显示装置的制作方法

1.本技术涉及电子技术领域，具体涉及一种显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的发展，在显示装置实现良好显示的同时，简化显示装置的成型工艺，提高显示装置的生产效率，成为需要解决的技术问题。


技术实现要素：

3.本技术提供了一种简化成型工艺，提高生产效率的显示装置。
4.本技术实施例提供的一种显示装置，包括至少一个第一子像素单元，所述第一子像素单元包括第一基底、设于所述第一基底上的第一像素控制部和第一发光部；所述第一像素控制部包括第一透明区和设置有控制电路的第一功能区；所述第一透明区内设置有色彩转化层，所述第一发光部设置于所述色彩转化层背向所述第一基底的一侧；所述第一功能区的控制电路与所述第一发光部电连接。
5.本技术实施例提供的显示装置，通过设置第一子像素单元的第一像素控制部包括第一透明区和第一功能区，及设置第一发光部与第一功能区的控制电路电连接，且第一发光部的发光面朝向第一透明区，第一发光部发射的光线经设于第一透明区的色彩转化层进行颜色转换后形成彩色，进而实现显示装置的显示功能；通过在第一像素控制部上设置第一透明区，将色彩转化层设于第一透明区，以在制作第一像素控制部的制程中制作色彩转化层，以便于形成图案化的色彩转化层，简化成型工艺，提高显示装置的制作效率及产品良率。
附图说明
6.为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
7.图1是本技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图；
8.图2是图1提供的电子设备中第一种像素单元的俯视图；
9.图3是图2提供的第一种第一像素子单元的剖面图；
10.图4是图2提供的第一种像素单元的剖面图；
11.图5是图3提供的第一种第一像素子单元的局部剖面图；
12.图6是图2提供的第二种像素单元的剖面图；
13.图7是图2提供的第二种第一像素子单元的剖面图；
14.图8是图2提供的第三种第一像素子单元的剖面图；
15.图9是图2提供的第三种像素单元的剖面图；
16.图10是图2提供的第四种像素单元的剖面图；
17.图11是图2提供的第五种像素单元的剖面图；
18.图12是图1提供的电子设备中第二种像素单元的俯视图；
19.图13是图1提供的电子设备中第三种像素单元的俯视图。
具体实施方式
20.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。本技术所列举的实施例之间可以适当的相互结合。在可能的情况下，附图中的各个部分提到的相同或相似的部分将采用相同的附图标记。
21.请参阅图1，本技术实施例提供了一种简化成型工艺，提高生产效率的显示装置100。该显示装置100包括但不限于为手机、台式电脑、平板电脑、电视、可穿戴设备、相机、车载显示装置、电子显示屏、投影仪、智能电视、广告显示屏、影院显示屏等显示产品。显示装置100包括显示屏，显示屏包括但不限于为柔性显示屏或硬质显示屏。
22.按照显示屏的发光原理分类，显示屏的发光包括但不限于有机发光、激光和量子点发光等。
23.随着量子点材料的研发和应用领域的拓宽，量子点膜在显示行业的应用成为了一项新的技术热点。近年来，量子点显示技术呈现出更高的分辨率、更宽的色域和更亮的饱和度等大大超越传统彩色滤光片技术的特性，因而在液晶显示装置100(liquid crystal display，lcd)、有机发光二极管(organic light-emitting diode，oled)、micro led(micro led技术指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的led阵列，如led显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，将像素点距离从毫米级降低至微米级)等显示装置100产业链中得到快速发展。
24.量子点膜显示应用的最新发展之一是量子点色彩转化技术(qdcc)，其基本原理是背光模组中的蓝光光源发出蓝光，蓝光经过量子点膜时，部分蓝光被量子点转换成绿光和红光，未被转换的蓝光和量子点发出的绿光、红光一起组成白光，成为显示装置100的光源。量子点尺寸连续可调，其光谱在红绿蓝三色的半峰宽非常窄，因此，显示装置100的单色色纯度非常高，色彩显示精准而且纯净。
25.量子点色彩转化层在显示装置100的制备工艺中需要进行图案化，实现方法有光刻工艺和喷墨打印工艺，各有其优点和缺点。光刻工艺可以实现小到5微米的图案，而喷墨打印能实现的最小图案为50微米。但喷墨打印工艺在材料利用方面更有效。量子点色彩转化层的实现需要与现有的制造设备和工艺过程兼容，而具有高稳定性的量子点光刻胶或墨水溶液还在研发和完善中，相应的应用工艺设计也亟待开发。
26.基于上述的问题，本技术提供了一种简化成型工艺，提高生产效率的显示装置100，可简化且有效地实现量子点色彩转化层的图案化。当然，本技术还可以用于其他具有色彩转化层的显示装置100，并不限于量子点色彩转化层。
27.为了便于描述，定义显示装置100的厚度方向为z轴方向，定义显示装置100的长度方向为y轴方向，定义显示装置100的宽度方向为x轴方向。
28.请参阅图1，显示装置100包括多个像素单元10。可选的，在x-y平面视角上，多个像素单元10呈多行多列的阵列排布。其中，行方向为x轴方向，列方向为y轴方向。每个像素单
元10包括多个子像素单元20。本技术对于一个像素单元10中的子像素单元20的数量不做具体的限定，其数量可以为3个、4个、5个等。本实施例中，一个像素单元10包括三个子像素单元20，这三个子像素单元20分别发射红光、绿光和蓝光，以形成全彩化的显示装置100。
29.请参阅图2，本技术实施例定义发射红光和绿光的子像素单元20分别为第一像素子单元1和第二像素子单元2。发射蓝光的子像素单元20定义为第三像素子单元3。本技术中，第一像素子单元1和第二像素子单元2的结构相同，仅仅在色彩转化层和/或滤光层的材质上有差异，所以将第一像素子单元1和第二像素子单元2分类为第一子像素单元。第三像素子单元3的结构与第一像素子单元1的结构不同，将第三像素子单元3分类为第二子像素单元。显示装置100包括至少一个第一子像素单元及至少一个第二子像素单元。本实施例中，显示装置100包括多个第一像素子单元1、多个第二像素子单元2和多个第三像素子单元3。
30.本技术实施例结合附图对于第一子像素单元1的结构进行说明。第二子像素单元2的所有结构可以参考第一子像素单元1的所有结构。第三子像素单元3无色彩转化层和滤光层，其他结构皆可参考第一子像素单元1的结构。
31.请参阅图3，在z轴方向上，第一子像素单元1包括第一基底11、第一像素控制部12和第一发光部13。
32.第一基底11的材质为透光材质。第一基底11的材料包括但不限于为透明聚酰亚胺、有机树脂、石英或玻璃等。可选的，第一基底11可为硬质基底或柔性基底。
33.请参阅图3，第一像素控制部12设于第一基底11上。在x-y方向上，第一像素控制部12包括互连为一体的第一透明区1201和第一功能区1202。第一功能区1202内设有控制电路。第一功能区1202的控制电路与第一发光部13电连接。第一功能区1202的控制电路用于控制第一发光部13发光。
34.可选的，第一功能区1202呈环状，第一功能区1202环绕于第一透明区1201设置。从截面图看，第一功能区1202设于第一透明区1201的两侧。
35.请参阅图3，第一透明区1201具有较高的透光率。第一透明区1201内设置有第一色彩转化层14。本实施例中，第一色彩转化层14为量子点材料。具体的，第一色彩转化层14为量子点光刻胶。相较于传统的彩色色阻，本实施例提供的第一色彩转化层14可呈现出更高的分辨率、更宽的色域和更亮的饱和度。另外，量子点材料具有较好的柔性，利于形成柔性显示屏。量子点第一色彩转化层14的运用提升了显示装置100的色域空间(color gamut)，而且因量子点发光频谱可按工艺所需进行调控并进而提高显示效率，更适合未来大尺寸柔性屏的工艺开发需求。
36.请参阅图3，第一发光部13设置于第一色彩转化层14背向第一基底11的一侧。换言之，第一发光部13设于第一透明区1201背离第一基底11的一侧。第一发光部13的发光面朝向第一色彩转化层14。第一色彩转化层14用于对第一发光部13发射的光线进行颜色转换。例如，第一发光部13发射的光为蓝光，第一色彩转化层14可将蓝光转化成红光或绿光。换言之，红光或绿光的彩色转换通过第一色彩转化层14实现。
37.本实施例中，请参阅图4，在相邻的三个子像素单元20中，第一像素子单元1的第一发光部13发射蓝光，第一色彩转化层14将蓝光转化为红光，红光经第一透明区1201、第一基底11射出。第二像素子单元2的第三发光部23发射蓝光，第二色彩转化层24将蓝光转化为绿
光，绿光经第三透明区2201、第三基底21射出。第三像素子单元3中，第二发光部33发射蓝光，蓝光经第二透明区3201、第二基底31射出。如此，从第一基底11所在侧可射出红、绿、蓝三原色光，进而形成彩色。
38.可以理解的，第一基底11所在侧为显示装置100的出光侧，显示装置100的出光方式也称为底部发光。
39.本实施例中，第一像素控制部12包括多种有机或无机层状结构，可通过光刻工艺在第一像素控制部12上形成凹槽结构，再在第一像素控制部12上形成第一色彩转化层14的材料层，可使第一色彩转化层14的材料层形成于第一像素控制部12的凹槽结构中，去除多余的第一色彩转化层14的材料层，即可成型图案化的第一色彩转化层14，以便于第一色彩转化层14的图案限定，还可将第一色彩转化层14的制程紧密融合于第一像素控制部12的制程中，从而简化第一色彩转化层14的图案化的工艺，提高显示装置100的制作效率及产品良率。
40.本技术实施例提供的显示装置100，通过设置第一像素子单元1的第一像素控制部12包括第一透明区1201和第一功能区1202，及设置第一发光部13与第一功能区1202的控制电路电连接，且第一发光部13的发光面朝向第一透明区1201，第一发光部13发射的光线经设于第一透明区1201的第一色彩转化层14进行颜色转换后形成彩色，进而实现显示装置100的显示功能；通过在第一像素控制部12上设置第一透明区1201，将第一色彩转化层14设于第一透明区1201，以在制作第一像素控制部12的制程中制作第一色彩转化层14，以便于形成图案化的第一色彩转化层14，相类似地，可便于形成图案化的第二色彩转化层24，提高显示装置100层结构的集成度，提高显示装置100的制作效率及产品良率。
41.换言之，量子点第一色彩转化层14的运用和工艺穿插在第一像素控制部12的制备过程中，简化了制作流程并提高了生产效率。
42.以下实施例结合附图对本技术提供的第一像素控制部12的具体结构进行举例说明。
43.第一像素控制部12的层结构包括控制电路及多层绝缘层。控制电路包括多层导电层。相邻的两个导电层之间设有绝缘层，以进行绝缘。
44.在一种可能的实施方式中，请参阅图5，第一像素控制部12的绝缘层结构至少包括依次设于第一基底11上的阻隔层121、底部绝缘层122、栅极绝缘层123、源漏极绝缘层124、钝化层125以及平坦层126。可以理解的，以上的层结构皆为绝缘层。
45.阻隔层121用于抑制湿气、氧气等往元件内部渗透。阻隔层121的材质包括但不限于为氧化硅层、氮化硅层或氧化硅层与氮化硅层等制成的多层堆叠结构。
46.底部绝缘层122的材质包括但不限于为氧化硅、氮化硅、氧化铝、氮氧化硅、五氧化二钽、或氧化镱的单层薄膜，或是由上述中的至少一种绝缘材料组成的多层薄膜。
47.栅极绝缘层123的材质包括但不限于为有机硅氧化合物、氮化硅、氧化硅以、氮氧化硅碳化硅、氧化铝、氧化铪形成的单层薄膜，或是由上述中的至少一种绝缘材料组成的多层薄膜。其中，栅极绝缘层123包括第一栅极绝缘层1231及第二栅极绝缘层1232。第一栅极绝缘层1231设于底部绝缘层122与第二栅极绝缘层1232之间。
48.源漏极绝缘层124的材质可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或单层无机材质例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质组合的多层结构，并不
限定。
49.钝化层125用于阻隔离子进入第一像素控制部12上的薄膜晶体管中，避免离子影响薄膜晶体管的电学性能，钝化层125的制备材料为无机绝缘材料，无机绝缘材料包括但不限于氮化硅、氧化硅、氮氧化硅以及氧化铝等。
50.阻隔层121、底部绝缘层122、栅极绝缘层123、源漏极绝缘层124及钝化层125的制备方法包括但不限于化学气相沉积(chemical vapor deposition，cvd)、等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition，pecvd)、热化学气相沉积(thermal chemical vapor deposition，tcvd)、原子层沉积(atom layer depositon，ald)等。
51.平坦化层(planarization layer，ln)用于平坦化第一像素控制部12的表面以改善显示面板的显示效果，平坦化层的制备材料为有机材料，通过旋转涂布(spin coating)或蒸镀(evaporation)的方式形成于钝化层125上。有机平坦化层的材料包括但不限于基乙烯基醚共聚物(pfa)。
52.可选的，阻隔层121、底部绝缘层122、栅极绝缘层123、源漏极绝缘层124、钝化层125以及平坦层126可完全覆盖第一基底11或以图案化形式设于第一基底11上。本技术实施例中，以阻隔层121、底部绝缘层122、第二栅极绝缘层1232、源漏极绝缘层124、钝化层125以及平坦层126完全覆盖第一基底11，第一栅极绝缘层1231为图案化层为例进行举例说明。换言之，第一像素控制部12的阻隔层121、底部绝缘层122、第二栅极绝缘层1232、源漏极绝缘层124、钝化层125以及平坦层126设于第一像素控制部12的第一功能区1202及第一透明区1201上。
53.请参阅图5，第一像素控制部12的控制电路设于第一功能区1202。第一像素控制部12的控制电路至少包括有源层127、栅极层128及源漏极层129。可以理解的，有源层127、栅极层128及源漏极层129可组成控制电路的薄膜晶体管。
54.本技术中的栅极层128可为顶栅结构、底栅结构及上下双层栅极结构或环栅极结构等。
55.本实施例中，有源层127设置于底部绝缘层122与第一栅极绝缘层1231之间。有源层127为图案化的结构。在图5中有源层127设于第一透明区1201的左侧。有源层127用于通过提供给栅极层128的栅极电压以在源极与漏极之间形成导电沟道。
56.有源层127也称为半导体层。有源层127的材料包括但不限于为氧化铟镓锌(igzo)、氧化锌(zno)、氧化铟锌(inzno)或氧化锌锡(znsno)中的一种或多种；或者为低温多晶硅材料或者多晶硅材料。有源层127例如由多晶硅(p-si)形成。例如可先形成非晶硅(a-si)层，之后再对非晶硅层进行激光照射以使非晶硅结晶转化成多晶硅。
57.栅极层128设置于第一栅极绝缘层1231背向有源层127一侧。第一栅极绝缘层1231完全覆盖栅极层128，第一栅极绝缘层1231用于使栅极层128与有源层127绝缘。在图5中的截面图中，栅极层128、第一栅极绝缘层1231在有源层127上的正投影皆设于有源层127所在的区域内，第二栅极绝缘层1232覆盖第一栅极绝缘层1231、部分的有源层127、部分的第一栅极绝缘层1231、栅极层128。
58.栅极层128可为单层结构或多层结构，栅极层128为单层结构的材质包括但不限于mo、mow、cr、al、al合金、mg、ni、w和au等。栅极层128为多层结构的材质包括但不限于为mo、
mow、cr、al、al合金、mg、ni、w和au的混合物，例如，两层钛膜夹一层铝膜、两层钼膜夹一层铝膜、两层氧化铟锡膜夹一层铝膜等叠层结构。
59.请参阅图5，源漏极绝缘层124设于第二栅极绝缘层1232背向有源层127的一侧。源漏极层129设置于源漏极绝缘层124背向有源层127一侧。源漏极层129包括源极1291和漏极1291。源极1291和漏极1291设置在源漏极绝缘层124上并且彼此分隔开。源极1291和漏极1291在垂直于第一基底11的方向上分别与有源层127的两端有部分重叠。源极1291经由穿过源漏极绝缘层124和第二栅极绝缘层1232的第一导电过孔连接到有源层127的其中一端，漏极1291经由穿过源漏极绝缘层124和第二栅极绝缘层1232的第二导电过孔连接到有源层127的另一端。源漏极层129可为单层或多层结构，源漏极层129的材质包括但不限于为mo、cr、al、mg、ti、nd、cu、ta、ni、w、au、ag及其合金构成集合中的至少一种形成，例如mo/al/mo组成的多层结构。
60.在制作薄膜晶体管时，还包括与栅极层128同步生成的扫描线(图未示)以及与源漏极层129同步生成的数据线(图未示)等。
61.进一步地，请参阅图5，第一像素控制部12还包括设置于底部绝缘层122与第一基底11之间的遮挡层130。遮挡层130的材质用于遮挡至少部分的有源层127、至少部分的栅极层128、至少部分的源漏极层129。
62.遮挡层130的材质包括但不限于黑色色阻、金属等。本实施方式中，遮挡层130的材质为金属。
63.进一步地，请参阅图5，第一像素控制部12还包括辅助栅极层133，辅助栅极层133电连接遮挡层130，以使遮挡层130成为底部栅极结构，提高薄膜晶体管的沟道有效面积。
64.请参阅图5，辅助栅极层133设于相邻的两层绝缘层之间。本实施例中，辅助栅极层133设于第二栅极绝缘层1232与源漏极绝缘层124之间，辅助栅极层133经穿过第二栅极绝缘层1232和底部绝缘层122的第三导电过孔132连接到遮挡层130的一端。
65.请参阅图5，钝化层125覆盖源漏极层129。平坦层126覆盖于钝化层125上。平坦层126包括依次层叠设置的第一平坦层1261及第二平坦层1262。第一平坦层1261覆盖钝化层125。
66.源漏极层129的一部分连接第一发光部13。具体的，第一发光部13可设于平坦层126内或平坦层126背离钝化层125的一侧。
67.可选的，第一发光部13包括但不限于为led、micro-led，mini-led等。本实施例中，第一发光部13为micro-led。
68.本实施例中，请参阅图5，第一发光部13设于第二平坦层1262远离第一平坦层1261的一侧，且第一发光部13的发光面正对第一透明区1201。第二平坦层1262上设有第一导电部134及第二导电部135，其中，第一导电部134及第二导电部135分别设于位于第一透明区1201的相对两侧的第一功能区1202。第一导电部134经穿过第一平坦层1261、第二平坦层1262及钝化层125的第四导电过孔电连接漏极1291。第一导电部134及第二导电部135可为金属焊盘。第一导电部134及第二导电部135的材质包括但不限于为共晶合金au-sn、in/sn/au或多种材料的混合材料等，也可以是ti/al/ti、cu等电极金属。
69.进一步地，请参见图示5的截面图，第一功能区1202的第一部分1203和第二部分1204分别设于第一透明区1201的两侧。源极1291、漏极1291、栅极、有源层127、遮挡层130皆
位于第一功能区1202的第一部分1203。
70.在一种可能的实施方式中，请参阅图5，源漏极层129还包括设于第一功能区1202的第二部分1204的第三导电部136。第三导电部136与源极1291、漏极1291位于同一层，且在同一制程中制得。第二导电部135经穿过第一平坦层1261、第二平坦层1262及钝化层125的第五导电过孔电连接第三导电部136。
71.在一种第一发光部13与控制电路的电连接的实施方式中，请结合图3及图5，第一发光部13的阴极13b和阳极13a皆位于第一发光部13朝向第一透明区1201的一侧。本实施例中，阳极13a和阴极13b分别电连接第一部分1203的控制电路及第二部分1204的控制电路。在其他实施方式中，阳极13a和阴极13b分别电连接第二部分1204的控制电路及第一部分1203的控制电路。
72.具体的，阳极13a电连接第一导电部134，阴极13b电连接第二导电部135。如此，源极1291、有源层127、漏极1291、第三导电过孔132、第一导电部134、第一发光部13、第二导电部135形成导通回路。薄膜晶体管可作为第一发光部13的开关控制件。当薄膜晶体管的源极1291与漏极1291导通时，第一发光部13通电且发光。当薄膜晶体管的源极1291与漏极1291断开时，第一发光部13不发光。
73.第一发光部13的阳极13a和阴极13b可以通过热粘合工艺与相匹配的导电部进行热粘合。导电部的材质为共晶合金au-sn。通过这种共晶键合工艺，可在键合金属上局部施加加热温度，从而有效地避免高温对量子点第一色彩转化层14的影响。
74.根据量子点第一色彩转化层14的热稳定性，第一发光部13的阳阴极13b与导电部之间也可以使用异方性导电胶膜(anisotropic conductive film，acf)粘结或其他低温粘结。
75.第一发光部13与设有薄膜晶体管的第一功能区1202相错开设置，换言之，薄膜晶体管不会对第一发光部13造成光线阻挡，增加子像素单元20的开口率，提高显示装置100的分辨率。
76.在一种可能的实施方式中，第一像素控制部12的第一透明区1201设有底部绝缘层122、第二栅极绝缘层1232、源漏极绝缘层124、钝化层125、平坦层126。底部绝缘层122、第二栅极绝缘层1232、源漏极绝缘层124、钝化层125、平坦层126皆为透明层，以使第一像素控制部12对应于第一透明区1201的部分为透明部分，其具有较高的透光率，进而提高对第一发光部13的透光率。
77.本技术对于第一色彩转化层14的位置和结构包括但不限于以下的实施方式。
78.第一色彩转化层14设于第一发光部13与第一基底11之间。可以理解的，第一基底11与第一发光部13之间设有阻隔层121、底部绝缘层122、栅极绝缘层123、源漏极绝缘层124、钝化层125、第一平坦层1261及第二平坦层1262。第一色彩转化层14可设于阻隔层121、底部绝缘层122、栅极绝缘层123、源漏极绝缘层124、钝化层125、第一平坦层1261及第二平坦层1262中的任意一层或多层。本实施例中，第一色彩转化层14设于第一平坦层1261。第一平坦层1261的材质为有机材料，通过涂布方式形成。对第一平坦层1261进行图案化，以在第一平坦层1261上形成凹槽，再在第一平坦层1261上设置第一色彩转化层14材料层，去除多余的第一色彩转化层14，以在第一平坦层1261的凹槽内形成第一色彩转化层14。第一平坦层1261可辅助完成量子点第一色彩转化层14的图案化。
79.本实施例中，第一色彩转化层14可以通过旋涂光刻或喷墨印刷的工艺实现。
80.进一步地，请参阅图3，第一色彩转化层14面向或者背向第一发光部13的一侧还设置有滤光层15。滤光层15用于过滤杂波，以使第一色彩转化层14射出的光线为色度更为纯净更为饱和的光线。本实施例中，滤光层15设于第一色彩转化层14与第一基底11之间。滤光层15的材质包括但不限于为光敏色阻。滤光层15的图案化通过旋涂和光刻工艺实现。
81.请参阅图3及图5，滤光层15及第一色彩转化层14设置在平坦层126。具体的，滤光层15和第一色彩转化层14皆设于第一平坦层1261。第一平坦层1261可辅助完成滤光层15和第一色彩转化层14的图案化。第二平坦层1262覆盖于第一平坦层1261及第一色彩转化层14上，以形成平坦化的表面。
82.在滤光层15及第一色彩转化层14图案化的过程中，可借助平坦层126进行构图，通过喷墨印刷和uv烘烤或旋涂以及使用光刻掩模进行uv曝光来对滤光层15及第一色彩转化层14进行图案化。
83.可选的，第一发光部13发射的光线为蓝光。第一像素子单元1的第一色彩转化层14为红色量子点第一色彩转化层14。红色量子点第一色彩转化层14将蓝光转换成红光。
84.在一种可能的滤光层15的实施方式中，请参阅图4，第一像素子单元1的滤光层15为红色滤光层151。红色滤光层151包括但不限于为红色光阻。该红色滤光层151用于过滤从红色量子点第一色彩转化层14射出的光线，以过滤未被转换的蓝光，进而射出纯净且饱和的红光。
85.在另一种可能的滤光层15的实施方式中，请参阅图6，第一像素子单元1的滤光层15为黄色滤光层152。黄色滤光层152由新型黄色材料(yellow material)制得，该黄色滤光层152用于过滤从红色量子点第一色彩转化层14射出的光线，以过滤未被转换的蓝光，阻止了蓝光的泄露，进而射出纯净且饱和的红光。黄色滤光层152可将红色和绿色两道滤光层15的工艺简化成一道光刻工艺完成。
86.以上为本技术提供的第一像素子单元1的结构的实施方式。对于第二像素子单元2而言，第二像素子单元2的结构与第一像素子单元1的结构大致相同，不同之处主要在于，第二像素子单元2的第一色彩转化层14为绿色量子点第一色彩转化层14。第二像素子单元2中的第一发光部13发射的蓝光经绿色量子点第一色彩转化层14后，转化成绿光。
87.在一种可能的滤光层15的实施方式中，请参阅图4，第二像素子单元2的滤光层15为绿色滤光层153。绿色滤光层153包括但不限于为绿色光阻。该绿色滤光层153用于过滤从绿色量子点第一色彩转化层14射出的光线，以过滤未被转换的蓝光，进而射出纯净且饱和的绿光。
88.在另一种可能的滤光层15的实施方式中，请参阅图6，第二像素子单元2的滤光层15为黄色滤光层152。该黄色滤光层152用于过滤从绿色量子点第一色彩转化层14射出的光线，以过滤未被转换的蓝光，进而射出纯净且饱和的绿光。
89.通过设置第二像素子单元2和第一像素子单元1的滤光层15皆为黄色滤光层152，可在同一制程中制得第一像素子单元1和第二像素子单元2的滤光层15，节省制程，也无需提供两种不同的滤光层15，只需制备一种滤光层15，节省滤光层15的材料成本。
90.进一步地，请参阅图3，平坦层126背向第一基底11一侧设置有封装层138。第一发光部13设于封装层138。封装层138用于封装第一发光部13，并使得第一发光部13等器件表
面平坦化并起到保护第一发光部13等器件的作用。
91.进一步地，请参阅图3，第一发光部13背向第一透明区1201的一侧设置有反射层16。具体的，反射层16的材质包括但不限于金属反射材质。反射层16用于反射第一发光部13发射的光线，以使第一发光部13发射的光线朝向第一基底11所在侧射出，从而弥补各种光损失，提高第一发光部13的出光效率。而且，反射层16还可以使得量子点第一色彩转化层14经过激发的光(各个朝向)能够被有效反射到图像显示侧。
92.可以理解的，反射层16可以为整层结构或图案化的局部结构。反射层16在z轴方向的正投影覆盖第一发光部13。
93.在另一种第一发光部13与控制电路的电连接的实施方式中，请参阅图5及图7，反射层16为金属反射层。第一发光部13的阴极13b和阳极13a分别位于不同侧。阴极13b和阳极13a中的一者背向第一透明区1201设置，另一者朝向第一透明区1201设置。阴极13b和阳极13a中的一者电连接金属反射层16。具体的，阳极13a朝向第一透明区1201设置，阴极13b背向第一透明区1201设置，阳极13a电连接第一导电部134，阴极13b电连接金属反射层16，以使源极1291、有源层127、漏极1291、第三导电过孔132、第一导电部134、第一发光部13、金属反射层16形成导通回路，使得反射层16既可以作为提高第一发光部13的出光效率的反射结构，还可以作为第一发光部13的电极，实现的一物多用，减少器件数量，节省成本。
94.本实施方式中，第一导电部134形成环形焊盘，为第一发光部13提供稳定的支撑，增加与第一发光部13的焊接面积，提高焊接稳定性等。
95.在一种可能的实施方式中，请参阅图8，第一功能区1202背向第一基底11的一侧设有遮光层18。本实施例中，反射层16为图案化的局部结构。反射层16对应于第一透明区1201，遮光层18与反射层16设于同一层且对应于第一功能区1202，以防止第一发光部13的光线漏出显示装置100，还防止相邻的两个子像素单元20之间的光线发生串扰。引起显示不良的问题。遮光层18的材质包括但不限于黑色色阻层等。
96.在一种可能的实施方式中，请参阅图9，第一功能区1202具有遮光层18。具体的，遮光层18可为第一功能区1202对应于封装层138的部分、第一功能区1202对应于第一平坦层1261、第二平坦层1262、钝化层125的部分中的至少一者。本实施例中，第一功能区1202对应于第一平坦层1261为遮光层18，可有效地防止漏光及第一发光部13发射的光线串扰至相邻的子像素单元20。遮光层18的材质包括但不限于黑色色阻等，以使在平坦化的同时减少漏光率并提高显示对比度。黑色色阻可以通过喷墨印刷或旋涂形成。
97.请参阅图10，遮光层18及反射层16背离封装层138的一侧还设有保护层17，保护层17用于保护其覆盖的层级结构和器件。
98.以上的实施方式为第一像素子单元1的结构。第三像素子单元3的结构与第一像素子单元1的结构大致相同，主要的不同之处在于，第三像素子单元3无第一色彩转化层14和滤光层15。
99.具体的，请参阅图4，第三像素子单元3包括第二基底31、设于第二基底31上的第二像素控制部32和第二发光部33。第二基底31与第一基底11位于同一层。第二基底31的结构、材质可参考第一基底11的结构、材质，本技术不再赘述。第二像素控制部32包括第二透明区3201和设置有控制电路的第二功能区3202。第二像素控制部32的结构可参考第一像素控制部12的结构。第二透明区3201的结构、材质可参考第一透明区1201的结构、材质。第二功能
区3202的结构、材质可参考第一功能区1202的结构、材质。第二发光部33与第二功能区3202的控制电路电连接。第二发光部33的结构、材质可参考第一发光部13的结构、材质。
100.进一步地，请参阅图11，第二透明区3201设有散光层34，第二发光部33设于散光层34背离第二基底31的一侧。散光层34用于发散第二发光部33射入的光线，以使从第二透明区3201射出均匀柔和的光线，增加第三像素子单元3的出光效率。
101.可选的，散光层34包括若干分散设置的散射粒子。散射粒子对第二发光部33射入的光线起到散射作用。
102.可选的，散光层34还包括设有微型凹点/凸点的散射面，第二发光部33发射的光线在经过散射面时进行散射。
103.第三像素子单元3的第二发光部33可发射的蓝光可经第二透明区3201直接射出，使第三像素子单元3形成发射蓝光的子像素单元20。第二透明区3201对应的平坦层、各种绝缘层皆为高透光材质，例如，高透光材质为透光率大于或等于80％的材料。当然，在其他实施方式中，还可以在第二透明区3201对应的平坦层、各种绝缘层上形成通孔，以提高透光率。
104.进一步地，当第一子像素单元的第一平坦层1261为黑色色阻时，第三像素子单元3的平坦层对应于第二透明区3201的部分可为透光材质或开孔，以确保第二发光部33发射的光线经第二透明区3201射出第二基底31。
105.第一像素控制部12的层级结构与第二像素控制部32相对应的层级结构位于同一层。具体的，第一像素控制部12的底部绝缘层122与第二像素控制部32的底部绝缘层位于同一层。第一像素控制部12的栅极绝缘层123与第二像素控制部32的栅极绝缘层位于同一层。第一像素控制部12的源漏极绝缘层124与第二像素控制部32的源漏极绝缘层位于同一层。第一像素控制部12的钝化层125与第二像素控制部32的钝化层位于同一层。第一像素控制部12的平坦层126与第二像素控制部32的平坦层位于同一层。第一像素控制部12的封装层138与第二像素控制部32的封装层位于同一层。
106.本实施例中，发射红光的子像素单元20、发射绿光的子像素单元20、发射蓝光的子像素单元20组合成一个像素单元10。多个像素单元10周期性地排列形成能够实现全彩显示的显示装置100。
107.在第一种子像素单元20之间可能的连接方式的实施方式中，请参阅图3，第一基底11与第二基底31可在同一制程中形成且互连为一体。进一步地，显示装置100的每个子像素单元20的基底、各个绝缘层为一体成型且相互连接。显示装置100的每个子像素单元20的控制电路可在同一制程中制得。换言之，一个像素单元10而言，发射蓝光的子像素单元20、发射绿光的子像素单元20及发射红光的子像素单元20互连为一体且一体成型；多个像素单元10互连为一体且一体成型。
108.在第二种子像素单元20之间可能的连接方式的实施方式中，请参阅图12，第一子像素单元的数量为多个。至少两个相邻的第一子像素单元之间具有间隔。显示装置100还包括可伸缩导电结构4。可伸缩导电结构4设于相邻的第一子像素单元之间的间隔中并连接至少两个第一子像素单元。换言之，发射红光的子像素单元20与发射绿光的子像素单元20之间可设有可伸缩导电结构4，以使相邻的两个子像素单元20之间能够电性导通，并能够在x-y平面内相互运动，以使显示面板的子像素单元20之间能够拉伸或弯折，形成可拉伸或弯折
的显示面板。
109.进一步地，第三像素子单元3与第一子像素单元间隔设置且通过可伸缩导电结构4连接。换言之，发射蓝光的子像素单元20与发射绿光的子像素单元20之间、发射蓝光的子像素单元20与发射红光的子像素单元20之间可设有可伸缩导电结构4，以使相邻的两个子像素单元20之间能够电性导通，并能够在x-y平面内相互运动，以使显示面板的子像素单元20之间能够拉伸或弯折，形成可拉伸或弯折的显示面板。
110.在第三种子像素单元20之间可能的连接方式的实施方式中，请参阅图13，相邻的两个像素单元10之间间隔设置且通过可伸缩导电结构4连接，以使相邻的两个像素单元10之间能够电性导通，并能够在x-y平面内相互运动，以使显示面板的像素单元10之间能够拉伸或弯折，形成可拉伸或弯折的显示面板。
111.以上是本技术的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本技术的保护范围。