半导体用黏合剂、半导体用黏合剂片及半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体用黏合剂，其含有热固性树脂、固化剂及具有酸基的助熔剂化合物，通过以10℃/分钟的升温速度加热该半导体用黏合剂的差示扫描热量测定得到的dsc曲线中的60～155℃的放热量为20j/g以下，在所述dsc曲线中，由固化反应引起的放热峰的起始温度为150℃以上。2.根据权利要求1所述的半导体用黏合剂，其中，所述助熔剂化合物为具有羧基的有机酸。3.根据权利要求1或2所述的半导体用黏合剂，其中，所述助熔剂化合物的熔点为50～200℃。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体用黏合剂，其中，所述固化剂含有咪唑系固化剂。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体用黏合剂，其还含有热塑性树脂。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体用黏合剂，其在半导体芯片的多个连接部及配线电路基板的多个连接部彼此电连接的半导体装置或多个半导体芯片的各自的多个连接部彼此电连接的半导体装置中，用于密封彼此电连接的所述连接部中的至少一部分。7.根据权利要求6所述的半导体用黏合剂，其中，所述半导体芯片的多个所述连接部中的至少一部分包含焊料凸点。8.一种半导体用黏合剂片，其具备支承基材和设置于该支承基材上且含有权利要求1至7中任一项所述的半导体用黏合剂的黏合剂层。9.根据权利要求8所述的半导体用黏合剂片，其中，所述支承基材具有塑料膜和设置于该塑料膜上的压敏胶黏剂层，所述黏合剂层设置于所述压敏胶黏剂层上。10.一种制造半导体装置的方法，其包括选自如下工序中的至少一个工序：使黏合剂介在于具有多个连接部的半导体芯片与具有多个连接部的配线电路基板之间，并对所述半导体芯片、所述配线电路基板及所述黏合剂进行加热及加压，由此形成如下接合体的工序，所述接合体是所述半导体芯片的所述连接部与所述配线电路基板的所述连接部彼此电连接、且彼此电连接的所述连接部中的至少一部分被固化的所述黏合剂密封的接合体；使黏合剂介在于具有多个连接部的多个半导体芯片之间，并对所述半导体芯片及所述黏合剂进行加热及加压，由此形成如下接合体的工序，所述接合体是多个所述半导体芯片的所述连接部彼此电连接、且彼此电连接的所述连接部中的至少一部分被固化的所述黏合剂密封的接合体；以及使黏合剂介在于具有多个连接部的半导体芯片与具有多个连接部的半导体晶圆之间，并对所述半导体芯片、所述半导体晶圆及所述黏合剂进行加热，由此形成如下接合体的工序，所述接合体是所述半导体芯片的所述连接部与所述半导体晶圆的所述连接部彼此电连接、且彼此电连接的所述连接部中的至少一部分被固化的所述黏合剂密封的接合体，所述黏合剂为权利要求1至5中任一项所述的半导体用黏合剂。11.根据权利要求10所述的方法，其还包括如下工序：准备半导体晶圆的工序，所述半导体晶圆具备具有两个主面的晶圆主体及设置于所述晶圆主体的一个主面上的多个所述连接部；
在所述晶圆主体的所述连接部侧的主面上设置含有所述黏合剂的黏合剂层的工序；通过研削所述晶圆主体的与所述连接部相反的一侧的主面，使所述晶圆主体变薄的工序；及通过切割变薄的所述晶圆主体及所述黏合剂层，形成具有所述半导体芯片及所述黏合剂层的带黏合剂的半导体芯片的工序。

技术总结
公开了一种含有热固性树脂、固化剂及具有酸基的助熔剂化合物的半导体用黏合剂(adhesive)。通过以10℃/分钟的升温速度加热半导体用黏合剂的差示扫描热量测定得到的DSC曲线中的60～155℃的放热量为20J/g以下。在DSC曲线中，由固化反应引起的放热峰的起始温度为150℃以上。度为150℃以上。度为150℃以上。


技术研发人员：川俣龙太 秋吉利泰 茶花幸一 宫原正信
受保护的技术使用者：昭和电工材料株式会社
技术研发日：2020.09.16
技术公布日：2022/5/6