一种基于PAM4的单波长100G光模块的BiasT电路的制作方法

技术特征：
1.一种基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，包括设于直流端的第一磁珠和第二磁珠，所述第一磁珠和所述第二磁珠串联连接，所述第一磁珠和所述第二磁珠用于提高bias t电路的带宽。2.根据权利要求1所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，所述第一磁珠和所述第二磁珠型号相同。3.根据权利要求2所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，所述第一磁珠和所述第二磁珠型号具体为blh03hg901sn1d。4.根据权利要求1所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，还包括设于直流端的电感，所述电感在所述第一磁珠和所述第二磁珠串联连接后并联连接；其中，所述电感用于防止射频端的交流信号进入直流端。5.根据权利要求4所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，所述电感型号具体为lqm18dn470m70。6.根据权利要求5所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，所述电感的电感量为47μh，且精度为
±
20％。7.根据权利要求4所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，还包括设于直流端的电阻，所述电阻与所述电感并联连接；其中，所述电阻为等效电阻。8.根据权利要求7所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，所述等效电阻的阻抗值为330ω，且精度为
±
5％。9.根据权利要求7所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，还包括设于射频端的电容，所述电容在所述电阻与所述电感并联连接后串联连接；其中，所述电容用于对直流端的直流信号进行阻隔。10.根据权利要求9所述的基于pam4的单波长100g光模块的bias t电路，其特征在于，所述电容的容值为0.1μf，且精度为
±
5％。

技术总结
本实用新型公开了一种基于PAM4的单波长100G光模块的Bias T电路，包括设于直流端的第一磁珠和第二磁珠，所述第一磁珠和所述第二磁珠串联连接，所述第一磁珠和所述第二磁珠用于提高Bias T电路的带宽。本实用新型提供的一种基于PAM4的单波长100G光模块的Bias T电路，有效填补了业内当前单波长100G PAM4光模块中Bias T电路的不足，还能应用于400G PAM4(100G PAM4


技术研发人员：付玉婷 叶杨威 湛红波 郑勇志
受保护的技术使用者：武汉光迅科技股份有限公司
技术研发日：2022.01.04
技术公布日：2022/5/10