一种低撕膜静电压PU保护膜及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种低撕膜静电压pu保护膜，其特征在于，包括依次设置的基材层、胶层及离型层，其中，所述胶层为溶剂型聚氨酯压敏胶涂布而成，所述溶剂型聚氨酯压敏胶，按重量份数计，包括如下原料：多元醇40～60份、湿润剂10～20份、抗静电剂1～30份、催化剂0～1份、固化剂10～20份和溶剂80～150份。2.根据权利要求1所述的低撕膜静电压pu保护膜，其特征在于，所述多元醇选自聚酯多元醇、聚醚多元醇中的任意一种或多种。3.根据权利要求1所述的低撕膜静电压pu保护膜，其特征在于，所述润湿剂选自肉豆蔻酸异丙酯、邻苯二甲酸二辛酯、丁二酸二乙酯中的任意一种或多种。4.根据权利要求1所述的低撕膜静电压pu保护膜，其特征在于，所述抗静电剂选自三己基(四癸基)膦双(三氟甲基磺酰)氨、三正丁基甲铵双(三氟甲磺酰)亚胺盐、三羟乙基甲基季铵硫酸甲酯盐、十八烷基二甲基羟乙基季铵硝酸盐、双三氟甲基磺酰亚胺锂、双三氟甲基磺酰亚胺钾、双三氟甲基磺酰亚胺钠中的任意一种或多种。5.根据权利要求1所述的低撕膜静电压pu保护膜，其特征在于，所述催化剂选自有机锡类催化剂、有机胺类催化剂中的任意一种。6.根据权利要求1所述的低撕膜静电压pu保护膜，其特征在于，所述固化剂选自甲苯二异氰酸酯、二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异氟尔酮二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、四甲基间苯二亚甲基二异氰酸酯中的任意一种或多种。7.根据权利要求1所述的低撕膜静电压pu保护膜，其特征在于，所述溶剂选自乙酸乙酯、甲苯、醋酸丁酯、丙酮、丁酮中的任意一种或多种。8.根据权利要求1所述的低撕膜静电压pu保护膜，其特征在于，所述溶剂型聚氨酯压敏胶，按重量份数计，包括如下原料：多元醇50份、湿润剂10～20份、抗静电剂5～15份、催化剂0.05份、固化剂10份和溶剂120～135份。9.一种如权利要求1所述的低撕膜静电压pu保护膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)将溶剂型聚氨酯压敏胶涂布于基材上，经过烘箱干燥后，贴合离型膜收卷，即得pu保护膜半成品；(2)将所得的pu保护膜半成品熟化、测试后，分切成出货规格，即得成品。10.根据权利要求9所述的低撕膜静电压pu保护膜的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中涂布的方法选自刮刀涂布法、辊涂法、凹版涂布法、微凹涂布法、狭缝式挤出涂布法、喷涂法、模头涂布法中的任意一种。

技术总结
本发明公开的一种低撕膜静电压PU保护膜及其制备方法。该低撕膜静电压PU保护膜包括依次设置的基材层、胶层及离型层，其中，所述胶层为溶剂型聚氨酯压敏胶涂布而成，所述溶剂型聚氨酯压敏胶，包括如下原料：多元醇、湿润剂、抗静电剂、催化剂、固化剂和溶剂。本发明提供的低撕膜静电压PU保护膜具有高吸附性、低污染性的优势，具有良好的稳定性、吸附性及气密性，不易残胶、残留、转移，可重复利用，应用于铝硅玻璃的表面AF镀层上，撕膜静电压小于500V，适于推广应用。广应用。


技术研发人员：徐凌 华小龙
受保护的技术使用者：崴思新材料泰州有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/4/26