置关系，能够通过移动轨道和平移驱动件带动晶片从一研磨台平移至另一研磨台，从而减少晶片转换研磨台所需要的时间。
5.第一方面，本发明提供一种晶片研磨装置，包括：移动轨道、平移驱动件、至少两个研磨台和至少一个载件；
6.所述至少两个研磨台相邻设置，所述至少两个研磨台用于对晶片进行研磨，不同研磨台的研磨面的粗糙程度不同；
7.所述至少一个载件与所述移动轨道滑移连接，所述平移驱动件与所述至少一个载件固定连接，所述平移驱动件用于驱动所述至少一个载件沿所述移动轨道移动；
8.所述至少一个载件用于在所述平移驱动件的驱动下，平移所述晶片，以使晶片从一研磨台上平移至另一研磨台上进行研磨。
9.可选地，所述至少两个研磨台的研磨面在同一水平内；或
10.所述至少两个研磨台的研磨面高度差不大于1mm。
11.可选地，相邻的研磨台的间隙不大于1mm。
12.可选地，所述至少两个研磨台的上方均设置有喷嘴；
13.所述喷嘴用于向相应的研磨台上喷洒研磨液，且不同研磨台所对应的喷头喷洒的研磨液的颗粒特性不同。
14.可选地，所述至少两个研磨台的旋转方向相同。
15.可选地，所述晶片研磨装置还包括：旋转驱动件；
16.所述旋转驱动件与所述移动轨道滑移连接，所述旋转驱动件的输出轴与相应的载件固定连接，所述旋转驱动件用于驱动所述载件带动晶片旋转。
17.可选地，所述旋转驱动件驱动晶片转动的方向与研磨台转动的方向相同。
18.可选地，所述移动轨道固定设置与所述至少两个研磨台的上方。
19.可选地，所述平移驱动件用于在研磨台对晶片进行研磨时，驱动所述至少一个载
件沿预定方向在所述移动轨道上移动；
20.所述至少两个研磨台沿所述预定方向设置，且沿所述预定方向的研磨台上的研磨面的粗糙程度逐级减小。
21.第二方面，本发明提供一种晶片研磨方法，包括：
22.提供晶片研磨装置，所述晶片研磨装置包括：移动轨道、平移驱动件、至少两个研磨台和至少一个载件；所述至少两个研磨台相邻设置，所述至少两个研磨台用于对晶片进行研磨，不同研磨台的研磨面的粗糙程度不同；所述至少一个载件与所述移动轨道滑移连接，所述平移驱动件与所述至少一个载件固定连接，所述平移驱动件用于驱动所述至少一个载件沿所述移动轨道移动；所述至少一个载件用于在所述平移驱动件的驱动下，平移所述晶片，以使晶片从一研磨台上平移至另一研磨台上进行研磨；
23.通过所述载件将晶片移动至一研磨台上进行研磨；
24.通过所述平移驱动件带动晶片向另一研磨台平移。
25.本发明实施例提供的晶片研磨装置及晶片研磨方法，通过限定研磨台的相对位置关系，能够通过移动轨道和平移驱动件带动晶片从一研磨台平移至另一研磨台，无需载件带动晶片上下移动，从而减少了晶片转换研磨台所需要的时间，进而提高了晶片的研磨效率。
附图说明
26.图1、图2和图3均为本技术一实施例的晶片研磨装置在工作状态下的结构图。
27.附图标记
28.1、移动轨道；2、平移驱动件；3、旋转驱动件；4、研磨台；41、研磨垫；5、载件；6、晶片；7、喷嘴。
具体实施方式
29.为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
30.第一方面，本发明提供一种晶片研磨装置，结合图1，晶片研磨装置包括：移动轨道1、平移驱动件2、旋转驱动件3、两个研磨台4和至少一个载件5。
31.其中，两个研磨台4相邻设置；所述两个研磨台4的研磨面在同一水平内，或所述两个研磨台4的研磨面高度差不大于1mm；相邻的研磨台4的间隙不大于1mm；所述两个研磨台4用于对晶片6进行研磨，不同研磨台4的研磨面的粗糙程度不同；在晶片6研磨的过程中，所述两个研磨台4的旋转方向相同。在本实施例中，所述两个研磨台4的研磨面在同一水平内；研磨台4的旋转方向为相对于水平面的逆时针方向；所述载件5为研磨头，且在所述载件5吸附晶片6时，吸附的晶片6位于载件5的下方，且吸附的晶片6的研磨面与两个研磨台4的研磨面平行；在晶片6研磨的过程中载件还用于对晶片6施加向下的压力，以保证晶片的研磨效果。
32.所述移动轨道1固定设置与所述两个研磨台4的上方。所述旋转驱动件3与所述移
动轨道1滑移连接；所述旋转驱动件3的输出轴竖直朝下并与相应的载件5固定连接，所述旋转驱动件3用于驱动所述载件5带动晶片6旋转，在本实施例中，所述旋转驱动件3驱动晶片6转动的方向与研磨台4转动的方向相同；所述至少一个载件5通过旋转驱动件3与所述移动轨道1滑移连接，所述平移驱动件2通过所述旋转驱动件3与所述至少一个载件5固定连接，所述平移驱动件2用于驱动所述至少一个载件5沿所述移动轨道1移动；所述至少一个载件5用于在所述平移驱动件2的驱动下，平移所述晶片6，以使晶片6在研磨的过程中从一研磨台4上平移至另一研磨台4上进行研磨。
33.具体的，在所述载件5数量为一个的情况下，所述平移驱动件2可为电动推杆等直线驱动机构。在所述载件5的数量为多个的情况下，所述平移驱动件2可为链条驱动机构等环形驱动机构，如此可以带动多个载件5做环形移动，从而既能够同时对多个晶片6进行研磨，又能够使得晶片6多次进行研磨。在本实施例中，平移驱动件2以电动推杆为例。
34.该晶片研磨装置通过限定研磨台4的相对位置关系，能够通过移动轨道1和平移驱动件2带动晶片6从一研磨台4平移至另一研磨台4，无需载件5带动晶片6上下移动，从而减少了晶片6转换研磨台4所需要的时间，进而提高了晶片6的研磨效率。
35.进一步的，所述至少两个研磨台4的上方均设置有喷嘴7；所述喷嘴7用于向相应的研磨台4上喷洒研磨液，且不同研磨台4所对应的喷头喷洒的研磨液的颗粒特性不同。在本实施例中，所述研磨台4的顶部固定设置有研磨垫41；所述平移驱动件2用于在研磨台4对晶片6进行研磨时，驱动载件5沿从左至右的方向在所述移动轨道1上移动；两个研磨台4沿从左至右的方向设置，且位于左侧的研磨台4上的研磨垫41的粗糙程度大于位于右侧的研磨台4上的研磨垫41的粗糙程度。相应的喷嘴7喷洒的研磨液的颗粒特性也随研磨垫41的粗糙程度的减小而减小，其中，研磨液的颗粒特性包括研磨液中颗粒的大小。如此能够实现边对晶片6进行研磨，边向另一个粗糙程度更小的研磨台4平移，以进行第二道研磨工序。
36.第二方面，本发明提供一种晶片研磨方法，包括：提供上述的晶片研磨装置；通过所述载件5将晶片6移动至一研磨台4上进行研磨；通过所述平移驱动件2带动晶片6向另一研磨台4平移。
37.该晶片研磨方法通过使用本发明中的晶片研磨装置，能够通过限定研磨台4的相对位置关系，进而能够通过移动轨道1和平移驱动件2带动晶片6从一研磨台4平移至另一研磨台4，无需载件5带动晶片6上下移动，从而减少了晶片6转换研磨台4所需要的时间，提高了晶片6的研磨效率。
38.以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。