显示面板及其制作方法、显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制作方法、及具有该显示面板的显示装置。


背景技术：

2.随着显示技术的不断发展，人们对显示产品的分辨率、功耗和画质的要求越来越高。为了满足这些要求，目前经常采用低温多晶氧化物(low temperaturepolycrystalline oxide，ltpo)技术，来制作显示产品的驱动背板中的像素驱动电路，这种ltpo技术即：同时利用低温多晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管作为像素驱动电路中的功能管，由于低温多晶硅薄膜晶体管迁移率高，可以加快对像素电容的充电速度，金属氧化物薄膜晶体管具有更低的泄漏电流，将这两种晶体管的优势相结合，有助于高分辨率、低功耗、高画质的显示产品的开发。
3.但是由于ltpo显示面板在制作过程中，需要制作多层绝缘层来将薄膜晶体管器件进行绝缘间隔，例如氮化硅薄膜，但是氮化硅薄膜的制程中需要经历高温工艺，导致h

扩散，其中，h

扩散至低温多晶硅薄膜晶体管中的有源层中时，可以提高低温多晶薄膜晶体管的特性，但是当h

扩散至金属氧化物薄膜晶体管的有源层中时，将会影响金属氧化物薄膜晶体管的稳定性，甚至导致金属氧化物薄膜晶体管失效。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，能够提高开关有源层的稳定性。
5.本发明实施例提供一种显示面板，所述显示面板包括显示区，所述显示区包括低温多晶硅晶体管区以及金属氧化物晶体管区，且所述显示面板还包括：
6.基底；
7.低温多晶硅层，设置于所述基底的一侧，并包括设置于所述低温多晶硅晶体管区内的驱动有源部；
8.金属氧化物层，设置于所述低温多晶硅层远离所述基底的一侧，并包括设置于所述金属氧化物晶体管区内的开关有源部，所述开关有源部包括有源子部以及位于所述有源子部两侧的连接子部；以及
9.自钝化金属层，设置于所述金属氧化物层上，并包括至少部分覆盖于所述连接子部上的钝化部。
10.在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述低温多晶硅层与所述金属氧化物层之间的第一间隔层以及设置于所述自钝化金属层远离所述金属氧化物层一侧的第二间隔层，且所述第一间隔层与所述第二间隔层皆包括至少一氮化硅子层。
11.在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第二间隔层远离所述金属氧化物层一侧的源漏极层，且所述源漏极层包括位于所述低温多晶硅晶体管区内的驱
动源极和驱动漏极、以及位于所述金属氧化物晶体管区内的开关源极和开关漏极；
12.其中，所述驱动源极和所述驱动漏极皆穿过所述第一间隔层、所述第二间隔层与所述驱动有源部电性连接，所述开关源极和所述开关漏极皆穿过所述第二间隔层、所述钝化部与所述连接子部电性连接。
13.在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述基底中的遮光层，所述遮光层包括至少位于所述金属氧化物晶体管区内的遮光部，所述开关有源部在所述遮光层上的正投影位于所述遮光部的覆盖范围以内。
14.在本发明的一种实施例中，所述遮光部还位于所述低温多晶硅晶体管区内，且所述驱动有源部在所述遮光层上的正投影位于所述遮光部的覆盖范围以内。
15.在本发明的一种实施例中，所述驱动源极或所述驱动漏极还穿过所述第一间隔层、所述第二间隔层与所述遮光部电性连接。
16.在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述自钝化金属层远离所述金属氧化物层一侧的第一栅极层，所述第一栅极层包括设置于所述金属氧化物晶体管区内的开关栅极，且所述开关栅极在所述金属氧化物层上的正投影位于所述开关有源部的覆盖范围以内，并与所述钝化部在所述金属氧化物层上的正投影相邻。
17.在本发明的一种实施例中，所述自钝化金属层的材料包括三氧化二钛、三氧化二铝以及三氧化二铬中的至少一者。
18.根据本发明的上述目的，提供一种显示面板的制作方法，所述显示面板包括显示区，所述显示区包括低温多晶硅晶体管区以及金属氧化物晶体管区，且所述显示面板的制作方法包括以下步骤：
19.提供基底；
20.在所述基底的一侧形成低温多晶硅层，所述低温多晶硅层包括形成于所述低温多晶硅晶体管区内的驱动有源部；
21.在所述低温多晶硅层远离所述基底的一侧形成金属氧化物层，所述金属氧化物层包括形成于所述金属氧化物晶体管区内的开关有源部，所述开关有源部包括有源子部以及位于所述有源子部两侧的连接子部；
22.在所述金属氧化物层远离所述低温多晶硅层的一侧形成自钝化金属层，所述自钝化金属层包括至少部分覆盖于所述连接子部上的钝化部。
23.根据本发明的上述目的，提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板，或采用所述显示面板的制作方法制得的显示面板。
24.本发明的有益效果：本发明通过在开关有源部上设置钝化部，以至少覆盖开关有源部的部分上表面，进而可以防止开关有源部上方的膜层在制程中形成的h

扩散至开关有源部中，进而可以提高开关有源部的稳定性，提高了显示面板的驱动稳定性和显示效果。
附图说明
25.下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
26.图1为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
27.图2为本发明实施例提供的显示面板的制作方法流程图；
28.图3至图17为本发明实施例提供的显示面板的制程结构示意图。
具体实施方式
29.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
30.下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
31.本发明实施例提供一种显示面板，请参照图1，该显示面板包括显示区，且显示区包括低温多晶硅晶体管区101以及金属氧化物晶体管区102。
32.该显示面板还包括基底10、低温多晶硅层20、金属氧化物层30以及自钝化金属层40；低温多晶硅层20设置于基底10的一侧，并包括设置于低温多晶硅晶体管区101内的驱动有源部21；金属氧化物层30设置于低温多晶硅层20远离基底10的一侧，并包括设置于金属氧化物晶体管区102内的开关有源部31，且开关有源部31包括有源子部311以及位于有源子部311两侧的连接子部312；自钝化金属层40设置于金属氧化物层30上，并包括至少部分覆盖于连接子部312上的钝化部41。
33.在实施应用过程中，本发明实施例通过至少在开关有源部31的连接子部312上覆盖钝化部41，进而可以对连接子部312的上表面提供保护作用，以防止开关有源部31上方的膜层在制程中形成的h

扩散至开关有源部31中，进而可以提高开关有源部31的稳定性，提高了显示面板的驱动稳定性和显示效果。
34.具体地，请继续参照图1，在本发明实施例中，显示面板包括基底10以及设置于基底10上的薄膜晶体管层，显示面板还包括显示区以及位于显示区内的低温多晶硅晶体管区101和金属氧化物晶体管区102，且薄膜晶体管层包括设置于低温多晶硅晶体管区101内的驱动晶体管以及设置于金属氧化物晶体管区102内的开关晶体管，以结合低温多晶硅晶体管迁移率高、可以加快对像素电容的充电速度以及金属氧化物晶体管具有更低的泄漏电流的优势。
35.其中，基底10包括层叠设置的第一有机柔性子层11、第一水氧阻挡子层12、第二有机柔性子层13、第二水氧阻挡子层14以及第三水氧阻挡子层15。
36.可选的，第一有机柔性子层11和第二有机柔性子层13的材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、以及多芳基化合物中的至少一者；第一水氧阻挡子层12、第二水氧阻挡子层14以及第三水氧阻挡子层15包括氮化硅、氧化硅中的至少一者。
37.薄膜晶体管层包括设置于基底10上的介质层91、设置于介质层91上的第一间隔层51、设置于第一间隔层51上的第二间隔层52以及设置于第二间隔层52上的层间绝缘层92。
其中，第一间隔层51包括设置于介质层91上的第一绝缘层511、设置于第一绝缘层511上的第二绝缘层512、设置于第二绝缘层512上的第三绝缘层513，第二间隔层52包括设置于第三绝缘层513上的第四绝缘层521以及设置于第四绝缘层521上的第五绝缘层522，且层间绝缘层92设置于第五绝缘层522上。
38.薄膜晶体管层还包括包覆于介质层91、第一间隔层51、第二间隔层52以及层间绝缘层92之间的薄膜晶体管器件，具体可包括设置于低温多晶硅晶体管区101内的驱动晶体管和设置于金属氧化物晶体管区102内的开关晶体管。
39.薄膜晶体管层还包括设置于介质层91上并被第一间隔层51覆盖的低温多晶硅层20以及设置第一间隔层51上并被第二间隔层52覆盖的金属氧化物层30，且低温多晶硅层20包括驱动晶体管的驱动有源部21，低温多晶硅层20包括开关晶体管的开关有源部31。
40.具体地，驱动晶体管包括设置于介质层91上并被第一绝缘层511覆盖的驱动有源部21、设置于第一绝缘层511上并被第二绝缘层512覆盖的第一驱动栅极72、以及设置于第二绝缘层512上并被第三绝缘层513覆盖的第二驱动栅极73，开关晶体管包括设置于第三绝缘层513上并被第四绝缘层521覆盖的开关有源部31、设置于第四绝缘层521上并被第五绝缘层522覆盖的第一栅极层，且第一栅极层包括开关晶体管的开关栅极71。进一步地，薄膜晶体管层还包括设置于第五绝缘层522上并被层间绝缘层92覆盖的源漏极层60，且源漏极层60包括驱动晶体管的驱动漏极61和驱动源极62、以及开关晶体管的开关漏极63和开关源极64，其中，驱动漏极61和驱动源极62穿过第五绝缘层522、第四绝缘层521、第三绝缘层513、第二绝缘层512以及第一绝缘层511与驱动有源部21的两侧搭接，开关漏极63和开关源极64穿过第五绝缘层522和第四绝缘层521与开关有源部31搭接。
41.其中，驱动漏极61和驱动源极62的位置可进行对换，且开关漏极63和开关源极64的位置可进行对换，且具体设置方式可根据实际需求进行选择，在此不作限定。
42.在本发明实施例中，开关有源部31包括有源子部311以及连接于有源子部311两侧的连接子部312，显示面板还包括设置于金属氧化物层30上的自钝化金属层40，且自钝化金属层40包括至少覆盖于连接子部312上的钝化部41。
43.需要说明的是，第一间隔层51与第二间隔层52皆包括至少一氮化硅子层，即第一绝缘层511、第二绝缘层512和第三绝缘层513中至少一者的材料，以及第四绝缘层521和第五绝缘层522中至少一者的材料为氮化硅材料，进而在制程中，氮化硅子层在经过高温制程时，可产生h

扩散，当第一间隔层51中产生h

扩散时，h

可扩散至驱动有源部21中，由于驱动有源部21的材料为低温多晶硅材料，进而h

扩散可修复a-si中的缺陷，提高驱动晶体管的器件性能；而当第二间隔层52中产生h

扩散时，h

可被钝化部41所阻挡，使其不能扩散至开关有源部31中，由于开关有源部31的材料为金属氧化物材料，例如铟镓锌氧化物，进而可以防止h

破坏开关有源部31的电性，提高开关晶体管的稳定性。
44.其中，开关栅极71在金属氧化物层30上的正投影位于开关有源部31的覆盖范围以内；可选的，开关栅极71在金属氧化物层30上的正投影与钝化部41在金属氧化物层30上的正投影相邻；进一步地，开关栅极71在金属氧化物层30上的正投影与钝化部41在金属氧化物层30上的正投影覆盖开关有源部31，以提高对开关有源部31的保护作用，防止第二间隔层52中的h

扩散至开关有源部31中。
45.可以理解的是，开关漏极63和开关源极64穿过第五绝缘层522、第四绝缘层521以
及钝化部41与开关有源部31搭接。
46.可选的，钝化部41的材料包括三氧化二钛、三氧化二铝以及三氧化二铬中的至少一者。
47.在本发明实施例中，显示面板还包括设置于基底10中的遮光层，且遮光层包括至少设置于金属氧化物晶体管区102内的遮光部80，其中，遮光部80可设置于第二水氧阻挡子层14和第三水氧阻挡子层15之间。
48.开关有源部31在遮光层上的正投影位于金属氧化物晶体管区102的覆盖范围以内，进而可以防止光线由开关晶体管的下方照射至开关有源部31上，以提高开关有源部31的稳定性。
49.进一步地，遮光部80还可同时设置于低温多晶硅晶体管区101和金属氧化物晶体管区102内，且驱动有源部21在遮光层上的正投影和开关有源部31在遮光层上的正投影皆位于遮光部80的覆盖范围以内。
50.此外，驱动源极62穿过第五绝缘层522、第四绝缘层521、第三绝缘层513、第二绝缘层512、第一绝缘层511、介质层91以及第三水氧阻挡子层15与遮光部80电性连接，以为遮光部80加载电压，以消除静电，避免开关晶体管与驱动晶体管因静电受到损伤。
51.在本发明实施例中，低温多晶硅层20还包括导通部22，且导通部22可进行掺杂，以实现导电的作用，且开关晶体管的开关漏极63可穿过第五绝缘层522、第四绝缘层521、第三绝缘层513、第二绝缘层512以及第一绝缘层511与导通部22电性连接，且导通部22还可与驱动晶体管电性连接(图中并未示出)，以实现开关晶体管与驱动晶体管的电性连接。
52.承上，本发明实施例通过至少在开关有源部31的连接子部312上覆盖钝化部41，进而可以对连接子部312的上表面提供保护作用，以防止开关有源部31上方的膜层在制程中形成的h

扩散至开关有源部31中，进而可以提高开关有源部31的稳定性，提高了显示面板的驱动稳定性和显示效果。
53.另外，本发明实施例还提供一种上述实施例中所述显示面板的制作方法，请参照图1、图2以及图3至图17，其中，该显示面板包括显示区，显示区包括低温多晶硅晶体管区101以及金属氧化物晶体管区102。
54.具体地，该显示面板的制作方法包括以下步骤：
55.s10、提供基底10。
56.形成基底10，且基底10包括层叠设置的第一有机柔性子层11、第一水氧阻挡子层12、第二有机柔性子层13、第二水氧阻挡子层14以及第三水氧阻挡子层15。
57.可选的，第一有机柔性子层11和第二有机柔性子层13的材料包括聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、以及多芳基化合物中的至少一者；第一水氧阻挡子层12、第二水氧阻挡子层14以及第三水氧阻挡子层15包括氮化硅、氧化硅中的至少一者。
58.同时，在基底10的制备过程中，可在基底10中形成遮光层，且遮光层包括至少形成于金属氧化物晶体管区102内的遮光部80，可选的，遮光层的材料可为钼。
59.s20、在基底10的一侧形成低温多晶硅层20，低温多晶硅层20包括形成于低温多晶硅晶体管区101内的驱动有源部21。
60.在基底10上形成介质层91，且介质层91的材料可为氮化硅或氧化硅中的至少一
者。
61.接着，在介质层91上形成低温多晶硅层20，其中，低温多晶硅层20包括形成于低温多晶硅晶体管区101内的驱动有源部21和导通部22。
62.然后，在低温多晶硅层20上形成第一绝缘层511，以覆盖驱动有源部21和导通部22，再在第一绝缘层511上形成第一金属电极层，并对第一金属电极层进行图案化处理，以形成位于驱动有源部21上方的第一驱动栅极72，同时，对驱动有源部21和导通部22进行掺杂处理，以使得驱动有源部21的两侧以及导通部22导体化，可实现传输信号的作用。
63.可选的，第一绝缘层511的厚度可为1000-3000埃，且第一驱动栅极72的材料包括mo、al、cu、ti等。
64.在第一驱动栅极72上形成第二绝缘层512，以覆盖第一驱动栅极72，并在第二绝缘层512上形成第二金属电极层，再对第二金属电极层进行图案化处理，以形成位于第一驱动栅极72的上方形成第二驱动栅极73，在第二驱动栅极73上形成第三绝缘层513以覆盖第二驱动栅极73。
65.可选的，第二绝缘层512的厚度可为1000-3000埃，第三绝缘层513的厚度可为2000埃-10000埃，第一绝缘层511、第二绝缘层512以及第三绝缘层513的材料皆包括氮化硅以及氧化硅中的至少一者，或者为有机材料，第二驱动栅极73的材料包括mo、al、cu、ti或者以上金属材料组合形成的合金材料，且第二驱动栅极73的材料可为2000-8000埃。
66.s30、在低温多晶硅层20远离基底10的一侧形成金属氧化物层30，金属氧化物层30包括形成于金属氧化物晶体管区102内的开关有源部31，开关有源部31包括有源子部311以及位于有源子部311两侧的连接子部312。
67.在第三绝缘层513上形成半导体层，并对半导体层进行图案化处理，以形成位于金属氧化物晶体管区102内的开关有源部31。
68.可选的，开关有源部31的厚度可为100-1000埃，且开关有源部31的材料包括铟镓锌氧化物、氧化铟锌锡、铟镓锌钛氧化物等。
69.在开关有源部31上形成第四绝缘部521以覆盖开关有源部31，可选的，第四绝缘部521的厚度可为1000-3000埃，且第四绝缘部521的材料包括氮化硅或氧化硅中的至少一者。
70.在第四绝缘层521上形成第三金属电极层，并对第三金属电极层进行图案化处理，以形成位于开关有源部31上方的开关栅极71；可选的，开关栅极71的材料包括mo、al、cu、ti或者以上金属材料组合形成的合金材料，且开关栅极71的厚度可为2000-8000埃。
71.接着在开关栅极71上涂布形成光阻层401，且光阻层401包括形成于开关栅极71两侧的开口，且开口穿过第四绝缘层521以露出开关有源部31两侧的上表面，并在开关有源部31中形成有源子部311以及连接于有源子部311两侧的连接子部312。
72.s40、在金属氧化物层30远离低温多晶硅层20的一侧形成自钝化金属层40，自钝化金属层40包括至少部分覆盖于连接子部312上的钝化部41。
73.在光祖层401上形成金属层42，且金属层42连续地覆盖光阻层401以及开关栅极71两侧的开口内，可选的，金属层42的材料包括ti、al、cr中的至少一者，且金属层42的厚度可为50-100埃。
74.需要说明的是，本发明实施例中以金属层42的材料为al为例，进行说明。
75.然后去除开关栅极71两侧的开口以外的金属层42以及光阻层401，即剩下的金属
层42覆盖于连接子部312的上表面。
76.接着对未被去除的金属层进行退火处理，以在连接子部312的上表面形成钝化部41，即al经过退火处理，以在连接子部312上形成三氧化二铝，且未被钝化部41覆盖的有源子部311保持半导体特性。
77.在钝化部41上形成第五绝缘部522，以覆盖钝化部41以及开关栅极71，可选的，第五绝缘部522的厚度可为2000-10000埃，且第五绝缘部522的材料包括氧化硅以及氮化硅中的至少一者，或为有机材料。
78.在第五绝缘部522、第四绝缘部521、第三绝缘部513、第二绝缘部512以及第一绝缘部511中形成第一过孔，以露出驱动有源部21的两侧，在第五绝缘部522、第四绝缘部521、第三绝缘部513、第二绝缘部512、第一绝缘部511、介质层91以及第三水氧阻挡子层15中形成第二过孔，以露出遮光部80的部分上表面，在第五绝缘部522、第四绝缘部521、第三绝缘部513、第二绝缘部512以及第一绝缘部511中形成第三过孔，以露出导通部22的部分上表面，在第五绝缘部522和钝化部41中形成第四过孔，以露出开关有源部31两侧的连接子部312。
79.在第五绝缘部522上形成第四金属电极层，并对第四金属电极层进行图案化处理，以形成源漏极层60，且源漏极层60包括穿过第一过孔与驱动有源部21搭接的驱动漏极61、穿过第一过孔和第二过孔分别与驱动有源部21和遮光部80搭接的驱动源极62、穿过第三过孔和第四过孔分别与导通部22和连接子部312搭接的开关漏极63以及穿过第四过孔与连接子部312搭接的开关源极64。
80.可选的，第四金属电极层的材料包括mo、al、cu、ti或者以上金属材料组合形成的合金材料，且第四金属电极层的厚度可为2000-8000埃。
81.最后，在源漏极层60上形成层间绝缘层92，以覆盖驱动漏极61、驱动源极62、开关漏极63以及开关源极64。
82.承上，本发明实施例提供的显示面板的制作方法仅需要6道光罩工艺以及3道cvd成膜工艺，即可实现该显示面板的制作，相对于相关技术而言，可以缩减工艺工序，节省工艺成本，且制作有钝化部41以保护开关有源部31，还可以提高开关晶体管的稳定性。
83.另外，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中所述的显示面板，或采用上述实施例中所述的显示面板的制作方法制得的显示面板。
84.在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
85.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板及其制作方法、显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。