粘接剂和天线装置的制作方法

1.本发明涉及用于粘接两个基板的粘接剂。此外，本发明涉及使用了所述粘接剂的天线装置。


背景技术：

2.为了将两个被粘接体进行粘接，使用了各种粘接剂。此外，为了使得由该粘接剂形成的粘接层的厚度均匀，对两个被粘接体的间隔(间隙)进行控制，有时在粘接剂中混合间隙材料等间隔物。
3.近年，随着智能手机、平板终端等的快速普及，流量的激增成为了问题。因此，作为基于3gpp(third generation partnership project)的lte(long ter m evolution)、lte-a(lte-advanced)这样的通信系统的后继系统、新的无线通信系统，而进行了第5代移动通信系统(5g)的研究。
4.例如，在第5代移动通信系统(5g)的情况下，为了使用更广的带域实现高速传输，而探讨了使用比lte、lte-a更高的输送频率进行通信。然而，在以更高的输送频率进行通信的情况下，通过以往的天线装置，可能无法充分发挥性能。就以往的天线装置而言，例如，下述的专利文献1中公开的装置。
5.下述的专利文献1公开了：具备天线和多层高频基板的天线装置。所述天线在内面具有给电用导体。所述多层高频基板通过在表面叠层多个具备平台的带状线路而构成。所述平台，介由通孔，与带状导体实现电连接。所述多层高频基板中，叠层的所述带状线路的平台之间，通过异方性导电性粘接剂而实现接合。所述天线装置中，所述天线的给电用导体和所述多层高频基板的表面的平台通过异方性导电性粘接剂而实现接合。
6.现有技术文献
7.专利文献
8.专利文献1：日本特开2015-185550号公报


技术实现要素：

9.发明所解决的技术问题
10.在针对第5代移动通信系统(5g)的基站和终端的天线中，需要提高通信速度和通信品质等。为了实现通信速度的提高和通信品质的提高等，探讨了在天线内设置气腔(空间)。通过在天线内设置气腔(空间)，能够提高带域宽度，或降低电磁波噪声。其结果，能够提高天线的通信速度和通信品质等。
11.在以往的天线装置的情况下，不要求较高水平的通信速度和通信品质，在天线内可能不设置气腔(空间)。所述气腔(空间)，例如，可通过使得高频基板与构成天线的基板的间隔(间隙)均匀并且保持恒定而形成。为了提高天线的通信速度和通信品质等，需要高精度地控制所述气腔(空间)的间隔(间隙)。
12.此外，使用粘接剂以在天线内形成气腔(空间)的方式将两个基板进行粘接而得到
天线装置时，有时将该天线装置进行重复加热。由于将天线装置重复加热，有时无法高精度地控制所述气腔(空间)的间隔(间隙)，难以提高天线的通信速度和通信品质等。
13.本发明的目的在于：提供即使在进行了重复加热的情况下，也能够高精度地控制气腔的间隙的粘接剂。此外，本发明的目的在于：提供使用了所述粘接剂的天线装置。
14.解决问题的技术手段
15.根据本发明的广泛方案，提供一种粘接剂，其为用于在表面具有第1金属部的第1基板和在表面具有第2金属部的第2基板中粘接所述第1金属部和所述第2金属部的粘接剂，其中，通过下述评价试验1a而计算得到的基板间的间隙的变化率为10％以下。
16.评价试验1a：
17.准备在表面具有第1金属部的第1基板、在表面具有第2金属部的第2基板以及粘接剂。将所述粘接剂配置在所述第1基板中的所述第1金属部上，将所述第2基板以使得所述第1金属部和所述第2金属部对向的方式配置在所述粘接剂的与所述第1基板侧相反的表面上。然后，通过在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行回流处理而将所述第1基板和所述第2基板进行粘接，得到叠层体。对得到的叠层体的基板间的间隙进行测定，设为加热前的间隙。然后，将得到的叠层体在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行4次回流处理，对回流处理后的叠层体的基板间的间隙进行测定，设为加热后的间隙。根据加热前后的间隙，通过下述式(1)计算间隙的变化率。
18.间隙的变化率＝[(加热前的间隙-加热后的间隙)/加热前的间隙]
×
100式(1)
[0019]
本发明的粘接剂的一个特定方案中，所述粘接剂包含金属粒子。
[0020]
根据本发明的广泛方案，提供一种粘接剂，其为用于在表面具有第1金属部的第1基板和在表面具有第2金属部的第2基板中粘接所述第1金属部和所述第2金属部的粘接剂，其中，所述粘接剂包含金属粒子，通过下述评价试验1b而计算得到的加热后的间隙相对于所述金属粒子的平均粒径的比为0.70以上0.97以下。
[0021]
评价试验1b：
[0022]
准备在表面具有第1金属部的第1基板、在表面具有第2金属部的第2基板以及粘接剂。将所述粘接剂配置在所述第1基板中的所述第1金属部上，将所述第2基板以使得所述第1金属部和所述第2金属部对向的方式配置在所述粘接剂的与所述第1基板侧相反的表面上。然后，通过在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行回流处理而将所述第1基板和所述第2基板进行粘接，得到叠层体。将得到的叠层体在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行4次回流处理，对回流处理后的叠层体的基板间的间隙进行测定，设为加热后的间隙。
[0023]
本发明的粘接剂的一个特定方案中，所述金属粒子具有基材粒子和配置在所述基材粒子的表面上的金属层。
[0024]
本发明的粘接剂的一个特定方案中，所述金属层具有配置在所述基材粒子的表面上的第2金属层和配置在所述第2金属层的表面上的第1金属层，所述第1金属层为焊锡层。
[0025]
本发明的粘接剂的一个特定方案中，通过下述评价试验2而计算得到的基板间的粘接强度的变化率为10％以下。
[0026]
评价试验2：
[0027]
准备在表面具有第1金属部的第1基板、在表面具有第2金属部的第2基板以及粘接
剂。将所述粘接剂配置在所述第1基板中的所述第1金属部上，将所述第2基板以使得所述第1金属部和所述第2金属部对向的方式配置在所述粘接剂的与所述第1基板侧相反的表面上。然后，通过在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行回流处理而将所述第1基板和所述第2基板进行粘接，得到叠层体。使用得到的叠层体，在基于mil std-883g的条件下测定基板间的粘接强度，设为加热前的粘接强度。然后，将得到的叠层体在jedec j-std-020中规定的回流条件下，进行4次回流处理，使用回流处理后的叠层体，在基于mil std-883g的条件下测定基板间的粘接强度，设为加热后的粘接强度。根据加热前后的粘接强度，通过下述式(2)计算粘接强度的变化率。
[0028]
粘接强度的变化率＝[(加热前的粘接强度-加热后的粘接强度)/加热前的粘接强度]
×
100
ꢀꢀꢀ
式(2)
[0029]
本发明的粘接剂的一个特定方案中，所述第1基板为玻璃环氧基板或陶瓷基板，所述第2基板为玻璃环氧基板、陶瓷基板或硅基板。
[0030]
本发明的粘接剂的一个特定方案中，所述第1金属部由铜形成或通过镍/金镀敷而形成，所述第2金属部由铜形成或通过镍/金镀敷而形成。
[0031]
根据本发明的广泛方案，提供一种天线装置，其具备：在表面具有第1金属部的第1基板、在表面具有第2金属部的第2基板、以及将所述第1基板和所述第2基板进行了粘接的粘接剂部，其中，所述粘接剂部的材料为所述粘接剂，所述第1金属部和所述第2金属部通过所述粘接剂部而得到了粘接，通过所述第1基板、所述第2基板以及所述粘接剂部而形成有气腔。
[0032]
本发明的天线装置的一个特定方案中，所述第1基板为玻璃环氧基板或陶瓷基板，所述第2基板为玻璃环氧基板、陶瓷基板或硅基板。
[0033]
本发明的天线装置的一个特定方案中，所述第1金属部由铜形成或通过镍/金镀敷而形成，所述第2金属部由铜形成或通过镍/金镀敷而形成。
[0034]
发明的效果
[0035]
本发明的粘接剂是用于在表面具有第1金属部的第1基板和在表面具有第2金属部的第2基板中粘接所述第1金属部和所述第2金属部的粘接剂。本发明的粘接剂中，通过所述评价试验1a而计算得到的基板间的间隙的变化率为10％以下。本发明的粘接剂中，由于具备所述构成，因此即使在进行了重复加热的情况下，也能够高精度地控制气腔的间隙。
[0036]
本发明的粘接剂是用于在表面具有第1金属部的第1基板和在表面具有第2金属部的第2基板中粘接所述第1金属部和所述第2金属部的粘接剂。本发明的粘接剂包含金属粒子。本发明的粘接剂中，通过所述评价试验1b而计算得到的加热后的间隙相对于所述金属粒子的平均粒径的比为0.70以上0.97以下。本发明的粘接剂中，由于具备所述构成，因此即使在进行了重复加热的情况下，也能够高精度地控制气腔的间隙。
附图说明
[0037]
[图1]图1是表示可用于本发明的一个实施方式的粘接剂中的金属粒子的第1例的截面图。
[0038]
[图2]图2是表示可用于本发明的一个实施方式的粘接剂中的金属粒子的第2例的截面图。
[0039]
[图3]图3是表示使用了本发明的粘接剂的天线装置的一个实例的截面图。
[0040]
[图4]图4是将图3表示的天线装置中的金属粒子与金属部的粘接部分进行扩大表示的截面图。
[0041]
本发明的具体实施方式
[0042]
以下，对于本发明的详细情况进行说明。
[0043]
(粘接剂)
[0044]
本发明的粘接剂是用于在表面具有第1金属部的第1基板和在表面具有第2金属部的第2基板中粘接所述第1金属部和所述第2金属部的粘接剂。本发明的粘接剂中，通过下述评价试验1a而计算得到的基板间的间隙的变化率为10％以下。
[0045]
评价试验1a：
[0046]
准备在表面具有第1金属部的第1基板、在表面具有第2金属部的第2基板以及粘接剂。将所述粘接剂配置在所述第1基板中的所述第1金属部上，将所述第2基板以使得所述第1金属部和所述第2金属部对向的方式配置在所述粘接剂的与所述第1基板侧相反的表面上。然后，通过在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行回流处理而将所述第1基板和所述第2基板进行粘接，得到叠层体。对得到的叠层体的基板间的间隙进行测定，设为加热前的间隙。即，加热前的间隙是指加热叠层体前的间隙。然后，将得到的叠层体在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行4次回流处理，对回流处理后的叠层体的基板间的间隙进行测定，设为加热后的间隙。即，加热后的间隙是指将叠层体进行4次加热后的间隙。根据加热前后的间隙，通过下述式(1)计算间隙的变化率。
[0047]
间隙的变化率＝[(加热前的间隙-加热后的间隙)/加热前的间隙]
×
100式(1)
[0048]
所述评价试验1a中，优选以使得所述加热前的间隙为60μm以上的方式配置所述粘接剂，优选以使其为850μm以下的方式配置所述粘接剂。
[0049]
本发明这样的粘接剂是用于在表面具有第1金属部的第1基板和在表面具有第2金属部的第2基板中粘接所述第1金属部和所述第2金属部的粘接剂。本发明的粘接剂包含金属粒子。本发明的粘接剂中，通过下述评价试验1b而计算得到的加热后的间隙相对于所述金属粒子的平均粒径的比为0.70以上0.97以下。
[0050]
评价试验1b：
[0051]
准备在表面具有第1金属部的第1基板、在表面具有第2金属部的第2基板以及粘接剂。将所述粘接剂配置在所述第1基板中的所述第1金属部上，将所述第2基板以使得所述第1金属部和所述第2金属部对向的方式配置在所述粘接剂的与所述第1基板侧相反的表面上。然后，通过在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行回流处理而将所述第1基板和所述第2基板进行粘接，得到叠层体。将得到的叠层体在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行4次回流处理，对回流处理后的叠层体的基板间的间隙进行测定，设为加热后的间隙。
[0052]
所述评价试验1b中，优选以使得所述叠层体(回流处理前的叠层体)的基板间的间隙为60μm以上的方式配置所述粘接剂，优选以使其为850μm以下的方式配置所述粘接剂。
[0053]
本发明的粘接剂中，由于具备所述构成，因此即使在进行了重复加热的情况下，也能够高精度地控制气腔的间隙。
[0054]
使用粘接剂以在天线内形成气腔(空间)的方式将两个基板进行粘接而得到天线
装置时，有时将该天线装置进行重复加热。在使用以往的粘接剂而得到的天线装置中，由于将天线装置重复加热，有时无法高精度地控制所述气腔(空间)的间隔(间隙)，难以提高天线的通信速度和通信品质等。
[0055]
与之相对，本发明的粘接剂中，由于具备所述构成，因此即使在进行了重复加热的情况下，也能够高精度地控制基板间的间隙，能够高精度地控制所述气腔的间隙。其结果，能够进一步提高天线的通信速度和通信品质等。
[0056]
本发明的粘接剂是用于在表面具有第1金属部的第1基板和在表面具有第2金属部的第2基板中粘接所述第1金属部和所述第2金属部的粘接剂。本发明的粘接剂是用于粘接两个基板的粘接剂。本发明的粘接剂优选为用于将两个基板中的金属部彼此粘接的粘接剂。
[0057]
本发明的粘接剂中，通过所述评价试验1a而计算得到的基板间的间隙的变化率为10％以下。通过所述评价试验1a而计算得到的基板间的间隙的变化率优选为5％以下，更优选为3％以下。通过所述评价试验1a而计算得到的基板间的间隙的变化率为所述上限以下时，即使在进行了重复加热的情况下，也能够高精度地控制气腔的间隙。
[0058]
本发明的粘接剂中，通过所述评价试验1b而计算得到的加热后的间隙相对于所述金属粒子的平均粒径的比(通过所述评价试验1b而计算得到的加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)为0.70以上0.97以下。所述比(通过所述评价试验1b而计算得到的加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)优选为0.75以上，更优选为0.80以上，优选为0.95以下，更优选为0.90以下。所述比(通过所述评价试验1b而计算得到的加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)为所述下限以上和所述上限以下时，即使在进行了重复加热的情况下，也能够高精度地控制气腔的间隙。
[0059]
所述粘接剂中，通过下述评价试验2而计算得到的基板间的粘接强度的变化率优选为10％以下，更优选为5％以下，进一步优选为3％以下。通过下述评价试验2而计算得到的基板间的粘接强度的变化率为所述上限以下时，即使在进行了重复加热的情况下，也能够保持基板间的粘接强度，能够高精度地控制气腔的间隙。
[0060]
评价试验2：
[0061]
准备在表面具有第1金属部的第1基板、在表面具有第2金属部的第2基板以及粘接剂。将所述粘接剂配置在所述第1基板中的所述第1金属部上，将所述第2基板以使得所述第1金属部和所述第2金属部对向的方式配置在所述粘接剂的与所述第1基板侧相反的表面上。然后，通过在jedec j-std-020中规定的回流条件下进行回流处理而将所述第1基板和所述第2基板进行粘接，得到叠层体。使用得到的叠层体，在基于mil std-883g的条件下测定基板间的粘接强度，设为加热前的粘接强度。然后，将得到的叠层体在jedec j-std-020中规定的回流条件下，进行4次回流处理，使用回流处理后的叠层体，在基于mil std-883g的条件下测定基板间的粘接强度，设为加热后的粘接强度。根据加热前后的粘接强度，通过下述式(2)计算粘接强度的变化率。
[0062]
粘接强度的变化率＝[(加热前的粘接强度-加热后的粘接强度)/加热前的粘接强度]
×
100式(2)
[0063]
所述评价试验2中，优选以使得所述叠层体(回流处理前的叠层体)的基板间的间隙为60μm以上的方式配置所述粘接剂，优选以使其为850μm以下的方式配置所述粘接剂。
[0064]
所述评价试验2中，所述加热前的粘接强度优选为1.5kgf以上，更优选为2.0kgf以上。所述加热前的粘接强度为所述下限以上时，即使在进行了重复加热的情况下，也能够保持基板间的粘接强度，能够高精度地控制气腔的间隙。
[0065]
所述评价试验1a、所述评价试验1b和所述评价试验2中，所述第1基板优选为玻璃环氧基板或陶瓷基板。所述评价试验1a、所述评价试验1b和所述评价试验2中，所述第2基板优选为玻璃环氧基板、陶瓷基板或硅基板。
[0066]
所述评价试验1a、所述评价试验1b和所述评价试验2中，所述第1金属部优选由铜形成或通过镍/金镀敷而形成。所述评价试验1a、所述评价试验1b和所述评价试验2中，所述第2金属部优选由铜形成或通过镍/金镀敷而形成。
[0067]
所述评价试验1a、所述评价试验1b和所述评价试验2，为了计算所述间隙的变化率、所述比(通过所述评价试验1b而计算得到的加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)和所述粘接强度的变化率而进行。所述粘接剂的实际使用时，可以不在所述评价试验1a、所述评价试验1b和所述评价试验2中规定的条件下进行处理。例如，在所述粘接剂的实际使用时，可以不在jedec j-s td-020中规定的回流条件下进行回流处理。
[0068]
从即使在进行了重复加热的情况下也能够高精度地控制气腔的间隙的观点出发，所述粘接剂优选包含金属粒子。所述粘接剂可包含或者不包含所述金属粒子以外的成分。从即使在进行了重复加热的情况下也能够进一步高精度地控制气腔的间隙的观点出发，所述粘接剂优选仅包含所述金属粒子，优选为多个金属粒子的粒子群。
[0069]
所述粘接剂，例如，可将两个被粘接体进行粘接。所述被粘接体优选为基板，更优选为在表面具有金属部的基板。所述粘接剂优选用于粘接两个基板。所述粘接剂优选用于将两个金属部彼此粘接。此外，所述粘接剂优选用于对两个基板的间隙进行控制。所述粘接剂优选用于对两个基板间的间隙进行控制。
[0070]
所述粘接剂，可以用于或不用于导电连接。所述粘接剂，优选用于天线装置中。所述粘接剂，优选用于形成气腔。所述粘接剂，优选用于在天线装置中形成气腔。所述粘接剂，优选用于在天线装置中使得高频基板与构成天线的基板的间隔(间隙)均匀并且保持恒定。所述粘接剂，优选用于在天线装置中形成气腔，提高天线的通信速度和通信品质等。
[0071]
(金属粒子)
[0072]
本发明的粘接剂优选包含金属粒子。所述金属粒子是指包含金属的粒子。所述金属粒子可具有金属以外的构成成分。所述金属粒子，例如，优选具有对两个基板的间隔(间隙)进行限制的作用。所述金属粒子，优选不是仅由焊锡形成得到的焊锡粒子。所述金属粒子，优选具有基材粒子和配置在所述基材粒子的表面上的金属层。所述金属层可以是单层结构或2层以上的多层结构。
[0073]
所述金属粒子，优选在所述金属层的外表面部分具有焊锡。所述基材粒子，优选不是仅由焊锡形成得到的焊锡粒子。需要说明的是，所述金属粒子是中心部分和金属层的外表面部分中的任一者均由焊锡形成而得到的焊锡粒子的情况下，在进行了重复加热时，焊锡因加热而发生润湿扩散，而难以对气腔的间隙进行控制。所述金属粒子是具有不由焊锡形成的基材粒子和配置在该基材粒子的表面上的金属层(焊锡层)的金属粒子的情况下，即使进行了重复加热，也能够抑制由加热导致的焊锡的过度的润湿扩散，因此也能够高精度地控制气腔的间隙。因此，所述金属粒子优选不是由焊锡形成得到的焊锡粒子。所述金属粒
子，优选不是中心部分和金属层的外表面部分中的任一者均由焊锡形成而得到的焊锡粒子。
[0074]
所述金属粒子的平均粒径没有特别限定。所述金属粒子的平均粒径，可根据目标气腔的间隙来适宜选择。所述金属粒子的平均粒径，例如，可以为80μm以上，也可以为900μm以下。
[0075]
所述金属粒子的平均粒径优选为数均粒径。所述金属粒子的平均粒径，例如，可通过下述方式而求得：通过电子显微镜或光学显微镜观察任意50个金属粒子，计算各金属粒子的粒径的平均值；进行激光衍射式粒度分布测定。在基于电子显微镜或光学显微镜的观察中，每个金属粒子的平均粒径作为基于圆等效直径的粒径而求得。在基于电子显微镜或光学显微镜的观察中，任意50个金属粒子的基于圆等效直径的平均粒径，与基于球等效直径的平均粒径大致相等。激光衍射式粒度分布测定中，每个金属粒子的平均粒径作为基于球等效直径的粒径而求得。
[0076]
所述金属粒子的粒径的变异系数(cv值)优选为10％以下，更优选为5％以下。所述金属粒子的粒径的变异系数为所述上限以下时，能够进一步高精度地控制气腔的间隙。
[0077]
所述变异系数(cv值)可通过下述方式测定。
[0078]
cv值(％)＝(ρ/dn)
×
100
[0079]
ρ：金属粒子的粒径的标准差(sd)
[0080]
dn：金属粒子的粒径的平均值
[0081]
所述金属粒子的形状没有特别限定。所述金属粒子的形状可以是球状，可以是球状以外的形状，也可以是扁平状等形状。
[0082]
接下来，在参照附图的同时，对金属粒子的具体例进行说明。
[0083]
图1是表示可用于本发明的一个实施方式的粘接剂中的金属粒子的第1例的截面图。
[0084]
图1表示的金属粒子1具有：基材粒子2和配置在基材粒子2的表面上的金属层3。金属层3包覆基材粒子2的表面。金属粒子1是基材粒子2的表面被金属层3所包覆的包覆粒子。
[0085]
金属层3具有：第2金属层3a和焊锡层3b(第1金属层)。金属粒子1在基材粒子2和焊锡层3b之间具有第2金属层3a。因此，金属粒子1具备：基材粒子2、配置在基材粒子2的表面上的第2金属层3a、以及配置在第2金属层3a的外表面上的焊锡层3b。这样，金属层3可具有2层以上的多层结构，也可具有多层结构。
[0086]
图2是表示可用于本发明的一个实施方式的粘接剂中的金属粒子的第2例的截面图。
[0087]
图1中的金属粒子1的金属层3具有2层结构。图2表示的金属粒子1a具有焊锡层4作为单层的金属层。金属粒子1a具备：基材粒子2和配置在基材粒子2的表面上的焊锡层4。
[0088]
以下，对于金属粒子的其他详细内容进行说明。
[0089]
基材粒子：
[0090]
作为所述基材粒子，可举出：树脂粒子、除含金属粒子之外的无机粒子、有机无机混合粒子和含金属粒子等。所述基材粒子优选为除含金属粒子之外的基材粒子，更优选为树脂粒子、除含金属粒子之外的无机粒子或有机无机混合粒子。所述基材粒子可以是具备芯和配置在该芯的表面上的壳的芯壳粒子。所述芯可以是有机芯，所述壳可以是无机壳。
[0091]
作为所述树脂粒子的材料，可适宜使用各种有机物。作为所述树脂粒子的材料，可举出：聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚异丁烯、聚丁二烯等聚烯烃树脂；聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸甲酯等丙烯酸类树脂；聚碳酸酯、聚酰胺、酚甲醛树脂、三聚氰胺甲醛树脂、苯并胍胺甲醛树脂、尿素甲醛树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、苯并胍胺树脂、脲醛树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、饱和聚酯树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚砜、聚苯醚、聚缩醛、聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚醚酮、聚醚砜、二乙烯基苯聚合物以及二乙烯基苯类共聚物等。作为所述二乙烯基苯类共聚物等，可举出：二乙烯基苯-苯乙烯共聚物和二乙烯基苯-(甲基)丙烯酸酯共聚物等。由于易于将所述树脂粒子的硬度控制在适宜范围，所述树脂粒子的材料优选为具有1种或2种以上烯键式不饱和基团的聚合性单体聚合而成的聚合物。
[0092]
在所述树脂粒子由具有烯键式不饱和基团的聚合性单体聚合而得到的情况下，作为所述具有烯键式不饱和基团的聚合性单体，可举出非交联性的单体和交联性的单体。
[0093]
作为所述非交联性的单体，可举出：苯乙烯和α-甲基苯乙烯等苯乙烯类单体；(甲基)丙烯酸、马来酸和马来酸酐等含羧基单体；(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸鲸蜡酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯等(甲基)丙烯酸烷基酯化合物；(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、(甲基)丙烯酸聚氧乙烯酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等含有氧原子的(甲基)丙烯酸酯化合物；(甲基)丙烯腈等含腈单体；甲基乙烯基醚、乙基乙烯基醚和丙基乙烯基醚等乙烯基醚化合物；乙酸乙烯酯、丁酸乙烯酯、月桂酸乙烯酯和硬脂酸乙烯酯等酸乙烯酯化合物；乙烯、丙烯、异戊二烯和丁二烯等不饱和烃；(甲基)丙烯酸三氟甲酯、(甲基)丙烯酸五氟乙酯、氯乙烯、氟乙烯和氯苯乙烯等含卤素单体等。
[0094]
作为所述交联性的单体，可举出：四羟甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、四羟甲基甲烷二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、甘油二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)四亚甲基二醇二(甲基)丙烯酸酯和1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯化合物；三烯丙基(异)氰尿酸酯、三烯丙基偏苯三酸、二乙烯基苯、二烯丙基邻苯二甲酸酯、二烯丙基丙烯酰胺、二烯丙基醚、以及γ-(甲基)丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、三甲氧基甲硅烷基苯乙烯和乙烯基三甲氧基硅烷等含硅烷单体等。
[0095]“(甲基)丙烯酸酯”这一术语，表示丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。“(甲基)丙烯酸”这一术语，表示丙烯酸和甲基丙烯酸。“(甲基)丙烯酰基”这一术语，表示丙烯酰基和甲基丙烯酰基。
[0096]
可通过公知的方法使所述具有烯键式不饱和基团的聚合性单体进行聚合，而得到所述树脂粒子。作为该方法，可举出：在自由基聚合引发剂的存在下进行悬浮聚合的方法、以及使用非交联的种子粒子与自由基聚合引发剂一同使单体溶胀而进行聚合的方法等。
[0097]
在所述基材粒子是除含金属粒子之外的无机粒子或有机无机混合粒子的情况下，作为用于形成基材粒子的无机物，可举出二氧化硅、氧化铝、钛酸钡、氧化锆和炭黑等。所述无机物优选不是金属。作为所述由二氧化硅形成得到的粒子，没有特别限定，例如，可举出：
将具有两个以上的水解性的烷氧基甲硅烷基的硅化合物进行水解而形成交联聚合物粒子后，根据需要进行烧制而得到的粒子。作为所述有机无机混合粒子，可举出：由交联了的烷氧基甲硅烷基聚合物与丙烯酸类树脂形成得到的有机无机混合粒子等。
[0098]
所述有机无机混合粒子优选为：具有芯和配置在该芯的表面上的壳的芯壳型有机无机混合粒子。所述芯优选为有机芯。所述壳优选为无机壳。从进一步有效地降低电极间的连接电阻的观点出发，所述基材粒子优选为：具有有机芯和配置在所述有机芯的表面上的无机壳的有机无机混合粒子。
[0099]
作为所述有机芯的材料，可举出上述树脂粒子的材料等。
[0100]
作为所述无机壳的材料，可举出：作为所述基材粒子的材料而举出了的无机物等。所述无机壳的材料优选为二氧化硅。所述无机壳优选通过下述方式而形成：在所述芯的表面上将金属烷氧化物通过溶胶凝胶法制成壳状物后，将该壳状物进行烧制。所述金属烷氧化物优选为硅烷烷氧化物。所述无机壳优选由硅烷烷氧化物形成。
[0101]
在所述基材粒子是含金属粒子的情况下，作为该含金属粒子的材料的金属，可举出银、铜、镍、硅、金和钛等。
[0102]
所述基材粒子的粒径，没有特别限定。所述基材粒子的粒径，可根据目标气腔的间隙来适宜选择。所述基材粒子的粒径，例如，可以是80μm以上，也可以是900μm以下。
[0103]
所述基材粒子的粒径，在基材粒子为正球状的情况下，表示直径，在基材粒子不是正球状的情况下，表示球等效直径。
[0104]
所述基材粒子的粒径优选为数均粒径。所述基材粒子的粒径，可使用粒度分布测定装置等而求得。基材粒子的粒径，可通过下述方式而求得：通过电子显微镜或光学显微镜观察任意50个基材粒子，计算平均值。在基于电子显微镜或光学显微镜的观察中，每个基材粒子的平均粒径作为基于圆等效直径的粒径而求得。在基于电子显微镜或光学显微镜的观察中，任意50个基材粒子的基于圆等效直径的平均粒径，与基于球等效直径的平均粒径大致相等。激光衍射式粒度分布测定中，每个基材粒子的平均粒径作为基于球等效直径的粒径而求得。
[0105]
金属层：
[0106]
所述金属粒子优选具有基材粒子和配置在所述基材粒子的表面上的金属层。所述金属层可以是单层结构或2层以上的多层结构。在所述金属层为2层以上的多层结构的情况下，所述金属粒子优选具有：基材粒子、配置在所述基材粒子的表面上的第2金属层和配置在所述第2金属层的表面上的焊锡层(第1金属层)。所述金属粒子优选在所述金属层的外表面部分具有焊锡。
[0107]
所述金属层包含金属。构成所述金属层的金属没有特别限定。作为所述金属，可举出金、银、铜、铂、钯、锌、铅、铝、钴、铟、镍、铬、钛、锑、铋、锗和镉、以及它们的合金等。此外，作为所述金属，可使用锡掺杂氧化铟(ito)和焊锡。所述金属可以仅使用一种，或组合使用2种以上。从进一步高精度地控制气腔的间隙的观点和进一步提高基板间的粘接强度的观点出发，最外层的金属层中包含的所述金属优选为焊锡。
[0108]
所述基材粒子的熔点优选高于所述金属层的熔点。所述基材粒子的熔点优选超过160℃，更优选超过300℃，进一步优选超过400℃，特别优选超过450℃。需要说明的是，所述基材粒子的熔点可以不足400℃。所述基材粒子的熔点可以为160℃以下。所述基材粒子的
软化点优选为260℃以上。所述基材粒子的软化点可以不足260℃。
[0109]
所述金属粒子可具有单层的焊锡层。所述金属粒子可具有多层的金属层(第2金属层和焊锡层(第1金属层))。即，所述金属粒子中，金属层可叠层有2层以上。在所述金属层为2层以上的情况下，所述金属粒子优选在金属层的外表面部分具有焊锡。
[0110]
所述焊锡优选为熔点为450℃以下的金属(低熔点金属)。所述焊锡层优选为熔点为450℃以下的金属层(低熔点金属层)。所述低熔点金属层是包含低熔点金属的层。所述金属粒子中的焊锡优选为熔点为450℃以下的金属(低熔点金属)。所述低熔点金属是指熔点为450℃以下的金属。所述低熔点金属的熔点优选为300℃以下，更优选为220℃以下。
[0111]
所述低熔点金属的熔点，可通过差示扫描量热测定(dsc)而求得。作为差示扫描量热测定(dsc)装置，可举出sii公司制“exstar dsc7020”等。
[0112]
此外，所述金属粒子中的焊锡优选包含锡。在所述金属粒子中的焊锡包含的金属100重量％中，锡的含量优选为30重量％以上，更优选为40重量％以上，进一步优选为70重量％以上，特别优选为90重量％以上。所述金属粒子中的焊锡中包含的锡的含量为所述下限以上时，能够进一步提高基板间的粘接强度。
[0113]
需要说明的是，所述锡的含量，可使用高频电感耦合等离子体发光分光分析装置(堀场制作所公司制“icp-aes”)或荧光x射线分析装置(岛津制作所公司制“edx-800hs”)等进行测定。
[0114]
在将包含在金属层的外表面部分具有所述焊锡的金属粒子的粘接剂用于将形成在两个基板上的金属部彼此进行粘接的情况下，能够使焊锡熔融而将金属部接合。例如，易于使焊锡和金属部发生面接触而非点接触，因此能够进一步提高基板间的粘接强度，能够充分增大所述金属粒子和所述金属部的接触面积。
[0115]
构成所述焊锡层和所述金属粒子中的焊锡的低熔点金属没有特别限定。该低熔点金属优选为锡或包含锡的合金。作为该合金，可举出锡-银合金、锡-铜合金、锡-银-铜合金、锡-铋合金、锡-锌合金、锡-铟合金等。从对于金属部的润湿性优异的观点出发，所述低熔点金属优选为锡、锡-银合金、锡-银-铜合金、锡-铋合金或锡-铟合金。
[0116]
构成所述焊锡层和所述金属粒子中的焊锡的材料，优选为基于jis z3001：溶接用语，液相线为450℃以下的溶加材料。作为所述焊锡的组成，例如可举出：包含锌、金、银、铅、铜、锡、铋、铟等的金属组成。
[0117]
为了进一步提高所述金属粒子中的焊锡和金属部的接合强度，所述金属粒子中的焊锡可包含：镍、铜、锑、铝、锌、铁、金、钛、磷、锗、碲、钴、铋、锰、铬、钼、钯等金属。此外，从进一步提高所述金属粒子中的焊锡和金属部的粘接强度的观点出发，所述金属粒子中的焊锡优选包含镍、铜或锑。从进一步提高所述金属粒子中的焊锡和金属部的粘接强度的观点出发，用于提高粘接强度的这些金属的含量，在所述金属粒子中的焊锡100重量％中，优选为0.001重量％以上，优选为1重量％以下。
[0118]
所述金属粒子优选具有：基材粒子、配置在所述基材粒子的表面上的第2金属层和配置在所述第2金属层的表面上的焊锡层。
[0119]
所述第2金属层的熔点优选高于所述焊锡层的熔点。所述第2金属层的熔点优选超过220℃，更优选超过300℃，进一步优选超过400℃，进一步优选超过450℃，特别优选超过500℃，最优选超过600℃。所述焊锡层的熔点较低，因此优选在形成气腔时熔融。所述第2金
属层，优选在形成气腔时不熔融。所述金属粒子，优选使焊锡熔融而使用，优选使所述焊锡层熔融而使用，优选使所述焊锡层熔融并且不使所述第2金属层熔融而使用。所述第2金属层的熔点高于所述焊锡层的熔点，因此，在形成气腔时，能够在不使所述第2金属层熔融的情况下，仅使所述焊锡层熔融。
[0120]
所述焊锡层的熔点和所述第2金属层的熔点之差的绝对值超过0℃，优选为5℃以上，更优选为10℃以上，进一步优选为30℃以上，特别优选为50℃以上，最优选为100℃以上。
[0121]
所述第2金属层包含金属。构成所述第2金属层的金属，没有特别限定。作为该金属，例如，可举出：金、银、铜、铂、钯、锌、铅、铝、钴、铟、镍、铬、钛、锑、铋、锗和镉、以及它们的合金等。此外，作为所述金属，可使用锡掺杂氧化铟(ito)。所述金属可以仅使用一种，或组合使用2种以上。
[0122]
所述第2金属层优选为镍层、钯层、铜层或金层，更优选为镍层、金层或铜层，进一步优选为铜层。所述金属粒子优选具有镍层、钯层、铜层或金层，更优选具有镍层、金层或铜层，进一步优选具有铜层。通过使用包含具有这些优选的金属层的金属粒子的粘接剂将两个基板进行粘接，能够进一步高精度地控制气腔的间隙。此外，在这些优选的金属层的表面，能够进一步容易地形成焊锡层。
[0123]
所述金属层的厚度优选为3.5μm以上，更优选为8μm以上，优选为80μm以下，更优选为65μm以下，进一步优选为50μm以下。所述金属层的厚度为所述下限以上和所述上限以下时，能够进一步提高基板间的粘接强度。
[0124]
所述第2金属层的厚度优选为0.5μm以上，更优选为3μm以上，优选为30μm以下，更优选为25μm以下，进一步优选为20μm以下。所述第2金属层的厚度为所述下限以上和所述上限以下时，能够进一步提高基板间的粘接强度。
[0125]
所述焊锡层(第1金属层)的厚度优选为3μm以上，更优选为5μm以上，优选为50μm以下，更优选为40μm以下，进一步优选为30μm以下。所述焊锡层的厚度为所述下限以上和所述上限以下时，能够进一步提高基板间的粘接强度。
[0126]
所述金属层的厚度、所述第2金属层的厚度和所述焊锡层的厚度，例如，可通过使用透射型电子显微镜(tem)对金属粒子的截面进行观察来测定。
[0127]
在所述基材粒子的表面上形成金属层的方法没有特别限定。作为形成所述金属层的方法，可举出：基于无电解镀敷的方法、基于电镀的方法、基于物理性冲击的方法、基于机械化学反应的方法、基于物理性蒸镀或物理性吸附的方法、以及将包含金属粉末或者金属粉末和粘合剂的糊剂涂布至基材粒子的表面的方法等。形成所述金属层的方法优选为基于无电解镀敷、电镀或物理性冲击的方法。作为所述基于物理性蒸镀的方法，可举出真空蒸镀、离子镀和离子溅射等方法。此外，所述基于物理性冲击的方法中，例如使用th eta composer(tokuju公司制)等。
[0128]
(天线装置)
[0129]
本发明的天线装置具备：在表面具有第1金属部的第1基板、在表面具有第2金属部的第2基板、以及将所述第1基板和所述第2基板进行了粘接的粘接剂部。本发明的天线装置中，所述粘接剂部的材料为所述粘接剂。本发明的天线装置中，所述第1金属部和所述第2金属部通过所述粘接剂部而得到了粘接。本发明的天线装置中，通过所述第1基板、所述第2基
板以及所述粘接剂部而形成有气腔。
[0130]
所述第1基板优选为玻璃环氧基板或陶瓷基板。所述第2基板优选为玻璃环氧基板、陶瓷基板或硅基板。所述基板可以是高频基板、构成天线的基板等。所述第1金属部优选由铜形成或通过镍/金镀敷而形成。所述第2金属部优选由铜形成或通过镍/金镀敷而形成。所述第1金属部和所述第2金属部可以由铜形成，也可以通过镍/金镀敷而形成。
[0131]
图3是表示使用了本发明的粘接剂的天线装置的一个实例的截面图。
[0132]
图3表示的天线装置11具备：第1基板12、第2基板13、以及将第1基板12和第2基板13进行了粘接的粘接剂部。所述粘接剂部的材料为所述粘接剂。本实施方式中，所述粘接剂部的材料为金属粒子1。所述粘接剂部优选由所述金属粒子形成。
[0133]
第1基板12在表面(上表面)具有多个第1金属部12a。第2基板13在表面(下表面)具有多个第2金属部13a。第1金属部12a和第2金属部13a通过一个或多个金属粒子1(粘接剂部)而进行了粘接。天线装置11中，通过第1基板12、第2基板13以及金属粒子1(粘接剂部)而形成有气腔14。通过金属粒子1(粘接剂部)，而使得第1基板12和第2基板13的间隔(间隙)保持一定。气腔14的间隙通过金属粒子1(粘接剂部)而得到了控制。
[0134]
所述天线装置中的所述间隙根据以天线装置为对象的频带来设定即可。
[0135]
所述天线装置的制造方法没有特别限定。作为天线装置的制造方法的一个实例，可举出将所述粘接剂配置所述第1金属部和所述第2金属部之间，得到叠层体后，对该叠层体进行加热和加压的方法等。所述加压的压力为9.8
×
104pa～4.9
×
106pa左右。所述加热的温度为120℃～250℃左右。从进一步高精度地控制气腔的间隙的观点出发，优选制造所述天线装置时不加压。在制造所述天线装置时不加压的情况下，熔融了的所述金属粒子的所述焊锡层不会过度润湿扩散至所述第1金属部和所述第2金属部，因此能够进一步高精度地控制气腔的间隙。
[0136]
图4是将图3表示的天线装置中的金属粒子与金属部的粘接部分进行扩大表示的截面图。
[0137]
图4表示那样，在天线装置11中，通过对所述叠层体进行加热，而在金属粒子1的焊锡层3b熔融后，熔融了的焊锡层部分3ba与第1金属部12a和第2金属部13a充分接触。与使用了最外层为镍、金或铜等金属的金属粒子的情况相比，通过使用最外层为焊锡层的金属粒子1，能够增大金属粒子1与第1金属部12a和第2金属部13a的接触面积，能够进一步高精度地控制气腔的间隙。此外，与使用了中心部分和金属层的外表面部分中的任一者均由焊锡形成而得到的焊锡粒子的情况相比，通过使用金属粒子1而不是由焊锡形成得到的焊锡粒子，即使进行了重复加热，也能够抑制加热导致的焊锡的过度润湿扩散，也能够进一步高精度地控制气腔的间隙。
[0138]
以下，举出实施例和比较例，具体性地对本发明进行说明。本发明不限于以下的实施例。
[0139]
(金属粒子1)
[0140]
使二乙烯基苯50重量份和四羟甲基甲烷四丙烯酸酯50重量份共聚，制备作为树脂粒子的基材粒子(平均粒径240μm，cv值1.85％)。对得到的基材粒子进行无电解镀镍，在基材粒子的表面上形成厚度0.3μm的衬底镀镍层。接着，对形成了衬底镀镍层的基材粒子进行电解镀铜，形成厚度10μm的铜层。进一步进行电解镀敷，形成厚度25μm的含锡的焊锡层。由
此，制备在基材粒子的表面上形成有厚度10μm的铜层，并且在该铜层的表面形成有厚度25μm的焊锡层(锡:银＝96.5重量％:3.5重量％)的金属粒子1(平均粒径310μm，cv值2.85％)。
[0141]
(金属粒子2)
[0142]
以与金属粒子1同样的方式制备作为树脂粒子的基材粒子(平均粒径260μm，cv值1.92％)。对得到的基材粒子进行无电解镀镍，在基材粒子的表面上形成厚度0.3μm的衬底镀镍层。接着，对形成有衬底镀镍层的基材粒子进行电解镀铜，形成厚度5μm的铜层。进一步进行电解镀敷，形成厚度20μm的含锡的焊锡层。由此，制备在基材粒子的表面上形成有厚度5μm的铜层，并且在该铜层的表面形成有厚度20μm的焊锡层(锡:银＝96.5重量％:3.5重量％)的金属粒子2(平均粒径310μm，cv值2.76％)。
[0143]
(金属粒子3)
[0144]
以与金属粒子1同样的方式制备作为树脂粒子的基材粒子(平均粒径210μm，cv值1.68％)。对得到的基材粒子进行无电解镀镍，在基材粒子的表面上形成厚度0.3μm的衬底镀镍层。接着，对形成有衬底镀镍层的基材粒子进行电解镀铜，形成厚度10μm的铜层。进一步进行电解镀敷，形成厚度40μm的含锡的焊锡层。由此，制备在基材粒子的表面上形成有厚度10μm的铜层，并且在该铜层的表面形成有厚度40μm的焊锡层(锡:银＝96.5重量％:3.5重量％)的金属粒子3(平均粒径310μm，cv值3.21％)。
[0145]
(金属粒子x1)
[0146]
将由含有锡、银和铜的焊锡而形成得到的焊锡球(千住金属工业公司制“m705”，锡:银:铜＝96.5重量％:3重量％:0.5重量％)作为金属粒子x1(平均粒径300μm)。
[0147]
(金属粒子的平均粒径)
[0148]
金属粒子的平均粒径使用数码显微镜(keyence公司制“vhx-5000”)，通过上述方法进行测定。
[0149]
(实施例1)
[0150]
不使用金属粒子1以外的粘接成分，将得到的金属粒子1本身用作粘接剂。
[0151]
(天线装置a的制备)
[0152]
作为第1基板，准备具有20个由铜形成得到的金属部(第1金属部)的玻璃环氧基板。作为第2基板，制备具有20个由铜形成得到的金属部(第2金属部)的玻璃环氧基板。所述金属部是用于形成天线电路的金属部。在所述第1基板的所述第1金属部的表面上涂布助焊剂(cookson electronics公司制“ws-9160-m7”)。接着，在涂布了助焊剂的表面上配置金属粒子1，进行回流处理(加热温度250℃和加热时间30秒)，使金属粒子1与第1金属部粘接。接着，在所述第2基板的所述第2金属部的表面上涂布焊锡糊(千住金属工业公司制“m705-grn360-k2-v”)。将所述第1基板和所述金属粒子1的粘接结构体与涂布有焊锡糊的第2基板以使得所述第1金属部与所述第2金属部对向的方式进行配置，进行回流处理(加热温度250℃和加热时间30秒)。由此，制备第1金属部与第2金属部介由由金属粒子1形成得到的粘接部而进行了粘接的天线装置a。
[0153]
(天线装置b的制备)
[0154]
作为第2基板，使用具有20个通过镍/金镀敷而形成得到的金属部(第2金属部)的玻璃环氧基板，除此之外，以与天线装置a的制备方法同样的方式，制备天线装置b。
[0155]
(天线装置c的制备)
[0156]
作为第1基板和第2基板，使用具有20个通过镍/金镀敷而形成得到的金属部(第2金属部)的玻璃环氧基板，除此之外，以与天线装置a的制备方法同样的方式，制备天线装置c。
[0157]
(实施例2)
[0158]
作为粘接剂，使用金属粒子2代替金属粒子1，除此之外，以与实施例1同样的方式，制备天线装置a、b、c。
[0159]
(实施例3)
[0160]
作为粘接剂，使用金属粒子3代替金属粒子1，除此之外，以与实施例1同样的方式，制备天线装置a、b、c。
[0161]
(比较例1)
[0162]
作为粘接剂，使用金属粒子x1代替金属粒子1，除此之外，以与实施例1同样的方式，制备天线装置a、b、c。
[0163]
(评价)
[0164]
(1)基板间的间隙的变化率(评价试验1a)
[0165]
(1-1)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有由铜形成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有由铜形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算基板间的间隙的变化率。
[0166]
(1-2)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有由铜形成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有通过镍/金镀敷而形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算基板间的间隙的变化率。
[0167]
(1-3)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有通过镍/金镀敷而形成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有通过镍/金镀敷而形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算基板间的间隙的变化率。
[0168]
[基板间的间隙的变化率的判定基准]
[0169]
○
：间隙的变化率为10％以下
[0170]
×
：间隙的变化率超过10％
[0171]
(2)比(加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)(评价试验1b)
[0172]
(2-1)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有由铜形成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有由铜形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算比(加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)。
[0173]
(2-2)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有由铜形成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有通过镍/金镀敷而形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算比(加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)。
[0174]
(2-3)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有通过镍/金镀敷而形
成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有通过镍/金镀敷而形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算比(加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)。
[0175]
[比(加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)的判定基准]
[0176]
○
：比(加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)为0.70以上0.97以下
[0177]
×
：比(加热后的间隙/金属粒子的平均粒径)不足0.70或超过0.97
[0178]
(3)基板间的粘接强度的变化率(评价试验2)
[0179]
(3-1)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有由铜形成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有由铜形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算基板间的粘接强度的变化率。
[0180]
(3-2)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有由铜形成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有通过镍/金镀敷而形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算基板间的粘接强度的变化率。
[0181]
(3-3)准备得到的金属粒子(粘接剂)。此外，准备在表面具有通过镍/金镀敷而形成得到的第1金属部的第1基板(玻璃环氧基板)。准备在表面具有通过镍/金镀敷而形成得到的第2金属部的第2基板(玻璃环氧基板)。使用准备的金属粒子(粘接剂)、第1基板以及第2基板，通过上述方法，计算基板间的粘接强度的变化率。
[0182]
[基板间的粘接强度的变化率的判定基准]
[0183]
○
：粘接强度的变化率为10％以下
[0184]
×
：粘接强度的变化率超过10％
[0185]
(4)间隙控制性
[0186]
对于得到的5个天线装置a，使用实体显微镜(nikon公司制“smz-10”)，测定气腔的厚度，分别计算5个天线装置a中的气腔的平均厚度。根据平均厚度的最大值与平均厚度的最小值之差，以下述的基准判定间隙控制性。此外，对于得到的天线装置b、c，也进行同样的评价。
[0187]
[间隙控制性的判定基准]
[0188]
○
：气腔的平均厚度的最大值与平均厚度的最小值之差不足10μm
[0189]
×
：气腔的平均厚度的最大值与平均厚度的最小值之差为10μm以上
[0190]
(5)回流处理后的间隙控制性
[0191]
使用所述(4)间隙控制性的评价后的5个天线装置a，在jedec j-std-020中规定的回流条件下，实施4次回流处理。对于回流处理后的天线装置a，实施与所述(4)间隙控制性同样的评价。以下述的基准判定回流处理后的间隙控制性。此外，对于得到的天线装置b、c，也进行同样的评价。
[0192]
[回流处理后的间隙控制性的判定基准]
[0193]
○
：气腔的平均厚度的最大值与平均厚度的最小值之差不足10μm
[0194]
×
：气腔的平均厚度的最大值与平均厚度的最小值之差为10μm以上
[0195]
(6)天线的通信品质
[0196]
使用所述(5)回流处理后的间隙控制性的评价后的天线装置a，对天线是否精度良好地运转进行确认。以下述的基准判定天线的通信品质。此外，对于得到的天线装置b、c，也进行同样的评价。
[0197]
[天线的通信品质的判定基准]
[0198]
○
：天线装置无偏差地稳定地运转
[0199]
×
：天线装置的运转有偏差
[0200]
将结果示于下述的表1。
[0201][0202]
作为第1基板和第2基板，在使用了陶瓷基板或硅基板代替玻璃环氧基板的情况下，也观察到同样的倾向。
[0203]
符号的说明
[0204]
1,1a
…
金属粒子
[0205]2…
基材粒子
[0206]3…
金属层
[0207]
3a
…
第2金属层
[0208]
3b
…
焊锡层(第1金属层)
[0209]
3ba
…
熔融了的焊锡层部分
[0210]4…
焊锡层
[0211]
11
…
天线装置
[0212]
12
…
第1基板
[0213]
12a
…
第1金属部
[0214]
13
…
第2基板
[0215]
13a
…
第2金属部
[0216]
14
…
气腔