一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将基底清洗干净后烘干，然后于真空条件下用等离子体对基片进行预清理；(2)在步骤(1)中预清理后的基底表面沉积fegab磁致伸缩薄膜层，然后在fegab磁致伸缩薄膜层表面沉积al2o3绝缘薄膜层；(3)重复步骤(2)中的操作，制得fegab磁致伸缩薄膜层和al2o3绝缘薄膜层交替设置的复合薄膜；(4)对步骤(3)中制得的复合薄膜进行蚀刻，制得磁致伸缩复合膜。2.如权利要求1所述的增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中依次用丙酮、酒精和纯水对基片进行超声清洗5-10min。3.如权利要求1所述的增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中于3-5
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10-4
pa真空条件、180-200w射频功率、0.4-0.6pa气压条件下等离子体处理4-8min。4.如权利要求1所述的增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中fegab磁致伸缩薄膜层的沉积厚度为140-160nm。5.如权利要求1所述的增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中al2o3绝缘薄膜层的沉积厚度为4-6nm。6.如权利要求1所述的增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中fegab磁致伸缩薄膜层的沉积层数为4-5层，al2o3绝缘薄膜层的沉积层数为3-4层。7.如权利要求1所述的增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(2)中的fegab磁致伸缩薄膜层和al2o3绝缘薄膜层均采用溅射法进行沉积，沉积fegab磁致伸缩薄膜层时的溅射功率为110-130w、气压为0.6-0.8pa；沉积al2o3绝缘薄膜层时的溅射功率为90-110w、气压为0.4-0.6pa。8.如权利要求1所述的增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)中制得磁致伸缩复合膜的尺寸为6
2-102μm2。9.如权利要求1所述的增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜的制备方法，其特征在于，步骤(4)中磁致伸缩复合膜的具体蚀刻过程为：在复合薄膜表面滴加光刻胶旋涂均匀后于90-110℃条件下烘烤0.5-2min，然后在其表面覆盖掩模板，与20-24℃、相对湿度为40-50％条件下进行曝光，然后于105-115℃条件下烘烤0.5-2min，然后采用于180-220w、sicl4/cl2反应气体、5-7pa的反应压力下进行反应离子刻蚀，制得。10.一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜，其特征在于，采用权利要求1-9中任一项所述的方法制备获得。

技术总结
本发明提供了一种增强涡流损耗抑制效率的磁致伸缩复合膜及其制备方法，其制备方法包括以下步骤：将基底清洗干净后烘干，然后于真空条件下用等离子体对基片进行预清理；在预清理后的基底表面沉积FeGaB磁致伸缩薄膜层，然后在FeGaB磁致伸缩薄膜层表面沉积Al2O3绝缘薄膜层；重复上述操作，制得FeGaB磁致伸缩薄膜层和Al2O3绝缘薄膜层交替设置的复合薄膜；对制得的复合薄膜进行蚀刻，制得磁致伸缩复合膜。该复合膜可有效解决现有的磁致伸缩复合膜存在的涡流损耗抑制效率低、磁致伸缩特性易退化的问题。化的问题。


技术研发人员：任万春 陈锶 顾志均 李金桐 董红梅 甘秀秀 李建波 李君儒 高杨
受保护的技术使用者：四川爆米微纳科技有限公司
技术研发日：2022.01.27
技术公布日：2022/5/6