一种碳化硅晶体生长坩埚装置的制作方法

1.本实用新型属于晶体生长技术领域，具体是指一种碳化硅晶体生长坩埚装置。


背景技术：

2.物理气相输运法(pvt法)是碳化硅单晶生长的主要技术方法，该方法是将碳化硅多晶原料装在筒形石墨坩埚本体底部，用石墨坩埚盖将石墨坩埚本体盖上，形成一个密闭空间，石墨坩埚盖下表面安装有碳化硅籽晶，通过对石墨坩埚本体、石墨坩埚盖组成的系统进行加热，使石墨坩埚本体内的碳化硅多晶原料升华，并维持碳化硅多晶原料与碳化硅籽晶间具有合适的温度梯度，升华后的碳化硅粒子就会在碳化硅籽晶上沉积生长，从而获得碳化硅单晶。
3.现有的用于碳化硅单晶的生长装置，一般有两种：
4.一种用于单坩埚生长，即第一腔体中一次只放入一个坩埚。这种结构的生长装置，每生长一个碳化硅单晶都要进行一次完整的工艺过程，包括装料、合炉、抽真空、加热升温、恒温长晶体、降温、充气、开炉、取晶体等。不但辅助时间长、耗电耗气量大，而且频繁的开炉合炉也会对碳化硅单晶的生长环境造成一定影响，不利于优质碳化硅单晶的生长。
5.另一种用于多坩埚生长，即第一腔体中一次放入多个坩埚，并对多个坩埚同时加热长晶。这种结构的生长装置，能耗较大，且无法单独的精确控制每个坩埚的温度，影响长晶的质量。


技术实现要素：

6.为了解决上述难题，本实用新型提供了一种便于同时碳化硅晶体生长坩埚装置。
7.为了实现上述功能，本实用新型采取的技术方案如下：一种碳化硅晶体生长坩埚装置，包括坩埚、存放件、外加热件、底座、内加热件和调整组件，所述调整组件设于底座内，所述内加热件设于底座上，所述外加热件设于底座上，所述内加热件设于外加热件内，所述存放件设于调整组件上且设于内加热件和外加热件之间，所述坩埚设于存放件内，所述坩埚设于调整组件上；将坩埚依次设于存放件内，坩埚底壁设于调整组件上，调整组件工作带动存放件和坩埚旋转，存放件带动坩埚旋转，坩埚在调整组件的驱动下进行自转，便于内加热件和外加热件对坩埚进行加热处理。
8.进一步地，所述调整组件包括旋转电机一、旋转电机二、旋转板、从动轮和主动轮，所述旋转电机一设于底座内，所述旋转板设于底座内，所述旋转电机一输出轴端与旋转板相连，所述旋转电机二设于旋转板内，所述主动轮设于旋转板内上壁上，所述旋转电机二输出轴端与主动轮相连，所述从动轮设于旋转板内上壁上，所述主动轮与从动轮相啮合，所述存放件设于旋转板上，所述坩埚设于从动轮上；旋转电机一工作带动旋转板旋转，旋转板带动存放件、坩埚、旋转电机二、主动轮和从动轮旋转，旋转电机二工作带动主动轮旋转，主动轮带动与之啮合的从动轮旋转，从动轮带动坩埚旋转。
9.进一步地，所述底座上设有保温盖板，所述外加热件、内加热件、存放件和坩埚设
于保温盖板内。
10.进一步地，所述保温盖板、外加热件和存放件为透明材质设置，便于观察内部情况。
11.进一步地，所述存放件设有若干组，若干组所述存放件呈环形等间隔均匀设于旋转板上。
12.本实用新型采取上述结构取得有益效果如下：本实用新型提供的一种碳化硅晶体生长坩埚装置操作简单，机构紧凑，设计合理。
附图说明
13.图1为本实用新型一种碳化硅晶体生长坩埚装置的主视图；
14.图2为本实用新型一种碳化硅晶体生长坩埚装置的俯视图。
15.其中，1、坩埚，2、存放件，3、外加热件，4、底座，5、内加热件，6、调整组件，7、旋转电机一，8、旋转电机二，9、旋转板，10、从动轮，11、主动轮，12、保温盖板。
具体实施方式
16.下面将结合附图对本实用新型的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
17.在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。以下结合附图，对本实用新型做进一步详细说明。
18.如图1-2所示，本实用新型一种碳化硅晶体生长坩埚装置，包括坩埚1、存放件2、外加热件3、底座4、内加热件5和调整组件6，所述调整组件6设于底座4内，所述内加热件5设于底座4上，所述外加热件3设于底座4上，所述内加热件5设于外加热件3内，所述存放件2设于调整组件6上且设于内加热件5和外加热件3之间，所述坩埚1设于存放件2内，所述坩埚1设于调整组件6上。
19.所述调整组件6包括旋转电机一7、旋转电机二8、旋转板9、从动轮10和主动轮11，所述旋转电机一7设于底座4内，所述旋转板9设于底座4内，所述旋转电机一7输出轴端与旋转板9相连，所述旋转电机二8设于旋转板9内，所述主动轮11设于旋转板9内上壁上，所述旋转电机二8输出轴端与主动轮11 相连，所述从动轮10设于旋转板9内上壁上，所述主动轮11与从动轮10相啮合，所述存放件2设于旋转板9上，所述坩埚1设于从动轮10上。
20.所述底座4上设有保温盖板12，所述外加热件3、内加热件5、存放件2和坩埚1设于保温盖板12内。
21.所述保温盖板12、外加热件3和存放件2为透明材质设置，便于观察内部情况。
22.所述存放件2设有若干组，若干组所述存放件2呈环形等间隔均匀设于旋转板9上。
23.具体使用时，旋转电机一7工作带动旋转板9旋转，旋转板9带动存放件2、坩埚1、旋转电机二8、主动轮11和从动轮10旋转，旋转电机二8工作带动主动轮11旋转，主动轮11带动与之啮合的从动轮10旋转，从动轮10带动坩埚1 旋转，坩埚1在调整组件6的驱动下进行自转，便于内加热件5和外加热件3 对坩埚1进行加热处理。
24.以上对本实用新型及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.一种碳化硅晶体生长坩埚装置，其特征在于：包括坩埚、存放件、外加热件、底座、内加热件和调整组件，所述调整组件设于底座内，所述内加热件设于底座上，所述外加热件设于底座上，所述内加热件设于外加热件内，所述存放件设于调整组件上且设于内加热件和外加热件之间，所述坩埚设于存放件内，所述坩埚设于调整组件上。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长坩埚装置，其特征在于：所述调整组件包括旋转电机一、旋转电机二、旋转板、从动轮和主动轮，所述旋转电机一设于底座内，所述旋转板设于底座内，所述旋转电机一输出轴端与旋转板相连，所述旋转电机二设于旋转板内，所述主动轮设于旋转板内上壁上，所述旋转电机二输出轴端与主动轮相连，所述从动轮设于旋转板内上壁上，所述主动轮与从动轮相啮合，所述存放件设于旋转板上，所述坩埚设于从动轮上。3.根据权利要求2所述的一种碳化硅晶体生长坩埚装置，其特征在于：所述底座上设有保温盖板，所述外加热件、内加热件、存放件和坩埚设于保温盖板内。4.根据权利要求3所述的一种碳化硅晶体生长坩埚装置，其特征在于：所述保温盖板、外加热件和存放件为透明材质设置。5.根据权利要求4所述的一种碳化硅晶体生长坩埚装置，其特征在于：所述存放件设有若干组，若干组所述存放件呈环形等间隔均匀设于旋转板上。

技术总结
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长坩埚装置，包括坩埚、存放件、外加热件、底座、内加热件和调整组件，所述调整组件设于底座内，所述内加热件设于底座上，所述外加热件设于底座上，所述内加热件设于外加热件内，所述存放件设于调整组件上且设于内加热件和外加热件之间，所述坩埚设于存放件内，所述坩埚设于调整组件上，本实用新型属于晶体生长技术领域，具体是指一种便于同时碳化硅晶体生长坩埚装置。体是指一种便于同时碳化硅晶体生长坩埚装置。体是指一种便于同时碳化硅晶体生长坩埚装置。


技术研发人员：朱纳新
受保护的技术使用者：西安华合德新材料科技有限公司
技术研发日：2021.09.16
技术公布日：2022/4/29